CN113496865A - 基板处理装置 - Google Patents

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仙田孝博
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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化。上部构件配置于对基板实施基板处理的处理室内的上部。顶部构件构成处理室的顶部，在与上部构件相对的相对面形成有贯通孔。支承构件贯穿贯通孔，并且设为能够在贯通孔内滑动移动，利用位于处理室内的一端支承上部构件。收容部收容支承构件的位于处理室外的另一端，相对于另一端在支承构件的移动方向上的另一端侧划分并设有第1空间，相对于另一端在移动方向上的一端侧划分并设有第2空间。压力控制部使第1空间与第2空间之间产生使支承构件移动的压力差。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
专利文献1公开了一种以对在下表面设有凹状的开放部的喷头主体的开放部进行封闭的方式配置喷淋板并将喷淋板利用螺栓紧固于喷头主体的构造。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11－111626号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理装置具有上部构件、顶部构件、支承构件、收容部、压力控制部。上部构件配置于对基板实施基板处理的处理室内的上部。顶部构件构成处理室的顶部，在与上部构件相对的相对面形成有贯通孔。支承构件贯穿贯通孔并且设为能够在贯通孔内滑动移动，利用位于处理室内的一端支承上部构件。收容部收容支承构件的位于处理室外的另一端，相对于另一端在支承构件的移动方向上的另一端侧划分并设有第1空间，相对于另一端在移动方向上的一端侧划分并设有第2空间。压力控制部使第1空间与第2空间之间产生使支承构件移动的压力差。
发明的效果
根据本公开，能够抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置的结构的一个例子的概略剖视图。
图2是表示实施方式所涉及的支承部的配置的一个例子的图。
图3是表示实施方式所涉及的支承部的结构的图。
图4是表示减压前的支承部的动作的图。
图5是表示减压后的支承部的动作的图。
图6是表示实施方式所涉及的基板处理装置的设计值的一个例子的图。
图7是表示实施方式所涉及的基板处理装置中作为能够对上部顶板施加电压的结构的一个例子的图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本申请所公开的基板处理装置的实施方式。此外，所公开的基板处理装置并不被本实施方式限定。
另外，在实施等离子体处理的基板处理装置中，一边自配置于处理室的顶部的喷头供给工艺气体，一边施加高频电力，在处理室内生成等离子体。喷头吸收来自等离子体的热量。因此，例如，使用专利文献1，在设为将喷头主体等顶部构件与喷淋板等上部构件利用螺栓紧固的构造的情况下，由于螺栓的因吸收来自等离子体的热量而产生的线膨胀差，顶部构件与上部构件之间的接触压力发生变化。例如，在螺栓线膨胀而无法获得充分的接触压力的情况下，传热性下降而上部构件的温度升高，在上部构件产生变形、翘曲，存在由于应力集中导致上部构件开裂的情况。于是，期待一种抑制顶部构件与上部构件之间的接触压力的变化的技术。
[基板处理装置的结构]
接着，说明实施方式所涉及的基板处理装置。以下，以将实施方式所涉及的基板处理装置设为等离子体装置并进行使用了等离子体的蚀刻处理作为基板处理的情况为例进行说明。图1是表示实施方式所涉及的基板处理装置10的结构的一个例子的概略剖视图。实施方式所涉及的基板处理装置10对半导体晶圆等基板进行使用了等离子体的蚀刻处理。
基板处理装置10具有气密地构成的腔室1。腔室1例如利用表面由阳极氧化覆膜覆盖了的铝等形成为大致圆筒状。腔室1接地。腔室1在内部对基板实施基板处理。腔室1作为实施基板处理的处理室发挥功能。
在腔室1内设有例如由铝等导电性的金属形成的基材2a。基材2a具有下部电极的功能。基材2a被支承于设置在绝缘板3上的作为导体的支承台4。另外，在基材2a的上方的外周设有例如由单晶硅等形成的边缘环5。边缘环5有时也被称作聚焦环。在基材2a和支承台4的周围以包围基材2a和支承台4的方式设有例如由石英等形成的圆筒状的内壁构件3a。
在基材2a的上方，以与基材2a大致平行地相对的方式、换言之以与配置于基材2a上的基板W相对的方式设有具有作为上部电极的功能的喷头16。喷头16和基材2a作为一对电极(上部电极和下部电极)发挥功能。在基材2a经由匹配器11a连接有高频电源12a。另外，在基材2a经由匹配器11b连接有高频电源12b。
高频电源12a向基材2a供给等离子体的产生所使用的、预先确定了的频率(例如100MHz)的高频电力。另外，高频电源12b向基材2a供给离子的引入(偏压)所使用的、预先确定了的频率的高频电力，且是频率(例如13MHz)低于高频电源12a的频率的高频电力。
在基材2a的上表面设有静电卡盘6，该静电卡盘6用于吸附保持基板W并且加热基板W。静电卡盘6具有绝缘体6b以及设于绝缘体6b之间的电极6a和加热器6c。电极6a连接于直流电源13。加热器6c连接于加热器电源14。静电卡盘6利用自直流电源13施加的直流电压使静电卡盘6的表面产生库仑力，在库仑力的作用下，将基板W吸附保持于静电卡盘6的上表面。利用后述的控制部90控制直流电源13的接通和断开。
另外，静电卡盘6利用由自加热器电源14供给来的电力加热后的加热器6c加热基板W。另外，在静电卡盘6的上表面形成有多个凸部，基板W被多个凸部支承。在多个凸部之间供给有后述的传热气体。
在基材2a的内部形成有供热介质流动的流路2b，在流路2b借助配管2c、2d连接有控制热介质的温度的冷却单元33。通过自冷却单元33供给来的热介质在流路2b内进行循环，从而利用与热介质之间的热交换来控制基材2a的温度。
另外，在基材2a以贯穿基材2a的方式设有用于向静电卡盘6与基板W之间供给氦气等传热气体(背面气体)的配管32。配管32连接于传热气体供给部31。传热气体供给部31经过配管32向静电卡盘6与基板W之间供给传热气体。
通过控制在流路2b流动的热介质的温度、向静电卡盘6内的各加热器6c供给的电力、向静电卡盘6与基板W之间供给的传热气体的压力，从而将静电卡盘6上的基板W的温度控制为预先确定了的范围内的温度。
喷头16设于腔室1的上部。喷头16包括主体部16a和上部顶板16b。主体部16a构成腔室1的顶部。主体部16a借助绝缘性构件45被支承于腔室1的上部。主体部16a例如由在表面实施了阳极氧化处理的铝等形成。上部顶板16b例如由石英等含硅物质形成。上部顶板16b配置于腔室1内的上部。主体部16a设有支承上部顶板16b的支承部100。支承部100设于主体部16a的上表面的、与上部顶板16b的中央和周边对应的位置，该支承部100分别贯穿主体部16a并支承上部顶板16b。
图2是表示实施方式所涉及的支承部100的配置的一个例子的图。图2是从上侧表示喷头16的图，示出设有支承部100的配置位置。上部顶板16b设为圆盘状。与上部顶板16b的中心的位置对应地设有一个支承部100。另外，在上部顶板16b的边缘的内侧的位置沿着边缘以均等的间隔设有8个支承部100。此外，图2所示的支承部100的配置位置为一个例子，并不限定于此。例如，支承部100也可以不设于上部顶板16b的中心，而是仅沿着上部顶板16b的边缘设置。另外，支承部100沿着边缘以等间隔设置3个以上即可，优选设置6个～8个。
返回图1。在主体部16a与上部顶板16b之间设有功能性薄膜16h。功能性薄膜16h形成为与上部顶板16b相同程度的尺寸或略小于上部顶板16b的尺寸。功能性薄膜16h设为用于主体部16a与上部顶板16b之间的电(导电/绝缘)和热(传热/绝热)的传输。例如，功能性薄膜16h为了维持主体部16a与上部顶板16b之间的传热性和导电性而具有传热性和导电性。另外，功能性薄膜16h作为主体部16a与上部顶板16b之间的缓冲构件发挥功能。
在主体部16a的内部形成有扩散室16c。在主体部16a的底部以位于扩散室16c的下部的方式形成有多个气体流出口16e。在上部顶板16b以沿厚度方向贯通该上部顶板16b的方式设有多个气体喷出口16f，各个气体喷出口16f与上述的气体流出口16e连通。利用这样的结构，供给到扩散室16c的处理气体在扩散室16c内扩散，并经由各个气体流出口16e和气体喷出口16f以喷淋状向腔室1内供给。此外，在主体部16a等设有未图示的加热器、用于使热介质循环的未图示的配管等温度调节器，从而在基板W的处理中能够将喷头16控制为期望的范围内的温度。
在主体部16a形成有用于向扩散室16c导入处理气体的气体导入口16g。在气体导入口16g借助配管15b连接有供给基板W的处理所使用的处理气体的处理气体供给源15。在配管15b设有阀V和质量流量控制器(MFC)15a。自处理气体供给源15供给来的处理气体经由配管15b供给到喷头16的扩散室16c内，并经由各个气体流出口16e和气体喷出口16f供给到腔室1内。
在喷头16经由低通滤波器(LPF)40和开关41电连接有可变直流电源42。开关41控制自可变直流电源42向喷头16的直流电压的供给和切断。例如，在自高频电源12a、12b向基材2a供给高频电力而使腔室1内产生等离子体时，根据需要将开关41接通，对喷头16施加预先确定了的大小的直流电压。
在腔室1的底部形成有排气口71。在排气口71借助排气管72连接有排气装置73。排气装置73具有真空泵，通过使该真空泵工作，能够将腔室1内减压到预先确定了的真空度。另外，在腔室1的侧壁形成有用于送入和送出基板W的开口74，在开口74设有用于打开关闭该开口74的闸阀G。
在腔室1的内壁沿着内壁的面可装卸地设有沉积物屏蔽件76。另外，在内壁构件3a的外周面以覆盖内壁构件3a的方式配置有沉积物屏蔽件77。沉积物屏蔽件76、77防止蚀刻副产物(沉积物)在腔室1的内壁附着。另外，在沉积物屏蔽件76的与吸附保持于静电卡盘6上的基板W大致相同高度的位置设有被直流接地了的导电性构件(GND组件)79。利用导电性构件79，抑制腔室1内的异常放电。
另外，在腔室1的周围呈同心圆状配置有环形磁体9。环形磁体9在喷头16与基材2a之间的空间形成磁场。环形磁体9利用未图示的旋转机构保持为能够旋转。
基板处理装置10具有控制部90。控制部90例如为具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机。控制部90控制基板处理装置10的各部分。在控制部90中，操作者能够使用输入装置进行命令的输入操作等以管理基板处理装置10。另外，在控制部90中，能够利用显示装置可视化地显示基板处理装置10的运行状况。而且，在控制部90的存储部存储有用于利用处理器控制由基板处理装置10执行的各种处理的控制程序和制程数据。通过控制部90的处理器执行控制程序，并按照制程数据控制基板处理装置10的各部分，从而由基板处理装置10执行期望的处理。例如，控制部90控制基板处理装置10的各部分，使其对送入到基板处理装置10内的基板执行蚀刻处理。
[支承部的结构]
图3是表示实施方式所涉及的支承部100的结构的图。图3中示出了表示一个支承部100的内部结构的剖视图。在主体部16a，与支承上部顶板16b的位置对应地形成有贯通孔16i。在主体部16a的上表面，与贯通孔16i的位置对应地设有支承部100。
支承部100具有支承构件101和收容部102。
支承构件101形成为圆柱状，插入于贯通孔16i，该支承构件101贯穿贯通孔16i并且设为能够在贯通孔16i中滑动移动。支承构件101利用位于腔室1内的一端部101a支承上部顶板16b。例如，上部顶板16b和功能性薄膜16h在支承构件101的位置形成有孔16j。与该孔16j的靠上部顶板16b的上侧的部分相比，该孔16j的靠上部顶板16b的下侧的部分的直径形成得较大。支承构件101的端部101a穿过上部顶板16b的孔16j，端部101a的直径大于孔16j的靠上部顶板16b的上侧的部分的直径，形成为圆盘状。通过端部101a勾挂于上部顶板16b，从而支承构件101支承上部顶板16b。在上部顶板16b的暴露于等离子体的下表面的设有孔16j的位置，利用与上部顶板16b相同材质的覆盖构件16k进行覆盖。覆盖构件16k形成有较小的孔16l。
在贯通孔16i与支承构件101之间沿着周面设有由绝缘材料构成的绝缘构件16m。绝缘构件16m沿着中心轴线设为形成有孔的圆筒状，支承构件101穿过孔。绝缘构件16m的上端和下端的外径形成得大于贯通孔16i的直径。
支承构件101由导电性材料构成。支承构件101利用绝缘构件16m与主体部16a绝缘。
绝缘构件16m利用螺栓等固定构件111固定于主体部16a。另外，在绝缘构件16m与上部顶板16b之间的接触面以包围支承构件101的方式设有密封件等密封构件112，将支承构件101气密地密封。
收容部102具有壳体部103和盖部104。
壳体部103形成为上侧的一端面被封闭了的筒状，下侧的另一端面利用盖部104封闭。
盖部104利用螺栓等固定构件113固定于绝缘构件16m。另外，在盖部104与绝缘构件16m之间的接触面以包围支承构件101的方式设有密封件等密封构件114，将支承构件101气密地密封。
收容部102收容支承构件101的位于腔室1的外侧的另一端部101b。例如，收容部102在盖部104形成有略大于支承构件101的孔104a。支承构件101穿过孔104a，端部101b位于收容部102的内部。
在收容部102中，相对于端部101b在支承构件101的移动方向上的另一端侧即上侧划分并设有第1空间105，相对于端部101b在支承构件101的移动方向上的一端侧即下侧划分并设有第2空间106。例如，支承构件101的端部101b以其直径大于孔104a的直径且为与收容部102的内径相同的程度的方式形成为圆盘状。在端部101b的上表面101c沿着边缘设有波纹管107a。波纹管107a与端部101b的上表面101c以及壳体部103的内部的上表面103a连接。收容部102的内部利用波纹管107a划分有第1空间105和第2空间106。波纹管107a设为能够沿支承构件101的移动方向伸缩，将被波纹管107a围起来的第1空间105与第2空间106分隔开并气密地密封。
另外，收容部102在支承构件101的周围划分并设有第2空间106和第3空间108。收容部102在支承构件101的周围设有波纹管107b。波纹管107b与端部101b的下表面101d以及盖部104的上表面104b连接。波纹管107b设为能够沿支承构件101的移动方向伸缩，将支承构件101的周围的被波纹管107b围起来的第3空间108与第2空间106分隔开并气密地密封。
在端部101b形成有连接第1空间105和第3空间108的孔101e。贯通孔16i为了使支承构件101能够顺畅地滑动移动，在绝缘构件16m与支承构件101之间形成有略微的间隙16n。
由此，第1空间105借助孔101e、第3空间108和间隙16n、孔16j、孔16l与腔室1的内部连通。第2空间106被设为大气压的空间。第1空间105和第3空间108由于与腔室1的内部连通，因而成为与腔室1的内部相同的压力。
接着，说明实施方式所涉及的基板处理装置10进行使用了等离子体的蚀刻处理的情况下的动作。
在腔室1内为大气状态的情况下，支承部100的第1空间105、第2空间106以及第3空间108成为大气压。图4是表示减压前的支承部100的动作的图。支承部100的第2空间106被设为大气压。另外，在支承部100，在腔室1内为大气状态的情况下，大气自腔室1流入，从而第1空间105和第3空间108成为大气压。在第1空间105和第2空间106为大气压的情况下，支承构件101下降，上部顶板16b和主体部16a成为分离状态。
在进行蚀刻处理的情况下，基板处理装置10利用排气装置73将腔室1内减压到预先确定了的真空度。在利用排气装置73对腔室1的内部进行减压时，第1空间105和第3空间108被减压。
图5是表示减压后的支承部100的动作的图。当第1空间105被减压时，在第1空间105与第2空间106之间产生压力差。在该压力差的作用下，对支承构件101产生向上的力而支承构件101上升。例如，在对腔室1内进行减压之前，在支承构件101的端部101b施加有由第2空间106的大气产生的向上的力和由第1空间105的大气产生的向下的力。当腔室1内被减压而第1空间105被减压时，由第1空间105的大气产生的向下的力减少，在由第2空间106的大气产生的向上的力的作用下，支承构件101上升。由此，上部顶板16b伴随支承构件101的上升而上升，并与主体部16a密合。
如图2所示，实施方式所涉及的基板处理装置10与上部顶板16b的周边对应地设有8个支承部100。由此，能够使上部顶板16b的周边附近与主体部16a均匀地密合。另外，实施方式所涉及的基板处理装置10与上部顶板16b的中心对应地设有支承部100。由此，能够使上部顶板16b的中央附近与主体部16a密合。
另外，实施方式所涉及的基板处理装置10未将上部顶板16b固定于主体部16a，而是通过支承部100利用在第1空间105与第2空间106之间产生了压力差而带来的力支承上部顶板16b。因此，即使在支承构件101因吸收来自等离子体的热量而线膨胀了的情况下，由于支承构件101能够根据线膨胀而滑动移动，因而支承上部顶板16b的力几乎不会变化。因而，实施方式所涉及的基板处理装置10利用支承部100支承上部顶板16b，因而即使在支承部100的温度变化的情况下，也能够抑制上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力的变化。
在此，例如，在设为代替支承部100而将上部顶板16b和主体部16a利用螺栓等螺纹件紧固的构造的情况下，有时会由于以过度的扭矩使用螺纹件将上部顶板16b固定而导致上部顶板16b产生裂纹等。另外，由于容易产生各个螺纹件的扭矩的偏差，因而需要螺纹件的扭矩管理。另外，在设为利用螺栓进行紧固的构造的情况下，由于螺栓的因吸收来自等离子体的热量而产生的线膨胀差，而容易引起上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力的时间变化。
另外，实施方式所涉及的支承部100为不利用螺栓等螺纹件紧固上部顶板16b和主体部16a的构造。由此，在将上部顶板16b安装于主体部16a的情况下，不需要螺纹件的扭矩管理，能够防止由螺纹件的松动导致的安装不良。另外，能够防止由于以过度的扭矩使用螺纹件将上部顶板16b固定于主体部16a而导致的上部顶板16b的裂纹等。另外，支承部100利用在第1空间105与第2空间106之间产生了压力差而带来的力支承上部顶板16b，因而能够抑制上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力的时间变化。
另外，支承部100的第1空间105与腔室1的内部连通。由此，对于基板处理装置10，通过对腔室1的内部进行减压，从而上部顶板16b上升并与主体部16a密合，而不需要另外设置对第1空间105进行减压的减压机构。
支承部100设计为，在将腔室1内减压到实施基板处理的真空度时，上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力成为规定的压力。
图6是表示实施方式所涉及的基板处理装置10的设计值的一个例子的图。例如，上部顶板16b设为，直径为418mm，重量为4.2kg。另外，与上部顶板16b的周边对应地设置的8个支承部100设为沿着直径为386mm的圆形配置。支承部100设为端部101b的上表面的由波纹管107a围起来的区域为直径为18mm的圆形。由波纹管107a围起来的圆形的区域的面积成为0.000254m2(＝(0.009)2×3.14)。由于支承部100为9个，因而产生压力差的面积成为0.00229m2(＝0.000254×9)。大气压设为101325Pa(N/m2)。该情况下，9个支承部100将上部顶板16b向上方牵引的力成为232N(＝0.00229×101325)。
另外，上部顶板16b的重量为4.2kg。因此，由上部顶板16b的重力产生的向下的力成为41N(＝4.2×9.8)。
因而，上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力成为191N(＝232N－41N)。实施方式所涉及的基板处理装置10通过改变支承部100的数量、由波纹管107a围起来的区域的面积，能够改变上部顶板16b与主体部16a之间的接触压力。
如上所述，实施方式所涉及的基板处理装置10具有上部顶板16b(上部构件)、主体部16a(顶部构件)、支承构件101、收容部102、排气装置73(压力控制部)。上部顶板16b配置于对基板W实施基板处理的腔室1(处理室)内的上部。主体部16a构成腔室1的顶部，在该主体部16a的与上部顶板16b相对的相对面形成有贯通孔16i。支承构件101贯穿贯通孔16i并且设为能够在贯通孔16i内滑动移动，该支承构件101利用位于腔室1内的一端支承上部顶板16b。收容部102收容支承构件101的位于腔室1外的另一端，相对于另一端在支承构件101的移动方向上的另一端侧划分并设有第1空间105，相对于另一端在移动方向上的一端侧划分并设有第2空间106。排气装置73使第1空间105与第2空间106之间产生使支承构件101移动的压力差。由此，基板处理装置10能够抑制主体部16a与上部顶板16b之间的接触压力的变化。
另外，在收容部102中，第2空间106设为大气压的空间，通过在支承构件101的周围设置波纹管107b(伸缩构件)而划分成第2空间106和支承构件101的周围的由波纹管107b围起来的第3空间108。支承构件101的另一端形成有连接第1空间105和第3空间108的孔101e。第1空间105和腔室1经由孔101e、第3空间108以及贯通孔16i连通。排气装置73通过对腔室1进行减压从而使第1空间105与第2空间106之间产生使支承构件101移动的压力差。由此，基板处理装置10不需要为了使第1空间105与第2空间106之间产生压力差而设置另外的排气装置，而能够通过利用排气装置73对腔室1进行减压，从而使上部顶板16b与主体部16a密合。
以上，说明了实施方式，但应该认为，此次公开的实施方式在全部方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以各种各样的形态来具体实现。另外，上述的实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的范围内，也可以以各种各样的形态进行省略、置换、变更。
例如，在上述的实施方式中，还可以在主体部16a设置加热器、供制冷剂等调温流体流动的流路等调温机构而设为能够调整主体部16a的温度。而且，还可以通过利用具有传热性的功能性薄膜16h在上部顶板16b与主体部16a之间进行热交换，从而对上部顶板16b进行温度调整。
另外，上述的实施方式所涉及的基板处理装置10还可以设为能够经由支承部100对上部顶板16b施加电压的结构。图7是表示在实施方式所涉及的基板处理装置10中设为能够对上部顶板16b施加电压的结构的一个例子的图。主体部16a由导电性材料构成，在贯通孔16i的与支承构件101之间的相对面设有绝缘构件16m。在腔室1的上部设有施加直流电压的电源130，该电源130经由设于壳体部103的端面的导电性的导电部131、132以及导电性的布线133与支承构件101连接。支承构件101由导电性材料构成，被施加有直流电压。上部顶板16b由导电性材料构成，经由支承构件101被施加有直流电压。由此，基板处理装置10能够经由支承部100对上部顶板16b施加直流电压。
另外，在上述的实施方式中，以通过使第1空间105与腔室1的内部连通，并利用排气装置73对腔室1进行减压，从而对第1空间105进行减压的情况为例，进行了说明。但是，公开的技术并不限定于此。例如，也可以另外设置与收容部102的第1空间105连通并对第1空间105进行排气的排气装置。该情况下，也可以不在支承构件101的端部101b形成孔101e。
另外，上述的实施方式所涉及的基板处理装置10也可以设置确认支承部100是否能够正常地支承上部顶板16b的检测部。设置检测收容部102的第1空间105的压力、容量的检测部，并根据检测到的第1空间105的压力、容量来检测支承构件101的移动。控制部90也可以根据检测结果监视上部顶板16b的翘曲、进行动作监视、监视由线膨胀差导致的支承构件101的冲程长度的安全率等。
另外，上述的实施方式所涉及的基板处理装置10以利用波纹管107a将收容部102的内部划分成第1空间105和第2空间106的情况为例进行了说明。但是，公开的技术并不限定于此。例如，也可以在端部101b的成为侧面的周面与收容部102的内侧的侧面之间设置O形密封圈、密封件等、即使端部101b滑动移动也能够维持气密性的密封构件，从而将收容部102的内部划分成第1空间105和第2空间106。
另外，在上述的实施方式中，以将基板设为半导体晶圆的情况为例进行了说明。但是，公开的技术并不限定于此。例如，基板也可以是玻璃基板等其他的基板。
另外，在上述的实施方式中，作为基板处理装置10，以等离子体蚀刻处理装置为例进行了说明。但是，公开的技术并不限定于此。基板处理也可以是成膜处理、改性处理等其他的基板处理。基板处理装置可以是任何装置，只要是具有使顶部构件与上部构件接触的构造的装置即可。例如，对于使用等离子体的成膜装置、改性装置等，也能够应用公开的技术。
另外，在上述的各实施方式中，作为等离子体源的一个例子，使用了电容耦合型等离子体(CCP)，但公开的技术并不限定于此。作为等离子体源，例如也可以使用电感耦合型等离子体(ICP)、微波激励表面波等离子体(SWP)、电子回旋共振等离子体(ECP)或螺旋波激励等离子体(HWP)等。
此外，应该认为，此次公开的实施方式在全部方面均为例示，并不是限制性的。实际上，上述的实施方式能够以各种形态来具体实现。另外，上述的实施方式在不脱离附加的权利要求书及其主旨的范围内，能够以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (4)

1.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
上部构件，其配置于对基板实施基板处理的处理室内的上部；
顶部构件，其构成所述处理室的顶部，在与所述上部构件相对的相对面形成有贯通孔，
支承构件，其贯穿所述贯通孔并且设为能够在所述贯通孔内滑动移动，利用位于所述处理室内的一端支承所述上部构件；
收容部，其收容所述支承构件的位于所述处理室外的另一端，相对于所述另一端在所述支承构件的移动方向上的另一端侧划分并设有第1空间，相对于所述另一端在所述移动方向上的一端侧划分并设有第2空间；以及
压力控制部，其使所述第1空间与所述第2空间之间产生使所述支承构件移动的压力差。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述收容部中，所述第2空间成为大气压的空间，通过在所述支承构件的周围设置伸缩构件从而划分成所述第2空间和所述支承构件的周围的由所述伸缩构件围起来的第3空间，
所述另一端形成有连接所述第1空间和所述第3空间的孔，
所述第1空间和所述处理室经由所述孔、所述第3空间以及所述贯通孔连通，
所述压力控制部通过对所述处理室进行减压，从而使所述第1空间与所述第2空间之间产生使所述支承构件移动的压力差。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述顶部构件设有调整温度的调温机构，
所述顶部构件和所述上部构件中的一者或两者在相对的相对面配置有具有传热性的片材。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述顶部构件由导电性材料构成，在所述贯通孔的与所述支承构件之间的相对面设有绝缘构件，
所述支承构件由导电性材料构成，被施加有直流电压，
所述上部构件由导电性材料构成，经由所述支承构件被施加有直流电压。
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