CN101711354B - 检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备 - Google Patents

检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备 Download PDF

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Abstract

一种检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备。本发明涉及一种检测衬底(2)上例如滑移线型缺陷的表面缺陷的方法，衬底设计用于电子仪器、光电子仪器或类似仪器，该方法的显著之处在于至少包括以下步骤：向衬底(2)上投射由交替的光条纹和暗带组成的图案，从而产生被衬底(2)的表面反射的条纹；将图案与衬底(2)沿着至少一个方向相对移位，从而将衬底(2)上的图案的条纹移位；通过传感器(8)获得被衬底(2)反射的图案的至少三个图像的序列，所述图像对应于图案的条纹的移位；利用图案的条纹的移位，确定衬底(2)的表面的梯度；以及利用衬底(2)的表面的梯度的变化，确定衬底(2)有没有表面缺陷。本发明的另一目的涉及使用该方法的设备。

Description

检测衬底上表面缺陷的方法以及使用该方法的设备
技术领域
本发明涉及一种检测衬底上表面缺陷的方法以及使用所述方法的设备，尤其适用于检测半导体衬底的表面缺陷，特别是单晶衬底中的晶体微缺陷(crystalline micro-defect)并确定其位置。
背景技术
大家都知道，在制造例如专用于微电子、光电子应用等的SOI(绝缘体上硅)衬底之类的半导体衬底的过程中会出现表面缺陷。
通常，通过SmartCutTM工艺以及连续的热处理工艺获得所述衬底。
在这些热处理过程中，衬底经受温度梯度和塑性变形，导致出现表面缺陷，这样的表面缺陷称为有源层上的滑移线(slip lines)，会降低衬底质量。
在热处理过程中，通过例如环形支撑件或者具有三个或者四个支承点的支撑件之类的支撑件将SOI衬底固定到位。在高温(例如超过1000℃的温度)热处理步骤中，夹持支撑件(retaining substrate)对衬底施加强力(high force)，特别是剪切应力。这些力能使衬底变形，从而导致形成断面，在断裂以后，晶体结构因为滑动而移位，这种移位可以通过对应的滑移线形式观察到。移动幅度的量级为1个纳米，因此在表面上产生同样尺寸的阶梯。断裂可能穿过衬底的一部分厚度，有时候能从衬底的后表面穿过衬底直到前表面。
例如，高质量SOI型衬底要求以1100℃甚至超过1200℃的温度进行热处理，这导致在热处理过程中形成滑移线，特别是在衬底与将衬底固定到位的支撑件之间的接触区域附近形成滑移线。
因此，环形支撑件通常会露出衬底外周的滑移线，而具有三个支承点的支撑件会使滑移线出现在配置为朝向支承点的衬底支承区域中。滑移线会损害绝缘层上的单晶硅的质量，进而损害随后制造的电子元件的质量。
不仅在SOI型异质结构中会观察到这种缺陷，在其他类型的衬底，例如同质单晶硅衬底中也会出现这种缺陷。
为了保持市售衬底的良好质量，通常的做法是检查这些衬底的表面，确定在制造过程中出现的任何滑移线。
已经发现使用单一的检测技术很难快速可靠地检测所有的滑移线。
如果使用行业中通用的几种技术并对结果作比较，可以看出没有一种技术能识别所有的滑移线，特别是出现在衬底外周的滑移线。因为衬底边缘周围的晶圆具有“圆形边缘”，导致不能收集光线，也就不能进行测量，所以在衬底边缘周围不能使用基于检测衬底表面的反射光束和/或散射光的技术。因此在衬底外周超过几毫米就不能分析衬底。
因此，试图找到一种检测工具，其能够在单次测量中识别所有滑移线以及可以通过光学方法检测的例如表面出现的孔之类的其他类型的缺陷。
已经存在被公认为能够实用地检测可以用光学方式检测的几乎所有缺陷(例如表面出现的滑移线或孔等等)的功能强大且复杂的实验设备。
但是，这些设备非常昂贵，并且只能以每小时大约7个衬底的速度分析衬底。
要符合工业生产需要必须达到每小时50个甚至100个衬底的速度。
检测这种衬底上的滑移线缺陷的大部分方法都包括向衬底投射激光源发射的偏振相干光，然后使用光检测器(photo-detector)检测被衬底反射的光。当入射光束在衬底表面被反射以后，光线被缺陷散射。光检测器检测以这种方式散射的光并确定以这种方式散射的光量。
例如在日本专利JP4042945和JP60122358中描述了这样的方法。
这些方法的缺点是需要很长的显影(development)时间，因此效率不高。这些方法不能检测小幅度的滑移线。特别是，这些方法不能检测衬底边缘出现的滑移线(圆形边缘使得不能满意地收集反射光线)，尽管滑移线在边缘出现特别频繁。
日本专利JP3150859也描述了一种检测半导体衬底中的滑移线的方法，其中，所述衬底放置在微分干涉显微镜下方，微分干涉显微镜设置了电视摄像机，电视摄像机连接到转换器。所述转换器将摄像机的视频信号转换为电流的形式，该电流与限制缺陷检测电流进行比较。衬底沿着与显微镜中心线正交的至少两个方向移位，从而检查整个衬底表面。
这种方法有如下缺点：首先，它只能用于检测大的滑移线，其次，根据这种方法处理衬底的时间长，导致受分析衬底的供应速度有限。
日本专利申请JP 2001/124538公开了一种检测半导体晶片表面出现的诸如滑移线等的缺陷的方法和设备。该方法包括以下步骤：向衬底投射由交替的光条纹(light fringe)和暗带(dark band)组成的图案，从而产生被衬底表面反射的条纹。随后，CCD传感器捕捉被衬底反射的图案的图像，并且在显示器屏幕上可视地检测缺陷。
这种方法的缺点是不能检测小缺陷且容易出现人为误差。
现有技术US 2001/0033386公开了一种检测物体的表面缺陷的光学系统，包括以下步骤：向衬底投射由交替的光条纹和暗带组成的图案，从而产生被物体表面反射的条纹；将图案与物体相对移位；获取被物体反射的图案的三个图像的序列；以及根据US 6750899，按照成像确定高度。按照条纹的相对相位的变化，确定图像的每个像素的高度。
这种方法的缺点也是不能检测小缺陷。
此外，不是所有这些方法都能有效地检测在包括传送一层的步骤以及随后利用SmartCutTM工艺分离该层的步骤的制造过程中可能出现的所谓的“非传送(non-transferred)”区域。这些ZNT区域为本领域技术人员公知，并且对应于分子接合不如分离机制一样有效的区域，因此在这些区域中不传送层。不能始终检测到衬底边缘的ZNT区域，特别是在由于衬底的圆形边缘而不能进行测量的区域。此外还发现在超过给定尺寸后，这些技术对检测ZNT区域不是很有效。
发明内容
因此本发明的目的之一就是通过提出一种检测半导体衬底表面缺陷的技术以及一种利用所述设计简单、廉价的方法的设备，并且提供一种在30秒以内快速检测极小滑移线的装置，从而克服上述所有缺点。
为了实现此目的，根据本发明，提出使用一种检测衬底上例如“滑移线”等的表面缺陷的方法，所述衬底被设计为用于电子仪器、光电子仪器或类似仪器，所述方法的显著之处在于至少包括以下步骤：
向衬底上投射由交替的光条纹和暗带组成的图案，从而产生被所述衬底表面反射的条纹，
将所述图案与所述衬底沿着至少一个方向相对移位，从而将所述衬底上的所述图案的条纹移位，
通过传感器获得被所述衬底反射的图案的至少三个图像的序列，所述图像对应于所述图案的所述条纹的移位，
利用所述图案的所述条纹的移位，确定所述衬底的表面的梯度，以及
利用所述衬底的表面的梯度变化，确定所述衬底上有没有表面缺陷。
优选地，所述图案的所述条纹互相平行，并且平行于所述衬底的第一主晶轴延伸和/或平行于所述衬底的第二主晶轴延伸。
优选地，通过投射条纹互相平行且平行于所述衬底的第一主晶轴延伸的图案获得第一图像序列，所述条纹沿着与所述条纹的方位垂直的方向被移位，并且，通过投射条纹互相平行且平行于所述衬底的第二主晶轴延伸的图案获得第二图像序列，所述条纹沿着与所述条纹的方位垂直的方向被移位。
此外，根据本发明的方法包括根据所述衬底表面的梯度变化来确定缺陷的空间位置的步骤。
通过确定所述衬底表面上曲率半径大于或等于给定阈值和/或空间分布在统计学上与所述衬底的平均分布不同的点，来确定所述缺陷的空间位置。
利用所述衬底上的参考点来确定所述缺陷的空间位置。
为此，所述衬底由扁平圆盘组成，扁平圆盘的外周包括形成所述参考点的径向凹口。
此外，根据本发明的方法优选包括确定被检测的表面缺陷的性质的步骤。
通过确定每个被检测的表面缺陷的幅度和/或长度和/或形状和/或方位来确定表面缺陷的性质。
此外，沿着两个正交的方向移动所述图案和/或所述衬底。
本发明的另一目的涉及一种检测衬底上例如滑移线型缺陷等的表面缺陷的设备，所述衬底被设计为用于电子仪器、光电子仪器或类似仪器；所述设备的显著之处在于包括：向所述衬底投射由交替的连续光条纹和暗带组成的图案的装置；使所述图案与所述衬底沿着至少一个方向相对移位的装置；至少一个传感器，能够记录被所述衬底反射的所述条纹的移位；利用所述图案的所述条纹的移位确定所述衬底表面的梯度的装置；以及利用所述衬底表面的梯度的变化确定所述衬底有没有表面缺陷的装置。
投射图案的所述装置由屏幕组成，所述屏幕上显示的图像包括光条纹和暗带的序列。
此外，产生所述图案与所述衬底相对移位的装置包括用于处理传输到所述屏幕的视频信号的算法，从而以规则或不规则的时间间隔偏移所述光条纹和暗带，所述偏移在半个像素至几个像素之间，所述屏幕、所述衬底以及所述传感器被固定。
所述传感器优选由包括CCD传感器的数码相机组成。
所述确定所述衬底表面的梯度和/或曲率的装置包括能够利用所述传感器传输的信号，计算图案条纹在所述衬底表面每个点的相位偏移的算法。
所述确定有没有表面缺陷的装置包括能够利用所述第一算法计算的相位偏移，计算所述衬底表面每个点的梯度和/或曲率的变化的第二算法。
此外，根据本发明的设备包括确定所述衬底表面上的缺陷的空间位置的装置。
所述确定缺陷的空间位置的装置包括一算法，该算法能够计算所述衬底表面上曲率半径大于或等于既定阈值的和/或空间分布在统计学上与所述衬底的平均分布不同的每个点相对于所述衬底上的参考点在所述衬底上的横坐标和纵坐标。
为了防止衬底上的任何灰尘沉积，所述设备优选包括产生平行于所述衬底表面的流体层流的装置和/或垂直地支撑所述衬底的装置。
附图说明
参照附图阅读下文后，本发明的其他优点和特性将变得更加清楚，下文给出根据本发明检测衬底上表面缺陷的方法及使用所述方法的装置的非限制性实例，附图中：
图1是根据本发明用来检测衬底表面缺陷的设备的示意图，
图2是用于根据本发明设备的图案的示意图，
图3是设置有参考点的衬底的俯视图，该参考点用于确定根据本发明检测的缺陷的位置，
图4是示出图2所示图案中的光强分布的曲线图，
图5是示出根据本发明的设备的图案中光强分布的变化的曲线图，
图6是示出根据本发明的设备的图案中光强分布的第二变化的曲线图，
图7是示出根据本发明检测衬底缺陷的方法的步骤的图。
具体实施方式
参照图1和图2，根据本发明的设备包括投射装置1，该投射装置1将由交替的连续光条纹4和暗带5组成的图案3投射在衬底2上，所述图案3在图2中示出。
衬底2位于环型支撑件(图中未示出)上，或者位于例如用于直径300mm衬底的具有三个或四个支承点的支撑件上。
在本发明的这个特殊示例性实施例中，可以看出光条纹4和暗带5的宽度基本上相同；但是很显然，光条纹4和暗带5可具有任意的对应宽度，这并未超出本发明的框架范围。
投射装置1由屏幕6组成，屏幕6例如是等离子体屏幕或LCD(液晶显示器)屏幕，其位于所述衬底2之上接近所述衬底2的法线，连接到发射可视信号的装置(例如计算机7)，并接收包括光条纹4和暗带5序列的可视信号。
优选采用50英寸的LCD屏幕。相比于等离子体屏幕，LCD屏幕上像素的均匀性更适合于检测滑移线。这种屏幕6与直径为300mm的衬底2之间的距离例如为60cm。
也可以用投射屏幕代替屏幕6，投射器将图案投射在投射屏幕上。不管怎样，优选将屏幕6布置为与光轴垂直，以在整个衬底上获得均匀的分辨率。
图案3对应于屏幕6的平面中的结构化光线(structured light)。
在图2所示的图案3的示例性实施例中，垂直于条纹的光强I(x)的分布全部是凹口状(notched)(图6)，也就是说光强在0到100％之间周期性地变化。
优选地，图案3由平行条纹组成，其中，垂直于条纹的光强I(x)的分布近似为正弦波(图4)。
下面将看到，当这种正弦曲线的周期大约对应于屏幕6的10个像素时，光强分布的形状将类似于图5所示。
在这个示例性实施例中，优选使用很细的条纹4，例如对应于屏幕6的大约10个像素。对于包括1000个像素的屏幕6，它对应于衬底2所反射的大约100个光条纹4。
显然可以用能够将图案3投射在衬底上的任何其他等效投射装置来代替所述投射装置1，该图案3由交替的连续光条纹4和暗带5组成。例如，这些装置可以由连续正弦光源(即非相干光源)、位于所述光源与衬底之间的栅格组成，或者由相干光源组成，相干光源包括两个球面波，通过所述波之间的干涉形成正弦条纹。
该设备还包括将图案3与衬底2沿着至少一个方向相对移位的装置。在这个特定实施例中，所述移位装置优选包括用于处理传输到屏幕6的视频信号的算法，从而以规则或不规则的时间间隔将光条纹4和暗带5偏移半个、一个或几个像素。条纹的周期不必与像素一致。
优选将图案3移位单个像素。这样，在光条纹4具有正弦波强度的情况下在屏幕上以10个像素的间距记录10个不同的图像。
所述图案3可以逐步移位(也就是不连续移位)，也可以沿着一个或几个方向连续移位。
参照图1，根据本发明的设备特别包括传感器8，以记录衬底2反射的条纹4的图像和它们的移位。该传感器8优选由数码相机组成，数码相机包括具有1100万像素的CCD(电荷耦合器件)型传感器。相机配置在衬底2上，而不是在衬底2反射的屏幕的镜像图像上。这种相机能以500ms的速度拍照，然后以大约500ms的速度将数据传送到计算机。因此，使用根据本发明的方法，1秒之内获得足够准确的图像，从而能分辨滑移线。因此，10个图像序列的获取时间持续大约10秒钟。因此，每分钟能处理两个甚至三个衬底，从而每小时能处理超过100个衬底。
传感器8连接到计算机7，计算机7接收衬底2反射的图像的信息，从而处理这些信息。
下面将看到，当传感器8的分辨率增加时，根据本发明的设备能检测衬底中更小的表面缺陷。
此外应当注意，在这个特定实施例中，屏幕6、衬底2以及传感器8被固定，因此该设备不产生任何振动，不会因部件之间的摩擦而成为污染源，并且不会变得不能调节。此外，该设备对振动不太敏感。
通过利用图案3的条纹4的移位，确定衬底2表面的曲率，从而处理该信息。
确定衬底2表面曲率的这些装置包括记录在计算机7的支撑件上的算法，该算法能利用传感器8所传输的信号计算图案3的条纹4在衬底2表面上每个点的相位偏移，然后推算出衬底2表面上所述点的曲率半径。
该设备还包括利用衬底表面的梯度变化确定衬底2上有没有表面缺陷的装置。这些确定有没有表面缺陷的装置包括记录在计算机7的介质中的第二算法，该算法能利用通过第一算法算出的相位偏移计算衬底表面上每个点的梯度值。
特别优选地，根据本发明的设备包括确定衬底2表面上缺陷空间位置的装置。所述确定缺陷空间位置的装置包括能够计算所述衬底2表面上曲率半径大于或等于既定阈值的每个点相对于衬底2上的参考点的横坐标和纵坐标的算法。
根据一个变化实施例，所述确定缺陷空间位置的装置可以包括能够计算所述衬底2表面上具有在统计学上与衬底2其余部分的梯度分布不同的局部梯度分布的每个点相对于衬底2上的参考点的横坐标和纵坐标的算法。
在图3所示根据本发明的示例性实施例中，衬底2由SOI(绝缘体上硅)型、形式为圆盘形的半导体衬底组成，圆盘外周形成有径向凹口9。这个凹口9充当正交坐标系的参考点，在这个坐标系中能对在所述衬底2表面检测到的缺陷10的位置进行定位。
此外，根据本发明的设备包括确定表面缺陷性质的装置，该装置包括记录在计算机7的介质中的算法，该算法能计算每个检测到的表面缺陷10的幅度和/或长度和/或形状和/或方位，然后将这些值与数据库中的值进行比较。
因此，该设备可用于检测并区分不同类型的表面缺陷，特别是像晶体缺陷这样的微缺陷，例如衬底外周的滑移线或者支撑件在衬底中心与边缘之间中间距离的区域中的冲击，微缺陷的尺寸量级在长度上为几百微米，在深度上为1个纳米。该设备还能检测在制造过程(包括传送层的步骤和之后利用SmartCutTM工艺的分离步骤)中出现的所谓“非传送”区域(ZNT)。
为了减少灰尘在衬底2上的沉积以及可能导致衬底2变形并且会改变缺陷10的检测结果的重力约束，优选通过本领域技术人员公知的任一种适当装置将所述衬底2垂直定位。
此外，根据本发明的设备优选包括产生有利的流体层流(laminar flow ofa fluid)的装置，以使灰尘对衬底的污染最小化，衬底2优选沿着流体延伸，或者接近流体并与其平行。
下面参照图1至图4说明根据本发明的设备的操作。
在步骤100(图7)，将由条纹4(光强沿着与该条纹垂直的轴具有正弦分布(图4))组成的图案3投射在衬底2上，因此产生被所述衬底表面反射的条纹。
衬底反射的图像的强度可用以下形式表示：
I＝I0(1+A0cos(φ+x))
其中，I0、A0、φ和x未知，分别表示被衬底2反射的图像的平均强度、条纹4的对比度、相位角和第一预定方向的空间坐标。
为了确定被反射图像每个点的上述值，在步骤105，将图案3与衬底2沿着至少一个方向进行相对移位，从而将衬底2上的图案3的条纹4移位，然后在步骤110，用传感器8记录被衬底2反射的条纹4的移位，从而确定图像上每个点反射的图像的平均强度I0、对比度A0和相位φ。必须获得图像序列以确定图像上的每个点反射的图像的平均强度I0、对比度A0和相位φ。图像序列优选包括3到10个图像。
优选获得两个图像序列，用包括沿着第一方向延伸的平行条纹4的图案3获得第一图像序列，所述条纹4正交于所述条纹4的方向而移位；用包括沿着与第一图像序列的条纹4的方向垂直的方向延伸的平行条纹4的图案3获得第二图像序列，所述条纹4也正交于所述条纹4的方向而移位。
在一种特别优选的方式中，通过投射图案3来获得图像序列(或多个图像序列)，对于该图案3，其条纹4平行于和/或垂直于衬底2的主晶轴延伸。通过所述衬底2外周的径向凹口9将衬底的所述晶轴具体化(materialized)。因此可以使用若干个图像序列，每个序列利用其条纹4平行于衬底2的其中一个主晶轴的图案3。优选对每个轴记录10个图像的序列。这样的配置使得能够更有效地检测单晶衬底上出现的滑移线，所述滑移线的长度量级为几百微米，充分大于其宽度(在原子尺度上)，滑移线通常与衬底2的晶轴排成直线。因此，三个图像组成的一个序列足以准确地确定条纹4的移位，进而能够看到衬底上有没有缺陷10以及缺陷10的位置。
然后在步骤115，利用图案3的条纹4的移位确定衬底2表面的曲率。应当注意，通过利用图案3的条纹4的移位得到反射图像的相位的测量结果，确定局部梯度场，然后对所述局部梯度场求微分，计算出衬底2表面每个点的曲率。
局部梯度是表面的局部切线，曲率是弯曲部分的局部半径。
在步骤120，利用上面计算的衬底2表面曲率的变化，在衬底2上检测至少一个表面缺陷。
优选将检测至少一个缺陷的步骤120分解为第一步骤125和第二步骤130，第一步骤125用于确定衬底2表面上曲率半径大于或等于既定阈值和/或曲率的局部分布在统计学上不同于衬底2其他部分的曲率分布的点，第二步骤130用于利用衬底2表面的梯度和/或曲率的变化，确定缺陷10的空间位置。
如上所述，利用衬底2的参考点来确定缺陷10的空间位置。实际上，参照图3，衬底2由扁平圆盘组成，扁平圆盘在外周包括形成参考点的径向凹口9。
此外，根据本发明的方法可包括步骤135，用于确定检测到的表面缺陷的性质，通过在步骤140确定每个检测到的表面缺陷的幅度和/或长度和/或形状和/或方位，然后在步骤145将每个检测到的表面缺陷的幅度和/或长度和/或形状和/或方位与数据库进行比较，从而确定检测到的表面缺陷的性质。
可将图案3与衬底2沿着正交方向进行相对移位。
下面将看到，根据本发明的方法及使用所述方法的设备特别适合于检测单晶衬底上的微缺陷，特别是通过利用排列在衬底的晶体网络上的平行条纹。
此外，滑移线因此比衬底2上显然与所述衬底的晶轴无关的表面划痕更突出。
优选地，根据本发明的方法包括在“固态晶片”型图像的单一序列中，具体以每小时100个衬底的速度量级，分析衬底2的整个表面直到外周。在这种情况下，根据本发明的方法在检测浅缺陷(即深度量级为几个纳米的缺陷)的过程中能够获得高分辨率。
此外要注意到，也可以分析衬底的后表面。为了做到这一点，所述设备可包括第二屏幕和第二传感器，第二屏幕向所述衬底的后表面投射图案，同时分析所述衬底的两个表面。根据一种实施变型，所述设备可包括衬底翻转装置，例如用自动化夹具夹紧所述衬底的外周，然后依次分析所述衬底的两个表面。
最后，显然上述实例只是特例的示意，决非限制本发明的应用领域。

Claims (19)

1.一种检测衬底(2)上滑移线型表面缺陷的方法，所述衬底(2)被设计为用于电子仪器或光电子仪器，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
向所述衬底(2)上投射由交替的光条纹(4)和暗带(5)组成的图案(3)，从而产生被所述衬底(2)的表面反射的条纹，所述图案(3)的条纹(4)彼此平行，并且平行于所述衬底(2)的第一主晶轴延伸，
将所述图案(3)与所述衬底(2)沿着至少一个方向相对移位，从而将所述衬底(2)上的所述图案(3)的条纹(4)移位，
通过传感器(8)获得被所述衬底(2)反射的图案的至少三个图像的序列，所述图像对应于所述图案(3)的所述条纹(4)的移位，
利用所述图案(3)的条纹(4)的移位，确定所述衬底(2)的表面的梯度，以及
利用所述衬底(2)的表面的梯度变化，确定所述衬底(2)上有没有表面缺陷。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：通过投射条纹(4)互相平行并且平行于所述衬底(2)的所述第一主晶轴延伸的图案(3)，所述条纹(4)沿着与该条纹(4)的方向垂直的方向被移位，来获得第一图像序列，并且，通过投射条纹(4)互相平行并且平行于所述衬底(2)的第二主晶轴延伸的图案(3)，所述条纹(4)沿着正交于该条纹(4)的方向被移位，来获得第二图像序列。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括根据所述衬底(2)的表面的梯度变化来确定表面缺陷的空间位置。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：通过确定所述衬底(2)表面上曲率半径大于或等于给定阈值的点和/或所述衬底(2)表面上空间分布在统计学上与所述衬底(2)其余部分的空间分布不同的点，来确定所述表面缺陷的空间位置。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：利用所述衬底(2)上的参考点(9)来确定所述表面缺陷的空间位置。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述衬底由扁平圆盘组成，该扁平圆盘的外周包括形成所述参考点的径向凹口(9)。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法包括确定检测到的表面缺陷的性质的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：通过确定每个检测到的表面缺陷的长度和/或形状和/或方位来确定表面缺陷的性质。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：沿着两个正交的方向进行所述图案(3)和所述衬底(2)之间的相对位移。
10.一种检测衬底(2)上滑移线型表面缺陷的设备，所述衬底(2)被设计为用于电子仪器或光电子仪器，其特征在于，所述设备包括：
向所述衬底(2)上投射由交替的连续光条纹(4)和暗带(5)组成的图案(3)的装置(1)，所述图案(3)的条纹(4)彼此平行，并且平行于所述衬底(2)的第一主晶轴延伸；
使所述图案(3)与所述衬底(2)沿着至少一个方向相对移位的装置；
至少一个能够记录被所述衬底(2)反射的条纹(4)的移位的传感器(8)；
利用所述图案(2)的所述条纹(4)的移位确定所述衬底(2)表面的梯度的装置；以及
利用所述衬底(2)表面的梯度变化确定所述衬底(2)上有没有表面缺陷的装置。
11.如权利要求10所述的设备，其特征在于：投射所述图案(3)的所述装置(1)由屏幕(6)组成，所述屏幕(6)上显示的图像包括光条纹(4)和暗带(5)的序列。
12.如权利要求11所述的设备，其特征在于：使所述图案(3)与所述衬底(2)相对移位的装置用于处理传输到所述屏幕(6)的视频信号，从而以规则或不规则的时间间隔偏移所述光条纹(4)和暗带(5)，所述偏移在所述屏幕的半个像素至几个像素之间，所述屏幕(6)、所述衬底(2)以及所述传感器(8)被固定。
13.如权利要求10至12中任一项所述的设备，其特征在于：所述传感器(8)由包括CCD传感器的数码相机组成。
14.如权利要求10所述的设备，其特征在于：确定所述衬底(2)表面的梯度的装置利用所述传感器(8)传输的信号来计算所述图案(3)的所述条纹(4)在所述衬底(2)表面上每个点的相位偏移。
15.如权利要求14所述的设备，其特征在于：确定有没有表面缺陷的装置利用所计算出的相位偏移来计算所述衬底(2)表面上每个点的梯度和/或曲率的变化。
16.如权利要求10所述的设备，其特征在于：所述设备包括确定所述衬底(2)表面上的缺陷的空间位置的装置。
17.如权利要求16所述的设备，其特征在于：所述确定缺陷的空间位置的装置计算所述衬底(2)表面上曲率半径大于或等于既定阈值的每个点和/或所述衬底(2)表面上空间分布在统计学上与所述衬底(2)其余部分的空间分布不同的每个点相对于所述衬底(2)上的参考点(9)在所述衬底(2)上的横坐标和纵坐标。
18.如权利要求10所述的设备，其特征在于：所述设备包括产生平行于所述衬底(2)的表面的流体层流的装置。
19.如权利要求10所述的设备，其特征在于：所述设备包括垂直地支撑所述衬底(2)的装置。
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Free format text: CORRECT: INVENTOR; FROM: CAECILI MOULIN SOPHIE MORITZ PHILIPPE GASTALDEL FRANCOIS BERGER JEAN LUKE DERKYLE PATRICE BERAN TO: CAECILI MOULIN SOPHIE MORITZ PHILIPPE GASTALDEL FRANCOIS BERGER JEAN LUKE DERKYLE PATRICE BERAN CHRISTOPHER MALEVILLE

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Free format text: FORMER NAME: SOITEC SILICON ON INSULATOR

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