CN101689413B - 导电性微粒、各向异性导电材料及连接结构体 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明的目的在于，提供使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。本发明的导电性微粒是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒，其特征在于，所述第13族元素在所述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％。

Description

导电性微粒、各向异性导电材料及连接结构体
技术领域
本发明涉及一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明还涉及使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。
背景技术
以往，在电子电路基板中，IC或LSI通过将IC或LSI的电极软钎焊在印制电路板上而被连接。但是，在使用软钎焊的情况下，印制电路板与IC或LSI的连接不够有效，此外，还有难以提高IC或LSI的安装密度的问题。
为了解决该问题，开发出了使用将焊料制成球状的“焊料球”将IC或LSI与基板连接的BGA(球栅阵列)。如果使用BGA，则通过使安装于芯片或基板上的焊料球在高温下熔融，就可以将基板与芯片连接。因而，电子电路基板的生产效率得到改善，可以制造提高了芯片的安装密度的电子电路基板。
近年来，由于要求电子部件的小型化，因此电子电路基板的多层化正在推进。多层基板由于容易受到使用环境的影响，因此会有在基板中产生变形或伸缩的情况。其结果是，产生基板间的连接部断线这样的问题。例如，如果使用焊料球将半导体与基板连接，则由于半导体与基板的线膨胀系数不同，因此会对焊料球施加应力。如果对焊料球施加应力，则会在焊料球中产生龟裂，从而会有基板间的连接部断线的情况。
专利文献1或专利文献2中，公开了在树脂微粒的表面利用非电解镀敷或电镀设置了金属层的导电性微粒。如果使用在树脂微粒的表面设置了金属层的导电性微粒，则柔软的树脂微粒会缓解施加在导电性微粒上的应力。所以，即使在半导体与基板的连接部中产生应力，也可以维持半导体与基板的连接部的导通。
专利文献1或专利文献2中公开的使用了导电性微粒的连接方法中，由于导电性微粒与电极进行点接触，因此存在无法获得充分的导通的问题。针对该问题，专利文献3中，公开了在铜等金属层上又设置了焊料层的导电性微粒。设置了焊料层的导电性微粒经过回流工序而焊料层熔融，在导电性微粒与电极进行面接触的状态下接合。所以，通过使用专利文献3中公开的导电性微粒，可以获得高导通性能。实际上，在使用粒子直径超过100μm的大的导电性微粒进行连接的情况下，无法获得充分的导通。而且，上述回流工序是指“向基板上连接电子部件的部位供给预先设置了焊料层的导电性微粒、加热的软钎焊的工序”。
但是，近年的电子部件的小型化正在推进。为了将电子部件小型化，要求电子部件的相邻的电极间的距离小于100μm。但是，例如基于专利文献3的记载，在制作粒子直径小于100μm的导电性微粒，将相邻的电极间的距离小于100μm的电子部件连接的情况下，无法获得充分的导通。此外，由于在制作粒子直径小于100μm的导电性微粒的阶段中2个以上的导电性微粒会凝聚，因此就有在夹隔着凝聚了的导电性微粒相邻的电极间发生短路的问题。
专利文献1：日本特开平5-036306号公报
专利文献2：日本特开平9-306231号公报
专利文献3：日本特开2001-220691号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明的目的在于，提供使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。
本发明提供一种导电性微粒，是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒，其特征在于，上述第13族元素在上述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％。
下面对本发明进行详述。
已知在金属层上设置了含有锡等的低熔点金属层的导电性微粒一旦被加热，就会在金属层与低熔点金属层之间引起金属的相互扩散。特别是平均粒子直径小于100μm的导电性微粒由于金属层及低熔点金属层的厚度薄，因此容易引起各金属层间的金属的相互扩散。其结果是，成为导电性微粒与电极的导通性能大幅度降低的原因。
所以，本发明人等发现，通过在树脂微粒的表面依次层叠含有镍等特定的金属的金属层和低熔点金属层，就可以获得能够防止各金属层间的金属的相互扩散的导电性微粒。另外发现，即使该导电性微粒是平均粒子直径小于100μm的导电性微粒，也可以用于电子部件的安装中。
但是，如果在金属层的表面形成低熔点金属层，则低熔点金属层的表面就会变为凹凸形状，从而有低熔点金属层的厚度变得不均匀的情况。其结果是，产生导电性微粒与电极的连接电阻值变高这样的新的问题。
所以，本发明人等发现，通过使低熔点金属层中含有规定量的选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素，在低熔点金属层的表面就没有凹凸，可以获得低熔点金属层的厚度变得均匀的导电性微粒，从而完成了本发明。如果使用本发明的导电性微粒进行导电连接，则可以降低电极间的连接电阻值，可以使连接可靠性大幅度提高。
本发明的导电性微粒具有在树脂微粒的表面依次层叠了含有镍或钯的金属层和低熔点金属层的结构。
构成上述树脂微粒的树脂没有特别限定，例如可以举出聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚异丁烯、聚丁二烯等聚烯烃、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯等丙烯酸树脂、聚烷撑二醇对苯二甲酸酯、聚砜、聚碳酸酯、聚酰胺、酚醛树脂等酚树脂、三聚氰胺-甲醛树脂等三聚氰胺树脂、苯胍胺-甲醛树脂等苯胍胺树脂、尿素甲醛树脂、环氧树脂、(不)饱和聚酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜、聚苯醚、聚缩醛、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酮、聚醚砜等。尤其是，从容易获得合适的硬度的树脂微粒的方面出发，优选使具有烯键式不饱和基团的聚合性单体聚合1种或2种以上的树脂。
上述树脂微粒的平均粒子直径没有特别限定，然而优选的下限为1μm，优选的上限为90μm。如果上述树脂微粒的平均粒子直径小于1μm，则树脂微粒容易凝聚，从而会有使用凝聚了的树脂微粒得到的导电性微粒引起相邻的电极间的短路的情况。如果上述树脂微粒的平均粒子直径超过90μm，则会有无法制造粒子直径为100μm以下的导电性微粒的情况。上述树脂微粒的平均粒子直径的更优选的下限为2μm，更优选的上限为50μm。
而且，本说明书中所说的树脂微粒的平均粒子直径是指使用光学显微镜或电子显微镜观察随机地选择的50个粒子而得的直径的平均值。
上述树脂微粒的平均粒子直径的变动系数没有特别限定，然而优选的上限为10％。如果上述变动系数超过10％，则会有无法均匀地控制所得的导电性微粒相面对的电极间隔的情况。
而且，上述变动系数是将由粒子直径分布得到的标准偏差用平均粒子直径除而得的数值。
上述树脂微粒的10％K值没有特别限定，然而优选的下限为1000MPa，优选的上限为15000MPa。如果上述10％K值小于1000MPa，则所得的树脂微粒的强度不够充分，在使之压缩变形时会有产生粒子的破损的情况。其结果是，会有无法均匀地控制相面对的电极间隔的情况。如果上述10％K值超过15000MPa，则会有电极被导电性微粒损伤的情况。上述10％K值的更优选的下限为2000MPa，更优选的上限为10000MPa。
而且，上述10％K值可以使用微小压缩试验器(例如岛津制作所公司制“PCT-200”)，测定将粒子用直径50μm的金刚石制圆柱的平滑压头端面在压缩速度2.6mN/秒、最大试验载荷10g的条件下压缩时的压缩位移(mm)，利用下述式子求出。
Figure G2008800226481D00041
F：粒子的10％压缩变形的载荷值(N)
S：粒子的10％压缩变形的压缩位移(mm)
R：粒子的半径(mm)
上述树脂微粒的恢复率没有特别限定，然而优选的下限为20％。如果上述恢复率小于20％，则所得的导电性微粒被压缩后，导电性微粒仍旧保持变形的状态，形状不会恢复，从而会有连接电阻值变高的情况。上述恢复率的更优选的下限为40％。
而且，上述恢复率是指对粒子施加9.8mN的载荷后的恢复率。
本发明的导电性微粒在树脂微粒的表面具有含有镍或钯的金属层。而且，上述金属层也可以夹隔着含有铜等金属的导电层形成于树脂微粒的表面。
上述金属层在上述低熔点金属层与上述金属层之间抑制金属的相互扩散，具有防止导电性的降低的作用。尤其是上述金属层夹隔着含有铜等金属的导电层形成于上述导电层的表面的导电性微粒，可以防止铜等金属与上述低熔点金属层之间的金属的相互扩散。
在构成上述金属层的金属当中，从容易形成上述金属层的方面出发，优选镍。
本发明的导电性微粒是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒。对于此种导电性微粒的情况，上述金属层需要包括难以向上述低熔点金属层扩散的金属。
另外，本发明的导电性微粒也可以是在树脂微粒的表面依次层叠有含有铜等金属的导电层、和含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒。对于此种导电性微粒的情况，优选上述金属层包括难以向上述低熔点金属层扩散的金属，并且，上述铜等金属包括可以防止向上述低熔点金属层扩散的金属。
上述金属层的厚度没有特别限定，然而优选的下限为0.02μm，优选的上限为2μm。如果上述金属层的厚度小于0.02μm，则会有上述金属层容易破裂的情况。如果上述金属层的厚度超过2μm，则在形成上述金属层时，导电性微粒容易凝聚，从而会有凝聚了的导电性微粒引起相邻的电极间的短路的情况。此外，还会有所得的导电性微粒的柔软性受到损害的情况。上述金属层的厚度的更优选的下限为0.05μm，更优选的上限为1μm。
本发明的导电性微粒具有含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层。
上述低熔点金属层利用回流工序熔融而与电极接合，具有使电极间导通的作用。
本发明的选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素在上述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％。
以往的镀敷方法中，如果在上述金属层的表面形成低熔点金属层，则低熔点金属层的表面就会变为凹凸形状，厚度变得不均匀。其结果是，连接电阻值变高。但是，通过在上述低熔点金属层中，含有规定量的选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素，就可以得到在上述金属层的表面均匀地形成了低熔点金属层的导电性微粒。其结果是，连接电阻值变低。
另外，所形成的低熔点金属层由于低熔点金属的微晶直径小，形成致密的镀敷结构，因此具有适度的硬度。在将本发明的导电性微粒用于各向异性导电材料中的情况下，由于容易地排除各向异性导电材料中所含的粘合剂树脂，导电性微粒可以与电极接触，因此可以降低连接电阻值。
选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素在上述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量的下限为0.01重量％，上限为6重量％。如果上述第13族元素的含量小于0.01重量％，则由于低熔点金属层的表面变为凹凸形状，厚度变得不均匀，因此电极间的连接电阻值变高。如果上述第13族元素的含量超过6重量％，则由于低熔点金属层中所含的低熔点金属的含量减少，因此电极间的连接电阻值变高。上述第1 3族元素的含量的优选的上限为2.5重量％，更优选的上限为1.0重量％。
而且，上述第13族元素的含量可以利用能量分散荧光X射线分析装置(岛津制作所公司制“Rayny EDX-800HS”)来测定。
构成上述低熔点金属层的低熔点金属没有特别限定，然而优选为锡或含有锡的合金。对于上述合金，可以举出锡-银合金、锡-铜合金、锡-银-铜合金、锡-铋合金、锡-锌合金等。
尤其是，从熔点低的方面出发，低熔点金属优选为锡、锡-银合金、锡-银-铜合金。
此外，为了提高上述低熔点金属与电极的接合强度，也可以在上述低熔点金属层中，含有镍、铜、锑、铝、锌、铁、金、钛、磷、锗、碲、钴、铋、锰、铬、钼、钯等金属。尤其是，从提高上述低熔点金属层与电极的接合强度的效果优异的方面出发，优选在上述低熔点金属层中含有镍、铜、锑、铝、锌。
上述金属在上述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量没有特别限定，然而优选的下限为0.0001重量％，优选的上限为1重量％。通过使上述金属在上述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.0001～1重量％的范围内，就可以进一步提高上述低熔点金属层与电极的接合强度。
上述低熔点金属层中所含的低熔点金属的平均微晶直径没有特别限定，然而优选的上限为40nm。如果上述平均微晶直径超过40nm，则低熔点金属层的硬度降低，从而会有无法充分地获得与电极的接合强度的情况。
而且，平均微晶直径可以通过根据利用X射线衍射得到的低熔点金属晶体的(111)峰算出去掉了机器依赖性的值的半值宽度，使用Scherrer公式算出。
上述低熔点金属层的厚度没有特别限定，然而优选的下限为0.05μm，优选的上限为10μm。如果上述低熔点金属层的厚度小于0.05μm，则即使进行回流而使之熔融也会有无法充分地与电极接合的情况。如果上述低熔点金属层的厚度超过10μm，则在形成上述低熔点金属层时导电性微粒容易凝聚，会有凝聚了的导电性微粒引起相邻的电极间的短路的情况。上述低熔点金属层的厚度的更优选的下限为0.1μm，更优选的上限为6μm。
本发明的导电性微粒的平均粒子直径没有特别限定，然而优选的下限为2μm，优选的上限为100μm。如果本发明的导电性微粒的平均粒子直径小于2μm，则在导电性微粒的制造时，会有导电性微粒凝聚的情况。如果本发明的导电性微粒的平均粒子直径超过100μm，则会有无法充分地发挥本发明的优异的效果的情况。上述平均粒子直径的更优选的上限为60μm。
而且，上述导电性微粒的平均粒子直径是使用光学显微镜或电子显微镜观察随机地选择的50个粒子而得的直径的平均值。
制造本发明的导电性微粒的方法没有特别限定。但是，如果是利用以往的电镀法来形成金属层或低熔点金属层的方法，则难以制造平均粒子直径小于100μm的导电性微粒。这是因为，如果对小的树脂微粒利用电镀法实施镀敷，则树脂微粒就会凝聚而无法进行均匀的镀敷。
本发明人等发现，在分别利用非电解镀敷法形成金属层及低熔点金属层的情况下，即使是平均粒子直径小于100μm的导电性微粒，也基本上不会凝聚，可以形成镀层。
此外，本发明人等发现，在非电解镀敷法中，通过使用含有规定量的选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的盐的低熔点金属镀液，在导电性微粒的表面可以形成没有凹凸、均匀的厚度的低熔点金属层，可以获得连接电阻值低、连接可靠性优异的导电性微粒。
制造本发明的导电性微粒的方法没有特别限定，然而优选为如下的导电性微粒的制造方法，即，包括：在树脂微粒的表面，利用非电解镀敷法形成含有镍或钯的金属层的工序；在上述金属层上，使用低熔点金属镀液利用非电解镀敷法形成含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的工序的导电性微粒的制造方法，其中，在形成上述低熔点金属层的工序中，使用含有上述低熔点金属盐和上述第13族元素的盐的低熔点金属镀液。
也可以在形成上述低熔点金属层的工序中，作为前期镀敷工序，使用含有上述低熔点金属盐和上述第13族元素的盐的低熔点金属镀液，形成含有上述第13族元素的低熔点金属层，然后作为后期镀敷工序，使用不含有上述第13族元素的盐的低熔点金属镀液，形成不含有上述第13族元素的低熔点金属层。
通过进行前期镀敷工序和后期镀敷工序，就可以很容易地调整上述第13族元素在低熔点金属层整体中所含的金属中所占的含量。
制造本发明的导电性微粒的方法中，在上述树脂微粒的表面利用非电解镀敷法形成含有镍或钯的金属层的工序中，可以使用与以往公知的非电解镀敷法相同的方法。
而且，在包括形成含有铜等金属的导电层的工序的情况下，也可以使用与以往公知的非电解镀敷法相同的方法。
制造本发明的导电性微粒的方法中，在形成低熔点金属层的工序中，优选使用如下的低熔点金属镀液，即，含有低熔点金属盐和上述第13族元素的盐，并且上述第13族元素的盐的含量相对于低熔点金属盐100重量份为0.05～5重量份。
如果上述第13族元素的盐的含量小于0.05重量份，则低熔点金属层的表面就会变为凹凸形状，从而会有厚度变得不均匀的情况。如果上述第13族元素的盐的含量超过5重量份，则会有镀敷反应不会进行的情况。上述第13族元素的盐的含量更优选为0.1～3重量份。
上述低熔点金属盐没有特别限定，可以举出氯化锡等。
上述第13族元素的盐没有特别限定，可以举出上述第13族元素的硝酸盐、上述第13族元素的氯化物等。具体来说，例如可以举出硝酸铊、硫酸铊、氯化铊、硝酸镓、硫酸镓、氯化镓、硝酸铟、硫酸铟、氯化铟等。
本发明的导电性微粒也可以通过分散于绝缘性的粘合剂树脂中而作为各向异性导电材料合适地使用。例如，通过将本发明的导电性微粒与粘合剂树脂、粘胶接剂等混合、混匀，就可以作为各向异性导电膏剂、各向异性导电墨水、各向异性导电粘胶接剂、各向异性导电薄膜、各向异性导电薄片等各向异性导电材料使用。使用本发明的导电性微粒制成的各向异性导电材料也是本发明之一。
另外，在将本发明的导电性微粒用于特别狭小的电极间的导电连接时，可以获得能够发挥高连接可靠性的连接结构体。使用本发明的导电性微粒制成的连接结构体也是本发明之一。
本发明的目的在于，提供一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明的目的在于，提供使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。
具体实施方式
下面将举出实施例对本发明的方式进行更具体的说明，然而本发明并不仅限于这些实施例。
(实施例1)
在使四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份与二乙烯基苯50重量份共聚而得的平均粒子直径为10μm的树脂微粒5g上，担载钯催化剂。然后，利用下述铜镀液(pH10、镀液温度65℃)进行非电解镀铜，在树脂微粒表面形成厚0.2μm的镀铜层(导电层)。
(铜镀液组成)
硫酸铜五水合物：21g/L
甲醛：60g/L
乙二胺四乙酸：45g/L
联吡啶：40ppm
聚乙二醇(分子量1000)：50ppm
在上述形成了镀铜层的铜镀覆盖树脂微粒的表面，担载钯催化剂。然后，利用下述镍镀液(pH12、镀液温度50℃)进行非电解镀镍，在镀铜层上形成了厚0.05μm的镀镍层(金属层)。
(镍镀液组成)
硫酸镍六水合物：450g/L
次磷酸钠：150g/L
柠檬酸钠：116g/L
三乙醇胺：7.5g/L
硝酸铊：2ppm
将上述形成了镀镍层的镍镀覆盖树脂微粒利用下述锡镀液(pH9、镀液温度50℃)进行非电解镀锡，在镀镍层上形成厚1μm的镀锡层(低熔点金属层)，得到平均粒子直径为12.5μm的导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：20ppm
而且，铊在上述镀锡层中所含的金属的总量中所占的含量是利用能量分散荧光X射线分析装置(岛津制作所公司制“Rayny EDX-800HS”)求出的。以下相同。
(实施例2)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例1相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：100ppm
(实施例3)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例1相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：250ppm
(实施例4)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例1相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：400ppm
(实施例5)
在使四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份与二乙烯基苯50重量份共聚而得的平均粒子直径为10μm的树脂微粒5g上，担载钯催化剂。然后，利用下述镍镀液(pH12、镀液温度50℃)进行非电解镀镍，形成厚0.05μm的镀镍层(金属层)。
(镍镀液组成)
硫酸镍六水合物：450g/L
次磷酸钠：150g/L
柠檬酸钠：116g/L
三乙醇胺：7.5g/L
硝酸铊：2ppm
将上述形成了镀镍层的镍镀覆盖树脂微粒利用下述锡镀液(pH9、镀液温度50℃)进行非电解镀锡，在镀镍层上形成厚1μm的镀锡层(低熔点金属层)，得到平均粒子直径为12.1μm的导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：20ppm
(实施例6)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例5相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：100ppm
(实施例7)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例5相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：250ppm
(实施例8)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例5相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：400ppm
(实施例9)
在使四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份与二乙烯基苯50重量份共聚而得的平均粒子直径为10μm的树脂微粒5g上，担载钯催化剂。然后，利用下述铜镀液(pH10、镀液温度65℃)进行非电解镀铜，在树脂微粒表面形成厚0.2μm的镀铜层(导电层)。
(铜镀液组成)
硫酸铜五水合物：21g/L
甲醛：60g/L
乙二胺四乙酸：45g/L
联吡啶：40ppm
聚乙二醇(分子量1000)：50ppm
在上述形成了镀铜层的铜镀覆盖树脂微粒的表面，担载钯催化剂。然后，利用下述钯镀液(pH10、镀液温度50℃)进行非电解镀钯，在镀铜层上形成了厚0.05μm的镀钯层(金属层)。
(钯镀液组成)
硫酸钯：4.0mo1/L
乙二胺：2.4g/L
甲酸钠：4.0mol/L
将上述形成了镀钯层的钯镀覆盖树脂微粒利用下述锡镀液(pH9、镀液温度50℃)进行非电解镀锡，在镀钯层上形成厚1μm的镀锡层(低熔点金属层)，得到平均粒子直径为12.5μm的导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：20ppm
(实施例10)
在使四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份与二乙烯基苯50重量份共聚而得的平均粒子直径为10μm的树脂微粒5g上，担载钯催化剂。然后，利用下述铜镀液(pH10、镀液温度65℃)进行非电解镀铜，在树脂微粒表面形成厚0.2μm的镀铜层(导电层)。
(铜镀液组成)
硫酸铜五水合物：21g/L
甲醛：60g/L
乙二胺四乙酸：45g/L
联吡啶：40ppm
聚乙二醇(分子量1000)：50ppm
在上述形成了镀铜层的铜镀覆盖树脂微粒的表面，担载钯催化剂。然后，利用下述镍镀液(pH12、镀液温度50℃)进行非电解镀镍，在镀铜层上形成了厚0.05μm的镀镍层(金属层)。
(镍镀液组成)
硫酸镍六水合物：450g/L
次磷酸钠：150g/L
柠檬酸钠：116g/L
三乙醇胺：7.5g/L
硝酸铊：2ppm
将上述形成了镀镍层的镍镀覆盖树脂微粒利用下述锡镀液(pH9、镀液温度50℃)进行非电解镀锡，在镀镍层上形成厚1μm的镀锡层(低熔点金属层)，得到平均粒子直径为12.5μm的导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸镓：20ppm
而且，镓在上述镀锡层中所含的金属的总量中所占的含量是利用能量分散荧光X射线分析装置(岛津制作所公司制“Rayny EDX-800HS”)求出的。以下相同。
(实施例11)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例10相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸镓：100ppm
(实施例12)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例10相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸镓：250ppm
(实施例13)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例10相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸镓：400ppm
(实施例14)
在使四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份与二乙烯基苯50重量份共聚而得的平均粒子直径为10μm的树脂微粒5g上，担载钯催化剂。然后，利用下述铜镀液(pH10、镀液温度65℃)进行非电解镀铜，在树脂微粒表面形成厚0.2μm的镀铜层(导电层)。
(铜镀液组成)
硫酸铜五水合物：21g/L
甲醛：60g/L
乙二胺四乙酸：45g/L
联吡啶：40ppm
聚乙二醇(分子量1000)：50ppm
在上述形成了镀铜层的铜镀覆盖树脂微粒的表面，担载钯催化剂。然后，利用下述镍镀液(pH12、镀液温度50℃)进行非电解镀镍，在镀铜层上形成了厚0.05μm的镀镍层(金属层)。
(镍镀液组成)
硫酸镍六水合物：450g/L
次磷酸钠：150g/L
柠檬酸钠：116g/L
三乙醇胺：7.5g/L
硝酸铊：2ppm
将上述形成了镀镍层的镍镀覆盖树脂微粒利用下述锡镀液(pH9、镀液温度50℃)进行非电解镀锡，在镀镍层上形成厚1μm的镀锡层(低熔点金属层)，得到平均粒子直径为12.5μm的导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铟：20ppm
而且，铟在上述镀锡层中所含的金属的总量中所占的含量是利用能量分散荧光X射线分析装置(岛津制作所公司制“Rayny EDX-800HS”)求出的。以下相同。
(实施例15)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例14相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铟：100ppm
(实施例16)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例14相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铟：250ppm
(实施例17)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例14相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铟：400ppm
(比较例1)
除了在形成镀锡层时未向锡镀液中添加硝酸铊以外，与实施例1相同地得到导电性微粒。而且，由于在所得的导电性微粒中，未形成均匀的厚度的低熔点金属层，因此无法进行平均粒子直径的测定。
(比较例2)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例1相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：700ppm
(比较例3)
除了在形成镀锡层时未向锡镀液中添加硝酸铊以外，与实施例5相同地得到导电性微粒。而且，由于在所得的导电性微粒中，未形成均匀的厚度的低熔点金属层，因此无法进行平均粒子直径的测定。
(比较例4)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例5相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铊：700ppm
(比较例5)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例10相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸镓：700ppm
(比较例6)
除了在形成镀锡层时将锡镀液设为以下的组成以外，与实施例14相同地得到导电性微粒。
(锡镀液组成)
氯化锡(II)二水合物：18g/L
氯化钛(III)：26g/L
柠檬酸钠：50g/L
次氮基乙酸三钠一水合物：38g/L
乙二胺四乙酸二钠二水合物：43g/L
甘氨酰甘氨酸：250ppm
苯并三唑：100ppm
硝酸铟：700ppm
(导电性微粒的表面观察)
利用电子显微镜观察了实施例1～17及比较例1～6中得到的导电性微粒的表面。在实施例1～17、比较例2、4～6中得到的导电性微粒的表面，将整体覆盖地形成低熔点金属层。在比较例1、3中得到的导电性微粒的表面，未形成均匀的厚度的低熔点金属层。
(各向异性导电薄膜的制作)
使用实施例1～17及比较例1～6中得到的导电性微粒，利用以下的方法分别制作了各向异性导电薄膜。
作为粘合剂树脂将环氧树脂(油化Shell Epoxy公司制“Epicoat 828”)100重量份、三(二甲氨基乙基)苯酚2重量份、以及甲苯100重量份使用行星式搅拌机充分地混合后，涂布于脱模薄膜上，使得干燥后的厚度达到10μm，使甲苯挥发而得到粘接性薄膜1。
然后，向作为粘合剂树脂的环氧树脂(油化Shell Epoxy公司制“Epicoat 828”)100重量份、三(二甲氨基乙基)苯酚2重量份、以及甲苯100重量份中，添加实施例1～17及比较例1～6中得到的导电性微粒的某种，使用行星式搅拌机充分地混合后，涂布于脱模薄膜上，使得干燥后的厚度达到25μm，使甲苯挥发而得到含有导电性微粒的粘接性薄膜2。
而且，按照使粘接性薄膜2的导电性微粒的含量达到5万个/cm2的方式调整。
将所得的粘接性薄膜1和粘接性薄膜2在常温下层压，得到具有2层结构的厚35μm的各向异性导电薄膜。
(连接电阻值的测定)
将所得的各向异性导电薄膜切割为5mm×5mm的大小。将切割后的各向异性导电薄膜贴附于具有在一方侧形成了电阻测定用的布线的铝电极(高0.2μm、L/S＝20μm/20μm)的玻璃基板(宽200μm、长1mm)的铝电极侧的大致中央。然后，将具有相同的铝电极的玻璃基板(宽200μm、长1mm)按照使电极之间重合的方式对齐位置后贴合。将该玻璃基板的叠层体在10N、240℃的压接条件下回流后，测定相面对的电极间的连接电阻值。另外，利用以下的基准进行了连接电阻值的评价。将结果表示于表1中。
○：相面对的电极间的连接电阻值小于4Ω
×：相面对的电极间的连接电阻值为4Ω以上
Figure G2008800226481D00231
工业上的利用可能性
本发明的目的在于，提供一种可以降低连接电阻值、可以实现高连接可靠性的导电性微粒。另外，本发明的目的在于，提供使用该导电性微粒制成的各向异性导电材料及连接结构体。

Claims (7)

1.一种导电性微粒，其是在树脂微粒的表面依次层叠有含有镍或钯的金属层、和含有低熔点金属和选自铊、铟及镓中的至少一种第13族元素的低熔点金属层的导电性微粒，
其中所述第13族元素在所述低熔点金属层中所含的金属的总量中所占的含量为0.01～6重量％，所述低熔点金属为锡或含有锡的合金。
2.根据权利要求1所述的导电性微粒，其特征在于，在树脂微粒与金属层之间具有导电层。
3.根据权利要求2所述的导电性微粒，其特征在于，导电层含有铜。
4.根据权利要求1所述的导电性微粒，其特征在于，第13族元素为铊。
5.根据权利要求1所述的导电性微粒，其特征在于，第13族元素的含量为0.01～2.5重量％。
6.一种各向异性导电材料，其特征在于，使用权利要求1、2、3、4或5所述的导电性微粒制成。
7.一种连接结构体，其特征在于，使用权利要求1、2、3、4或5所述的导电性微粒或者权利要求6所述的各向异性导电材料制成。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5534745B2 (ja) * 2009-08-12 2014-07-02 積水化学工業株式会社 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体
JP5480576B2 (ja) * 2009-09-25 2014-04-23 積水化学工業株式会社 導電性微粒子、異方性導電材料、及び、接続構造体
KR101138519B1 (ko) * 2009-09-30 2012-04-25 삼성전기주식회사 도전성 페이스트 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법
JP5536634B2 (ja) * 2010-12-28 2014-07-02 株式会社日本触媒 導電性微粒子
JP5583572B2 (ja) * 2010-12-28 2014-09-03 株式会社日本触媒 導電性微粒子
JP2012142247A (ja) * 2011-01-06 2012-07-26 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電材料及び接続構造体
WO2013085039A1 (ja) * 2011-12-08 2013-06-13 株式会社日本触媒 導電性微粒子及びそれを含む異方性導電材料
CN103066475B (zh) * 2013-01-07 2014-09-10 郭瑞 基于低熔点金属及其氧化物降低接触电阻的方法
JP6397316B2 (ja) * 2013-11-18 2018-09-26 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6777380B2 (ja) * 2014-05-27 2020-10-28 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6641118B2 (ja) * 2014-08-18 2020-02-05 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
CN107851482B (zh) * 2016-02-08 2020-03-20 积水化学工业株式会社 导电性粒子、导电材料及连接结构体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4740657A (en) * 1986-02-14 1988-04-26 Hitachi, Chemical Company, Ltd Anisotropic-electroconductive adhesive composition, method for connecting circuits using the same, and connected circuit structure thus obtained
JP2001189170A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
WO2006025485A1 (ja) * 2004-09-02 2006-03-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. 導電性微粒子及び異方性導電材料
WO2006129713A1 (ja) * 2005-06-03 2006-12-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. 鉛フリーはんだ合金

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62188184A (ja) * 1986-02-14 1987-08-17 日立化成工業株式会社 異方導電性を有する回路接続用接着剤組成物および接着フイルム並びにこれらを用いた回路の接続方法
US4902857A (en) * 1988-12-27 1990-02-20 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Polymer interconnect structure
JP3542611B2 (ja) * 1991-07-26 2004-07-14 積水化学工業株式会社 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法
JPH07157720A (ja) * 1993-12-03 1995-06-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd 異方導電フィルム
JP2002076606A (ja) * 2000-06-12 2002-03-15 Hitachi Ltd 電子機器および半導体装置
JP2004103935A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2004095561A (ja) * 2003-11-17 2004-03-25 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法
JP2006049246A (ja) * 2004-08-09 2006-02-16 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4740657A (en) * 1986-02-14 1988-04-26 Hitachi, Chemical Company, Ltd Anisotropic-electroconductive adhesive composition, method for connecting circuits using the same, and connected circuit structure thus obtained
JP2001189170A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
WO2006025485A1 (ja) * 2004-09-02 2006-03-09 Sekisui Chemical Co., Ltd. 導電性微粒子及び異方性導電材料
WO2006129713A1 (ja) * 2005-06-03 2006-12-07 Senju Metal Industry Co., Ltd. 鉛フリーはんだ合金

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