CN101644869A - 电路基板、电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及电路基板、电光装置及电子设备。其具有可以使成品率提高的结构。电路基板具备：在基板上沿第1方向所形成的多条扫描线(14)；在基板上沿与第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线(15)；分别与多条扫描线之中某1条电连接且与多条信号线之中某1条电连接的多个晶体管(11)；覆盖多条扫描线、多条信号线及多个晶体管所形成的绝缘层；和分别与多个晶体管之中某1个晶体管电连接的多个电极(34)。而且，在绝缘层中，以多个电极之中至少2个相邻的电极为1组而按该每1组电极形成1个开口部(35)，多个电极的各自通过开口部与1个晶体管电连接。

Description

电路基板、电光装置及电子设备

技术领域

本发明，涉及适合用于电泳装置、液晶装置等的电光装置及其他器件的电路基板和具备该电路基板的电光装置等以及具备该电路基板或电光装置的电子设备。

背景技术

在用于显示用途等的液晶装置、电泳装置等的电光装置或者指纹传感器等的检测装置等中，采用具有二维排列的多个电极和分别对应于该各电极的多个晶体管的电路基板(有源矩阵基板)。制造如此的电路基板的一般顺序如下。首先，在基板上形成多个晶体管，接着在这些晶体管上形成绝缘膜(绝缘层)。接下来，在绝缘膜的多处分别形成接触孔(通孔，过孔)。接下来，形成通过这些接触孔与晶体管连接的电极。其后，如果是制造电泳装置，则通过将电泳片设置于电路基板上而完成电泳装置。在其他装置的情况下也同样。

在上述的现有的电路基板中，电极与接触孔一对一相对应地设置(例如，参照专利文献1、2)。因此，若要使多个电极的相互间距离更窄则必须形成非常微小的接触孔。为了形成如此微小的接触孔，必需非常精细的对准精度，存在使成品率降低这样的不良状况。

【专利文献1】特开2004-288881号公报

【专利文献2】特开2007-103584号公报

发明内容

本发明中的具体方式，目的之一在于提供具有可以使成品率提高的结构的电路基板等。

本发明中的一方式的电路基板，具备：(a)基板；(b)在前述基板上，沿第1方向所形成的多条扫描线；(c)在前述基板上，沿与前述第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线；(d)分别与前述多条扫描线之中某1条电连接且与前述多条信号线之中某1条电连接的多个晶体管；(e)覆盖前述多条扫描线、前述多条信号线及前述多个晶体管所形成的绝缘层；和(f)分别与前述多个晶体管之中某1个晶体管电连接的多个电极。而且，在前述绝缘层，以前述多个电极之中至少2个相邻的电极为1组而按该1组电极的每组形成1个开口部，前述多个电极的各自，通过前述开口部，与前述1个晶体管电连接。

通过为如下构成：在至少2个相邻的电极相互间共有1个开口部、通过该共有的1个开口部对各电极与对应于它们的晶体管进行连接，与针对各电极每个各设1个开口部的情况相比，可以使制造时的对准精度的要求降低。从而，能够提供具有可以使成品率提高的结构的电路基板。

例如，前述1组电极，由沿前述第1方向排列的2个电极构成。该情况下，前述多条信号线，按前述每1组电极而使2条信号线相对应；前述2条信号线，夹着前述1个开口部地配置。

例如，前述1组电极，由沿前述第2方向排列的2个电极构成。该情况下，前述多条扫描线，按前述每1组电极而使2条扫描线相对应；前述2条扫描线，夹着前述1个开口部所配置。

在上述任一情况下，例如，前述多个晶体管，按前述每1组电极而使2个晶体管相对应；前述2个晶体管，夹着前述1个开口部对称地配置。

上述的多个晶体管的各自，例如是有机晶体管。

并且，优选：前述1组电极，由沿前述第1方向排列为2行且沿前述第2方向排列为2列的4个电极构成。该情况下，前述多条扫描线，按前述每1组电极而使2条扫描线相对应；前述2条扫描线，夹着前述1个开口部所配置。并且，前述多条信号线，按前述每1组电极而使2条信号线相对应；前述2条信号线，夹着前述1个开口部所配置。

由此，能够使开口部更大，从而，在对准精度上要求变低，能够对成品率降低进一步进行抑制。并且，无需高性能的对准装置等的制造装置，可实现成本削减。

本发明中的电光装置，是具备上述的电路基板、和设置于该电路基板上的电光层的电光装置。在此所谓“电光层”，是指通过从外部给予电压施加等的物理性刺激，可以使光学特性(透射率、反射率、辉度等)发生变化的物质，与之相应的有：例如具有电泳材料的电泳层、具有液晶材料的液晶层等。

本发明中的电子设备，是具备上述的电光装置作为显示部等的电子设备。在此，所谓“电子设备”，例如，包括显示装置、电视机装置、电子纸、时钟、电子计算器、便携电话机、便携信息终端等。

附图说明

图1是表示一实施方式的电泳装置的电路构成的图。

图2是部分表示电泳装置的结构的模式俯视图。

图3是示于图2的II-II线的模式剖面图。

图4是表示在基板上配置有电泳片的状态的模式剖面图。

图5是部分表示电泳装置的结构例的模式俯视图。

图6是表示使1个接触孔对于4个像素电极共有的结构例的模式俯视图。

图7是对电路基板及电泳装置的制造方法进行说明的模式剖面图。

图8是对电子设备的具体例进行说明的立体图。

符号的说明

10…像素部，11…晶体管，12…电泳元件，13…电容元件，14…扫描线，15…信号线，20…扫描线驱动电路，21…信号线驱动电路，30…基板，31…栅电极，32…半导体膜，33…漏电极，34…像素电极(分体电极)，35…接触孔(开口部)，36…栅绝缘膜，37…层间绝缘膜，40…电泳片，41…基板，42…共用电极，43…电泳层，100…电泳装置

具体实施方式

以下，关于本发明的实施方式参照附图进行说明。在以下，作为应用了本发明的电光装置之一例对电泳装置进行说明，并关于具备该电泳装置作为显示部的电子设备之一例也进行说明。

图1，是表示一实施方式的电泳装置的电路构成的图。示于图1的电泳装置(电泳面板)100，形成于玻璃基板、塑料基板等的基板上，具有排列成矩阵状的多个像素部10。各像素部10，包括晶体管11、电泳元件12、电容元件13所构成。还有，该像素部10的构成为一例，也可采用省略电容元件13等其他的构成。

各晶体管11，配置于多条扫描线14与多条信号线(数据线)15的各交点。而且，各晶体管11中，栅与多条扫描线14之中某1条连接，源与多条信号线15之中某1条连接。并且，各晶体管11中，漏与某个电泳元件12的一方端子连接。对电泳元件12的另一方端子，例如施加预定的基准电位。电容元件13中，一方端子连接于晶体管11的漏。电容元件13的另一方端子，例如被施加与电泳元件12的另一方端子相同的基准电位。各扫描线14，与扫描线驱动电路20连接，从该扫描线驱动电路20接受控制信号(扫描信号)的供给。各信号线15，与信号线驱动电路21连接，从该信号线驱动电路21接受控制信号(数据信号)的供给。

图2，是部分表示电泳装置100的结构的模式俯视图。详细地，表示相邻配置的4个像素部10的结构。还有，为了图示的方便，关于一部分构成由虚线表示。并且，图3，是示于图2的III-III线的模式剖面图。

如示于各图地，各像素部10的晶体管11，包括栅(栅电极)31、半导体膜32及漏电极33所构成。详细地，在基板30上，形成信号线15及漏电极33，并在这些信号线15与漏电极33之间形成半导体膜32。形成有该晶体管11等的基板30相当于本发明中的“电路基板”。

扫描线14，分别如图示地沿X方向(第1方向)所形成。信号线15，分别如图示地沿与X方向相交叉的Y方向(第2方向)所形成。

半导体膜32，其一端侧与1条信号线15接触，与该信号线15电连接。还有，该半导体膜32与信号线15的接触处对应于上述的晶体管11的源。并且，半导体膜32，其另一端侧与1个漏电极33接触，与该漏电极33电连接。

栅绝缘膜36，覆盖信号线15、半导体膜32及漏电极33地形成于基板30上。

栅电极31，在栅绝缘膜36之上且形成于夹着该栅绝缘膜36与半导体膜32重叠的位置。在本实施方式中，1条扫描线14与沿该扫描线14的延伸方向并排的各栅电极31分别形成为一体。

层间绝缘膜37，覆盖各栅电极31及扫描线14地形成于栅绝缘膜36上。

像素电极(分体电极，或者也简称为电极)34，在层间绝缘膜37之上且形成于与晶体管11接近的位置。该像素电极34，与上述的漏电极33接触并电连接。在本实施方式中，在层间绝缘膜37与栅绝缘膜36部分地形成接触孔35，通过该接触孔35而使漏电极33的一部分露出，在该露出的部位，像素电极34与漏电极33接触。从而，像素电极34，通过接触孔35(开口部)与晶体管11电连接。还有，虽然在图示的例中接触孔35为椭圆形状，但是接触孔35的形状并不限定于此，可适当采用圆形、矩形等各种形状。

图4，是表示在基板(电路基板)上配置有电泳片的状态的模式剖面图。如示于图4地，在设置有晶体管11等的基板30上，通过设置电泳片40，构成电泳装置100。电泳片40，包括由塑料片等形成的基板41、设置于该基板41上的共用电极42、和设置于该共用电极42上的电泳层43。夹着电泳层43对向地配置各像素电极34与共用电极42，构成电泳元件。电泳层43，例如如图示地具有多个微囊。在各微囊内包括1种以上的微粒。还有，电泳层42的结构并非仅限定于微囊型，也可以为其他方式。

在此，如示于图2地，在本实施方式中，以沿图示的X方向(第1方向)相邻排列的2个像素电极34为1组，按该1组像素电极34每组形成1个接触孔35。而且，1组像素电极34，分别通过该1个接触孔35与晶体管11的漏电极33接触(电连接)。例如，配置于附图左上侧的像素电极34与配置于附图右上侧的像素电极34是1组像素电极34，在这1组像素电极34之间共有1个接触孔35。换句话说，则1个接触孔35，对于相邻的一组像素电极34的任一个都以部分重叠。此时，按每1组像素电极34而使2条信号线15相对应。这2条信号线15，如图示地，俯视夹着1个接触孔35所配置。更优选：2条信号线15，俯视夹着1个接触孔35对称地配置。还有，示于图2的构成，沿X方向重复配置。从而，在关于X方向相邻(距离最近)的2个接触孔35之间，配置2条信号线15。

由于成为如此的构成，与对于各像素电极各形成1个接触孔的现有例相比，使接触孔微细化的要求变低，能够使接触孔更大。即，因为在现有例中接触孔必须在由扫描线与信号线所划分的1个像素的区域内形成1个接触孔，所以与本实施方式相比，必须使接触孔相对地变小。若举具体的数值例的话，则例如假设180dpi的像素阵列，因为各像素部以141μm间距所排列，所以各像素部的接触孔必须为大致40μm程度或其以下，为了形成如此的接触孔要求精细的对准精度。相对于此，在本实施方式中因为能够跨2个像素电极34地形成1个接触孔35，所以即使在例如假设与上述同样的180dpi的像素阵列的情况下，也可以使接触孔35的孔径大至180μm程度。

还有，也可以按沿图示的Y方向(第2方向)相邻的每2个像素电极34而使它们共有1个接触孔。图5表示其布局例。在图5中，关于与示于图2的电泳装置相同的构成采用同一符号表示，对于它们的详细的说明进行省略。在本例中，以沿图5中的Y方向(第2方向)相邻排列的2个像素电极34为1组而布局各构成。详细地，按沿Y方向相邻排列的每1组像素电极34形成1个接触孔35a。更详细地，1个接触孔35a，对于在Y方向相邻的1组像素电极34的任一个都以部分重叠。而且，1组像素电极34，分别通过该1个接触孔35a与晶体管11的漏电极33接触(电连接)。并且在该情况下，按沿X方向的每1组像素电极34而使2条扫描线14相对应。这2条扫描线14，俯视夹着1个接触孔35所配置。更优选：2条扫描线14，俯视夹着1个接触孔35对称地配置。还有，示于图5的构成，沿Y方向重复配置。从而，在关于Y方向相邻(距离最近)的2个接触孔35之间，配置2条扫描线14。

并且，也可以对于更多的像素电极使它们共有1个接触孔进行布局。图6，是表示对于4个像素电极使它们共有1个接触孔的结构例的模式俯视图。在示于图6的例中，对于排列成2行×2列的4个像素电极34形成1个接触孔35b。关于其他构成与示于图2等的电泳装置相同。关于与示于图2的电泳装置相同的构成采用同一符号表示，关于它们的详细的说明进行省略。

本实施方式的电泳装置具备如上述的构成，接下来关于其制造方法的优选的一例进行说明。图7，是对电路基板及电泳装置的制造方法进行说明的模式剖面图。

首先，在基板30的一个面上进行信号线15及漏电极33的形成(图7(A))。例如，在基板30的一个面上形成导电膜。导电膜的形成，例如能够通过溅射法、蒸镀法等的物理气相淀积法进行。其后，通过进行该导电膜的光蚀刻，形成信号线15及漏电极33。并且，通过按预定的形状开孔的金属通孔掩模而在基板30上进行导电膜的蒸镀处理，由此也可以不进行蚀刻而形成信号线15及漏电极33。并且，也可以通过将含有金属微粒及石墨那样的导电性微粒的聚合体混合物利用喷墨法等方法滴落于基板30上而形成信号线15及漏电极33。在采用了如此的方法的情况下，可以更简单地以低成本进行信号线15等的形成。并且，也可以对信号线15与漏电极33采用不同的材料。

在此，关于基板30，能够采用玻璃基板、塑料基板等的基板。作为塑料基板，也可以采用以热塑性树脂、热固性树脂的任一者为原材料的基板。例如，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)等的聚烯烃、环聚烯烃、改性聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚(4-甲基戊烯-1)、离聚物、丙烯酸类树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-苯乙烯共聚物(AS树脂)、丁二烯-苯乙烯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物(EVOH)、聚对苯二甲酸亚乙酯、聚对苯二甲酸亚丁酯、聚萘二甲酸亚乙酯、聚环己烷对苯二甲酸酯(PCT)等的聚酯、聚醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚缩醛、聚苯醚、改性聚苯醚、聚芳酯、芳香族聚酯(液晶聚合物)、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、其他氟树脂、苯乙烯类、聚烯烃类、聚氯乙烯类、聚氨酯类、氟橡胶类、氯化聚乙烯类等的各种热塑性弹性体、环氧树脂、酚树脂、脲树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯、硅树脂、聚氨酯等、或以它们为主的共聚物、混合物、聚合物合金等，能够采用叠层了这些之中1种、或2种以上的叠层体。并且，也可以在基板30的一个面上设置绝缘层(图示省略)。作为如此的绝缘层，只要是具有绝缘性的薄膜，就能够采用公知的任何膜，例如可举出聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基酚、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯等的高分子膜、或者称为聚对二甲苯膜的有机材料、氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽等的金属氧化物、钛酸锶钡、钛酸锆铅等的金属复合氧化物的无机材料，能够组合使用它们之中的1种或2种以上。

并且，作为用于信号线15及漏电极33的形成的导电膜，例如能够采用由Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、Ni、Nd、或用了这些金属的合金等、InO₂、SnO₂、ITO等的导电性的氧化物、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等的导电性高分子以及向其添加了盐酸、硫酸、磺酸等的酸、PF₆、AsF₅、FeCl₃等的路易士酸、碘等的卤素原子、钠钾等的金属原子等的掺杂物的材料、分散了炭黑、金属微粒的导电性的复合材料等的具有导电性的材料构成的膜。

接下来，在基板30上，经过信号线15与漏电极33形成半导体膜32(图7(B))。在本实施方式中，作为半导体膜32采用有机半导体膜。还有，作为半导体膜32，也可以采用非晶硅膜、多晶硅膜等的公知的半导体膜。

在此，作为半导体膜32可用的有机半导体膜，例如，能够混合使用如聚(3-烷基噻吩)、聚(3-己基噻吩)(P3HT)、聚(3-辛基噻吩)、聚(2，5-噻吩乙炔)(PTV)、聚(对-苯乙炔)(PPV)、聚(9，9-二辛基芴)(PFO)、聚(9，9-二辛基芴-共聚-双-N，N’-(4-甲氧基苯基)-双-N，N’-苯基-1，4亚苯基二胺)(PFMO)、聚(9，9-二辛基芴-共聚-苯并噻二唑)(BT)、芴-三烯丙基胺共聚物、三烯丙基胺类聚合物、聚(9，9-二辛基芴-共聚-二噻吩)(F8T2)的芴-二噻吩共聚物等的聚合物有机半导体材料、或C60、或者金属酞菁或者它们的取代衍生物、或者蒽、并四苯、并五苯、并六苯等的并苯分子材料、或者α-低聚噻吩类、具体地四聚噻吩(4T)、六聚噻吩(6T)八聚噻吩的低分子类有机半导体之中1种或2种以上而形成。作为形成如此的有机半导体膜的方法，虽然可举出真空蒸镀法、旋涂法、塑模法、牵引法、朗缪尔布洛节特法、喷涂法、喷墨法、丝网法等，但是并非限定于此。

还有，在上述的有机半导体膜形成为半导体膜32的情况下，也可以预先进行用于良好地进行膜形成的基板表面处理。该基板表面处理，例如可举出采用了六甲基二硅氮烷、环己烯、十八烷基三氯硅烷等的表面改良剂的表面处理、采用了丙酮、异丙醇等的有机清洗处理、盐酸、硫酸、乙酸等的酸、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氨等的碱处理、UV臭氧处理、氟处理、氧、氩等的等离子体处理、朗缪尔布洛节特膜的形成处理，能够采用这些之中1种、或2种以上的处理。通过进行该处理，可以进一步提高半导体层32的均匀性，谋求元件特性的进一步提高。

接下来，将覆盖信号线15、漏电极33及半导体膜32的栅绝缘膜36形成于基板30上(图7(C))。作为该栅绝缘膜36的构成材料，只要是具有绝缘性的材料其种类并不特别限定，有机材料、无机材料都可以使用。作为公知的栅绝缘膜用有机材料，可举出聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯基酚、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯等的高分子膜、或者聚对二甲苯膜，作为无机材料，可举出氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽等的金属氧化物、钛酸锶钡、钛酸锆铅等的金属复合氧化物，能够组合使用它们之中的1种或2种以上。

接下来，在栅绝缘膜36上与半导体膜32重叠的预定位置形成栅电极31(图7(D))。作为该栅电极31的构成材料，例如可举出Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、Ni、Nd、或用了这些金属的合金等、InO₂、SnO₂、ITO等的导电性的氧化物、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等的导电性高分子及向其添加了盐酸、硫酸、磺酸等的酸、PF₆、AsF₅、FeCl₃等的路易士酸、碘等的卤素原子、钠钾等的金属原子等的掺杂物的材料、分散了炭黑、金属微粒的导电性的复合材料等的具有导电性的材料。关于形成方法与上述的信号线15等相同，可适宜采用使物理气相沉积法与光蚀刻组合的方法、通过金属通孔进行蒸镀处理的方法、滴加包括导电性微粒的聚合物混合物的方法等。

接下来，将覆盖栅电极31的层间绝缘膜37形成于栅绝缘膜36上(图7(E))。作为该层间绝缘膜37的构成材料，只要是具有绝缘性的材料其种类并不特别限定，有机材料、无机材料都可以使用。作为公知的绝缘膜用有机材料，可举出聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚缩醛、聚芳酯、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚烯烃、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫、聚醚砜、聚醚酮、聚邻苯二甲酰胺、聚醚腈、聚醚砜、聚苯并咪唑、聚碳化二亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酰胺、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、聚亚乙基四氟化物、环氧树脂、聚氨酯树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、脲树脂、聚丁烯、聚戊烯、聚丁二烯、丁基橡胶、聚苯乙烯、及它们的共聚物等的高分子膜、或者聚对二甲苯膜，作为无机材料，可举出氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钽等的金属氧化物、钛酸锶钡、钛酸锆铅等的金属复合氧化物、苯并环丁烯、聚硅氮烷化合物、聚硅烷化合物的涂敷膜所得到的硅类绝缘膜。能够组合使用它们之中的1种或2种以上。

还有，在形成该层间绝缘膜37时，也可以不在基板30上的整面形成层间绝缘膜37，而采用利用例如感光性聚硅氮烷、光固化性树脂这样的感光性材料直接在像素部分形成露出部的材料，在该情况下可以省略以下说明的接触孔形成工序。

接下来，通过去除栅绝缘膜36及层间绝缘膜37的预定部分而形成接触孔35(图7(F))。例如，在由栅绝缘膜36及层间绝缘膜37构成的绝缘层之上，形成具有与漏电极33的至少一部分重叠的开口的蚀刻掩模(图示省略)，并通过该蚀刻掩模进行蚀刻。蚀刻，只要是可以去除绝缘层且不影响已经形成的漏电极33的方法，则不限制种类，例如通过氢氟酸、硝酸、盐酸、硫酸等的酸进行的湿蚀刻、通过氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钙、氨等的碱进行的湿蚀刻、通过芳香族类溶剂、酮类溶剂、醇类溶剂、有机溶剂进行的湿蚀刻、采用了氧等离子体、氩等离子体、CF₄等离子体的干蚀刻、或者采用了冲压装置的机械加工等通常进行的任何蚀刻方法都可以采用。在此，在栅绝缘膜36及层间绝缘膜37的至少一方包含有机材料的情况下，栅绝缘膜36及层间绝缘膜37的厚度总计成为几μm以上的大小。如此地进行蚀刻的膜的厚度变得越厚，接触孔35的微细化变得越困难。但是，在本实施方式中，因为在1组像素电极34之间共有1个接触孔35，所以与对于各像素电极34各形成1个接触孔35的现有例相比，使接触孔35微细化的要求变低。因此，即使在栅绝缘膜36及层间绝缘膜37的至少一方包含有机材料的情况下也能够容易地形成接触孔35。

接下来，形成像素电极34(图7(G))。像素电极34，形成为：大部分配置于层间绝缘膜37上的预定位置，一部分通过接触孔35与漏电极33接触。作为像素电极34的构成材料，例如可举出Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pt、Pd、In、Ni、Nd、或用了这些金属的合金等、InO₂、SnO₂、ITO等的导电性的氧化物、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、聚乙炔等的导电性高分子及向其添加了盐酸、硫酸、磺酸等的酸、PF₆、AsF₅、FeCl₃等的路易士酸、碘等的卤素原子、钠钾等的金属原子等的掺杂物的材料、分散了炭黑、金属微粒的导电性的复合材料等的具有导电性的材料。关于形成方法与上述的信号线15等相同，可适宜采用使物理气相淀积法与光蚀刻组合的方法、通过金属通孔掩模进行蒸镀处理的方法、滴注包含导电性微粒的聚合物混合物的方法等。

其后，通过在基板30上利用公知的方法形成电泳片40，完成电泳装置(参照上述图4)。

接下来，关于采用上述的电泳装置所构成的电子设备的具体例进行说明。

图8，是对应用了电泳装置的电子设备的具体例进行说明的立体图。图8(A)，是表示作为电子设备之一例的电子书的立体图。该电子书1000，具备：书籍形状的框架1001，对于该框架1001转动自如地设置的(可以开合的)封皮1002，操作部1003，和通过本实施方式中的电泳装置所构成的显示部1004。图8(B)，是表示作为电子设备之一例的手表的立体图。该手表1100，具备通过本实施方式中的电泳装置所构成的显示部1101。图8(C)，是表示作为电子设备之一例的电子纸的立体图。该电子纸1200，具备：以具有与纸同样的质感及柔软性的可改写片所构成的主体部1201和通过本实施方式中的电泳装置所构成的显示部1202。还有，可以应用电泳装置的电子设备的范围并不限定于此，广泛包括利用了伴随于电泳微粒的移动的视觉上的色调的变化的装置。例如，除了上述的装置之外，还包括：属于贴合有电泳膜的壁面等的不动产的物体、属于车辆、飞行器、船舶等的移动体的物体。

如以上所述地，通过成为在至少2个相邻的电极相互间共有1个接触孔(开口部)，并通过该共有的1个接触孔，对各电极与对应于其的晶体管进行连接的构成，与对各电极各设置1个接触孔的情况相比，可以使制造时的对准精度的要求降低。从而，制造装置、工序上的制约减少，能够提供具有可以使成品率提高的结构的电路基板。

还有，本发明并不限定于上述的实施方式的内容，可以在本发明的要旨的范围内进行种种改变而实施。

例如，虽然在上述的实施方式中，作为晶体管的一例对采用了有机半导体膜的有机晶体管之中、具有顶栅底接触型的结构的晶体管进行了例示，但是也可以采用其他的结构，具体地也可采用顶栅顶接触型的结构、底栅底接触型的结构、底栅顶接触型的结构的任一种。进而，晶体管并非限定于有机晶体管，也可以采用利用了二氧化硅膜等的无机膜的晶体管。

并且，虽然在上述的实施方式中作为电路基板，对用于电泳装置的电路基板进行了例示，但是本发明中的电路基板并非限定于此。本发明，可以广泛应用于在液晶装置等各种电光装置中所用的电路基板、用于指纹传感器、压力传感器、温度传感器、光学传感器等的检测装置的电路基板、或者用于存储器件的电路基板等。

Claims (9)

1.一种电路基板，其特征在于，具备：

基板，

在前述基板上，沿第1方向所形成的多条扫描线，

在前述基板上，沿与前述第1方向交叉的第2方向所形成的多条信号线，

分别与前述多条扫描线之中的某1条电连接且与前述多条信号线之中的某1条电连接的多个晶体管，

覆盖前述多条扫描线、前述多条信号线及前述多个晶体管地形成的绝缘层，和

分别与前述多个晶体管之中的某1个晶体管电连接的多个电极；

在前述绝缘层中，以前述多个电极之中的至少2个相邻的电极为1组，按该每1组电极而形成1个开口部，前述多个电极的各个通过前述开口部与前述1个晶体管电连接。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于：

前述1组电极，由沿前述第1方向排列的2个电极构成；

前述多条信号线，按前述每1组电极对应配置2条信号线；

前述2条信号线，夹着前述1个开口部地配置。

3.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于：

前述1组电极，由沿前述第2方向排列的2个电极构成；

前述多条扫描线，按前述每1组电极对应配置2条扫描线；

前述2条扫描线，夹着前述1个开口部地配置。

4.根据权利要求2或3所述的电路基板，其特征在于：

前述多个晶体管，按前述每1组电极对应配置2个晶体管；

前述2个晶体管，夹着前述1个开口部对称地配置。

5.根据权利要求1～4中的任何一项所述的电路基板，其特征在于：

前述多个晶体管的各个是有机晶体管。

6.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于：

前述1组电极，由沿前述第1方向排列为2行且沿前述第2方向排列为2列的4个电极构成；

前述多条扫描线，按前述每1组电极对应配置2条扫描线；

前述2条扫描线，夹着前述1个开口部地配置；

前述多条信号线，按前述每1组电极对应配置2条信号线；

前述2条信号线，夹着前述1个开口部地配置。

7.一种电光装置，其特征在于，具备：

权利要求1～6中的任何一项所述的电路基板，和

设置于前述电路基板上的电光层。

8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征在于：

前述电光层为电泳层。

9.一种电子设备，其特征在于：

具备权利要求7或8所述的电光装置。

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