CN101640207A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种图像传感器及其制造方法。根据一种实施例，提供包括读出电路的半导体衬底。电连接到读出电路的互连部以及层间电介质布置在半导体衬底之上。图像感测单元布置在层间电介质之上，并包括叠置在其中的第一掺杂层和第二掺杂层。形成通过图像感测单元暴露互连部的第一过孔。在第一过孔中形成第四金属接触，以电连接互连部和第一掺杂层。在第四金属接触之上形成第五金属接触，该第五金属接触与第四金属接触电绝缘并电连接到第二掺杂层。
Description
技术领域
本发明涉及一种图像传感器。
背景技术
图像传感器是用于将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可大致分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。
CMOS图像传感器包括：将接收的光信号转换成电信号的光电二极管区域；以及处理电信号的晶体管区域，其中光电二极管区域和晶体管区域水平地布置。
在这种水平图像传感器中，光电二极管区域和晶体管区域水平地布置在半导体衬底上。因此，就通常被称作填充因子的在有限面积中扩大光学感测区域而言，水平图像传感器具有局限性。
作为克服这一局限性的替代方案，进行了以下的尝试：使用不定形硅(Si)来形成光电二极管，或者使用诸如晶片对晶片接合的方法来形成硅(Si)衬底中的电路系统，以及在电路系统上和/或之上形成光电二极管(被称为三维(3D)图像传感器)。光电二极管通过金属互连部与电路系统相连。
然而，晶片之间的接合强度可能由于晶片不平坦的接合表面而降低。也就是说，由于光电二极管和电路系统之间的金属互连部暴露在层间电介质的表面上，层间电介质可能具有不平坦的表面轮廓。这导致与在层间电介质上形成的光电二极管的结合强度降低。
发明内容
实施例提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器采用了读出电路和光电二极管的垂直集成方案，提高了光电二极管的填充因子。
在一个实施例中，一种图像传感器包括：半导体衬底，包括读出电路、连接到读出电路的互连部以及在半导体衬底之上的层间电介质；在层间电介质之上的图像感测单元，该图像感测单元包括叠置于其中的第一掺杂层和第二掺杂层；通过图像感测单元暴露互连部的第一过孔；在第一过孔中的第四金属接触，用以电连接互连部和第一掺杂层；以及在第四金属接触之上的第五金属接触，第五金属接触与第四金属接触电绝缘并且电连接到第二掺杂层。
在另一实施例中，一种用于制造图像传感器的方法包括：在包括读出电路的半导体衬底之上形成连接到读出电路的互连部和层间电介质；形成包括叠置在层间电介质之上的第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测单元；形成穿过图像感测单元以暴露互连部的第一过孔；在第一过孔的侧壁形成第一阻挡图案以覆盖第二掺杂层并且部分地暴露第一掺杂层；在第一过孔中形成第四金属接触以电连接互连部和第一掺杂层；在第一过孔中的第四金属接触之上形成第二阻挡图案；以及在第二阻挡图案之上形成第五金属接触且第五金属接触电连接到第二掺杂层。
在附图和以下的描述中阐明一个或更多个实施例的细节。通过说明书和附图以及权利要求，其它特征也将变得清楚。
附图说明
图1是根据一种实施例的图像传感器的横截面图。
图2是示出用于解释根据一种实施例的晶体管操作的电压电势的示图。
图3是根据另一实施例的图像传感器的横截面图。
图4-12是示出根据一种实施例的制造图像传感器的工艺的横截面图。
图13是示出图12的图像传感器的平面图。
具体实施方式
在对实施例的描述中，应理解，当提及某一层在另一层或衬底“上”时，其可以直接地在另一层或衬底“上”，或者也可以出现中间层。此外，应理解，当提及某一层在另一层“下”时，其可以直接地在另一层下或者也可以出现一个或更多个中间层。另外，还应理解，当提及某一层在两层之间时，其可以是在这两层之间的唯一层，或者也可以出现一个或更多个中间层。
此后，将参考附图来描述图像传感器以及制造方法。
该实施例不限于CMOS图像传感器，而是可以应用于需要光电二极管的任意图像传感器(例如，CCD图像传感器)。
图12是图示根据一种实施例的图像传感器的简化横截面图。图1和3是根据本发明某些实施例的具有读出电路和互连部的衬底的更详细的示图。
根据一种实施例的图像传感器包括：半导体衬底100，其包括读出电路120、电连接到读出电路120的互连部150以及在半导体衬底100之上的层间电介质160；在层间电介质160之上的图像感测单元200，该图像感测单元200包括叠置于其中的第一掺杂层210和第二掺杂层220；通过图像感测单元200暴露互连部150的第一过孔240；在第一过孔中的第四金属接触275，用以电连接互连部150和第一掺杂层210；以及在第四金属接触275之上的第五金属接触300，第五金属接触300与第四金属接触275电绝缘并且电连接到第二掺杂层220。
由于第五金属接触300形成在第四金属接触275之上，第四和第五金属接触275和300沿着同一条线对准。因此，互连部形成为在图像传感单元200中占最小的空间，由此提高了图像感测单元200的填充因子。
像素分隔区域310形成在图像感测单元200中以便按照单位像素来分隔图像感测单元200。
具体而言，由于像素分隔区域310形成为与第四金属接触275和第五金属接触300相邻，可以确保图像感测单元200的光接收区域。同样，如图13所示，可以以网状图案来形成像素分隔区域310以便按照单位像素来分隔图像感测单元200。
第五金属线320可以形成在第五金属接触300上以便将电信号传递到第五金属接触300。
根据像素分隔区域310的形成位置，可以以网状图案来形成第五金属线320，以便确保图像感测单元200的光接收区域。
第一阻挡图案260可以形成在第一过孔240的侧壁上，以暴露第一掺杂层210的一部分，阻挡第二掺杂层220和第一掺杂层210的其余部分与第四金属接触275接触。
第二阻挡图案285可以形成在第四金属接触275和第五金属接触300之间，以便将第四金属接触275与第五金属接触300电隔离。
对应于第二阻挡图案285的上部，沟槽290可以形成在第二掺杂层220中。因而，第五金属接触300可以形成在沟槽290中以便电连接到第二掺杂层220。
参考以下的制造方法来描述未解释的附图标记。
此后，结合图1至13来描述根据一种实施例的用于制造图像传感器的方法。
参见图1，互连部150和层间电介质160形成在包括读出电路120的半导体衬底100之上。
半导体衬底100可以是单晶硅衬底或多晶硅衬底，并且可以是掺有P型杂质或掺有N型杂质的衬底。例如，器件隔离层110形成在半导体衬底100中以便限定有源区域。用于每个单位像素的包括晶体管的读出电路120形成在有源区域中。
读出电路120可以是3Tr、4Tr和5Tr型电路中的一个。例如，作为4Tr电路，读出电路120可以包括转移晶体管(Tx)121、重置晶体管(Rx)123、驱动晶体管(Dx)125和选择晶体管(Sx)127。可以形成包括浮置扩散区域(FD)131的离子注入区域130和用于晶体管的源极/漏极区域133、135和137。
在第一衬底100上形成读出电路120可以包括：在第一衬底100中形成电结区域140，以及形成在电结区域140的上部连接到互连部150的第一导电连接147。
例如，电结区域140可以是PN结140，但是实施例不限于此。例如，电结区域140可以包括：形成在第二导电型阱141或第二导电型外延层上的第一导电型离子注入层143；以及形成在第一导电型离子注入层143上的第二导电型离子注入层145。例如，如图1所示，PN结140可以是P0(145)/N-(143)/P-(141)结，但是实施例不限于此。另外，第一衬底100可以是第二导电型衬底，但是实施例不限于此。
根据一种实施例，器件被设计成在转移晶体管(Tx)的源极和漏极之间具有电势差，由此实现光电荷的全部转储(dumping)。因而，在光电二极管中生成的光电荷被转储到浮置扩散区域，由此提高了输出图像的灵敏度。
即，该实施例在包括读出电路120的第一衬底中形成电结区域140以便在转移晶体管(Tx)121的源极和漏极之间提供电势差，由此实现光电荷的全部转储。
此后，将结合图1和2来详细描述根据一种实施例的光电荷的转储结构。
在一种实施例中，与N+结的浮置扩散(FD)131节点不同，电结区域140的P/N/P结140在预定电压被夹断，而没有向P/N/P结140完全传递施加的电压。该电压被称作钉扎电压。钉扎电压依赖于P0(145)和N-(143)的掺杂浓度。
具体地，在光电二极管中生成的电子被转移到PNP结140，并且被转移到浮置扩散(FD)131节点以便在转移晶体管(Tx)121接通时被转换成电压。
P0/N-/P-结140的最大电压变成钉扎电压，且FD131节点的最大电压变成Vdd减去重置晶体管(Rx)的阈值电压(Vth)。如图2所示，由于Tx121的源极和漏极之间的电势差，在没有电荷共享的情况下，在芯片的上部的光电二极管中生成的电子可以彻底地转储到FD131节点。
即，在一种实施例中，在半导体衬底100的硅衬底(Si-Sub)中形成了P0/N-/P-阱结而不是N+/P-阱结。这样做的理由如下：在4Tr有源像素传感器(APS)的重置操作中，向P0/N-/P-阱结的N-区域(143)施加正(+)电压，并且向P0区域(145)和P-阱(141)施加接地电压，因此类似于BJT结构，P0/N-/P-阱双结在预定电压或更高电压产生夹断。该电压可被称作钉扎电压。由此，在Tx121的源极和漏极之间出现电势差，由此可以抑制在Tx的开/关操作期间由于从N-阱通过Tx到FD的光电荷完全转储所造成的电荷共享现象。
由此，与简单地将光电二极管连接到N+结的现有技术方案不同，该实施例可以抑制饱和度降低和灵敏度恶化。
第一导电连接147形成在光电二极管和读出电路之间以产生光电荷的平滑转移路径，由此可以将暗电流源最小化并且抑制饱和度降低和灵敏度恶化。
为此，可以形成N+掺杂区域作为用于在P0/N-/P-结140的表面上的欧姆接触的第一导电连接147。N+区域(147)可以被形成为穿过P0区域(145)以接触N-区域(143)。
另外，可以将第一导电连接147的宽度最小化以便抑制第一导电连接147成为泄漏源。
为此，可以在刻蚀第一金属接触151a的接触孔后执行插塞注入，但是实施例不限于此。作为另一例子，可以形成离子注入图案(没有示出)，并且该图案可以被用作离子注入掩模来形成第一导电连接147。
即，只是在接触形成区域上局部地执行N+掺杂的理由在于：最小化暗信号并且实现欧姆接触的平滑形成。如果整个Tx源区域是N+掺杂，则暗信号可能由于Si表面悬键而增加。
图3示出读出电路的另一结构。如图3所示，第一导电连接区域148可以形成在电结区域140的一侧。
参见图3，可以形成N+连接区域148以用于与P0/N-/P-结140的欧姆接触。在图1所示的实施例中，在N+连接区域148和M1C接触151a的形成工艺期间，可能生成泄漏源。这是因为在向P0/N-/P-结140施加反向偏置时由于操作在Si表面之上生成了电场(EF)。在接触形成工艺期间生成的晶体缺陷在电场内可能变成泄漏源。
同样，当N+连接区域148形成在P0/N-/P-结140的表面之上时，由于N+/P0结148/145可以附加地产生电场。该电场也可能造成泄漏源。
因而，在图3所示的实施例中，提供了以下布局：其中第一接触插塞151a形成在没有被掺杂有P0层而是包括电连接到N-结143的N+连接区域148的有源区域上。
在该实施例中，没有在半导体衬底100的表面之上形成电场，这可以有助于减少3D集成CIS的暗电流。
再参考图1和图3，层间电介质160和互连部150可以形成在半导体衬底100之上。互连部150可以包括：第二金属接触151a、第一金属151、第二金属152和第三金属153，但是实施例不限于此。在形成第三金属153之后，可以形成电介质层来覆盖第三金属153，并且可以执行平坦化工艺来形成层间电介质160。由此，可以在半导体衬底100上暴露具有均匀表面轮廓的层间电介质160的表面。
参考图4，在半导体衬底100的层间电介质160上形成图像感测单元200。图像感测单元200可以包括第一掺杂层210和第二掺杂层220以便具有PN结光电二极管结构。同样，欧姆接触层(N+)230可以形成在第一掺杂层210下。
作为参考，图4中所述的层间电介质160和第三金属153代表图1中所示的层间电介质160和互连部150的一部分。即，为了便于解释，这里省略了互连部150和读出电路120的一部分。
例如，通过向P型载流子晶体衬底(没有示出)轮流离子注入N型杂质(N-)和P型杂质(P+)，可以以第一掺杂层210和第二掺杂层220的叠置结构来形成图像感测单元200。另外，可以在第一掺杂层210的表面处离子注入高浓度的N型杂质(N+)以形成欧姆接触层230。欧姆接触层230可以降低图像感测单元200和互连部150之间的接触电阻。
在该实施例中，第一掺杂层210可以被形成为具有比第二掺杂层220更广(更宽)的区域。在这样的实施例中，其耗尽区增大以增加光电荷的生成。
在层间电介质160上布置载流子衬底(未示出)的欧姆接触层230后，执行接合工艺以便接合半导体衬底100和载流子衬底。然后，对于载流子衬底中具有氢层的实施例，通过解理工艺去除载流子衬底以暴露接合到层间电介质160的图像感测单元200。
因而，图像感测单元200可以布置在读出电路120之上，由此提高填充因子并抑制在图像感测单元200中出现缺陷。同样，图像感测单元200接合到具有均匀表面轮廓的层间电介质160的表面，由此增加接合强度。
参见图5，形成穿过图像感测单元200和层间电介质160的第一过孔240。第一过孔240是能够暴露第三金属153的表面的深过孔。
第一阻挡图案260与图像感测单元200的第二掺杂层220和第一掺杂层210的一部分对应地形成在第一过孔240的侧壁上。阻挡图案260可以由氧化物或氮化物形成。
即，第一阻挡图案260覆盖所有的第二掺杂层220和与第二掺杂层220相邻的第一掺杂层210的一部分。第一掺杂层210的一部分和欧姆接触层230暴露于第一过孔240。
尽管没有示出，随后将描述形成第一过孔240和第一阻挡图案260的方法。在图像感测单元200上形成针对单位像素而图案化的硬掩模250后，使用硬掩模250来刻蚀图像感测单元200以在对应于第三金属153的区域处形成初始过孔(未示出)。初始过孔(未示出)只是一部分延伸到图像感测单元中以对应于第三金属153之上的区域来暴露第二掺杂层220并部分地暴露第一掺杂层210。在第一阻挡层(没有示出)形成在初始过孔(未示出)中后，执行刻蚀工艺来从初始过孔的底表面(以及硬掩模250的顶表面)去除第一阻挡层，只在初始过孔的侧壁上形成第一阻挡图案260。然后，使用硬掩模250和第一阻挡图案260作为刻蚀掩模，可以形成第一过孔240以通过图像感测单元200和层间电介质160来暴露第三金属153。
参考图6，形成接触插塞270以电连接图像感测单元200和读出电路120。接触插塞270可以由诸如Cu、Al、Ti、Ta、TiN、TaN和W等金属材料中的至少一种形成。
通过经由第一过孔240穿过图像感测单元200和层间电介质160，接触插塞270可以电连接到第三金属153。同样，阻挡图案260部分地形成在接触插塞的侧壁上以将接触插塞270与第二掺杂层220电隔离。
因此，在图像感测单元200中生成的光电荷可以通过接触插塞270传递到读出电路120。同样，由于第一阻挡图案260将接触插塞270与第二掺杂层220隔离，图像感测单元200可以正常地工作。
参考图7，通过去除接触插塞270的上部而形成第二过孔265和第四金属接触(M4C)275。通过选择性地刻蚀接触插塞270至对应于第二掺杂层220的深度而形成的第二过孔265可以暴露在第二掺杂层220侧壁上的第一阻挡图案260。例如，可以通过控制凹陷处理来形成第二过孔265以暴露第一阻挡图案260至对应于第二掺杂层220的深度。第四金属接触275是保留在过孔265下的接触插塞270。
参见图8，第二阻挡层280形成在第二过孔265中并形成在图像感测单元200之上。在第二阻挡层280覆盖第二过孔265和硬掩模250后，在第二阻挡层280上执行平坦化工艺。在这种情况下，由于第二阻挡层280填充第二过孔265，第二阻挡层280填充在第四金属接触275之上。
第二阻挡层280可以由氧化物或氮化物形成。
参见图9，形成沟槽290以选择性地暴露图像感测单元200的第二掺杂层220。在沟槽290下的剩余第二阻挡层280形成第二阻挡图案285并且布置在沟槽290的底部和第四金属接触275之间。
为了形成沟槽290，在第二阻挡层280上形成暴露对应于第四金属接触275的第二阻挡层280的光刻胶图案500。在这种情况下，光刻胶图案500可以形成为具有比包括第一阻挡图案260的第一过孔240的宽度D1更大的宽度D2。可以使用光刻胶图案500作为刻蚀掩模，通过刻蚀暴露的第二阻挡层280、硬掩模250和第二掺杂层220来形成沟槽290。这里，如果第二掺杂层220的一部分被暴露，可以通过控制刻蚀条件来停止刻蚀工艺。同样，由于光刻胶图案500具有比第一过孔240更宽的宽度，可以在沟槽290的底部的边缘区域295处暴露第二掺杂层200。
如果在沟槽290形成期间通过控制刻蚀工艺暴露第二掺杂层220的一部分，则停止刻蚀，在沟槽290下形成第二阻挡图案285。
此后，当去除光刻胶图案500时，暴露了作为由光刻胶图案500覆盖的阻挡层280的一部分的第三阻挡图案287。
参考图10，第五金属接触(M5C)300形成在沟槽290中。第五金属接触300形成在沟槽290中以便电连接到第二掺杂层220。
在金属层沉积在包括沟槽290的图像感测单元200上之后，可以通过执行平坦化工艺来形成第五金属接触300。例如，平坦化工艺可以是化学机械(CMP)工艺，并且抛光终点可以是第三阻挡图案287。同样，第五金属接触300可以由诸如Cu、Al、Ti、Ta、TiN、TaN和W等金属材料中的一种形成。
第五金属接触300形成在沟槽290中以便只电连接到图像感测单元200的第二掺杂层220并且用作接地接触。
由于第五金属接触300通过第二阻挡图案285与第四金属接触275电隔离，接地电压只施加到第二掺杂层220。
如上所述，第四金属接触275通过第二阻挡图案285与第五金属接触300电隔离。因为第四金属接触275由于第一阻挡图案260而电连接到第一掺杂层210的一部分和/或欧姆接触层230，在图像感测单元200中生成的光电荷可以通过第四金属接触275传递到读出电路120。
同样，由于第二阻挡图案285介于第四金属接触275和第五金属接触300之间，可以确保图像感测单元200的光接收区域，由此提高填充因子。即，由于第四金属接触275和第五金属接触沿着同一条线而对准，可以最大地确保图像感测单元200的光接收区域。
参考图11，像素隔离区域310形成在图像感测单元200中，以便按照单位像素来隔离图像感测单元200。像素隔离区域310被形成为完全穿过图像感测单元200，以便按照单位像素来隔离图像感测单元200。可以与第四金属接触275和第五金属接触300相邻地形成像素隔离区域310。
可以通过浅沟槽隔离(STI)工艺或离子注入工艺来形成像素隔离区域310。例如，在STI工艺中，通过将绝缘材料填充在形成在图像感测单元200中的沟槽中来形成像素隔离区域310。
参考图12，第五金属325形成在第五金属接触300上。通过在沉积金属层之后执行图案化，第五金属325可以被形成为电连接到第五金属接触300。第五金属325可以形成在第五金属接触300和像素隔离区域310上。
如图13所示，可以通过在第五金属线320的形成期间执行图案化使得将第五金属线320的一部分连接到第五金属325来形成第五金属325。
第五金属线320可以沿着像素隔离区域310的形成线而形成为网状图案。由于在与像素隔离区域310的边缘区域对应的第五金属线320处形成第五金属325，所以可以最大地确保图像感测单元220的光接收区域。
如图13所示，第五金属325和第五金属接触300形成在与单位像素A对应的图像感测单元200的边缘区域处。尽管没有示出，第四金属接触275形成在插入第二阻挡层280的第五金属接触300下。
如上所述，第五金属接触300和第五金属325形成在第四金属接触275之上，并且第四和第五金属接触275和300被形成为相邻于像素隔离区域310。因而，可以最大地确保对应于单位像素的图像感测单元200的光接收区域，由此提高图像传感器的填充因子。由此，可以提高图像传感器的灵敏度和饱和度特性。
尽管没有示出，可以在图像感测单元200之上附加地形成滤色器和微透镜。
在说明书中任何时候提及“一个实施例”、“一种实施例”、“示例实施例”时，表示结合该实施例所描述的具体特征、结构或特点被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书不同场合出现的这种短语不一定都是指同一实施例。此外，当结合任意实施例来描述具体特征、结构或特点时，应认为结合其它实施例来实现这些特征、结构或特点也是在本领域技术人员的能力范围之内。
尽管已经结合多个示例性实施例描述了实施例，但是应理解，本领域技术人员可以设想的各种其它改型和实施例也将落入本申请的原理的精神实质和范围内。更具体地，在说明书、附图和所附权利要求的范围内，可以在组成部件和/或主题组合设置的设置中进行各种变化和改型。除了组成部件和/或设置中的变化和改型以外，本领域技术人员显然也清楚其它替代用途。
Claims (17)
1.一种图像传感器，包括：
半导体衬底，其包括读出电路；
在所述半导体衬底之上的层间电介质以及连接到所述读出电路的互连部；
在所述层间电介质之上的图像感测单元，所述图像感测单元包括叠置在其中的第一掺杂层和第二掺杂层；
通过所述图像感测单元暴露所述互连部的第一过孔；
在所述第一过孔中的第四金属接触，用以电连接所述互连部和所述第一掺杂层；以及
在所述第四金属接触之上的第五金属接触，所述第五金属接触与所述第四金属接触电绝缘并且电连接到所述第二掺杂层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括像素隔离区域，所述像素隔离区域穿过所述图像感测单元以按照单位像素来隔离所述图像感测单元，所述像素隔离区域与所述第四金属接触和所述第五金属接触相邻地形成。
3.根据权利要求2所述的图像传感器，还包括第五金属线，所述第五金属线形成在所述第五金属接触之上并电连接到所述第五金属接触。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中第五金属线根据所述像素隔离区域的形成位置被形成为网状图案。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括第一阻挡图案，所述第一阻挡图案在所述第一过孔的侧壁上，同时暴露所述第一掺杂层的一部分，覆盖所述第一掺杂层的其余部分和第二掺杂层。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述第四金属接触和所述第五金属接触之间的第二阻挡图案。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述第五金属接触形成在暴露所述第二阻挡图案和所述第二掺杂层的一部分的沟槽中。
8.一种用于制造图像传感器的方法，包括：
在包括读出电路的半导体衬底之上形成连接到所述读出电路的互连部和层间电介质；
形成包括叠置在所述层间电介质之上的第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测单元；
形成穿过所述图像感测单元以暴露所述互连部的第一过孔；
在所述第一过孔的侧壁形成第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述第二掺杂层并部分地暴露所述第一掺杂层；
在所述第一过孔中形成第四金属接触以电连接所述互连部和所述第一掺杂层；
在所述第一过孔中的所述第四金属接触之上形成第二阻挡图案；以及
在所述第二阻挡图案之上形成第五金属接触，所述第五金属接触电连接到所述第二掺杂层。
9.根据权利要求8所述的方法，包括形成第五金属线，所述第五金属线在所述第五金属接触之上并电连接到所述第五金属接触。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括形成穿过所述图像感测单元以按照单位像素隔离所述图像感测单元的像素隔离区域，所述像素隔离区域与所述第四金属接触和所述第五金属接触相邻地形成。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括形成第五金属线，所述第五金属线在所述第五金属接触之上并电连接到所述第五金属接触。
12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述像素隔离区域之上以网状图案形成所述第五金属线。
13.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四金属接触的形成包括：
在具有所述第一阻挡图案的所述第一过孔中形成接触插塞；以及
通过在所述接触插塞上执行凹陷处理，暴露所述阻挡图案的与所述第二掺杂层对应的一部分。
14.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二阻挡图案的形成包括：
在具有所述第四金属接触的所述图像感测单元之上形成第二阻挡层；
在所述第二阻挡层之上形成光刻胶图案，以暴露所述第二阻挡层的与所述第一过孔对应的一部分，第二阻挡层的被暴露的部分具有比所述第一过孔更大的宽度；以及
使用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模来形成部分地暴露所述第二掺杂层的沟槽，所述沟槽的形成包括控制刻蚀工艺以在所述第一过孔中留下所述第二阻挡层的一部分。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第五金属接触的形成包括：
在所述图像感测单元之上，包括在所述沟槽中，沉积金属层；以及
执行平坦化工艺以便只是在所述沟槽中保留所述金属层。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一阻挡图案和所述第二阻挡图案由绝缘层形成。
17.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一过孔的形成和所述第一阻挡图案的形成包括：
在与所述互连部对应的区域形成穿过所述图像感测单元的一部分的初始过孔，所述初始过孔部分地暴露所述第一掺杂层；
在所述图像感测单元之上，包括在所述初始过孔中，形成第一阻挡层；
从所述初始过孔的底部去除所述第一阻挡层，以在所述初始过孔的侧壁上保留所述第一阻挡层，从而形成所述第一阻挡图案；以及
通过所述初始过孔的底部暴露所述互连部，以形成所述第一过孔。
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