JP2010034562A - イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents
イメージセンサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010034562A JP2010034562A JP2009175189A JP2009175189A JP2010034562A JP 2010034562 A JP2010034562 A JP 2010034562A JP 2009175189 A JP2009175189 A JP 2009175189A JP 2009175189 A JP2009175189 A JP 2009175189A JP 2010034562 A JP2010034562 A JP 2010034562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal contact
- layer
- forming
- doping layer
- via hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 137
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 58
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14632—Wafer-level processed structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記イメージセンサは、読み出し回路を含む半導体基板と、前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールと、前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に形成された第4メタルコンタクトと、前記第4メタルコンタクト上に形成されて、前記第4メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第2ドーピング層とは電気的に接続される第5メタルコンタクトと、を含む。
【選択図】 図12
【解決手段】前記イメージセンサは、読み出し回路を含む半導体基板と、前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールと、前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に形成された第4メタルコンタクトと、前記第4メタルコンタクト上に形成されて、前記第4メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第2ドーピング層とは電気的に接続される第5メタルコンタクトと、を含む。
【選択図】 図12
Description
本発明は、イメージセンサ及びその製造方法に関する。
イメージセンサは、光学画像(optical image)を電気信号に変換する半導体素子であって、電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device)イメージセンサとCMOSイメージセンサ(CIS:Complementary Metal Oxide Silicon Image Sensor)とに区分される。
CMOSイメージセンサは、光信号を受け取って電気信号に変えるフォトダイオード(Photo diode)領域と該電気信号を処理するトランジスタ領域とが水平に配置される構造を有する。
上記のような水平型イメージセンサでは、フォトダイオード領域とトランジスタ領域とが半導体基板に水平に配置される。よって、限られた面積における光感知部分(これを通常「フィルファクタ(Fill Factor)」と呼ぶ)の拡張に限界がある。
これを解消するための代案の一つとして、フォトダイオードを非晶質シリコン(amorphous Si)で蒸着するか、又はウェハ対ウェハボンディング(Wafer−to−Wafer Bonding)などの方法により回路領域(Circuitry)をシリコン基板に形成させ、フォトダイオードを読み出し回路の上部に形成する試み(以下、「3次元イメージセンサ」と称する)がなされている。フォトダイオードと回路領域とは、配線(Metal Line)を介して接続(connect;「連結」とも訳すことができる。以下同じ。)される。
しかし、ウェハ対ウェハボンディングの場合、ウェハのボンディング面のばらつきによりボンディング力が低下するおそれがある。これは、前記フォトダイオードと回路領域とを接続するための配線が層間絶縁膜表面に露出しているからである。よって、前記層間絶縁膜が不均一な表面プロファイルを有するので、前記層間絶縁膜上に形成されるフォトダイオードとのボンディング力が低下するおそれがある。
本発明は、読み出し回路とフォトダイオードとの垂直型集積構造を採用し、フォトダイオードのフィルファクタを向上させることができるイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
実施形態によるイメージセンサは、読み出し回路を含む半導体基板と、前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールと、前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に形成された第4メタルコンタクトと、前記第4メタルコンタクト上に形成されて、前記第4メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第2ドーピング層とは電気的に接続される第5メタルコンタクトと、を含む。
実施形態によるイメージセンサの製造方法は、読み出し回路が形成された半導体基板上に、前記読み出し回路と接続されるように配線及び層間絶縁層を形成するステップと、前記層間絶縁層上に第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部を形成するステップと、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールを形成するステップと、前記第2ドーピング層は覆い前記第1ドーピング層は部分的に露出させるように、前記第1ビアホールの側壁に第1バリアパターンを形成するステップと、前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に第4メタルコンタクトを形成するステップと、前記第1ビアホール内部の前記第4メタルコンタクト上に第2バリアパターンを形成するステップと、前記第2ドーピング層と電気的に接続されるように、前記第2バリアパターン上に第5メタルコンタクトを形成するステップと、を含む。
本発明によれば、イメージセンサの感度(Sensitivity)及びサチュレーション(Saturation)特性を向上することができる。
実施形態によるイメージセンサ及びその製造方法を添付図面を参照して詳しく説明する。
実施形態は、CMOSイメージセンサに限定されるのではなく、CCDイメージセンサなど、フォトダイオードを必要とする全てのイメージセンサに適用可能である。
図12は、実施形態によるイメージセンサを示す断面図である。
実施形態によるイメージセンサは、読み出し回路120を含む半導体基板100と、前記読み出し回路120と接続されるように、前記半導体基板100上に形成された配線150及び層間絶縁層160と、前記層間絶縁層160上に形成され、第1ドーピング層210及び第2ドーピング層220が積層されたイメージ感知部200と、前記イメージ感知部200を貫通して前記配線150を露出させる第1ビアホール240と、前記配線150と前記第1ドーピング層210とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール240内部に形成された第4メタルコンタクト275と、前記第4メタルコンタクト275上に形成されて、前記第4メタルコンタクト275とは電気的に絶縁され、前記第2ドーピング層220とは電気的に接続されるように形成された第5メタルコンタクト300とを含む。
前記第4メタルコンタクト275上に前記第5メタルコンタクト300が形成されているので、前記第4及び第5メタルコンタクト275、300は、同一線上に形成されている。これにより、前記イメージ感知部200の最小限の位置に配線が形成されることで、イメージ感知部200のフィルファクタを向上させることができる。
前記イメージ感知部200には画素分離部310が形成され、前記イメージ感知部200を単位画素ごとに分離することができる。
特に、前記画素分離部310は、前記第4メタルコンタクト275及び第5メタルコンタクト300と隣り合うように形成されているので、前記イメージ感知部200の受光領域を確保することができる。また、図13に示すように、前記画素分離部310はメッシュ状に形成されて、前記イメージ感知部200を単位画素ごとに分離することができる。
前記第5メタルコンタクト300上には第5メタルライン320が形成され、前記第5メタルコンタクト300に電気信号を伝達することができる。
前記第5メタルライン320は、前記画素分離部310の形成位置に沿ってメッシュ状に形成され、前記イメージ感知部200は受光領域を確保することができる。
前記第1ビアホール240の側壁には、前記第1ドーピング層210の一部領域を露出させ、前記第1ドーピング層210の残りの領域及び第2ドーピング層220を覆うように、第1バリアパターン260が形成されている。よって、前記第1ビアホール240内部に形成された第4メタルコンタクト275は、前記第2ドーピング層220と電気的に絶縁されることができる。
前記第4メタルコンタクト275と前記第5メタルコンタクト300との間には、第2バリアパターン285が形成され、前記第4メタルコンタクト275と前記第5メタルコンタクト300とは、電気的に絶縁(isolate;「分離」とも訳すことができる。以下同じ。)されることができる。
前記第2バリアパターン285上部に該当する前記第2ドーピング層220には、トレンチ290が形成され、前記第2ドーピング層220を露出させることができる。よって、前記第5メタルコンタクト300は、前記トレンチ290内部に形成されて、前記第2ドーピング層220と電気的に接続されることができる。
図13の参照符号のうち説明されていない参照符号は、後述される製造方法で説明する。
以下、図1乃至図13を参照して、実施形態によるイメージセンサの製造方法を説明する。
図1を参照すると、読み出し回路120を含む半導体基板100上に、配線150及び層間絶縁層160が形成される。
前記半導体基板100は、単結晶または多結晶のシリコン基板であって、p型不純物またはn型不純物がドーピングされた基板であっても良い。前記半導体基板100に素子分離膜110が形成されて、アクティブ領域が定義される。そして、前記アクティブ領域に、単位画素ごとにトランジスタを含む読み出し回路120が形成される。
前記読み出し回路120は、トランスファトランジスタ(Tx)121、リセットトランジスタ(Rx)123、ドライブトランジスタ(Dx)125、セレクトトランジスタ(Sx)127を含んで構成されることができる。以降、フローティングディフュージョン領域(FD)131、前記各トランジスタに対するソース/ドレイン領域133、135、137を含むイオン注入領域130を形成することができる。一方、前記読み出し回路120は、3Tr、4Trまたは5Trのうちいずれか一つで構成されても良い。
前記半導体基板100に読み出し回路120を形成するステップは、前記半導体基板100に電気接合領域140を形成するステップ及び前記電気接合領域140上部に前記配線150と接続される第1導電型接続領域147を形成するステップを含むことができる。
例えば、前記電気接合領域140は、PNジャンクション(junction)140であっても良いが、これに限定されるのではない。例えば、前記電気接合領域140は、第2導電型ウェル141(以下では「P−141」とも称する)または第2導電型エピタキシャル層上に形成された第1導電型イオン注入層143(以下では「N−143」とも称する)、前記第1導電型イオン注入層143上に形成された第2導電型イオン注入層145(以下では「P0145」とも称する)を含むことができる。例えば、前記PNジャンクション140は、図1に示すように、P0145/N−143/P−141であっても良いが、これに限定されるのではない。また、前記半導体基板100は第2導電型に形成されていても良いが、これに限定されるのではない。
実施形態によれば、トランスファトランジスタ(Tx)両端のソース/ドレイン間に電圧差(Potential Difference)が発生するように素子を設計して、光電荷(Photo Charge)の完全なダンピング(Fully Dumping)が可能となる。これにより、フォトダイオードで発生した光電荷がフローティングディフュージョン領域にダンピングされて、出力イメージの感度を向上させることができる。
すなわち、前記読み出し回路120が形成された半導体基板100に電気接合領域140を形成することで、トランスファトランジスタ(Tx)121両端のソース/ドレイン間に電圧が発生するようにして、光電荷の完全なダンピングが可能となる。
以下、実施形態の光電荷のダンピング構造に対して図1及び図2を参照して具体的に説明する。
実施形態において、N+ジャンクションであるフローティングディフュージョンFD131ノード(Node)とは異なって、電気接合領域140であるP/N/Pジャンクション140には、印加電圧がすべて伝達されずに一定電圧でピンチオフ(Pinch−off)される。この電圧をピンニング電圧(Pinning Voltage)と呼び、ピンニング電圧は、P0145及びN−143ドーピング濃度に依存する。
具体的に、フォトダイオードで生成された電子は、PNPジャンクション140へ移動し、トランスファトランジスタ(Tx)121がオン(On)であるとき、FD131ノードに伝達されて電圧に変換される。
P0/N−/P−ジャンクション140の最大電圧値は、ピンニング電圧になり、FD131ノードの最大電圧値は、Vdd−Rx Vthになるので、図2に示すように、Tx131の両端間の電位差によって、電荷共有が発生されることなく、チップの上部のフォトダイオードで発生した電子がFD131ノードに完全にダンピングされることができる。
すなわち、実施形態によれば、半導体基板100であるシリコン基板(Si−Sub)にN+/PウェルジャンクションではなくP0/N−/Pウェルジャンクションを形成して、4−Tr APSリセット動作時にP0/N−/PウェルジャンクションでN−143に+電圧が印加され、P0145及びPウェル141にはグラウンド電圧が印加されるので、一定電圧以上では、P0/N−/PウェルダブルジャンクションにBJT構造と同様にピンチオフを発生するようになる。これをピンニング電圧と呼ぶ。したがって、Tx121の両端のソース/ドレイン間に電圧差が発生するようになって、Txのオン/オフ動作時に、光電荷がN−wellからTxを介してFDに完全にダンピングされて、電荷共有現象を防止することができる。
したがって、一般的な技術のように単にフォトダイオードがN+ジャンクションに接続された場合とは異なって、実施形態によると、サチュレーション及び感度の低下などの問題を避けることができる。
次に、実施形態によれば、フォトダイオードと読み出し回路120との間に第1導電型接続領域147を形成して、光電荷の円滑な移動通路を形成することによって、暗電流ソースを最小化し、サチュレーション及び感度の低下を防止することができる。
このために、実施形態によれば、P0/N−/P−ジャンクション140の表面にオーミックコンタクト(Ohmic Contact)のための第1導電型接続領域147としてN+ドーピング領域を形成することができる(以下では「N+領域147」とも称する)。前記N+領域147は、前記P0145を貫通してN−143に接触するように形成することができる。
一方、このような第1導電型接続領域147が漏れソース(Leakage Source)となるのを最小化するために、第1導電型接続領域147の幅を最小化することができる。
このために、実施形態では、第1メタルコンタクト151aのエッチング後プラグインプラント(Plug Implant)を行うことができるが、これに限定されるのではない。例えば、他の例として、イオン注入パターン(図示せず)を形成し、これをイオン注入マスクとして第1導電型接続領域147を形成することもできる。
すなわち、実施形態のように、コンタクト形成部のみに局部的にN+ドーピングを施したのは、暗信号(Dark Signal)を最小化し、かつオーミックコンタクトの形成を円滑にするためである。従来技術のように、Txのソース部全体をN+ドーピングする場合、基板表面のダングリングボンド(Si Surface Dangling Bond)により暗信号が増加するおそれがある。
図3は、読み出し回路に対する他の構造を示した図である。図3に示すように、前記電気接合領域140の一側に、第1導電型接続領域148(以下では「N+接続領域148」とも称する)が形成されることができる。
図3を参照すると、P0/N−/P−ジャンクション140にオーミックコンタクトのためのN+接続領域148を形成することができるが、このとき、N+接続領域148及び第1メタルコンタクト151aの形成工程は、漏れソース(Leakage Source)になり得る。これは、P0/N−/P−ジャンクション140に反転バイアス(Referse Bias)が印加されたままで動作するので、基板表面に電場(EF)が発生できるからである。このような電場内部でコンタクト形成工程中に発生する結晶欠陥は、漏れソースとなる。
また、N+接続領域148をP0/N−/P−ジャンクション140の表面に形成する場合に、N+/P0ジャンクション148/145による電場が追加されるので、これも漏れソースとなる。
すなわち、P0層にドーピングされずにN+接続領域148からなるアクティブ領域に第1メタルコンタクト151aを形成し、これをN−ジャンクション143と接続するレイアウトを提示する。
そうすると、基板表面の電場が発生しなくなり、これは、3次元集積(3D Integrated)CISの暗電流の減少に寄与することができる。
また、図1を参照すると、前記半導体基板100上に、層間絶縁層160及び配線150を形成することができる。前記配線150は、第1メタルコンタクト151a、第1メタル151、第2メタル152、第3メタル153を含むことができるが、これに限定されるのではない。実施形態では、前記第3メタル153を形成した後、前記第3メタル153が露出しないように絶縁膜を蒸着してから平坦化工程を行って、層間絶縁層160を形成することができる。これにより、前記半導体基板100上には、均一な表面プロファイルを有する層間絶縁層160の表面が露出することができる。
図4を参照すると、前記半導体基板100の層間絶縁層160上に、イメージ感知部200が形成される。前記イメージ感知部200は、第1ドーピング層(N−)210及び第2ドーピング層(P+)220からなって、PN接合のフォトダイオード構造を有することができる。また、前記第1ドーピング層210の下部には、オーミックコンタクト層(N+)230が形成されることができる。
参考として、図4に示した配線150の第3メタル153及び層間絶縁層160は、図1に示した配線150及び層間絶縁層160の一部を示すものであって、説明の便宜上、読み出し回路120と配線150の一部は省略された。
例えば、前記イメージ感知部200は、結晶形構造のp型キャリア基板(図示せず)内部にN型不純物(N−)及びP型不純物(P+)を順次にイオン注入して、第1ドーピング層210及び第2ドーピング層220が積層された構造に形成されることができる。追加的に前記第1ドーピング層210の下部に高濃度のN型不純物(N+)をイオン注入して、オーミックコンタクト層230を形成することができる。前記オーミックコンタクト層230は、前記イメージ感知部200と配線150との接触抵抗を減少させることができる。
実施形態において、前記第1ドーピング層210は、前記第2ドーピング層220よりも広い領域を有するように形成されることができる。これにより、空乏領域が拡張されて、光電子の生成を増加させることができる。
次に、前記層間絶縁層160の上部に前記キャリア基板(図示せず)のオーミックコンタクト層230を位置させた後、ボンディング工程を行って、前記半導体基板100と前記キャリア基板とを結合させる。以降、前記層間絶縁層160上にボンディングされた前記イメージ感知部200が露出するように、水素層が形成されたキャリア基板をクリービングにより取り除いて、前記第2ドーピング層220の表面を露出させる。
したがって、前記イメージ感知部200が読み出し回路120上側に形成されてフィルファクタを向上させ、イメージ感知部200の欠陥を防止することができる。また、均一な表面プロファイルを有する前記層間絶縁層160上に前記イメージ感知部200がボンディングされるので、物理的にボンディング力が向上することができる。
図5を参照すると、前記イメージ感知部200及び層間絶縁層160を貫通する第1ビアホール240が形成される。前記第1ビアホール240は、ディープビアホールであって、前記第3メタル153の表面を露出させることができる。
そして、前記イメージ感知部200の第1ドーピング層210の一部と前記第2ドーピング層220に対応する前記第1ビアホール240の側壁には、第1バリアパターン260が形成される。例えば、前記第1バリアパターン260は、酸化膜または窒化膜で形成されることができる。
これにより、前記第1バリアパターン260によって、前記第1ビアホール240側壁の第2ドーピング層220は全部覆われ、前記第2ドーピング層220と隣り合う前記第1ドーピング層210の一部も覆われる。そして、前記第1ドーピング層210の一部と前記オーミックコンタクト層230は、前記第1ビアホール240によって露出した状態になる。
図示されていないが、前記第1ビアホール240及び第1バリアパターン260を形成する方法を説明すると次の通りである。まず、前記イメージ感知部200上に、単位画素ごとにパターニングされたハードマスク250を形成した後、前記ハードマスク250を用いて前記イメージ感知部200をエッチングして、前記第3メタル153と対応する領域にビアホール(図示せず)を形成する。前記ビアホールは、前記第3メタル153上部領域に対応する前記第2ドーピング層220と前記第1ドーピング層210を部分的に露出させることができる。そして、前記ビアホールに第1バリア層(図示せず)を形成した後、前記ビアホール底面のバリア層を取り除くエッチング工程を行って、前記ビアホールの側壁のみに前記第1バリアパターン260を形成する。そして、前記ハードマスク250及び第1バリアパターン260をマスクとするエッチング工程によって、前記イメージ感知部200及び層間絶縁層160を貫通して前記第3メタル153を露出させる第1ビアホール240を形成することができる。
図6を参照すると、前記イメージ感知部200と前記読み出し回路120とを電気的に接続するためのコンタクトプラグ270が形成される。例えば、前記コンタクトプラグ270は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、チタン/窒化チタン(Ti.TiN)及びタングステン(W)のような金属材料のうちいずれか一つで形成されることができる。
前記コンタクトプラグ270は、前記第1ビアホール240を介して、前記イメージ感知部200及び層間絶縁層160を貫通して、前記第3メタル153と電気的に接続されることができる。また、前記コンタクトプラグ270の側面には部分的に第1バリアパターン260が形成されて、前記コンタクトプラグ270と前記第2ドーピング層220とは電気的に絶縁された状態になる。
したがって、前記イメージ感知部200で生成された光電荷は、前記コンタクトプラグ270を介して読み出し回路120に伝達されることができる。また、前記第1バリアパターン260が前記コンタクトプラグ270と前記第2ドーピング層220とを電気的に絶縁しているので、前記イメージ感知部200はノーマルな動作をするができる。
図7を参照すると、前記コンタクトプラグ270の上部領域を取り除いて、第2ビアホール265及び第4メタルコンタクト(M4C)275が形成される。前記第2ビアホール265は、前記第2ドーピング層220に対応する前記コンタクトプラグ270を選択的にエッチングして、前記第2ドーピング層220に対応する前記第1バリアパターン260を露出させることができる。例えば、前記第4メタルコンタクト275に対するリセス工程を制御して、前記第2ドーピング層220に対応する第1バリアパターン260が露出するように、第2ビアホール265が形成されることができる。そして、前記第2ビアホール265の下部には、前記第4メタルコンタクト275が形成されることができる。
図8を参照すると、前記第2ビアホール265を含むイメージ感知部200上に、第2バリア層280が形成される。前記第2バリア層280は、前記第2ビアホール265及び前記ハードマスク250が露出しないように、前記イメージ感知部200全体に対して形成された後、平坦化工程を行って形成されることができる。この時、前記第2バリア層280は、前記第2ビアホール265をギャップフィルしながら形成されるので、前記第4メタルコンタクト275の上部は、前記第2バリア層280で埋められた状態になる。
例えば、前記第2バリア層280は、酸化膜または窒化膜からなっても良い。
図9を参照すると、前記イメージ感知部200の第2ドーピング層220を選択的に露出させるトレンチ290が形成される。そして、前記トレンチ290の下部と前記第4メタルコンタクト275との間には、第2バリアパターン285が形成される。
前記トレンチ290を形成するためには、前記第2バリア層280上に、前記第4メタルコンタクト275に対応するように前記第2バリア層280を露出させるフォトレジストパターン500を形成する。この時、前記フォトレジストパターン500は、前記第1バリアパターン260を含む前記第1ビアホール240の幅D1よりも大きい幅D2を有するように形成されることができる。そして、前記フォトレジストパターン500をエッチングマスクとして、露出した前記第2バリア層280、ハードマスク250及び第2ドーピング層220をエッチングして、前記トレンチ290を形成することができる。この時、エッチング条件を制御して、前記第2ドーピング層220の一部が露出すると、エッチング工程を停止することができる。また、前記フォトレジストパターン500は前記第1ビアホール240の幅より広い幅を有するので、前記トレンチ290のエッジ領域295によって、前記第2ドーピング層220を露出させることができるようになる。
また、前記トレンチ290を形成する時、エッチング工程を制御して、前記第2ドーピング層220の一部が露出するとエッチングを停止して、前記トレンチ290の下部には第2バリアパターン285が形成される。すなわち、前記トレンチ290下部の前記第2ビアホール265の内部には第2バリアパターン285が残っているので、前記第4メタルコンタクト275は前記第2バリアパターン285によって露出しなくなる。
以降、前記フォトレジストパターン500を取り除くと、前記フォトレジストパターン500のよって覆われていた前記第2バリア層280の一部である第3バリアパターン287が露出する。
図10を参照すると、前記トレンチ290内部に第5メタルコンタクト(M5C)300が形成される。前記第5メタルコンタクト300は、前記トレンチ290内部に形成され、前記第2ドーピング層220と電気的に接続されることができる。
前記第5メタルコンタクト300は、前記トレンチ290を含むイメージ感知部200上に金属層を蒸着した後、平坦化工程を行って形成されることができる。例えば、前記平坦化工程はCMP工程であっても良く、研磨終了点は前記第3バリアパターン287であっても良い。また、前記第5メタルコンタクト300は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、チタン/窒化チタン(Ti.TiN)及びタングステン(W)のような金属物質のうち一つで形成されることができる。
前記第5メタルコンタクト300は、前記トレンチ290内部に形成され、前記イメージ感知部200の第2ドーピング層220のみに電気的に接続されて、グラウンドコンタクトの役割をする。
また、前記第5メタルコンタクト300は、前記第4メタルコンタクト275からは前記第2バリアパターン285によって電気的に絶縁されるので、前記第2ドーピング層220のみにグラウンド電圧を印加できるようになる。
上記のように、前記第4メタルコンタクト275と前記第5メタルコンタクト300とは、前記第2バリアパターン285によって電気的に絶縁されている。そして、前記第4メタルコンタクト275は、前記第1バリアパターン260によって、第1ドーピング層210の一部または前記オーミックコンタクト層230と電気的に接続されるので、前記イメージ感知部200で生成された光電荷は、前記第4メタルコンタクト275を介して前記読み出し回路120に伝達されることができる。
また、前記第4メタルコンタクト275の上部に、前記第2バリアパターン285を介在させて前記第5メタルコンタクト300が形成されるので、前記イメージ感知部200の受光領域を確保して、フィルファクタを向上させることができる。すなわち、前記第4メタルコンタクト275と前記第5メタルコンタクト300とが一直線上に形成されるので、イメージ感知部200の受光領域を最大限確保することができるようになる。
図11を参照すると、前記イメージ感知部200が単位画素ごとに分離されるように、前記イメージ感知部200に画素分離部310が形成される。前記画素分離部310は、前記イメージ感知部200全体を貫通するように形成され、前記イメージ感知部200を単位画素ごとに分離することができる。また、前記画素分離部310は、前記第4メタルコンタクト275及び第5メタルコンタクト300と隣り合うように形成されることができる。
前記画素分離部310は、STIまたはイオン注入工程によって形成されることができる。例えば、前記画素分離部310がSTIにより形成される場合、前記イメージ感知部200にトレンチ290を形成した後、絶縁物質をギャップフィルして形成することができる。
図12を参照すると、前記第5メタルコンタクト300上に、第5メタル325が形成される。前記第5メタル325は、金属層を蒸着した後パターニングして、前記第5メタルコンタクト300と電気的に接続されるように形成することができる。前記第5メタル325は、前記第5メタルコンタクト300と画素分離部310上に形成されることができる。
図13に示すように、前記第5メタル325は、第5メタルライン320を形成する際、前記第5メタルライン320の一部が前記第5メタル325と接続されるようにパターニングして形成されることができる。
前記第5メタルライン320は、前記画素分離部310の形成ラインに沿ってメッシ状に形成される。そして、前記第5メタル325は、前記画素分離部310の角領域に該当する前記第5メタルライン320に形成されるので、前記イメージ感知部200は受光領域を最大限確保することができる。
図13に示すように、単位画素Aに該当する前記イメージ感知部200の角領域に、第5メタル325及び第5メタルコンタクト300が形成されている。図示されていないが、前記第5メタルコンタクト300の下部には、第2バリア層280を介在させて第4メタルコンタクト275が形成されている。
上記のように、第4メタルコンタクト275上に第5メタルコンタクト300及び第5メタル325が形成され、前記第4及び第5メタルコンタクト275、300は、前記画素分離部310に隣り合うように形成されるので、単位画素に該当するイメージ感知部200の受光領域が最大限確保されて、イメージセンサのフィルファクタを向上させることができる。これにより、イメージセンサの感度(Sensitivity)及びサチュレーション(Saturation)特性を向上することができる。
図示されていないが、追加的に、前記イメージ感知部200上にカラーフィルタ及びマイクロレンズが形成されることができる。
100 半導体基板
110 素子分離膜
120 読み出し回路
121 トランスファトランジスタ(Tx)
123 リセットトランジスタ(Rx)
125 ドライブトランジスタ(Dx)
127 セレクトトランジスタ(Sx)
130 イオン注入領域
131 フローティングディフュージョン(FD)領域
133、135、137 ソース/ドレイン領域
140 電気接合領域(ジャンクション)
141 第2導電型ウェル(P−)
143 第1導電型イオン注入層(N−)
145 第2導電型イオン注入層(P0)
147 第1導電型接続領域(N+領域)
148 第1導電型接続領域(N+接続領域)
150 配線
151 第1メタル(M1)
151a 第1メタルコンタクト(M1C)
152 第2メタル(M2)
153 第3メタル(M3)
160 層間絶縁層
200 イメージ感知部
210 第1ドーピング層
220 第2ドーピング層
230 オーミックコンタクト層
240 第1ビアホール
250 ハードマスク
260 第1バリアパターン
265 第2ビアホール
270 コンタクトプラグ
275 第4メタルコンタクト(M4C)
280 第2バリア層
285 第2バリアパターン
287 第3バリアパターン
290 トレンチ
295 エッジ領域
300 第5メタルコンタクト(M5C)
310 画素分離部
320 第5メタルライン
325 第5メタル(M5)
500 フォトレジストパターン
110 素子分離膜
120 読み出し回路
121 トランスファトランジスタ(Tx)
123 リセットトランジスタ(Rx)
125 ドライブトランジスタ(Dx)
127 セレクトトランジスタ(Sx)
130 イオン注入領域
131 フローティングディフュージョン(FD)領域
133、135、137 ソース/ドレイン領域
140 電気接合領域(ジャンクション)
141 第2導電型ウェル(P−)
143 第1導電型イオン注入層(N−)
145 第2導電型イオン注入層(P0)
147 第1導電型接続領域(N+領域)
148 第1導電型接続領域(N+接続領域)
150 配線
151 第1メタル(M1)
151a 第1メタルコンタクト(M1C)
152 第2メタル(M2)
153 第3メタル(M3)
160 層間絶縁層
200 イメージ感知部
210 第1ドーピング層
220 第2ドーピング層
230 オーミックコンタクト層
240 第1ビアホール
250 ハードマスク
260 第1バリアパターン
265 第2ビアホール
270 コンタクトプラグ
275 第4メタルコンタクト(M4C)
280 第2バリア層
285 第2バリアパターン
287 第3バリアパターン
290 トレンチ
295 エッジ領域
300 第5メタルコンタクト(M5C)
310 画素分離部
320 第5メタルライン
325 第5メタル(M5)
500 フォトレジストパターン
Claims (15)
- 読み出し回路を含む半導体基板と、
前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、
前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールと、
前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に形成された第4メタルコンタクトと、
前記第4メタルコンタクト上に形成されて、前記第4メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第2ドーピング層とは電気的に接続される第5メタルコンタクトと、を含むことを特徴とするイメージセンサ。 - 前記イメージ感知部が単位画素ごとに分離されるように、前記イメージ感知部を貫通する画素分離部をさらに含み、
前記画素分離部は、前記第4メタルコンタクト及び第5メタルコンタクトと隣接するように形成されたことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記第5メタルコンタクトと接続されるように、前記第5メタルコンタクト上には第5メタルラインが形成されたことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
- 前記第5メタルラインは、前記画素分離部の形成位置に沿ってメッシュ状に形成されたことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサ。
- 前記第1ビアホールの側壁には、前記第1ドーピング層の一部領域は露出させ、前記第1ドーピング層の残りの領域及び第2ドーピング層は覆うように、第1バリアパターンが形成されたことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第4メタルコンタクトと前記第5メタルコンタクトとの間には、第2バリアパターンが形成されたことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
- 前記第5メタルコンタクトは、前記第2ドーピング層の一部領域と前記第2バリアパターンを露出させるトレンチ内部に形成されたことを特徴とする請求項6に記載のイメージセンサ。
- 読み出し回路が形成された半導体基板上に、前記読み出し回路と接続されるように配線及び層間絶縁層を形成するステップと、
前記層間絶縁層上に第1ドーピング層及び第2ドーピング層が積層されたイメージ感知部を形成するステップと、
前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第1ビアホールを形成するステップと、
前記第2ドーピング層は覆い前記第1ドーピング層は部分的に露出させるように、前記第1ビアホールの側壁に第1バリアパターンを形成するステップと、
前記配線と前記第1ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第1ビアホール内部に第4メタルコンタクトを形成するステップと、
前記第1ビアホール内部の前記第4メタルコンタクト上に第2バリアパターンを形成するステップと、
前記第2ドーピング層と電気的に接続されるように、前記第2バリアパターン上に第5メタルコンタクトを形成するステップと、を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記イメージ感知部が単位画素ごとに分離されるように前記イメージ感知部を貫通する画素分離部を形成するステップをさらに含み、
前記画素分離部は、前記第4メタルコンタクト及び第5メタルコンタクトと隣接する領域に形成されることを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第5メタルコンタクト上に第5メタルラインを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項8にまたは9に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第5メタルラインは、前記画素分離部上にメッシュ状に形成されることを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第4メタルコンタクトを形成するステップは、
前記第1バリアパターンが形成された前記第1ビアホール内部にコンタクトプラグを形成するステップと、
前記コンタクトプラグに対するリセス工程を行って、前記第2ドーピング層に対応する第1バリアパターンを露出させるステップと、を含むことを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第2バリアパターンを形成するステップは、
前記第4メタルコンタクトが形成されたイメージ感知部上に、第2バリア層を形成するステップと、
前記第1ビアホールに対応する前記第2バリア層を露出させ、前記第1ビアホールよりも広い幅を有するように、前記第2バリア層上にフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして、前記第2バリア層及び第2ドーピング層を部分的に露出させるトレンチを形成するステップと、を含み、
前記トレンチを形成する時、前記第2バリア層の一部が前記第1ビアホール内部に残るように、エッチング工程を制御することを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第5メタルコンタクトを形成するステップは、
前記トレンチが形成された前記イメージ感知部上に、金属層を蒸着するステップと、
前記金属層に対する平坦化工程を行って、前記トレンチ内部のみに金属層を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記第1バリアパターン及び第2バリアパターンは、絶縁膜で形成されることを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080074169A KR101002158B1 (ko) | 2008-07-29 | 2008-07-29 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010034562A true JP2010034562A (ja) | 2010-02-12 |
Family
ID=41501545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009175189A Pending JP2010034562A (ja) | 2008-07-29 | 2009-07-28 | イメージセンサ及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8222711B2 (ja) |
JP (1) | JP2010034562A (ja) |
KR (1) | KR101002158B1 (ja) |
CN (1) | CN101640207A (ja) |
DE (1) | DE102009034951A1 (ja) |
TW (1) | TW201005933A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9398237B2 (en) * | 2014-04-30 | 2016-07-19 | Sony Corporation | Image sensor with floating diffusion interconnect capacitor |
JP2018107227A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、固体撮像素子 |
FR3074962A1 (fr) * | 2017-12-08 | 2019-06-14 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Dispositif electronique capteur d'images |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5936261A (en) | 1998-11-18 | 1999-08-10 | Hewlett-Packard Company | Elevated image sensor array which includes isolation between the image sensors and a unique interconnection |
US6649993B2 (en) * | 2001-03-16 | 2003-11-18 | Agilent Technologies, Inc. | Simplified upper electrode contact structure for PIN diode active pixel sensor |
KR100542691B1 (ko) * | 2001-07-27 | 2006-01-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 필팩터를 증가시킬 수 있는 씨모스 이미지 센서 및 그구동 방법 |
US7276749B2 (en) * | 2002-02-05 | 2007-10-02 | E-Phocus, Inc. | Image sensor with microcrystalline germanium photodiode layer |
WO2005015637A1 (ja) * | 2003-08-08 | 2005-02-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子デバイスおよびその製造方法 |
JP4511441B2 (ja) | 2005-09-30 | 2010-07-28 | 富士フイルム株式会社 | 感度可変型撮像素子及びこれを搭載した撮像装置 |
US8049256B2 (en) * | 2006-10-05 | 2011-11-01 | Omnivision Technologies, Inc. | Active pixel sensor having a sensor wafer connected to a support circuit wafer |
US7482646B2 (en) * | 2006-10-18 | 2009-01-27 | Hejian Technology (Suzhou) Co., Ltd. | Image sensor |
KR100922931B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2009-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
US7485940B2 (en) | 2007-01-24 | 2009-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Guard ring structure for improving crosstalk of backside illuminated image sensor |
DE102008046030A1 (de) * | 2007-09-07 | 2009-06-10 | Dongbu Hitek Co., Ltd. | Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR100860141B1 (ko) * | 2007-09-10 | 2008-09-24 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100882990B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-02-12 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100882469B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-02-09 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
KR100999740B1 (ko) * | 2008-07-29 | 2010-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
-
2008
- 2008-07-29 KR KR1020080074169A patent/KR101002158B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-07-23 US US12/508,196 patent/US8222711B2/en active Active
- 2009-07-24 TW TW098125123A patent/TW201005933A/zh unknown
- 2009-07-28 DE DE102009034951A patent/DE102009034951A1/de not_active Withdrawn
- 2009-07-28 JP JP2009175189A patent/JP2010034562A/ja active Pending
- 2009-07-29 CN CN200910159006A patent/CN101640207A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101002158B1 (ko) | 2010-12-17 |
KR20100012656A (ko) | 2010-02-08 |
US20100025803A1 (en) | 2010-02-04 |
TW201005933A (en) | 2010-02-01 |
US8222711B2 (en) | 2012-07-17 |
CN101640207A (zh) | 2010-02-03 |
DE102009034951A1 (de) | 2010-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8044478B2 (en) | Image sensor comprising a photodiode in a crystalline semiconductor layer and manufacturing method thereof | |
US7675101B2 (en) | Image sensor and manufacturing method thereof | |
KR100997299B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR101016474B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
US20090065826A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing the Same | |
JP2010157712A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
US8154095B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
KR20100012639A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
US20100164046A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
JP2010034562A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
US8080840B2 (en) | Image sensor and manufacturing method of image sensor | |
US8159005B2 (en) | Image sensor | |
US20100117174A1 (en) | Method of manufacturing image sensor | |
US20100079633A1 (en) | Image sensor and manufacturing method of image sensor | |
US20100079637A1 (en) | Image Sensor and Method For Manufacturing the Same | |
US8237833B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
KR101024774B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
KR101016505B1 (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
JP2010118658A (ja) | イメージセンサの製造方法 | |
KR101163817B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR20100072560A (ko) | 이미지센서 및 그 제조방법 | |
KR20100036734A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR20100080170A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
KR20100040034A (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
JP2010118660A (ja) | イメージセンサの製造方法 |