CN101771061A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents

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CN101771061A CN200910265287A CN200910265287A CN101771061A CN 101771061 A CN101771061 A CN 101771061A CN 200910265287 A CN200910265287 A CN 200910265287A CN 200910265287 A CN200910265287 A CN 200910265287A CN 101771061 A CN101771061 A CN 101771061A
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Abstract

本发明包括一种图像传感器及其制造方法，其中图像传感器包括半导体衬底、互连件和层间介电件、图像传感器件、沟槽、缓冲层、阻挡图案、导通孔以及金属接触件。半导体衬底包括读出电路。互连件和层间介电层形成在半导体衬底上和/或上方，同时互连件被连接到读出电路。图像传感器件可以形成在层间介电件上和/或上方，并且沟槽可以形成在图像传感器件中，沟槽对应于互连件。缓冲层可以形成在沟槽的侧壁上。阻挡图案可以形成在具有导通孔的缓冲层上，导通孔穿过位于阻挡图案下方的图像传感器件和层间介电件，并且暴露互连件。金属接触件可形成在导通孔中。本发明可增加填充因数、正常执行光电荷的信号输出、改善器件的电特性并简化工艺。

Description

图像传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
一般地说，图像传感器是可将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器大体被分成电荷耦合器件(CCD)和互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器可具有下述结构：其中，将光信号转换成电信号的光电二极管区和处理该电信号的晶体管区被水平地设置。在水平型图像传感器中，由于光电二极管区和晶体管区被水平地设置在半导体衬底中，因此，在有限的区域内扩大光学传感部分(被称为“填充因数”)会存在局限性。
发明内容
为了解决现有技术的问题，本发明的实施例提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器能够提供晶体管电路和光电二极管的垂直集成方式。根据实施例，一种图像传感器可以包括：包括读出电路的半导体衬底；位于半导体衬底上和/或上方的互连件和层间介电层，互连件被连接到读出电路；位于层间介电件上和/或上方的图像传感器件；位于图像传感器件中的沟槽，沟槽对应于互连件；位于沟槽的侧壁上和/或上方的缓冲层；位于缓冲层上的阻挡图案，阻挡图案有选择地暴露沟槽的底面；穿过位于阻挡图案下方的图像传感器件和层间介电件并且暴露互连件的导通孔；以及位于导通孔中的金属接触件。
根据实施例，一种图像传感器的制造方法包括如下步骤：在半导体衬底中形成读出电路；在半导体衬底上和/或上方形成互连件和层间介电件，互连件被连接到读出电路；在层间介电件上和/或上方形成图像传感器件；在图像传感器件上和/或上方形成掩模，掩模暴露对应于互连件的图像传感器件；利用掩模作为蚀刻掩模，在图像传感器件中形成沟槽；利用在沟槽的形成中产生的聚合物，在沟槽的侧壁上和/或上方形成缓冲层；在缓冲层上和/或上方形成阻挡图案；利用阻挡图案，形成暴露互连件的导通孔；以及在导通孔中形成金属接触件。
本发明可增加填充因数、正常执行光电荷的信号输出、改善器件的电特性并简化工艺。
附图说明
图1至图11是示出根据实施例的图像传感器的示例性制造过程的剖面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述根据实施例的图像传感器及其制造方法。实施例不局限于CMOS图像传感器。例如，可以将实施例应用到使用光电二极管的所有图像传感器(例如CCD图像传感器)中。
图11是示出根据实施例的图像传感器的剖面图。根据实施例，图像传感器可以包括：包括读出电路120的半导体衬底100；位于半导体衬底100上和/或上方的互连件150和层间介电层160，该互连件150连接到读出电路120；位于层间介电件160上和/或上方的图像传感器件200；位于图像传感器件200中的沟槽250，该沟槽250对应于互连件150；位于沟槽250的侧壁上的缓冲层260；位于缓冲层260上和/或上方的阻挡图案275，该阻挡图案275有选择地暴露沟槽250的底面；穿过位于所述阻挡图案275下方的图像传感器件200和层间介电件160并且暴露互连件150的导通孔285；以及位于导通孔285中的金属接触件300。
图像传感器件200可以包括堆叠在其中的第一掺杂层210、本征层220以及第二掺杂层230。沟槽250的底面可以暴露第一掺杂层210。缓冲层260可以由聚合物组成。例如，缓冲层260可以是这样一种聚合物，该聚合物是在沟槽的蚀刻中产生的副产品。阻挡图案275可以由氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层组成。由于缓冲层260可以形成在沟槽250的侧壁上，图像传感器件200和阻挡图案275之间的界面应力被减到最小，从而改善了器件的电特性。
此外，由于阻挡图案275可以仅形成在沟槽250的侧壁上，因此激活了图像传感器件200的PIN隔离，从而实现光电荷的正常信号输出。
将参照在下文中示出图像传感器的制造方法的附图来描述图11中没有说明的附图标记。在下文中，将参照图1至图11描述根据实施例的图像传感器的制造方法。
参见图1，在包括读出电路120的半导体衬底100上和/或上方形成互连件150和层间介电件160。半导体衬底100可以是单晶硅衬底或者多晶硅衬底，也可以是掺杂有P-型杂质或者N-型杂质的衬底。例如，在半导体衬底100中形成器件隔离层110，以限定有源区。在有源区中形成用于单位像素的包括晶体管的读出电路120。读出电路120可以包括转移晶体管(Tx)121、复位晶体管(Rx)123、驱动晶体管(Dx)125以及选择晶体管(Sx)127。此后，可以形成包括浮置扩散区(FD)131的离子注入区130和每个晶体管的源极/漏极区133、135和137。读出电路120也可以应用于3Tr或者5Tr结构。
在半导体衬底100中形成读出电路120可以包括：在第一衬底100中形成电结区(electrical junction region)140，以及在该电结区140上形成连接到互连件150的多点接触件(poly contact)147。例如，电结区140可以是PN结140，但是并不局限于此。例如，电结区140可以包括形成在第二导电型阱141上或者第二导电型外延层上的第一导电型离子注入层143，以及形成在第一导电型离子注入层143上的第二导电型离子注入层145。例如，如图1所示，PN结140可以是P0(145)/N-(143)/P-(141)结，但是并不局限于此。半导体衬底100可以是第二导电型，但是并不局限于此。
根据实施例，可以设计器件以在转移晶体管(Tx)的源极和漏极之间提供电势差，从而使光电荷能够全部倾卸(full dumping)。因此，由于在光电二极管中产生的光电荷被倾卸到浮置扩散区，所以能够提高输出图像的灵敏度。也就是说，可以在包括读出电路120的第一衬底100中形成电结区140，以在转移晶体管(Tx)121的源极和漏极之间提供电势差，从而使光电荷能够全部倾卸(参见图2)。因此，例如，与简单地将光电二极管连接到N+结等的情况(诸如在现有的图像传感器中)不同，根据实施例的图像传感器可以避免饱和度的减小和灵敏度的下降。
第一导电型连接件147可以形成在光电二极管和读出电路120之间，以生成畅通的(smooth)光电荷转移路径，从而能够将暗电流源减到最小并且抑制饱和度的减小和灵敏度的下降。为此，根据实施例，N+掺杂区可以形成为用于位于P0/N-/P-结140的表面上的欧姆接触的第一导电型连接件147。可以形成N+区147以通过P0 145来接触N-143。
另一方面，可以将第一导电型连接件147的宽度减到最小以抑制第一导电型连接件147变成泄漏源(leakage source)。为此，根据实施例，在蚀刻第一金属接触件151a之后，可以进行插塞植入(implant)，但是并不局限于此。例如，在形成离子注入图案之后，可以利用离子注入图案作为离子注入掩模来形成第一导电型连接件147。
换句话说，实质上仅在所描述的接触形成区局部地进行N+掺杂的一个原因是将暗信号减到最小并且有助于欧姆接触的形成。如果整个Tx源极区都是N+掺杂，则由于硅表面悬挂键(dangling bond)，可能增加暗信号。
图3示出读出电路的另一种结构。如图3所示，第一导电型连接件148可以形成在电结区140的一侧。参见图3，可以在P0/N-/P-结140处形成N+连接区148，以获得欧姆接触。在这种情况下，在N+连接区148和M1C接触件151a的形成过程中，可以产生泄漏源。这是因为在将反向偏置施加到P0/N-/P-结140的同时，由于操作，在Si表面上方可能产生电场(EF)。在接触件形成过程中在电场里面产生的晶体缺陷可能变成泄漏源。
此外，当在P0/N-/P-结140的表面上形成N+连接区148时，由于N+/P0结148/145，可能会额外产生电场。这种电场也可能变成泄漏源。也就是说，根据实施例：第一接触插塞151a的部分形成在没有掺杂P0层但是包括N+连接区148的有源区中，并且该第一接触插塞151a连接到N-结143。因此，在半导体衬底100的表面上方不会产生电场，这有助于将3D集成CIS的暗电流减到最小。
重新参见图1，可以在半导体衬底100上和/或上方形成层间介电件160和互连件150。互连件150可以包括：第二金属接触件151a、第一金属件(M1)151、第二金属件(M2)152以及第三金属件(M3)153，但是实施例并不局限于此。在形成第三金属件153后，可以沉淀绝缘层以覆盖第三金属件153，并且可以平坦化该绝缘层以形成层间介电件160。这样，可以在半导体衬底100上暴露具有均匀的表面轮廓的层间介电件160的表面。
参见图4，可以在层间介电件160上和/或上方形成图像传感器件200。图像传感器件200可以是PIN二极管，该PIN二极管包括第一掺杂层(N-型)210、本征层(I-型)220以及第二掺杂层(P-型)230。例如，通过将N-型杂质进行离子注入到晶体载流子衬底(未示出)的深区，可以形成图像传感器件200的第一掺杂层210。通过将P-型杂质进行离子注入到其浅区，可以形成第二掺杂层230。本征层220可以形成在第一掺杂层210和第二掺杂层230之间。在实施例中，可以形成本征层220以具有比第一和第二掺杂层230更大的区域。在这种情况下，可以扩大耗尽区以增加光电子的产生。
其次，在载流子衬底的第一掺杂层210位于层间介电件160上和/或上方之后，可执行接合工艺，以将载流子衬底接合到半导体衬底100。此后，通过热处理或者机械冲击，将载流子衬底(其上方形成有氢层)去除，以暴露接合到层间介电件160的图像传感器件200的第二掺杂层230的表面。
因此，图像传感器件200可以形成在读出电路120上方，从而增加填充因数并且抑制图像传感器件200的缺陷。此外，图像传感器件200可以接合到具有均匀的表面轮廓的层间介电件160，从而使物理接合强度能够最大化。
其次，可以在图像传感器件200上和/或上方形成硬掩模层240。该硬掩模层240可以保护图像传感器件200的表面。例如，硬掩模层240可以由氧化物或者氮化物组成。参见图5，可以在硬掩模层240上形成光致抗蚀剂图案。该光致抗蚀剂图案10可以有选择地暴露对应于第三金属件153的硬掩模层240。
利用光致抗蚀剂图案10作为蚀刻掩模，对硬掩模245进行蚀刻工艺。该硬掩模245可以暴露对应于第三金属件153的图像传感器件200。尽管形成了硬掩模245，但是由于硬掩模245和光致抗蚀剂图案10的蚀刻率，光致抗蚀剂图案10仍然可以残留。其次，利用光致抗蚀剂图案10和硬掩模245作为蚀刻掩模，可进行蚀刻工艺以形成沟槽250。例如，通过利用HBr和Cl2作为蚀刻气体的蚀刻工艺，可形成沟槽250。该沟槽250的底面可以有选择地暴露图像传感器件200中的第一掺杂层210。
也就是说，通过沟槽250的底面可以有选择地暴露对应于第三金属件153的掺杂层210。由于沟槽250被延伸到第一掺杂层210的一定深度，所以沟槽250的侧壁可以暴露第二掺杂层230和本征层220的全部以及第一掺杂层210的一部分。
此外，当在图像传感器件200上进行蚀刻工艺以形成沟槽250时，可以在沟槽250的侧壁上形成缓冲层260。该缓冲层260可以由聚合物组成，该聚合物是在形成沟槽250时产生的副产品。例如，聚合物可以具有诸如C-C、C-H以及Cl-C之类的接合结构。可以形成缓冲层260以便利用在蚀刻工艺中产生的聚合物将该缓冲层260仅连接到沟槽250的侧壁，其中，光致抗蚀剂图案10和硬掩模245用作蚀刻掩模。特别地，在形成沟槽250的过程中可以施加偏置电压以便仅将聚合物附在沟槽250的侧壁，从而形成缓冲层260。由于缓冲层260仅有选择地形成在沟槽250的侧壁上，或者实质上如此，因此在用于隔离第一掺杂层210、本征层220以及第二掺杂层230的蚀刻工艺中，等离子损伤可以被最小化。此外，缓冲层260可以将图像传感器件200和在随后的工艺中形成的阻挡层270之间的结应力减到最小。
参见图6，沿着硬掩模245和包括沟槽250和缓冲层260的图像传感器件200的表面形成阻挡层270。例如，阻挡层270可以由氧化物-氮化物-氧化物(O-N-O)组成。阻挡层270可以沿着沟槽250的底面以及位于沟槽250的侧壁上的缓冲层以很薄的厚度形成。由于缓冲层260形成在沟槽250的侧壁上，所以阻挡层和图像传感器件200之间的界面应力可以被最小化，因此改善了电特性。
参见图7，可以在缓冲层260上和/或上方形成阻挡图案275。通过在阻挡层270上执行毯覆式蚀刻工艺，该阻挡图案275可以有选择地仅形成在对应于沟槽250的侧壁的缓冲层260上。因此，缓冲层260和阻挡图案275可以形成在沟槽250的侧壁上，并且第一掺杂层210可以有选择地暴露在沟槽250的底面上。
参见图8，第一导通孔280可以形成为穿过图像传感器件200的第一掺杂层210。该第一导通孔280可以有选择地暴露层间绝缘层160的表面。例如，通过利用硬掩模245和阻挡图案275作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，可以形成第一导通孔280。该第一导通孔280可以有选择地去除被利用阻挡图案275作为蚀刻掩模的蚀刻工艺暴露的第一掺杂层210。
参见图9，可以向下延伸第一导通孔以形成第二导通孔285，该第二导通孔285暴露第三金属件153。通过穿过层间介电件160，该第二导通孔285可以有选择地暴露第三金属件153的表面。例如，通过利用硬掩模245和阻挡图案275作为蚀刻掩模的蚀刻工艺，可以形成第二导通孔285。因此，本征层220和第二掺杂层230可以被阻挡图案275覆盖，并且第一掺杂层210和第三金属件153可以通过第一导通孔280和第二导通孔285被暴露。
参见图10至图11，金属接触件300可以形成在沟槽250以及第一和第二导通孔280、285中。第一掺杂层210可通过金属接触件300和第三互连件150电连接到读出电路120。在于图像传感器件200上和/或上方形成金属层290以间隙填充(gap-fill)沟槽250以及第一和第二导通孔280、285之后，可通过平坦化工艺形成金属接触件300。例如，金属接触件300可以由诸如W、Al、Ti、Ta/Ti、TiN、Ti/TiN以及Cu等金属材料中的一种金属材料组成。
可以在第一和第二导通孔280、285中形成金属接触件300，以电连接至第三金属件153和第一掺杂层210的第一掺杂层210。此外，通过缓冲层260和阻挡图案275，可以将金属接触件300与图像传感器件200的本征层220和第二掺杂层230电隔离。由于用于将图像传感器件200中产生的光电荷传递到读出电路120的金属接触件300仅被物理并电连接到第一掺杂层210，因此图像传感器能够输出正常的信号。也就是说，由于金属接触件300通过阻挡图案275与本征层220和第二掺杂层230物理隔离，并且该金属接触件300仅电连接到第一掺杂层210，因此，可以抑制光电二极管短路。
通过像素隔离层，可以将图像传感器件200分成多个单位像素。此外，可以在图像传感器件上方上形成电极、滤色镜以及微透镜。
根据实施例，图像传感器件形成在其中形成有读出电路的半导体衬底上，因此，能够增加填充因数。通过形成沟槽和穿过图像传感器件的导通孔以及在导通孔中形成金属接触件，以将图像传感器件的电子传递到读出电路，从而可以正常执行光电荷的信号输出。由于阻挡图案可以形成在沟槽的侧壁上，使得金属接触件仅电连接到图像传感器件的第一掺杂层，因此该图像传感器件可以作为光电二极管被操作。
此外，在用于图像传感器件的PIN隔离的沟槽的形成过程中，可以在沟槽的侧壁上形成缓冲层，从而将阻挡图案和图像传感器件之间的界面应力减到最小，因此提高了诸如泄漏和阻抗等电特性。由于可以通过利用阻挡图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺暴露连接至读出电路的互连件，因此，不需要分离的掩模，从而简化了工艺。
对于本领域技术人员而言明显的和显而易见的是，可以对公开的实施例进行各种改进和变化。因此，公开的实施例旨在涵盖明显的和显而易见的改进和变化，只要它们落入所附权利要求及其等效范围内。

Claims (10)

1.一种图像传感器，包括：
包括读出电路的半导体衬底；
位于所述半导体衬底上的互连件和层间介电层，所述互连件被连接到所述读出电路；
位于所述层间介电件上的图像传感器件；
位于所述图像传感器件中的沟槽，所述沟槽对应于所述互连件；
位于所述沟槽的侧壁上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的阻挡图案，所述阻挡图案有选择地暴露所述沟槽的底面；
穿过位于所述阻挡图案下方的所述图像传感器件和所述层间介电件并且暴露所述互连件的导通孔；以及
位于所述导通孔中的金属接触件。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述图像传感器件包括堆叠在其中的第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层，并且所述沟槽的底面暴露所述第一掺杂层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述缓冲层是由聚合物组成的。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述阻挡图案是由氧化物-氮化物-氧化物层，即ONO层，组成的。
5.一种图像传感器的制造方法，包括以下步骤：
在半导体衬底中形成读出电路；
在所述半导体衬底上形成互连件和层间介电件，所述互连件被连接到所述读出电路；
在所述层间介电件上形成图像传感器件；
在所述图像传感器件上形成掩模，所述掩模暴露对应于所述互连件的所述图像传感器件；
利用所述掩模作为蚀刻掩模，在所述图像传感器件中形成沟槽；
利用在所述沟槽的形成中产生的聚合物，在所述沟槽的侧壁上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成阻挡图案；
利用所述阻挡图案形成暴露所述互连件的导通孔；以及
在所述导通孔中形成金属接触件。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述沟槽和所述缓冲层的形成包括以下步骤：
在所述图像传感器件上形成硬掩模层；
在所述硬掩模层上形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案暴露对应于所述互连件的所述硬掩模层；
利用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，形成有选择地暴露所述图像传感器件的硬掩模；
利用所述光致抗蚀剂图案和所述硬掩模作为蚀刻掩模，蚀刻所述图像传感器件，以及
通过将聚合物附着在所述沟槽的侧壁，形成所述缓冲层，所述聚合物是在所述沟槽的形成中产生的副产品。
7.根据权利要求5所述的方法，其中偏置电压在蚀刻工艺中被施加，以形成所述缓冲层。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述阻挡图案的形成包括以下步骤：
沿着其上形成有所述缓冲层的所述沟槽的表面，在所述图像传感器件上形成阻挡层；以及
在所述阻挡层上进行毯覆式蚀刻工艺，以暴露所述图像传感器件的上表面和所述沟槽的底面。
9.根据权利要求5所述的方法，其中所述阻挡图案由ONO层组成。
10.根据权利要求5所述的方法，其中所述图像传感器件包括堆叠在其中的第一掺杂层、本征层以及第二掺杂层，并且所述沟槽的底面暴露所述第一掺杂层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339813A (zh) * 2010-07-14 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 半导体结构及其制造方法
CN103066095A (zh) * 2013-01-14 2013-04-24 陆伟 一种影像传感器及其制造方法
CN103123924A (zh) * 2013-01-28 2013-05-29 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器的制造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101053761B1 (ko) * 2008-11-11 2011-08-02 주식회사 동부하이텍 이미지 센서의 제조 방법
US8728947B2 (en) * 2012-06-08 2014-05-20 Tel Epion Inc. Gas cluster ion beam process for opening conformal layer in a high aspect ratio contact via
CN106179450B (zh) * 2016-07-21 2018-11-09 昆明理工大学 一种磁性有机催化材料的制备方法及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737833A (en) * 1985-02-22 1988-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state color image pickup device with accumulated-layer structure
CN1658395A (zh) * 2004-02-18 2005-08-24 台湾积体电路制造股份有限公司 具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器及其制造方法
CN1767201A (zh) * 2004-09-16 2006-05-03 三星电子株式会社 图像传感器及形成其的方法
US20080083939A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Guidash Robert M Active pixel sensor having two wafers

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005015637A1 (ja) * 2003-08-08 2005-02-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子デバイスおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4737833A (en) * 1985-02-22 1988-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state color image pickup device with accumulated-layer structure
CN1658395A (zh) * 2004-02-18 2005-08-24 台湾积体电路制造股份有限公司 具有垂直结合薄膜光二极管的影像传感器及其制造方法
CN1767201A (zh) * 2004-09-16 2006-05-03 三星电子株式会社 图像传感器及形成其的方法
US20080083939A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-10 Guidash Robert M Active pixel sensor having two wafers

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102339813A (zh) * 2010-07-14 2012-02-01 中国科学院微电子研究所 半导体结构及其制造方法
CN103066095A (zh) * 2013-01-14 2013-04-24 陆伟 一种影像传感器及其制造方法
CN103066095B (zh) * 2013-01-14 2016-01-20 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种影像传感器及其制造方法
CN103123924A (zh) * 2013-01-28 2013-05-29 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器的制造方法
CN103123924B (zh) * 2013-01-28 2015-07-08 豪威科技(上海)有限公司 背照式cmos影像传感器的制造方法

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