CN101625952B - 等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法及具备该腔室内部件的等离子体处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法、腔室内部件和基板载置台、以及具备它的等离子体处理装置。其将等离子体处理中使用的各种部件的温度从等离子体处理开始的阶段控制为最佳温度。其为对被处理基板实行等离子体处理的等离子体处理装置内使用的腔室内部件的温度控制方法，在上述腔室内部件设置多个供电部，通过上述供电部供给电力并加热，并且测定上述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由上述电阻值或者电阻率推测的上述腔室内部件的温度控制上述电力。

Description

等离子体处理装置的腔室内部件的温度控制方法及具备该腔室内部件的等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及用于被处理基板的蚀刻处理等的等离子体处理装置的腔室内使用的部件的温度控制方法，特别是涉及用于对聚焦环、其护环(cover ring)等的温度进行最适当的控制的温度控制方法等，上述聚焦环、其护环等被配置在腔室内用于从等离子体处理的开始阶段实施稳定的等离子体处理。

背景技术

在等离子体处理装置中，一般是在配置于被处理基板的上方的平行平板电极设置多个气体喷出孔，将从该气体喷出孔向被处理基板整体喷出的蚀刻气体等离子体化，对被处理基板整个面同时进行蚀刻。

图10是表示等离子体处理装置的概要的图。在真空的腔室1的内部上下地设置有兼用作气体喷出口的上部电极22和兼用作基板载置台的下部电极2。进而，构成为以将在下部电极2上载置的被处理基板即半导体晶片(以下称为晶片)15的周围包围的方式设置有例如由硅构成的聚焦环5的结构。

晶片15由静电卡盘16静电吸附，在该静电卡盘16的内部，设置有施加有来自未图示的电源的卡盘电压的金属片状的内部电极17。并且，从兼用作气体喷出口的上部电极22向晶片15喷出根据处理的种类选择的规定的处理气体。由未图示的真空泵进行真空排气将腔室1内维持在规定的压力，由高频电源12对上部电极22和下部电极2之间施加高频电压时，处理气体被等离子体化，对于被处理基板即晶片15实行规定的处理，例如蚀刻。

在蚀刻处理中，在晶片上垂直地加工沟、孔等形状，为了该垂直加工，通常通过对晶片施加较低频率的高频产生偏置电压。利用该偏置电压在晶片面产生垂直的电场，通过被该电场加速的离子的作用能够进行垂直加工。但是，由于在晶片的端部产生电场的畸变，产生了偏置电压不能正常产生，加工发生倾斜的问题。

其结果是，产生了从晶片15的周边部获取的器件的成品率低下的问题。上述因蚀刻的不均匀性导致的成品率的低下，随着晶片口径越大就越为显著。

为了对应上述问题，在兼用作载置台的下部电极2上的晶片15的周边配置环状部件即聚焦环5，通过聚焦环5增大外观上的晶片直径。由此，晶片15的周边部成为聚焦环5的周边部，能够将聚焦环5的周边部作为晶片15的周边部处理，希望实现晶片面内的蚀刻速率的均匀化。

但是，由于聚焦环5在等离子体处理中受到离子冲击，被加热而温度上升。另一方面，将多份试样连续实行等离子体处理的情况下，在对最初的试样的等离子体处理时温度开始上升，经过某个处理次数后，温度上升稳定在固定的温度，成为稳定状态。即，聚焦环5的温度从处理开始伴随温度变动后稳定，但其温度变动对晶片15周围的自由基密度造成影响，从而产生晶片15的周边部的蚀刻的不均匀性。

如上所述在实行等离子体处理的基础上，将腔室内使用的部件，例如聚焦环的温度根据处理工艺控制在最适合的温度，对于实现腔室内包括自由基的等离子体的状态的最佳化非常重要。

因此，在下述专利文献1中对于载置在载置台的基板利用等离子体实行处理时，将聚焦环的温度调整为比晶片的温度高50℃以上，实现等离子体状态的最佳化。但是，如专利文献1所述，将加热器埋入等离子体处理中使用的所有部件中并不容易。此外，聚焦环由于等离子体造成的物理冲击和化学反应而被消耗，使成本提高。

此外，在下述的专利文献2中，为了使等离子体处理的状态稳定化，构成为能够调整在聚焦环即保护板与载置台之间填充的气体压力，实行保护板的温度控制。此外，对保护板被覆发热体(加热器)，能够使保护板的离子冲击造成的温度上升保持为一定。但是，如专利文献2所述，在对保护板被覆发热体时，由于等离子体的冲击导致温度上升直至稳定需要一定的时间。

并且，在下述专利文献3中，在聚焦环即硅环设置供电部，通过从供电部供给电流设置自发热的功能，控制硅环的温度。但是，如专利文献3所述，为了通过自发热将硅环整体均匀地加热，需要在硅环形成加热图案，而且，加热图案的形成并不容易。进而，在专利文献3记载的技术中，存在无法检测出自发热的硅环的温度，无法实行与等离子体处理工艺相应的最佳的温度控制的问题。

专利文献1：日本特开2005-353812号公报

专利文献2：日本特开平7-3101807号公报

专利文献3：日本特开2001-274142号公报

发明内容

因此，本发明基于上述问题而完成，其课题为，提供能够将用于等离子体处理的各种部件的温度从等离子体处理的开始阶段控制在最佳的温度的方法。此外，提供对于被处理基板能够实现面内均匀性较高并且稳定的等离子体处理的等离子体处理装置。

为了解决上述课题，本发明第一方面，涉及一种腔室内部件的温度控制方法，该腔室内部件在对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置内使用，其特征在于：在所述腔室内部件设置多个供电部，通过所述供电部供给电力并进行加热，并且测定所述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由所述电阻值或者电阻率推测的所述腔室内部件的温度控制所述电力。

本发明第二方面，是在本发明第一方面的腔室内部件的温度控制方法中，其特征在于：上述腔室内部件为在被处理基板周边配置的一个或者多个环状部件。

本发明第三方面，是在本发明第一方面的腔室内部件的温度控制方法中，其特征在于：上述腔室内部件为在腔室内与等离子体接触、位于被处理基板附近的部件。

本发明第四方面，是在本发明第二方面的腔室内部件的温度控制方法中，其特征在于：上述环状部件为在两端部设置有供电部的C型形状或者分割为两部分的形状。

本发明第五方面，是在本发明第一～第四方面任一方面的腔室内部件的温度控制方法中，其特征在于：从所述多个供电部选择一组电极供电，接着选择另一组电极供电，通过对此加以重复，按照使电流在所述腔室内部件中均匀地流通的方式进行控制，对面内均匀地加热。

本发明第六方面，涉及一种等离子体处理装置的腔室内部件，该腔室内部件被用在等离子体处理装置的腔室内，该等离子体处理装置在腔室内使用高频电力将处理气体等离子体化，利用该等离子体对载置在载置台上的被处理基板进行处理，其特征在于：具备多个供电部，所述供电部的端子由按压机构或者埋入机构被按压或者嵌合在所述腔室内部件。

本发明第七方面，是在本发明第六方面的等离子体处理装置的腔室内部件中，其特征在于：其为配置在被处理基板周边的一个或者多个环状部件。

本发明第八方面，是在本发明第六方面的等离子体处理装置的腔室内部件中，其特征在于：其为在腔室内与等离子体接触、位于被处理基板附近的部件。

本发明第九方面，是在本发明第七方面的等离子体处理装置的腔室内部件中，其特征在于：上述环状部件为在两端部设置有供电部的C型形状或者分割为两部分的形状。

本发明第十方面，涉及设置在对于被处理基板实行等离子体处理的腔室内、载置上述被处理基板的基板载置台，其特征在于：上述基板载置台具备本发明第七或第九方面所述的环状部件。

本发明第十一方面，涉及一种等离子体处理装置，其在腔室内使用高频电力将处理气体等离子体化，利用该等离子体对载置在载置台上的被处理基板进行处理，其特征在于，包括：设置有等离子体处理中使用的多个供电部的腔室内部件；对所述供电部供给电力的电源部；测定所述腔室内部件的电阻值和/或电阻率的电阻测定部；和基于由所述电阻值或者电阻率推测的所述腔室内部件的温度控制所述电力的电流控制部。

本发明第十二方面，是在本发明第十一方面的等离子体处理装置中，其特征在于：上述腔室内部件为配置在被处理基板周边的一个或者多个环状部件。

本发明第十三方面，是在本发明第十一方面的等离子体处理装置中，其特征在于：上述腔室内部件为在腔室内与等离子体接触、位于被处理基板附近的部件。

本发明第十四方面，是在本发明第十二方面的等离子体处理装置中，其特征在于：所述环状部件为在两端部设置有供电部的C型形状或者分割为两部分的形状。

本发明第十五方面，是在本发明第十一～十四方面任一方面所述的等离子体处理装置中，其特征在于：具备控制机构，其从上述多个供电部选择一组电极供电，接着，选择另一组电极供电，通过对此加以重复，使电流在上述腔室内部件中均匀地流通。

根据本发明，能够适当并且简便地实行等离子体处理中使用的部件的温度控制。由此，能够实现等离子体状态的最佳化。此外，能够提供对于被处理基板能够实施面内均匀性较高的等离子体处理的等离子体处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施例的等离子体处理装置的整体的概要结构的图。

图2是表示电流在聚焦环、上部电极流通的电路的概要结构的图。

图3是表示本发明中聚焦环的形状的实施例的图。

图4是表示将护环分割为两部分的分割型的护环的图。

图5是表示在上部电极设置多个供电部(电极)的一个实施例的图。

图6是表示聚焦环的供电部(电极)的结构的一个实施例的图。

图7是表示聚焦环的供电部(电极)的结构的另一个实施例的图。

图8是表示使用直流电源对聚焦环加热时的装置结构的图。

图9是用纵轴表示电阻率，横轴表示温度时的图表。

图10是表示等离子体处理装置的概要的图。

符号说明

1    腔室

2    下部电极(基座；载置台)

3    筒状保持部

4    筒状支撑部

5    聚焦环

6    排气通路

7    挡板

8    排气管

9    排气装置

10   晶片的搬入搬出口

11   闸阀

12   高频电源

13   匹配器

14   供电棒

15   晶片(基板)

16   静电卡盘

17   内部电极

18   热介质流路

20   配管

21   导热气体供给管

22   上部电极

23   气体导入管

24   气体喷出孔

25   电源装置

26   电阻测定装置

27，28a，28b，28c，28d  开关

30   上部热传导膜

31   下部热传导膜

32   电极棒

34   护环

36   空洞

37   腔室侧壁的保护部件

40，41，42，43  电极

具体实施方式

以下，对于将基于本发明的等离子体处理装置用于等离子体蚀刻装置的一个实施例，参照附图详细说明。但是，本发明不限于此。

图1表示本发明的实施中使用的等离子体处理装置的整体的概要结构。在图1中，腔室1例如由铝、不锈钢等材质构成，形成为能够使内部气密地密闭的圆筒形。该腔室1接地。

在腔室1的内部，作为被处理基板设置有例如载置有晶片15的载置台(以下称为基座)2。图1所示的基座2通过与晶片15接触进行热交换，作为调节晶片15的温度的热交换板使用。基座2由铝等富有导电性和热传导性的材质构成，兼用作下部电极。

基座2由陶瓷等绝缘性的筒状保持部3支撑。筒状保持部3由腔室1的筒状支撑部4支撑。在筒状支撑部3的上表面，配置有将基座2的上表面环状地包围的聚焦环5。

在腔室1的侧壁和筒状支撑部4之间，形成有环状的排气通路6。在该排气通路6的入口或者途中安装有环状的挡板7。排气通路6的底部经由排气管8与排气装置9连接。排气装置9具有真空泵，将腔室1内的空间降压至规定的真空度。在腔室1的侧壁，安装有开关晶片15的搬入搬出口10的闸阀11。

在基座2，等离子体生成用的高频电源12经由匹配器13和供电棒14被电连接。高频电源12例如将13.56MHz左右的较低频率的电力供给至基座2所兼用作的下部电极。另外，除此之外，还存在对下部电极施加双频或者三频的情况、对下部电极和上部电极分别施加高频的情况、在对下部电极施加高频的同时对上部电极施加高频和直流的情况、仅对上部电极施加直流的情况、和使对下部电极和上部电极施加的高频的频率相同的情况或者其他情况等。

在腔室1的顶部，与作为下部电极的基座2相对地设置有上部电极22。上部电极22，其内部形成为中空结构的圆板状，在其下表面一侧，设置有多个气体喷出孔24，构成喷淋头。并且，从处理气体供给部供给的蚀刻气体通过该气体导入管23导入上部电极22内的中空部分，从该中空部分，经由气体喷出孔24，在腔室1中均匀地被分散供给。

在基座2的上表面，为了将晶片15用静电吸附力保持，设置有由陶瓷等电介体构成的静电卡盘16。在静电卡盘16的内部，埋入有由导电体例如铜、钨等的导电膜构成的内部电极17。

在内部电极17，经由开关电连接有高电压例如2500V、3000V等的直流电源(未图示)，对内部电极17施加直流电压时，由于库仑力或者约翰逊-拉贝克(Johnsen-Rahbek)力将晶片15吸附保持在静电卡盘16。

在基座2的内部，设置有热介质(流体)流路18。在该热介质流路18，从温度调节单元(未图示)经由配管20，循环供给规定温度的热介质，例如热水或者冷水。

在静电卡盘16与晶片15的背面之间，经由气体供给管21供给来自导热气体供给部(未图示)的导热气体例如He气体，该导热气体促进静电卡盘16即基座2和晶片15之间的热传导。

在此，适用本发明的图1所示的等离子体处理装置在聚焦环5和上部电极22设置有供电部，经由开关27、28a与电源装置25连接。电源装置25通过向聚焦环5、上部电极22供给电流，对各部件进行加热。电源装置25在本实施方式中作为直流电源装置，但也可以为交流电源装置，还可以使用高频。此外，优选电源装置25能够将供给电力控制为一定。

在图1所示的等离子体处理装置的结构中，聚焦环5和上部电极22与电源装置25连接。但是，也可以构成为在此基础上，在包围聚焦环5的周围的护环34也设置供电部，经由开关与电源装置25连接。由此，能够进一步高精度地控制晶片15的周边部的等离子体状态。

作为等离子体处理中使用的聚焦环5等部件的材料，例如能够列举硅(Si)，碳化硅(SiC)等半导体，或者铝、铜、金属氧化物等导体。由半导体、导体构成的部件，由直流、交流电源进行加热较为适当，此外，也可以使用高频(RF)和微波加热。

在电源装置25连接有电阻测定装置26。详细内容在后文叙述，例如，从电源装置25向以硅作为材料的聚焦环5流通电流进行加热时，其电阻值或电阻率发生变化。通过预先掌握加热对象部件的温度和电阻值或者电阻率的关系，能够由测定的电阻值或者电阻率推测加热对象部件的温度。通过基于作为加热对象物的目标的温度与推测的温度的差控制在加热对象部件流通的电流，能够可靠地实行加热对象物的温度控制。

作为加热对象部件，能够列举在腔室1内与等离子体接触、位于被处理基板附近的部件。例如为上部电极22、聚焦环5、腔室侧壁的保护部件37、以及挡板7等。

在图1中，为了对聚焦环5加热，打开开关28a、28b，关闭开关28c、28d，则能够在聚焦环5中流通电流进行加热。另外，关闭开关28a、28b，打开开关28c、28d，则能够在上部电极22中流通电流进行加热。另外，通过关闭所有的开关28a、28b、28c、28d，能够对聚焦环5和上部电极22同时加热。此外，为了对上部电极22施加负电压，关闭开关28a，打开28b即可。

图2是电流在聚焦环5、上部电极22中流通的电路的概要结构图。通过关闭开关27、28a对上部电极22施加负电压，高频和直流被重叠施加，产生等离子体。从上部电极22放出的电子，进入电极间的等离子体，电子从等离子体向被接地的腔室1的壁流动构成直流回路。

当对聚焦环5加热时，打开开关27、28a，关闭开关28c、28d即可。对于电流在聚焦环5中流通的时机，例如，在等离子体处理前进行供电，在等离子体处理过程中不供电。或者，也可以从等离子体处理前开始供电，在等离子体处理过程中也进行供电。进而，还可以从等离子体处理前开始供电，在等离子体处理过程中直至等离子体处理后的晶片搬运中持续供电。

图3是表示本发明中聚焦环的形状的一个实施例的图。由于聚焦环一般为圆板形状，通过在适当的位置设置用于导入电流的供电部，在距离该位置180度的位置设置其它供电部，能够在某种程度上使电流均匀地流动。但是，聚焦环为硅等半导体材料的情况下，例如，左侧部分的温度由于某种理由比右侧的温度上升时，直至某个温度为止，右侧部分的电阻值上升。因此，与右侧部分相比电流更容易在左侧部分流通，其结果，左侧部分的温度进一步上升，晶片面内的温度的均匀性受损。

解决上述问题的方法是从图3(a)至(d)所示的聚焦环的形状。图3(a)至(c)是表示将聚焦环的一部分切断，形成C型形状的聚焦环的形状的图。通过在切断的两端设置供电部(电极)，电流必定在聚焦环整体流通，能够确保加热的温度的均匀性。图3(a)至(c)仅有电极结构不同。图3(a)的切断面为平行。图3(b)的切断面为带有层阶的形状，相互嵌合。图3(c)是将供电部形成为编带状电极的形状。通过构成如图3(b)、(c)的结构，与图3(a)相比能够进一步使电流均匀地流通，能够实现基于聚焦环的加热的面内温度的均匀化。图3(d)将聚焦环分割为两部分，在其两端分别设置电极。此外，分割的数量不限于两部分，还可以为三部分以上。

图4是表示将聚焦环5的护环34分割为两部分的分割型的护环34。从图4所示的电极40输入的电流，在右侧的电极41流通。在此，电极41和电极42电连接，电流从电极42向电极43流通。其结果是，电流在聚焦环34中均匀地流通，能够对面内均匀地加热。图4所示的护环被分割为两部分，也可以使其成为分割为三部分以上的结构。

图5是表示为了对平行平板型等离子体处理装置中使用的上部电极中流入电流进行加热而设置有多个供电部(电极)的图。由于上部电极接近晶片，其温度对蚀刻造成很大的影响。例如，在蚀刻工艺中，蚀刻开始后由于等离子体中的离子冲击使上部电极的温度上升。但是，直至其温度稳定需要一定的时间。其影响还会波及到蚀刻开始后紧接着处理的几枚晶片，使其成为不良品。为此，使用虚拟晶片，使腔室内的环境稳定，但是会成为生产率恶化和生产成本增加的原因。因此，如图5所示在上部电极设置供电部，通过从该处向上部电极的面内流通电流进行加热，能够从蚀刻开始后立刻实现上部电极的温度的稳定化。

图5中的上部电极为一体型，但也可以为以同心圆状分割成多部分的分割型，对于分割后的电极，优选将其连接至高频电源、直流电源、接地中的任一个，或者与高频电源和直流电源两者连接。

在图5中设置有六个电极，如下所述能够通过使电流流通进一步实现上部电极的面内温度的均匀化。具体来说，首先，在电极a、b和电极e、d之间流通电流1，接着在电极b、c和电极f、e之间流通电流2。接着，在电极c、d和电极a、f之间流通电流3，以下同样地流通电流4、电流5、电流6。如上所述通过依次切换一定时间内流通电流的电极，能够实现上部电极的面内温度的均匀化。

图6是表示用于对聚焦环5供给电流的供电部(电极)的结构的一个实施例的图。在图6中，在聚焦环5的下部设有静电卡盘16、以及经由静电卡盘16连接的基座2。另外，设置有用于改善聚焦环5的热传导率的上部热传导片30和下部热传导片31。

图6所示的聚焦环5为在筒状保持部3内设置收纳电极棒32等的空间，电极棒32被压入聚焦环5中的结构。电极棒32在设置在筒状保持部3的空洞内，通过弹簧结构被压入聚焦环5内。根据上述结构，能够大幅度降低电极棒32和聚焦环5的接触电阻。在该结构中，由于不需要对聚焦环5实行特别的加工，能够降低制造成本。

图7是关于聚焦环5的电极结构的另一个实施例。图7(a)所示的电极结构为，使电极棒32能够插入聚焦环5内，另一方面，能够拔出电极棒32的结构。图7(b)为电极即触点在空洞36内扩展的结构，由此，构成为聚焦环5和电极棒32在三点较强地接触，减少接触电阻的结构。此外，根据上述结构，能够拔出电极棒32，能够容易地进行电极的维护。

除了上述说明的电极结构之外，还可以为通过在聚焦环5内设置凹的螺旋结构，使电极棒为凸的螺旋结构从而减少接触电阻，或者通过将二者熔接减少接触电阻的电极结构。

(实验)

图8是表示对以硅为材料的晶片直径300mm用的聚焦环(口径360mm，厚度3.4mm)使用直流电源加热时的装置结构的图。

实验使用的直流电源，最大额定功率为1Kw，最大电流为3A。由于从实验开始至30秒聚焦环的电阻值较高，只能进行1Kw左右的加热，按照总体成为2Kw的方式进行控制对聚焦环加热。

聚焦环的温度通过将其一部分涂黑，利用放射温度计监视样本温度而测定。图9表示了通过上述实验测定的聚焦环的电阻率。

电阻率的测定由来自直流电源的电流值和供给的电力值、聚焦环的口径、厚度、形状等计算。如图9所示，聚焦环的温度超过50℃，至约220℃为止，其电阻率几乎呈直线增加。但是，超过220℃时电阻率急剧下降。

通过事先求得上述加热对象物的电阻值或者电阻率与温度的关联性，能够由加热对象物的电阻值或者电阻率推测加热对象物的温度。此外，如图9所示，加热对象物为半导体的情况下，对于一个电阻值或者电阻率，温度会得出两个数值。因此，对于哪一个温度为测定的温度，例如，使加热功率瞬间上升或者下降，根据此时的电阻率的变化方式，判断两个数值中是升高的值还是降低的值即可。例如，电阻率为12Ω的情况下，瞬间提高加热功率时，判断电阻率降低的情况下为250℃，相反上升的情况下为60℃。不加热仅实行温度监测的情况下，也可以瞬间付与低电压/电流，计算电阻率。

此外，如果长期运用，存在即使是相同温度但电阻率偏移的情况，还存在因消耗使其截面积变化的情况。因此，优选在装置停运时等，封入氮气气体使压力上升，使加热对象物的温度与静电卡盘等一致并根据电流电压计算电阻率。

Claims (8)

1.一种腔室内部件的温度控制方法，该腔室内部件在对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置内使用，其特征在于：

在所述腔室内部件设置多个供电部，通过所述供电部供给电力并进行加热，并且测定所述腔室内部件的电阻值或者电阻率，基于由所述电阻值或者电阻率推测的所述腔室内部件的温度控制所述电力，

所述腔室内部件，是在所述等离子体处理装置的腔室内与等离子体接触，位于所述被处理基板附近的部件。

2.如权利要求1所述的腔室内部件的温度控制方法，其特征在于：

所述腔室内部件为在被处理基板周边配置的一个或者多个环状部件。

3.如权利要求2所述的腔室内部件的温度控制方法，其特征在于：

所述环状部件为在两端部设置有供电部的C型形状或者分割为两部分的形状。

4.如权利要求1～3中任一项所述的腔室内部件的温度控制方法，其特征在于：

从所述多个供电部选择一组电极供电，接着选择另一组电极供电，通过对此加以重复，按照使电流在所述腔室内部件中均匀地流通的方式进行控制，对面内均匀地加热。

5.一种等离子体处理装置，其在腔室内使用高频电力将处理气体等离子体化，利用该等离子体对载置在载置台上的被处理基板进行处理，其特征在于，包括：

设置有等离子体处理中使用的多个供电部的腔室内部件；

对所述供电部供给电力的电源部；

测定所述腔室内部件的电阻值和/或电阻率的电阻测定部；和

基于由所述电阻值或者电阻率推测的所述腔室内部件的温度控制所述电力的电流控制部，

所述腔室内部件，是在所述等离子体处理装置的腔室内与等离子体接触，位于所述被处理基板附近的部件。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述腔室内部件为配置在被处理基板周边的一个或者多个环状部件。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述环状部件为在两端部设置有供电部的C型形状或者分割为两部分的形状。

8.如权利要求5～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具备控制机构，其从所述多个供电部选择一组电极供电，接着，选择另一组电极供电，通过对此加以重复，使电流在所述腔室内部件中均匀地流通。

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