CN101595190B - 用于抛光由二氧化硅制成的表面的组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于抛光表面的组合物，该组合物包含如下组分：a)至少一种包含镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，b)至少一种由聚合物制成的有机分散剂组分(P)，c)至少一种有机胶凝剂(G)如结冷胶，d)作为溶剂或分散介质的水，以及e)任选其它助剂和添加剂，并且具有高稳定性。

Description

用于抛光由二氧化硅制成的表面的组合物
本发明涉及一种用于抛光半导体元件如二氧化硅的表面的稳定组合物，一种抛光方法以及半导体材料的化学机械平坦化。
元件和装置尺寸的不断减小以及微电子电路集成密度的不断增加也导致隔离/绝缘结构尺寸的减小。然而，这种减小导致对于再造形成提供有效隔离/绝缘同时最小比例覆盖基材表面的平坦表面和结构的高要求。
抛光、清洁、研磨和平坦化经常利用包含悬浮形式固体颗粒的含水磨料浆。在许多情况下，这些颗粒具有比周围液体介质高的密度并因此易于沉积。例如，无机磨料的水悬浮液使用非常广泛。
无机磨料水悬浮液中颗粒的密度通常为水的多倍。通常值范围为例如从接近2.2-2.7g/cm3(二氧化硅)至约3.4g/cm3(氮化硅)且至多15g/cm3(碳化钨)。除了磨料颗粒的密度，其尺寸和形状对抛光操作的成功也有影响。
为了有效后处理用这种浆料处理的材料，浆料组合物必须具有高的且优选材料特定的去除率并且基本上避免了划痕；在另一方面，它们应可以快速且充分地从材料表面去除，这就是为什么低粘度是所用浆料的基本要求之一。
例如，用于计算机芯片生产中的重要加工步骤化学机械平坦化(CMP)的磨料浆的粘度通常不超过5mPas。
因为所用悬浮液中的分离可导致粘度变化，所以需要稳定这些组合物并控制浆料颗粒的分离和/或沉积而不明显提高粘度。但这正是使用高密度磨料的困难之处。现有技术中描述了各种聚合物添加剂。
US 6,971,945公开了一种用于抛光半导体表面的制剂，其中使用了包含磨料、氧化剂、无机盐和络合剂(例如邻苯二甲酸)的酸性悬浮液。
DE-A 10 2005 058 272提出了一种用于表面多步化学机械平坦化的方法，其中将金属氧化物磨料在水中的各种分散体(与助剂一起)连续施用至二氧化硅表面上。
EP-A 0 373 501公开了水溶性聚合物在抛光混合物中的用途，这些聚合物例如具有100000或更大的分子量且包含聚乙烯吡咯烷酮或例如瓜尔胶与乙烯基单体的接枝共聚物。胶态硅酸盐作为EP-A 0 373 501中所述抛光混合物中的磨料使用；即具有较低密度的磨料。
本发明的目的是提供耐用且经济稳定的抛光表面用含水组合物。
惊奇的是，我们发现该目的通过在含水组合物中掺入少量特定胶凝剂或增稠剂实现。
各种胶凝剂由食品技术已知在某些情况下对溶液粘度具有显著影响。这种凝胶剂的实例包括琼脂-琼脂、果胶、多糖、藻酸盐、淀粉、糊精、明胶和酪蛋白。
通常认为本发明要用的特定胶凝剂(G)在浓度低于引起粘度急剧增加的那些浓度时形成弱网络。这些网络能够使颗粒保持悬浮在静止液体中，但另一方面被移动液体中的剪切力作用破坏并因此不会明显削弱流动性。
在第一方面，本发明提供了一种例如在半导体元件情况下用于抛光表面的组合物。使表面平坦化可利用一种包含至少一种胶凝剂(G)以及磨料组分(S)的含水组合物(Z)。
本发明还提供了一种抛光半导体元件表面(O)的方法，其中首先将含水组合物(Z)施用至待抛光的表面(O)上，这种组合物(Z)尤其包含如下组分：
a)至少一种包含镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，
b)至少一种基于聚合物的有机分散剂组分(P)，
c)至少一种基于多糖的有机胶凝剂(G)，
d)作为溶解或分散介质的水，以及
e)合适的话其它助剂和添加剂材料，
其中在抛光操作过程中形成的磨蚀产物在达到所需平坦化(P)后通过简单冲洗操作(V)与组合物(Z)的组分一起从抛光后的表面(O)除去。
待抛光的表面(O)可由不同材料形成，尤其是半导体元件的常用材料。
它优选例如由能以高效和高准确度除去的二氧化硅形成。
本发明的一个实施方案利用一种包含无机镧系元素氧化物，尤其是氧化铈，优选二氧化铈作为无机磨料组分(S)的组合物(Z)。有用的镧系元素原则上包括镧及后续元素(58-70)，合适氧化物组合的密度优选为3.5-9g/cm3，尤其为5.0-8.0g/cm3。
本发明的一个实施方案利用一种包含氧化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)的组合物(Z)。
本发明的另一实施方案利用一种包含羧酸聚合物作为有机分散剂组分(P)的组合物(Z)。有机聚合物组分(P)可包含例如包含单体丙烯酸、甲基丙烯酸和/或马来酸的共聚物。
本发明的一个优选实施方案利用一种包含结冷胶作为有机胶凝剂的组合物(Z)。组合物(Z)中的有机胶凝剂可包含例如0.001-1.0重量％，优选0.01-1.0重量％，尤其是0.05-0.5重量％的结冷胶。胶凝剂结冷胶证明对稳定组合物(Z)特别有利。
本发明还提供了一种抛光表面的方法，其中组合物(Z)包含结冷胶作为有机胶凝剂和氧化铈作为无机磨料组分(S)。这种组合会为组合物提供特别好的耐久性。
本发明还提供了一种包含其它助剂和添加剂材料的组合物(Z)，所述其它助剂和添加剂材料例如为聚乙烯吡咯烷酮、阳离子化合物、邻苯二甲酸和/或两性离子化合物。
本发明的一个实施方案提供了一种包含如下组分的含水组合物(Z)：
0.02-6重量％的磨料二氧化铈，
0.01-5重量％的至少一种羧酸聚合物，
0.01-1重量％的至少一种胶凝剂(G)，尤其是结冷胶。
组合物(Z)也可任选包含例如如下组分作为助剂和添加剂材料：
0-10重量％聚乙烯吡咯烷酮，
0-5重量％阳离子化合物，
0-1重量％邻苯二甲酸或其盐，
0-5重量％两性离子化合物，
以及作为溶解或分散介质的水(共计100％)。
本发明进一步提供了一种包含如下组分的用于抛光表面的组合物：
a)至少一种包含镧系元素氧化物，优选氧化铈的无机磨料组分(S)，
b)至少一种有机分散剂组分(P)，优选丙烯酸共聚物，
c)至少一种有机胶凝剂(G)，优选结冷胶，
d)作为溶解或分散介质的水，以及
e)合适的话其它助剂或添加剂材料。
关于用于抛光表面的组合物的组分，参考上面的描述。
优选包含镧系元素氧化物作为无机磨料组分(S)和结冷胶作为有机胶凝剂(G)的组合物。
本发明还非常普遍地涉及结冷胶在稳定抛光表面用含水组合物中的用途。
用于抛光的本发明组合物优选包含0.2-6重量％磨料组分(S)以便可以容易地除去二氧化硅。磨料的用量通常为0.5-5重量％。
磨料的平均粒度优选为50-200纳米(nm)，尤其为80-150nm。对本说明书而言，粒度指磨料的平均粒度。优选的磨料为平均粒度为80-150nm的二氧化铈。当磨料尺寸降至小于80nm时，抛光组合物的平坦化作用易提高，但磨蚀产物的去除率易降低。颗粒的形状优选基本上为圆形，尤其是若有边缘的话则为很少的边缘。同样，针对所用颗粒的结晶度和表面电荷发现适用性的不同。
已知磨料的实例包括无机氧化物、无机氢氧化物、金属氮化物、金属硼化物、金属碳化物和包含至少一种上述材料的混合物。合适的无机氧化物例如包括二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化锆(ZrO2)和氧化锰(MnO2)。然而，根据本发明，氧化铈(CeO2)和/或另一种镧系元素氧化物作为磨料使用。二氧化铈具有高密度(约为7)和优选的磨蚀性能。
本发明还提供了包含氧化铈与其他至少一种上述氧化物的组合的组合物。合适的话，同样可以使用这些无机氧化物的改性形式如例如聚合物涂层无机氧化物颗粒和无机涂层颗粒。合适的金属碳化物、硼化物和氮化物包含例如碳化硅、氮化硅、碳氮化硅(SiCN)、碳化硼、碳化钨、碳化锆、硼化铝、碳化钽、碳化钛或包含上述金属碳化物、硼化物和氮化物中至少一种的组合。合适的话，金刚石也可作为附加磨料使用。优选的磨料为氧化铈作为唯一组分。同样优选使用氧化铈与其它镧系元素氧化物的组合。
各种聚合物和共聚物可作为有机分散组分(P)使用。本发明的组合物(Z)优选包含0.01-5重量％羧酸聚合物作为磨料颗粒的分散剂。
优选该组合物包含0.05-1.5重量％羧酸聚合物。该聚合物优选数均分子量为4000-1500000。
也可使用具有更高和更低分子量的羧酸聚合物的共混物。这些羧酸聚合物通常以溶液存在，但也可以水分散体存在。羧酸聚合物可有利地用作磨料颗粒的分散剂。上述聚合物的数均分子量例如可通过GPC测定。羧酸聚合物优选由不饱和单羧酸和不饱和二羧酸形成。通常不饱和单羧酸单体包含3-6个碳原子且包括丙烯酸，低聚丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸和乙烯基乙酸。通常不饱和二羧酸包含4-8个碳原子且包括其酸酐，实例包括马来酸、马来酸酐、富马酸、戊二酸、衣康酸、衣康酸酐和环己烯二甲酸。也可使用上述酸的水溶性盐。
特别合适的是平均分子量为约1000-1500000，优选3000-250000，更优选20000-200000的“聚(甲基)丙烯酸”。术语“聚(甲基)丙烯酸”这里定义为丙烯酸的聚合物、甲基丙烯酸的聚合物或丙烯酸与甲基丙烯酸的共聚物。这些也可包含马来酸作为单体组分。具有不同分子量的“聚(甲基)丙烯酸”的各种共混物也合适。
有用的有机聚合物组分(P)还包括含羧基的共聚物和三元共聚物，各聚合物中羧基组分例如占聚合物重量的5-75％。
这种聚合物的代表性实例为由(甲基)丙烯酸和丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺形成的聚合物；由(甲基)丙烯酸与苯乙烯及其它乙烯基芳族单体形成的聚合物；由(甲基)丙烯酸烷基酯(丙烯酸或甲基丙烯酸的酯)与单-或二羧酸(如丙烯酸或甲基丙烯酸或衣康酸)形成的聚合物；由具有取代基(如例如卤素(即氯、氟、溴)、硝基、氰基、烷氧基、卤代烷基、羧基、氨基、氨基烷基)的取代的乙烯基芳族单体与不饱和单-或二羧酸及(甲基)丙烯酸烷基酯形成的聚合物；由包含氮环的单烯属不饱和单体(实例为乙烯基吡啶、烷基乙烯基吡啶、乙烯基丁内酰胺、乙烯基己内酰胺)与不饱和单-或二羧酸形成的聚合物；由烯烃(例如丙烯、异丁烯或具有10-20个碳原子的长链烷基烯烃)与不饱和单-或二羧酸形成的聚合物；由乙烯醇酯(例如乙酸乙烯酯和硬脂酸乙烯酯)或卤乙烯(例如氟乙烯、氯乙烯、偏氟乙烯)或乙烯基腈(例如丙烯腈和甲基丙烯腈)与不饱和单-或二羧酸形成的聚合物；由烷基中具有1-24个碳原子的(甲基)丙烯酸烷基酯与不饱和单羧酸(例如丙烯酸或甲基丙烯酸)形成的聚合物。这些只是本发明组合物中可用的多种聚合物中的少许实例。
各种市售胶凝剂原则上可用于本发明的抛光组合物中，实例为琼脂-琼脂、果胶、多糖、藻酸盐、淀粉、糊精、明胶和酪蛋白，但多糖及尤其是产物结冷胶证明特别有利。
结冷胶为一种无味、易溶的乳白色粉末，它是一种多功能胶凝剂。结冷胶为水溶性多糖，通过微生物伊乐假单孢菌(Sphingomonas elodea)的需氧发酵生产。结冷胶用途包括作为食品中的增稠剂和稳定剂。
任选聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量优选为100-1000000g/mol。聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量通过凝胶渗透色谱(GPC)测定尤其为500-800000g/mol。优选聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为500-500000g/mol。更优选聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量为约1500g/mol至约100000g/mol。
本发明组合物(Z)中使用的化合物赋予包含水作为与扩展宽pH范围的效力平衡的溶液。这些溶液的合适pH范围为4-9。此外，组合物(Z)通过优选使用去离子水制备以便可以限制外来杂质。
pH优选为4.5-8，更优选为5.5-7.5。用于调节本发明组合物pH的酸例如包括硝酸、硫酸、盐酸和磷酸。用于调节本发明组合物(Z)pH的碱的实例例如包括氢氧化铵和氢氧化钾。
组合物(Z)任选进一步包含0-5重量％两性离子化合物以促进平坦化和抑制氮化物去除。组合物优选包含0.01-1.5重量％的两性离子化合物。本发明的两性离子化合物可有利地促进平坦化和抑制氮化物去除。
本发明组合物(Z)可任选进一步包含0-5重量％的阳离子化合物作为辅助组分。组合物优选包含任选0.01-1.5重量％的阳离子化合物。本发明的阳离子化合物可有利地促进平坦化，调节晶片去除时间和用于抑制氧化物去除。优选的阳离子化合物包括烷基胺、芳基胺、季铵化合物和醇胺。
阳离子化合物的实例包括甲胺、乙胺、二甲胺、二乙胺、三甲胺、三乙胺、苯胺、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、乙醇胺和丙醇胺。
任选本发明组合物(Z)可进一步包含0-1重量％络合剂。
优选组合物包含0.01-0.5重量％络合剂。络合剂的实例包括羰基化合物(例如乙酰丙酮化物等)，简单羧酸酯(例如乙酸酯、芳基羧酸酯等)，包含一个或多个羟基的羧酸酯(例如甘醇酸酯、乳酸酯、葡糖酸酯、没食子酸及其盐等)，二-、三-和多羧酸酯(例如草酸酯、邻苯二甲酸酯、柠檬酸酯、琥珀酸酯、酒石酸酯、苹果酸酯)，乙二胺四乙酸盐(例如EDTA二钠)，它们的混合物，包含一个或多个磺酸和/或膦酸基团的羧酸酯。
其它合适的络合剂例如包括二-、三-或多元醇(例如乙二醇、邻苯二酚、连苯三酚、鞣酸等)和含磷化合物(例如磷鎓盐和膦酸)。络合剂优选邻苯二甲酸和/或其盐。优选的邻苯二甲酸盐包括邻苯二甲酸氢铵和邻苯二甲酸氢钾及其混合物。
本发明进一步提供了一种生产用于抛光表面的组合物的方法，其中将下述组分在10-95℃的温度下相互混合：
a)至少一种包含镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，
b)至少一种基于聚合物的有机分散剂组分(P)，
c)至少一种基于多糖的有机胶凝剂(G)，
d)作为溶解或分散介质的水，以及
e)合适的话其它助剂和添加剂材料。
这可借助例如超声探头实施。混合操作通常花费1分钟至几小时(例如5h)。优选组分S和P首先在水中混合并随后加入胶凝剂G以及其它组分。
本发明还涉及一种抛光半导体元件或构件的方法。组合物(Z)在第一步中可用作磨料浆。该浆料在氧化膜上部区域中的抛光比在氧化膜下部区域中明显更快。更特别的是抛光操作可针对材料选择性地进行，所以氮化硅的去除能明显少于氧化硅。
当氧化物的梯段高度降低且已经实现平坦化时优选降低组合物的抛光速度。本发明的优选实施方案可利用终点信号来引发第一步结束。
可以使用各种方法，包括基于摩擦力或电机电流的终点信号。达到平坦化的点可基于终点信号的特性特征确定。
在第一步结束时，半导体元件表面的特征在于整个晶片上覆盖着基本上平坦的氧化物层。然后在第二步中，冲洗掉磨料制剂。也可通过简单测试确定第二步的终点。
组合物(Z)任选进一步包含用于改进凹陷性能的聚乙烯吡咯烷酮。
更特别的是本发明提供了一种可用于抛光在半导体晶片上的二氧化硅的含水组合物。
组合物尤其包含0.01-0.1重量％的结冷胶，0.01-5重量％的羧酸聚合物，0.02-6重量％的磨料，0-10重量％的聚乙烯吡咯烷酮，0-5重量％的阳离子化合物，0-1重量％的邻苯二甲酸及其盐，0-5重量％的两性离子化合物和平衡用水。
达到平坦化的点可基于终点信号的特性特征确定。通过将终点信号与第一步的“抑制”浆料偶合，可以维持改进的平坦化性能，同时与真正平面终止(stop-at-plane)模式的操作比较得到更高的抛光速度和明显更短的加工时间。
实施例1
使用Lumifuge 116测量本发明制剂的分散稳定性
Lumifuge(制造商：Lum GmbH，12489柏林)是一种在离心过程中横跨整个样品高度检测分离过程的分析离心机。在任何一次，例如可研究8个样品。
Lumifuge的测量原理依靠一种可以描述初始浓度悬浮液和乳液的分离行为的微处理器控制分析离心机。在12-2000倍重力下的分离引起内相中颗粒或组分迁移的增加。颗粒浓度的局部变化通过透光率的变化检测。
透射率与局部位置关系的绘图允许对相应透射率图作陈述。具有良好混合分散体的区域散射并吸收光，因此透过率低。相反，混合物的澄清允许更多的光到达测量(CCD)池并因此增大了透射率。计算粒度分布的合适算法可以评价任何可发生的沉积、浮选或澄清。
以10秒至24小时的限定间隔分析样品。初步结果为图的对应结果。然后通过软件积分这些单独的结果以描述分离过程的速率。为量化分离，横跨整个样品高度测量通过样品池的透光率。为此，用波长800-900nm的平行闪光照射样品池。
分散材料衍射或吸收光，然而光能无障碍地通过澄清相。光电子传感器，CCD单元，位于从光源至样品池的连续通道中并且捕获光强度作为样品池高度的函数。
以10秒的间隔重复透光率的这种局部解析测量。因此直接在离心过程中观察分离过程。分离曲线为相界与时间关系的图示。分离曲线的斜率反应澄清度的变化。电子数据处理程序由其计算澄清度(透射率％每秒)。
实施例2
改进本发明制剂(浆料)的稳定性
将各种待售CMP浆料各自与0.2重量％结冷胶(来自：Sigma-AldrichChemie GmbH，Taufkirchen，德国)混合并测量样品稳定性。
在室温下加入结冷胶。将样品加热到85-95℃并在封闭体系中搅拌3-5小时。随后在搅拌下冷却至室温。
图1-6显示对三个CMP浆料各自未添加结冷胶(图1、图3、图5)及添加结冷胶(图1、图4、图6)的Lumifuge稳定性测试结果。
图1和2利用产品“DP-7080HP”(R5；来自：NYacol Nano TechnologiesInc；Ashland，USA)，图3和4利用产品“DP-7090S”(R6；来自：NyacolNano Technologies Inc.)。
图5和6利用产品“Sokolan CP5”(R9；来自：BASF)。
使用Lumifuge 116测定CMP浆料稳定性表明通过加入甚至少量结冷胶的磨料浆明显稳定。
所测稳定性的改进在图7和8中说明，其显示浆料添加和未添加结冷胶三天后的透光率。
图7显示R5样品通过加入胶凝剂改进了75.7％的稳定性。R6样品显示改进了44％的稳定性。
实施例3
改进本发明组合物(来自粉末的CMP浆料)的稳定性
将CeO2粉末配制成如下稳定浆料：
在搅拌下向完全不含离子的水中加入0.1重量％丙烯酸与马来酸(来自BASF的“Sokalan CP5”分散剂)的共聚物和5重量％二氧化铈粉末(来自Degussa，“VP AdNano Ceria 50”)。
在室温下用超声探头分散30分钟后，使用磁力搅拌器向样品中搅拌加入0.2重量％结冷胶粉末(来自：Sigma-Aldrich Chemie GmbH，Taufkirchen，德国)。样品在封闭容器中在室温下搅拌1小时并随后在90℃下搅拌4小时，然后室温储存。
由Lumifuge 116中的透光率(速度1500rpm；积分时间1000秒)确定沉积稳定性并与无结冷胶的标准样品的稳定性比较。结果在图8中显示。
与结冷胶混合的样品的累积透射率下降了46％表明由于特定胶凝剂而明显改进了它的沉积稳定性。
实施例4
可将包含94.7％水、0.1％共聚物、5％二氧化铈、0.2％结冷胶的实施例3组合物施用至半导体元件的二氧化硅表面上并用于抛光表面。

Claims (20)

1.一种包含如下组分的用于抛光表面的组合物：
a)至少一种包含密度为3.5-9g/cm3的镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，
b)至少一种作为基于聚合物的有机分散剂组分(P)的羧酸聚合物，
c)至少一种基于结冷胶的有机胶凝剂(G)，
d)作为溶解或分散介质的水，
e)合适的话其它助剂和添加剂材料。
2.根据权利要求1的用于抛光表面的组合物，其包含氧化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。
3.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含密度为5.0-8.0g/cm3的镧系元素氧化物作为无机磨料组分(S)。
4.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含氧化铈或氧化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。
5.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含含有单体丙烯酸、甲基丙烯酸和马来酸的共聚物作为有机分散组分(P)。
6.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含0.001-1.0重量％的结冷胶作为有机胶凝剂。
7.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含结冷胶作为有机胶凝剂和二氧化铈作为无机磨料组分(S)。
8.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含聚乙烯吡咯烷酮、阳离子化合物、邻苯二甲酸和/或两性离子化合物作为其它助剂和添加剂材料。
9.根据权利要求1或2的用于抛光表面的组合物，其包含如下组分：
0.02-6重量％至少一种磨料(S)，
0.01-5重量％至少一种羧酸聚合物，
0.01-1重量％至少一种胶凝剂(G)，
以及合适的话，作为助剂和添加剂材料的
0-10重量％的聚乙烯吡咯烷酮，
0-5重量％的阳离子化合物，
0-1重量％的邻苯二甲酸或其盐，
0-5重量％的两性离子化合物，
以及加至100％的作为溶解或分散介质的水。
10.一种用于抛光半导体元件表面(O)的方法，其中首先将含水组合物(Z)施用至待抛光的表面(O)上，所述组合物(Z)包含如下组分：
a)至少一种包含密度为3.5-9g/cm3的镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，
b)至少一种作为基于聚合物的有机分散剂组分(P)的羧酸聚合物，
c)至少一种基于结冷胶的有机胶凝剂(G)，
d)作为溶解或分散介质的水，
e)合适的话其它助剂和添加剂材料。
其中在抛光操作过程中形成的磨蚀产物可在达到所需平坦化(P)后通过简单冲洗操作(V)与组合物(Z)的组分一起从抛光后的表面(O)除去。
11.根据权利要求10的用于抛光表面的方法，其中所述表面(O)由氧化硅或氮化硅形成并且将密度为3.5-9g/cm3的镧系元素氧化物用作无机磨料组分(S)。
12.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含氧化铈作为无机磨料组分(S)。
13.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含氧化铈与氧化锆和/或氧化锰的组合作为无机磨料组分(S)。
14.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含含有单体丙烯酸、甲基丙烯酸和/或马来酸的共聚物作为有机分散组分(P)。
15.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含0.001-1.0重量％的结冷胶作为有机胶凝剂。
16.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含0.01-1.0重量％的结冷胶作为有机胶凝剂。
17.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含结冷胶作为有机胶凝剂和氧化铈作为无机磨料组分(S)。
18.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其中所述组合物(Z)包含聚乙烯吡咯烷酮、阳离子化合物、邻苯二甲酸和/或两性离子化合物作为其它助剂和添加剂材料。
19.根据权利要求10或11的用于抛光表面的方法，其利用包含如下组分的含水组合物(Z)：
0.02-6重量％至少一种磨料(S)，
0.01-5重量％至少一种羧酸聚合物，
0.01-1重量％至少一种胶凝剂(G)
以及合适的话，作为助剂和添加剂材料的
0-10重量％的聚乙烯吡咯烷酮，
0-5重量％的阳离子化合物，
0-1重量％的邻苯二甲酸或其盐，
0-5重量％的两性离子化合物
以及加至100％的作为溶解或分散介质的水。
20.一种生产用于抛光表面的组合物的方法，其中将如下组分在10-95℃的温度下相互混合：
a)至少一种包含密度为3.5-9g/cm3的镧系元素氧化物的无机磨料组分(S)，
b)至少一种作为基于聚合物的有机分散剂组分(P)的羧酸聚合物，
c)至少一种基于结冷胶的有机胶凝剂(G)，
d)作为溶解或分散介质的水，
e)合适的话其它助剂和添加剂材料。
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