JP2010515250A - 二酸化ケイ素からなる表面を研磨するための組成物 - Google Patents
二酸化ケイ素からなる表面を研磨するための組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010515250A JP2010515250A JP2009543475A JP2009543475A JP2010515250A JP 2010515250 A JP2010515250 A JP 2010515250A JP 2009543475 A JP2009543475 A JP 2009543475A JP 2009543475 A JP2009543475 A JP 2009543475A JP 2010515250 A JP2010515250 A JP 2010515250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- polishing
- oxide
- component
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Abstract
Description
US6,696,045からは歯磨き剤が公知である。
a)ランタニドの酸化物を含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)ポリマーベースの少なくとも1の有機分散剤成分(P)、
c)多糖類ベースの少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、
d)溶媒もしくは分散媒としての水、
e)場合により他の助剤および添加剤。
研磨剤の二酸化セリウム0.02〜6質量%、
少なくとも1のカルボン酸ポリマー0.01〜5質量%、
少なくとも1のゲル化剤(G)、特にジェランガム0.01〜1質量%。
ポリビニルピロリドン0〜10質量%、
カチオン性化合物0〜5質量%、
フタル酸またはその塩0〜1質量%、
両性イオン化合物0〜5質量%
ならびに溶媒もしくは分散剤としての水(加えて100%)。
a)ランタニドの酸化物、有利には酸化セリウムを含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)少なくとも1の有機分散剤成分(P)、有利にはアクリル酸コポリマー、
c)少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、有利にはジェランガム、
d)溶媒もしくは分散媒としての水ならびに
e)場合により他の助剤および添加剤。
a)ランタニドの酸化物を含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)ポリマーベースの少なくとも1の有機分散剤成分(P)、
c)多糖類ベースの少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、
d)溶媒もしくは分散媒としての水、ならびに
e)場合により他の助剤および添加剤
を、相互に10〜95℃の温度で混合する。これはたとえば超音波棒により行うことができる。混合工程は通常、1分〜数時間(たとえば5時間)である。有利にはまず成分SおよびPを水中で混合し、かつ次いでゲル化剤Gならびに別の成分を添加する。
Lumifuge 116を用いた本発明による組成物の分散液安定性の測定
Lumifuge(製造元:Lum GmbH、12489 Berlin)は、分析用の遠心分離装置であり、全試料高さにわたって遠心分離の間の分離プロセスを検出する。たとえば8つの試料を同時に試験することができる。
本発明による組成物(スラリー)における安定性の改善
種々の市販の研磨用組成物(CMPスラリー)に、そのつど0.2質量%のジェランガム(製造元:Sigma−Aldrich Chemie GmbH、Taufkirchen、ドイツ国)を添加し、かつ試料の安定性を測定した。
本発明による組成物(粉末からなるCMPスラリー)の安定化の改善
CeO2粉末からの安定したスラリーの調製は以下のとおりに行った:
脱塩水に、アクリル酸およびマレイン酸からなるコポリマー(分散助剤「Sokalan CP5、製造元はBASF)0.1質量%および二酸化セリウム粉末(製造元はDegussa、「VP AdNano Ceria 50」)5質量%を撹拌下で添加した。
例3において記載した、水94.7%、コポリマー0.1%、二酸化セリウム5%、ジェランガム0.2%からなる組成物を、半導体部材の二酸化ケイ素表面上に施与し、かつ表面の研磨のために使用した。
Claims (23)
- 以下の成分
a)ランタニドの酸化物を含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)ポリマーベースの少なくとも1の有機分散剤成分(P)、
c)多糖類ベースの少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、
d)溶媒もしくは分散媒としての水、
e)場合により他の助剤および添加剤
を含有する、表面を研磨するための組成物。 - 無機研磨剤成分(S)として、3.5〜9g/cm3の比重を有するランタニドの酸化物を含有し、かつ有機ゲル化剤(G)としてジェランガムを含有することを特徴とする、請求項1記載の表面を研磨するための組成物。
- 無機研磨剤成分(S)として、5.0〜8.0g/cm3の比重を有するランタニドの酸化物を含有し、かつ有機ゲル化剤(G)として、ジェランガムを含有することを特徴とする、請求項1または2記載の表面を研磨するための組成物。
- 無機研磨剤成分(S)として、酸化セリウムまたは酸化セリウムと酸化ジルコニウムおよび/または酸化マンガンとの組合せを含有することを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 前記組成物(Z)が、有機分散剤成分(P)として、カルボン酸ポリマーを含有することを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 前記組成物(Z)が、有機分散剤成分(P)として、アクリル酸モノマー、メタクリル酸モノマーおよび/またはマレイン酸モノマーを含むコポリマーを含有することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 前記組成物(Z)が、有機ゲル化剤として、ジェランガムを0.001〜1.0質量%含有することを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 前記組成物(Z)が、有機ゲル化剤としてジェランガムを含有し、かつ無機研磨剤成分(S)として二酸化セリウムを含有することを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 前記組成物(Z)が、他の助剤および添加剤として、ポリビニルピロリドン、カチオン性化合物、フタル酸および/または両性イオン化合物を含有することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。
- 以下の成分
少なくとも研磨剤(S)0.02〜6質量%、
少なくともカルボン酸ポリマー0.01〜5質量%、
少なくともゲル化剤(G)0.01〜1質量%、
ならびに場合により助剤および添加剤として
ポリビニルピロリドン0〜10質量%、
カチオン性化合物0〜5質量%、
フタル酸またはその塩0〜1質量%、
両性イオン化合物0〜5質量%、
ならびに溶媒もしくは分散媒としての水(加えて100%)
を含有することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項記載の表面を研磨するための組成物。 - 半導体部材の表面(O)を研磨するために、まず水性組成物(Z)を研磨すべき表面(O)上に施与する表面研磨法であって、該組成物(Z)が以下の成分
a)ランタニドの酸化物を含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)ポリマーベースの少なくとも1の有機分散剤成分(P)、
c)多糖類ベースの少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、
d)溶媒もしくは分散媒としての水、
e)場合により他の助剤および添加剤
を含有し、その際、研磨工程の際に形成される研磨産物を、所望の平坦化(P)が達成された後で、組成物(Z)の成分と一緒に簡単なすすぎ工程(V)によって研磨された表面(O)から除去することができる、半導体部材(O)の表面研磨法。 - 表面(O)が、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなり、かつ無機研磨剤成分(S)として、3.5〜9g/cm3の比重を有するランタニドの酸化物を使用することを特徴とする、請求項11記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、無機研磨剤成分(S)として、酸化セリウムを含有することを特徴とする、請求項11または12記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、無機研磨剤成分(S)として、酸化セリウムと酸化ジルコニウムおよび/または酸化マンガンとの組合せを含有することを特徴とする、請求項11から13までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、有機分散剤成分(P)として、カルボン酸ポリマーを含有することを特徴とする、請求項11から14までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、有機分散剤成分(P)として、アクリル酸モノマー、メタクリル酸モノマーおよび/またはマレイン酸モノマーを含むコポリマーを含有することを特徴とする、請求項11から15までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、有機ゲル化剤として、ジェランガムを含有することを特徴とする、請求項11から16までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、有機ゲル化剤として、ジェランガムを0.001〜1.0質量%含有することを特徴とする、請求項11から17までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、有機ゲル化剤として、ジェランガムを含有し、かつ無機研磨剤成分(S)として、酸化セリウムを含有することを特徴とする、請求項11から18までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 組成物(Z)が、他の助剤および添加剤として、ポリビニルピロリドン、カチオン性化合物、フタル酸および/または両性イオン化合物を含有することを特徴とする、請求項11から19までのいずれか1項記載の表面研磨法。
- 以下の成分
少なくとも研磨剤(S)0.02〜6質量%、
少なくともカルボン酸ポリマー0.01〜5質量%、
少なくともゲル化剤(G)0.01〜1質量%、
ならびに場合により助剤および添加剤として
ポリビニルピロリドン0〜10質量%、
カチオン性化合物0〜5質量%、
フタル酸またはその塩0〜1質量%、
両性イオン化合物0〜5質量%、
ならびに溶媒もしくは分散媒としての水(加えて100%)
を含有する水性組成物(Z)を使用することを特徴とする、請求項11から20までのいずれか1項記載の表面研磨法。 - 表面を研磨するための水性組成物を安定化するためのジェランガムの使用。
- 以下の成分
a)ランタニドの酸化物を含有する少なくとも1の無機研磨剤成分(S)、
b)ポリマーベースの少なくとも1の有機分散剤成分(P)、
c)多糖類ベースの少なくとも1の有機ゲル化剤(G)、
d)溶媒もしくは分散媒としての水、ならびに
e)場合により他の助剤および添加剤
を、10〜95℃の温度で相互に混合する、表面を研磨するための組成物を製造する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006061891A DE102006061891A1 (de) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
DE102006061891.2 | 2006-12-28 | ||
PCT/EP2007/064596 WO2008080958A2 (de) | 2006-12-28 | 2007-12-28 | Zusammensetzung zum polieren von oberflächen aus siliziumdioxid |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010515250A true JP2010515250A (ja) | 2010-05-06 |
JP5623083B2 JP5623083B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=39301139
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009543475A Expired - Fee Related JP5623083B2 (ja) | 2006-12-28 | 2007-12-28 | 二酸化ケイ素からなる表面を研磨するための組成物 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8633111B2 (ja) |
EP (1) | EP2106426B1 (ja) |
JP (1) | JP5623083B2 (ja) |
KR (1) | KR101435237B1 (ja) |
CN (1) | CN101595190B (ja) |
AT (1) | ATE555175T1 (ja) |
DE (1) | DE102006061891A1 (ja) |
IL (1) | IL199549A (ja) |
MY (1) | MY150389A (ja) |
TW (1) | TWI452098B (ja) |
WO (1) | WO2008080958A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102101976A (zh) * | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
JP5516184B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラス基板の製造方法 |
MY170196A (en) * | 2010-09-08 | 2019-07-09 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices |
JP6001532B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2016-10-05 | 株式会社クラレ | 化学機械研磨用エロージョン防止剤、化学機械研磨用スラリーおよび化学機械研磨方法 |
JP6051632B2 (ja) * | 2011-07-20 | 2016-12-27 | 日立化成株式会社 | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
TWI573864B (zh) * | 2012-03-14 | 2017-03-11 | 卡博特微電子公司 | 具有高移除率及低缺陷率之對氧化物及氮化物有選擇性之cmp組成物 |
US8916061B2 (en) * | 2012-03-14 | 2014-12-23 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions selective for oxide and nitride with high removal rate and low defectivity |
CN103131027B (zh) * | 2013-03-01 | 2014-08-13 | 天茁(上海)生物科技有限公司 | 一种速溶型结冷胶及其制备方法 |
CN106189873A (zh) * | 2016-07-22 | 2016-12-07 | 清华大学 | 一种抛光组合物 |
KR20220087495A (ko) * | 2019-10-22 | 2022-06-24 | 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 | 실리콘 산화물 및 탄소 도핑된 실리콘 산화물 cmp를 위한 조성물 및 방법 |
JP2022552895A (ja) * | 2019-10-22 | 2022-12-20 | シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド | 誘電体cmpのための組成物及び方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01266179A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | San Ei Chem Ind Ltd | 増粘・ゲル化法 |
JPH10287865A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 研磨液組成物 |
JP2000336344A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-12-05 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨剤 |
JP2002353175A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Ekc Technology Kk | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法 |
JP2005206420A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Chugoku Kayaku Kk | 産業用爆薬 |
JP2005236275A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
JP2006041252A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 |
JP2006217836A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sanei Gen Ffi Inc | 増粘組成物用添加剤 |
JP2006520530A (ja) * | 2003-02-03 | 2006-09-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ケイ素含有誘電体の研磨方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2714411B2 (ja) | 1988-12-12 | 1998-02-16 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
KR20050006299A (ko) * | 1998-12-25 | 2005-01-15 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
US6428392B1 (en) * | 1999-03-23 | 2002-08-06 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Abrasive |
KR20020027571A (ko) | 1999-08-24 | 2002-04-13 | 갤반 마틴 | 절연체와 금속의 cmp용 조성물 및 이에 관련된 방법 |
US6533850B1 (en) * | 2000-02-24 | 2003-03-18 | Conard E. Kaiser | Stable gelled surface polish |
JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
JP4800576B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2011-10-26 | ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー | ポリリン酸塩及びイオン性活性成分を含む安定な低水相を含む歯磨剤組成物 |
US6749653B2 (en) * | 2002-02-21 | 2004-06-15 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive particles containing sintered, polycrystalline zirconia |
US6616514B1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-09-09 | Ferro Corporation | High selectivity CMP slurry |
WO2004037943A1 (en) * | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Showa Denko K.K. | Polishing slurry and polished substrate |
JP2006503726A (ja) | 2002-10-28 | 2006-02-02 | グリュンス アンド イェンセン アクティーゼルスカブ | 印刷フォーム用支持体におけるインクジェット用インク組成物、その製造方法及びリソグラフ印刷フォームの製造方法 |
JP4219722B2 (ja) | 2003-03-31 | 2009-02-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US7300478B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-11-27 | Ferro Corporation | Slurry composition and method of use |
US6971945B2 (en) | 2004-02-23 | 2005-12-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step polishing solution for chemical mechanical planarization |
DE102004011087A1 (de) * | 2004-03-06 | 2005-09-22 | Henkel Kgaa | Partikel umfassend diskrete, feinpartikuläre Tensidpartikel |
US20070218811A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp polishing slurry and method of polishing substrate |
US7291280B2 (en) | 2004-12-28 | 2007-11-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
US7842193B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-11-30 | Fujifilm Corporation | Polishing liquid |
US20070210278A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Lane Sarah J | Compositions for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
-
2006
- 2006-12-28 DE DE102006061891A patent/DE102006061891A1/de not_active Withdrawn
-
2007
- 2007-12-28 EP EP07858192A patent/EP2106426B1/de not_active Not-in-force
- 2007-12-28 US US12/521,653 patent/US8633111B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-28 MY MYPI20092730 patent/MY150389A/en unknown
- 2007-12-28 AT AT07858192T patent/ATE555175T1/de active
- 2007-12-28 WO PCT/EP2007/064596 patent/WO2008080958A2/de active Application Filing
- 2007-12-28 JP JP2009543475A patent/JP5623083B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-28 CN CN2007800505894A patent/CN101595190B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-12-28 KR KR1020097015629A patent/KR101435237B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-28 TW TW096150933A patent/TWI452098B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-06-25 IL IL199549A patent/IL199549A/en active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01266179A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-24 | San Ei Chem Ind Ltd | 増粘・ゲル化法 |
JPH10287865A (ja) * | 1997-04-15 | 1998-10-27 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 研磨液組成物 |
JP2000336344A (ja) * | 1999-03-23 | 2000-12-05 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨剤 |
JP2002353175A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Ekc Technology Kk | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法 |
JP2006520530A (ja) * | 2003-02-03 | 2006-09-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ケイ素含有誘電体の研磨方法 |
JP2005206420A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Chugoku Kayaku Kk | 産業用爆薬 |
JP2005236275A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-09-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
JP2006041252A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 |
JP2006217836A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Sanei Gen Ffi Inc | 増粘組成物用添加剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101435237B1 (ko) | 2014-08-28 |
EP2106426B1 (de) | 2012-04-25 |
DE102006061891A1 (de) | 2008-07-03 |
ATE555175T1 (de) | 2012-05-15 |
CN101595190B (zh) | 2013-02-13 |
US20110045671A1 (en) | 2011-02-24 |
EP2106426A2 (de) | 2009-10-07 |
JP5623083B2 (ja) | 2014-11-12 |
TWI452098B (zh) | 2014-09-11 |
MY150389A (en) | 2014-01-15 |
KR20090122190A (ko) | 2009-11-26 |
WO2008080958A3 (de) | 2008-11-20 |
WO2008080958A2 (de) | 2008-07-10 |
US8633111B2 (en) | 2014-01-21 |
IL199549A (en) | 2013-04-30 |
TW200900476A (en) | 2009-01-01 |
CN101595190A (zh) | 2009-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5623083B2 (ja) | 二酸化ケイ素からなる表面を研磨するための組成物 | |
JP6196155B2 (ja) | 水性研磨剤組成物、並びに電気、機械及び光学デバイス用の基板材料を研磨する方法 | |
JP5016220B2 (ja) | 窒化ケイ素上の二酸化ケイ素をケミカルメカニカル研磨するための多工程法 | |
TW201936882A (zh) | 可得到經改善之表面形狀的鎢緩衝拋光組合物 | |
JP5327050B2 (ja) | 金属用研磨液及び研磨方法 | |
EP1620518A2 (en) | Coated metal oxide particles for cmp | |
JP2007088424A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法 | |
US9725621B2 (en) | Chemical mechanical planarization slurry composition comprising composite particles, process for removing material using said composition, CMP polishing pad and process for preparing said composition | |
JP6114312B2 (ja) | タンパク質を含有する化学機械研磨(cmp)組成物 | |
WO2015095154A1 (en) | Metal oxide-polymer composite particles for chemical mechanical planarization | |
JP2017508833A (ja) | ポリ(アミノ酸)を含む化学機械研磨(cmp)組成物 | |
TW201224128A (en) | Synthetic quartz glass substrate polishing slurry and manufacture of synthetic quartz glass substrate using the same | |
JP4151178B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体の製造方法 | |
JP7295849B2 (ja) | タングステンバフ用途のための表面処理研削粒子 | |
TWI667337B (zh) | 用於研磨銅的cmp漿料組合物及使用其的研磨方法 | |
JP2020505756A (ja) | 炭化ケイ素を研磨するための組成物及び方法 | |
JP7294809B2 (ja) | コバルト及び/又はコバルト合金含有基板を研磨するための化学機械研磨(cmp)組成物を使用する方法 | |
JP2000315667A (ja) | 研磨液組成物 | |
KR20210102947A (ko) | 구리 및 루테늄을 함유하는 기판의 화학적 기계적 폴리싱 | |
JP4811586B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法ならびに化学機械研磨方法 | |
WO2023127775A1 (ja) | 組成物、研磨剤および基材の研磨方法 | |
JP5270303B2 (ja) | 研磨用シリカゾルおよびその製造方法 | |
JP7167558B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体 | |
US20230087984A1 (en) | Silica-based slurry compositions containing high molecular weight polymers for use in cmp of dielectrics | |
JP2020076062A (ja) | 研磨用組成物、研磨方法および基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130327 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130624 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130701 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130724 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130731 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130826 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130926 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140610 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140901 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5623083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |