CN101593557A - 分栅闪存的操作方法 - Google Patents
分栅闪存的操作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101593557A CN101593557A CNA2009100497916A CN200910049791A CN101593557A CN 101593557 A CN101593557 A CN 101593557A CN A2009100497916 A CNA2009100497916 A CN A2009100497916A CN 200910049791 A CN200910049791 A CN 200910049791A CN 101593557 A CN101593557 A CN 101593557A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- floating boom
- grid
- control gate
- flash memory
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910049791.6A CN101593557B (zh) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 分栅闪存的操作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910049791.6A CN101593557B (zh) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 分栅闪存的操作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101593557A true CN101593557A (zh) | 2009-12-02 |
CN101593557B CN101593557B (zh) | 2014-07-16 |
Family
ID=41408162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910049791.6A Active CN101593557B (zh) | 2009-04-22 | 2009-04-22 | 分栅闪存的操作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101593557B (zh) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101807581A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-08-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点分栅式闪存及其制造方法 |
CN101819978A (zh) * | 2010-04-29 | 2010-09-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存 |
CN101866930A (zh) * | 2010-05-12 | 2010-10-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存及其制造方法 |
CN101866929A (zh) * | 2010-05-12 | 2010-10-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法 |
CN102280140A (zh) * | 2010-06-09 | 2011-12-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅快闪存储阵列的编程方法 |
CN102456694A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种存储器结构 |
CN101794787B (zh) * | 2010-01-28 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点分栅式闪存 |
CN108346448A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-07-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 闪存存储器及其控制方法 |
CN108648777A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅闪存的编程时序电路及方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078526A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-14 | Alexander Kotov | Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration |
CN1945836A (zh) * | 2005-05-20 | 2007-04-11 | 硅存储技术公司 | 双向分裂栅与非闪存结构/阵列及其编程、擦除、读出和制造 |
CN101233577A (zh) * | 2005-08-02 | 2008-07-30 | 桑迪士克股份有限公司 | 对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法 |
-
2009
- 2009-04-22 CN CN200910049791.6A patent/CN101593557B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050078526A1 (en) * | 2003-10-14 | 2005-04-14 | Alexander Kotov | Method of programming a non-volatile memory cell to eliminate or to minimize program deceleration |
CN1945836A (zh) * | 2005-05-20 | 2007-04-11 | 硅存储技术公司 | 双向分裂栅与非闪存结构/阵列及其编程、擦除、读出和制造 |
CN101233577A (zh) * | 2005-08-02 | 2008-07-30 | 桑迪士克股份有限公司 | 对非易失性集成存储器装置中的单元进行编程的系统和方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101794787B (zh) * | 2010-01-28 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点分栅式闪存 |
CN101807581B (zh) * | 2010-02-05 | 2013-09-04 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点分栅式闪存及其制造方法 |
CN101807581A (zh) * | 2010-02-05 | 2010-08-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点分栅式闪存及其制造方法 |
CN101819978A (zh) * | 2010-04-29 | 2010-09-01 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存 |
CN101819978B (zh) * | 2010-04-29 | 2015-05-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存 |
CN101866930B (zh) * | 2010-05-12 | 2014-10-22 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存及其制造方法 |
CN101866929B (zh) * | 2010-05-12 | 2015-01-07 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法 |
CN101866929A (zh) * | 2010-05-12 | 2010-10-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法 |
CN101866930A (zh) * | 2010-05-12 | 2010-10-20 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存及其制造方法 |
CN102280140A (zh) * | 2010-06-09 | 2011-12-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅快闪存储阵列的编程方法 |
CN102280140B (zh) * | 2010-06-09 | 2015-08-19 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅快闪存储阵列的编程方法 |
CN102456694B (zh) * | 2010-10-29 | 2013-08-14 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种存储器结构 |
CN102456694A (zh) * | 2010-10-29 | 2012-05-16 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 一种存储器结构 |
CN108346448A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-07-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 闪存存储器及其控制方法 |
CN108346448B (zh) * | 2018-03-14 | 2020-12-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 闪存存储器及其控制方法 |
CN108648777A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-12 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅闪存的编程时序电路及方法 |
CN108648777B (zh) * | 2018-05-10 | 2020-08-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 双分离栅闪存的编程时序电路及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101593557B (zh) | 2014-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101593557B (zh) | 分栅闪存的操作方法 | |
US9818484B2 (en) | Systems, methods, and apparatus for memory cells with common source lines | |
CN103514954B (zh) | 闪存的擦除方法、读取方法及编程方法 | |
CN101441892B (zh) | 操作闪速存储器装置的方法 | |
US20100091572A1 (en) | 2t nor-type non-volatile memoryt cell array and method of processing data of 2t nor-type non-volatile memory | |
US10418072B2 (en) | Memories having select devices between access lines and in memory cells | |
CN103310839B (zh) | 缩短擦除操作的方法与装置 | |
KR20070079839A (ko) | 프로그램 셀의 수에 따라 프로그램 전압을 조절하는 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 | |
CN103117085B (zh) | 行译码器的偏置电压产生电路及存储器 | |
CN103165621A (zh) | 电可擦可编程只读存储器 | |
CN101295544B (zh) | 偏压一多阶单元存储器的方法 | |
DE10329627A1 (de) | Flash-Speicherbaustein | |
CN103312158A (zh) | 升压电路 | |
CN106558341A (zh) | 半导体存储器件 | |
CN102122662A (zh) | P型mos存储单元 | |
CN103151356A (zh) | 一种eeprom存储阵列结构及其制造方法 | |
CN204904842U (zh) | 一种存储单元及包括该存储单元的nor闪存存储器 | |
US20180268901A1 (en) | Method for writing in an eeprom memory and corresponding device | |
CN102709291A (zh) | Sonos存储单元及其操作方法、sonos存储器 | |
CN103778948A (zh) | 存储器阵列的控制方法 | |
CN103811060A (zh) | Eeprom及其存储阵列 | |
CN104183274A (zh) | 存储单元及存储阵列的擦除方法 | |
US20170053703A1 (en) | High voltage architecture for non-volatile memory | |
CN101504866B (zh) | 集成电路与放电电路 | |
US10079065B2 (en) | Reduced voltage nonvolatile flash memory |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Free format text: FORMER OWNER: HONGLI SEMICONDUCTOR MANUFACTURE CO LTD, SHANGHAI Effective date: 20140519 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140519 Address after: 201203 Shanghai Zhangjiang hi tech park Zuchongzhi Road No. 1399 Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Address before: 201203 Shanghai Guo Shou Jing Road, Zhangjiang hi tech Park No. 818 Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |