CN101548241A - 低蚀刻性光刻胶清洗剂 - Google Patents
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Abstract
一种光刻胶清洗剂，包含：季胺氢氧化物，式I所示的烷基二醇芳基醚或其衍生物，和式II所示的苯乙酮或其衍生物；其中，R1为含6－18个碳原子的芳基；R2为H、C1－C18的烷基或含有6－18个碳原子的芳基；m＝2－6；n＝1－6；R5和R6为H、羟基、C1－C2的烷基、C1－C2的烷氧基或C1－C2的羟烷基。该清洁剂用于去除金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶或其它残留物。
Description
低蚀刻性光刻胶清洗剂 技术领域
本发明涉及一种低蚀刻性光刻胶清洗剂。 技术背景
在通常的半导体制造工艺中， 通过在二氧化硅、 Cu (铜）等金属以及低 k材料等表面上形成光刻胶的掩模， 曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转 移。 低温快速的清洗工艺是半导体晶片制造工艺发展的重要方向。 另外， 在 半导体晶片进行光刻胶的化学清洗过程中， 较高 pH的清洗剂会造成晶片基 材的腐蚀。特别是在利用化学清洗剂除去金属刻蚀残余物的过程中， 金属腐 蚀是较为普遍而且非常严重的问题，往往导致晶片良率的显著降低。
专利文献 WO04059700 公开了一种碱性清洗剂， 由四甲基氢氧化铵 (TMAH) N-甲基吗啡啉 -N-氧化物 （MO)、 水和 2-巯基苯并咪唑 （MBI) 等组成。 将晶片进入该清洗剂中， 于 70°C下浸没 15〜60min， 可除去金属和 电介质基材上的光刻胶。 其清洗温度较高， 且清洗速度相对较慢， 不利于提 高半导体晶片的清洗效率。
专利文献 JP1998239865 公开了一种碱性清洗剂， 由四甲基氢氧化铵 (TMAH)、 二甲基亚砜 （DMSO)、 1，3， -二甲基 -2-咪唑垸酮 （DMI) 和水 等组成。将晶片进入该清洗剂中， 于 50~100°C下， 可除去金属和电介质基材 上的 20 μ ιη以上的厚膜光刻胶。其较高的清洗温度会造成半导体晶片基材的 腐蚀。
专利文献 JP200493678 公开了一种碱性清洗剂， 由四甲基氢氧化铵
(TMAH)、 N-甲基吡咯烷酮（NMP)、 水或甲醇等组成。将晶片进入该清洗 剂中， 于 25~80°C下， 可除去金属和电介质基材上的光刻胶。 该清洗剂随清 洗温度的升高， 将使得半导体晶片基材的腐蚀更严重。
专利文献 JP2001215736 公开了一种碱性清洗剂， 由四甲基氢氧化铵
(TMAH)、 二甲基亚砜（DMSO)、 乙二醇（EG)和水等组成。 将晶片进入 该清洗剂中， 于 50~70°C下， 可除去金属和电介质基材上的光刻胶。 其较高 的清洗温度会造成半导体晶片基材的腐蚀。 发明概要
本发明的目的是公开一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂。
本发明的低蚀刻性光刻胶清洗剂含有： 季胺氢氧化物， 如式 I所示的烷 基二醇芳基醚或其衍生物， 和如式 II所示的苯乙酮或其衍生物；
O"^ CmH2m+0^;R2
其中， 为含 6~18个碳原子的芳基； 为 11、 d~C18的垸基或含 6~18个 碳原子的芳基； m=2~6; n=l~6; R5和 为11、羟基、 d~C2的烷基、 d~C2 的垸氧基或 CH 2的羟垸基。
本发明中， 所述的季铵氢氧化物较佳的选自下列中的一个或多个： 四甲 基氢氧化铵 （TMAH)、 四乙基氢氧化铵、 四丙基氢氧化铵、 四丁基氢氧化 铵、 三甲基乙基氢氧化铵和三甲基苯基氢氧化铵。 其中， 优选四甲基氢氧化 铵。 所述的季铵氢氧化物的含量较佳的为质量百分比 0.1~10%， 更佳的为质
量百分比 0.1~5%。
本发明中，所述的垸基二醇芳基醚或其衍生物较佳的为乙二醇单苯基醚 (EGMPE)、 丙二醇单苯基醚 （PGMPE)、 异丙二醇单苯基醚、 二乙二醇单 苯基醚、 二丙二醇单苯基醚、 二异丙二醇单苯基醚、 乙二醇单苄基醚、 丙二 醇单苄基醚、 乙二醇二苯基醚、 丙二醇二苯基醚、 异丙二醇二苯基醚、 二乙 二醇二苯基醚、 二丙二醇二苯基醚、 二异丙二醇二苯基醚、 乙二醇二苄基醚 或丙二醇二苄基醚。 其中， 优选乙二醇单苯基醚、 丙二醇单苯基醚或异丙二 醇单苯基醚。所述的烷基二醇芳基醚或其衍生物的含量较佳的为质量百分比 0.1-99.8%
本发明中， 所述的苯乙酮或其衍生物较佳的为苯乙酮、 对甲基苯乙酮、 对羟基苯乙酮、 对甲氧基苯乙酮、 对二甲氧基苯乙酮或对二羟基苯乙酮。 其 中， 优选苯乙酮、 对羟基苯乙酮或对二羟基苯乙酮。 所述的苯乙酮或其衍生 物的含量较佳的为质量百分比 0.1~95%。 本发明中， 所述的清洗剂还可含有水、 共溶剂、 表面活性剂和缓蚀剂中 的一种或几种。
本发明中， 所述的水的含量较佳的为小于或等于质量百分比 20%， 更佳 的为小于或等于质量百分比 10%。
本发明中， 所述的共溶剂较佳的为醇、 亚砜、 砜、 酰胺、 吡咯烷酮、 咪 唑垸酮、 垸基二醇单烷基醚、 烷基酮或环烷基酮。 所述的共溶剂的含量较佳 的为小于或等于质量百分比 99.7%。 '
其中， 所述的醇较佳的为丙醇、 异丙醇、 丁醇、 环己醇、 二丙酮醇、 1- 硫代丙三醇、 3- (2-氨基苯基硫代） -2-羟丙基硫醇或 3- (2-羟乙基硫代） -2- 羟丙基硫醇； 所述的亚砜较佳的为二甲基亚砜、 二乙基亚砜或甲乙基亚砜；
所述的砜较佳的为甲基砜、 乙基砜、 苯基砜或环丁砜； 所述的酰胺较佳的为 甲酰胺、乙酰胺、 Ν,Ν-二甲基甲酰胺（DMF)或 Ν，Ν-二甲基乙酰胺（DMAc); 所述的吡咯垸酮较佳的为 2-吡咯垸酮、 N-甲基吡咯垸酮 （NMP) 或 N-乙基 吡咯烷酮； 所述的咪唑垸酮较佳的为 2-咪唑烷酮 （MI)、 1,3-二甲基 -2-咪唑 烷酮（DMI)或 1，3-二乙基 -2-咪唑烷酮； 所述的烷基二醇单垸基醚较佳的为 乙二醇单甲醚、 乙二醇单乙醚、 乙二醇单丁醚、 二乙二醇单甲醚、 二乙二醇 单乙醚、 二乙二醇单丁醚、 三乙二醇单甲醚、 三乙二醇单乙醚、 丙二醇单甲 醚、 丙二醇单乙醚、 丙二醇单丁醚、 二丙二醇单甲醚、 二丙二醇单乙醚、 二 丙二醇单丁醚、 三丙二醇单甲醚、 三丙二醇单乙醚或三丙二醇单丁醚； 所述 的垸基酮或环垸基酮较佳的为丙酮、 丁酮（MIBK)、 戊酮、 异戊酮、 异佛二 酮或环己酮。 其中， 优选二甲基亚砜、 环丁砜、 N，N-二甲基甲酰胺、 N，N- 二甲基乙酰胺、 2-吡咯垸酮、 N-甲基吡咯烷酮、 2-咪唑垸酮（MI)、 1,3-二甲 基 -2-咪唑垸酮、 乙二醇单甲醚、 二乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚或二丙二醇 单甲醚。
本发明中， 所述的表面活性剂较佳的为含羟基聚醚、 聚乙烯醇（PVA)、 聚乙烯吡咯垸酮、 聚氧乙烯 （POE)、 聚硅氧垸 （PSOA)、 氟代聚乙烯醇、 氟代聚乙烯吡咯垸酮、氟代聚氧乙烯、氟代聚硅氧烷、硅酸盐或烷基磺酸盐。 其中， 优选含羟基聚醚。所述的表面活性剂的含量较佳的为小于或等于质量 百分比 10%， 更佳的为小于或等于质量百分比 3%。
本发明中， 所述的缓蚀剂较佳的为酚类， 羧酸、 羧酸酯类， 酸酐类， 或 膦酸、 膦酸酯类化合物。 所述的缓蚀剂的含量较佳的为小于或等于质量百分 比 10%， 更佳的为小于或等于质量百分比 3%。
其中， 所述的酚类较佳的为苯酚、 1,2-二羟基苯酚、 对羟基苯酚或连苯
三酚； 所述的羧酸、 羧酸酯类较佳的为苯甲酸、 对氨基苯甲酸（PABA)、 对 氨基苯甲酸甲酯、 邻苯二甲酸 （PA)、 间苯二甲酸、 邻苯二甲酸甲酯、 没食 子酸 （GA) 或没食子酸丙酯； 所述的酸酐类较佳的为乙酸酐、 己酸酐、 马 来酸酐或聚马来酸酐； 所述的磷酸、磷酸酯类较佳的为 1，3- (羟乙基） -2,4,6- 三膦酸（HEDPA)、 氨基三亚甲基膦酸（ATMP)或 2-膦酸丁烷 -1,2,4-三羧酸 (PBTCA)o 其中， 优选 1，2-二羟基苯酚、 连苯三酚、 邻苯二甲酸。
本发明的清洗剂由上述组分简单均匀混合， 即可制得。
本发明的积极进步效果在于： 本发明的清洗剂可用于除去金属、 金属合 金或电介质基材上的光刻胶（光阻）和其它残留物， 同时对于二氧化硅、 Cu
(铜）等金属以及低 k材料等具有较低的蚀刻速率， 在半导体晶片清洗等微 电子领域具有良好的应用前景。
发明内容
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在 所述的实施例范围之中。
实施例 1^4 低蚀刻性光刻胶清洗剂 表 1给出了低蚀刻性光刻胶清洗剂实施例 1~54的配方， 按表 1中所列 组分及其含量， 简单混合均匀， 即制得各实施例的清洗剂。
低蚀刻性光刻胶清洗剂实施例 1~54
烧基—二醇芳基醚或其衍
季胺氢氧化物 苯乙酮或其衍生物 其他 实 生物
施 含 含 含 含
例 里 具体物质 里 具体物质 里 具体物质 量 具体物质 wt% wt% Wt% wt%
1 0.1 四乙基氢氧化铰 99.8 乙二醇单苯基醚 0.1 苯乙酮 1 /
2 4.9 四丁基氢氧化铰 0.1 丙二醇单苯基醚 95 苯乙酮 1 1
10 四丙基氢氧化铰 69 丙二醇二苯基醚 1 苯乙酮 20 水
1 四丁基氢氧化铵 66 乙二醇二苯基醚 30 苯乙酮 3 丙醇
5 四丁基氢氧化铵 50 丙二醇单苄基醚 35 苯乙酮 10 苯酚
5 四甲基氢氧化铰 80 乙二醇单苄基醚 14 苯乙酮 1 含羟基聚醚
12.9 二甲亚砜 三甲基乙基氢氧 二异丙二醇单苯 对二甲氧基苯 3 异丙醇
1 60 20
化铵 基醚 乙酮 0.1 聚娃氧烧
3 】，2-二羟基苯酚
10 水 三甲基苯基氢氧 二丙二醇单苯基 5 丁醇
2 79 0.9 对甲基苯乙酮
化铵 醚 0.1 聚乙烯吡咯垸酮
3 对羟基苯酚
5 环己醇 二乙二醇单苯基
6 四甲基氢氧化铵 44 40 对羟基苯乙酮 3 聚氧乙烯
醚
2 连苯三酚
5 二丙酮醇 异丙二醇单苯基 对甲氧基苯乙
5 四甲基氢氧化铰 29.5 50 10 聚乙烯醇
醚 酮
0.5 苯甲酸
5 硫代丙三醇 异丙二醇二苯基 对一羟基苯乙
1 四甲基氢氧化铵 33.6 60 0.1 氟代聚乙烯醇 醚 酮
0.3 对氨基苯甲酸
3- (2-氨基苯基硫代）
10
-2-羟丙基硫醇 二乙二醇二苯基
6 四甲基氢氧化铵 22 61.5 对乙基苯乙酮 氟代聚乙烯吡咯烷 醚 0.1
酮
0.4 对氨基苯甲酸甲酯
3- (2-羟乙基硫代）
5
二丙二醇二苯基 对二乙基苯乙 -2-羟丙基硫醇 '
2 四甲基氢氧化铵 12.6 80
醚 酮 0.1 氟代聚氧乙烯
0.3 邻苯二甲酸
5.7 二甲基亚砜 二异丙二醇二苯 对一甲基苯乙
2 四甲基氢氧化铰 90 2 0.1 氟代聚硅氧烷 基醚 酮
0.2 邻苯二甲酸甲酯
90 二乙基亚砜 对乙氧基苯乙
2 四甲基氢氧化铵 5.8 乙二醇二苄基醚 2 0.1 硅酸钠
酮
0.1 没食子酸
85.8 甲乙基亚砜 对二乙氧基苯
1 四甲基氢氧化铵 7 丙二醇二苄基醚 6 0.1 甲基磺酸钠 乙酮
0.1 没食子酸丙酯 乙二醇二 （十二 76.9 甲基砜
3 四甲基氢氧化铰 10 10 苯乙酮
烷基苯基） 醚 0.1 乙酸酐
60 乙基砜
5 四甲基氢氧化铰 20 己二醇单萘基醚 14.9 苯乙酮
0.1 己酸酐 六縮乙二醇单苯 50 苯基砜
5 四甲基氢氧化铰 35 9.9 .苯乙酮
基醚 0.1 马来酸酐 乙二醇苯基甲基 14.9 环丁砜
5 四甲基氢氧化铰 40 40 苯乙酮
醚 0.1 聚马来酸酐
10 甲酰胺 乙二醇苯基辛基
5 四甲基氢氧化铰 44.9 40 苯乙酮 1,3- (羟乙基) -2,4,6- 醚 0.1
三膦酸 乙二醇苯基十八 10 乙酰胺
5 四甲基氢氧化铵 44.9 40 苯乙酮
垸基醚 0.1 氨基三亚甲基膦酸
14.9 Ν,Ν-二甲基甲酰胺
5 四甲基氢氧化铵 40 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 2-膦酸丁烷 -1，2,4-三
0.1
羧酸
24.7 Ν，Ν-二甲基乙酰胺
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮
0.3 邻苯二甲酸
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 2-吡咯垸酮
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 Ν-甲基吡咯烷酮
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 Ν-乙基吡咯垸酮
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 2-咪唑垸酮 对羟甲基苯乙 1，3-二甲基 -2-咪唑垸
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 25
酮 酮 对羟乙基苯乙 1,3-二乙基 -2-咪唑垸
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 25
酮 酮
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 3， 4-二羟甲基 25 乙二醇单甲醚
苯乙酮
3 , 4-二羟乙基
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 25 乙二醇单乙醚 苯乙酮
对 （ 1 -羟基乙
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 25 乙二醇单丁醚 基） 苯乙酮
对（1,2-二羟基
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 25 二乙二醇单甲醚 乙基） 苯乙酮
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 二乙二醇单乙醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 二乙二醇单丁醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 三乙二醇单甲醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 三乙二醇单乙醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 丙二醇单甲醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 丙二醇单乙醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 丙二醇单丁醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 二丙二醇单甲醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 二丙二醇单乙醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 二丙二醇单丁醚
5 四甲基氢氧化铰 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 三丙二醇单甲醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 三丙二醇单乙醚
5 四甲基氢氧化铵 30 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 25 三丙二醇单丁醚
5 四甲基氢氧化铵 45 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 10 丙酮
5 四甲基氢氧化铵 45 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 10 丁酮
5 四甲基氢氧化铵 45 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 10 戊酮
5 四甲基氢氧化铵 45 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 10 异戊酮
5 四甲基氢氧化铵 40 乙二醇单苯基醚 30 苯乙酮 25 环己酮
5 四甲基氢氧化铵 45 乙二醇单苯基醚 40 苯乙酮 10 异佛二酮
0.1 四甲基氢氧化铰 0.1 乙二醇单苯基醚 0.1 苯乙酮 99.7 二甲基亚砜
效果实施例
表 2给出了对比清洗剂 1和清洗剂 1〜4的配方，按表 2中所列组分及其 含量， 简单混合均匀， 即制得各清洗剂。
表 2对比清洗剂 1和清洗剂 1~4
四甲基氢 苯乙酮 乙二醇单 水含 缓蚀剂 清洗 羟基聚醚
氧化铰含 含量 苯基醚含 里 亚砜含
剂 含量 wt% ,
量 wt% wt% 量 wt% Wt% 量 wt0/o 含量 wt% 具体物质 对比 1 2 96 \ 2 \ \ \ \
1 2 76 20 2 \ \ \ \
2 2.5 73.6 20 2.5 \ 0.15 0.2 邻苯二甲酸
3 2.5 3.6 90 2.5 \ 0.20 0.2 间苯二甲酸
4 2.5 15 6 6 69.15 0.15 0.2 邻苯二甲酸 将对比清洗剂 1和清洗剂 1~4用于清洗空白 Cu晶片和含有光刻胶的晶 片， 测试其对金属 Cu的腐蚀性及其对厚膜光刻胶的清洗能力， 结果如表 3 表 3对比清洗剂 1和清洗剂 1~4
对空白 Cu晶片蚀刻速率及其对光刻胶的清洗能力
在半导体晶片清洗工艺中， 若金属蚀刻速率小于或等于 2.0A/min， 则说 明金属缓蚀剂具有良好的腐蚀抑制作用。 从表 3可以看出， 乙 （丙）二醇单 芳基醚及其衍生物可以显著降低空白 Cu晶片的蚀刻速率，它们对于金属 Cu 具有良好的腐蚀抑制作用； 但乙二醇醚加入量较多时， 要完全去除光阻材料 需要较长的时间， 选择合适的共溶剂有利于光阻材料的去除。 综上所述， 本 发明的清洗剂具有良好的清洗能力， 同时对二氧化硅、铜等金属以及低 k材 料等具有较低的蚀刻速率。
Claims (31)
- 权利要求1. 一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂， 其特征在于含有： 季胺氢氧化物， 如式 I所示的垸基二醇芳基醚或其衍生物， 和如式 II所示的苯乙酮或其衍生 物；其中， 为含 6〜18个碳原子的芳基； 为 C ^的烷基或含 6〜18 个碳原子的芳基； m=2〜6; n=l~6; R5和 为11、 羟基、 （^~( 2的烷基、 C!~C2的垸氧基或 d~C2的羟烷基。
- 2. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的季铵氢氧化物选自下 列中的一个或多个： 四甲基氢氧化铵、 四乙基氢氧化铵、 四丙基氢氧化 铵、 四丁基氢氧化铵、 三甲基乙基氢氧化铵和三甲基苯基氢氧化铵。
- 3. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的季铵氢氧化物的含量 为质量百分比 0.1~10%。
- 4. 如权利要求 3 所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的含量为质量百分比 0.卜 5%。
- 5. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的烷基二醇芳基醚或其 衍生物为乙二醇单苯基醚、 丙二醇单苯基醚、 异丙二醇单苯基醚、 二乙 二醇单苯基醚、 二丙二醇单苯基醚、 二异丙二醇单苯基醚、 乙二醇单苄 基醚、 丙二醇单苄基醚、 乙二醇二苯基醚、 丙二醇二苯基醚、 异丙二醇 二苯基醚、 二乙二醇二苯基醚、 二丙二醇二苯基醚、 二异丙二醇二苯基 醚、 乙二醇二苄基醚或丙二醇二苄基醚。
- 6. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的垸基二醇芳基醚或其 衍生物的含量为质量百分比 0.1~99.8%。
- 7. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的苯乙酮或其衍生物为 苯乙酮、 对甲基苯乙酮、 对羟基苯乙酮、 对甲氧基苯乙酮、 对二甲氧基 苯乙酮或对二羟基苯乙酮。
- 8. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的苯乙酮或其衍生物的 含量为质量百分比 0.1~95%。
- 9. 如权利要求 1所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的清洗剂还含有水、 共 溶剂、 表面活性剂和缓蚀剂中的一种或几种。
- 10.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的水的含量为小于或等 于质量百分比 20%。
- 11.如权利要求 10所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的水的含量为小于或等 于质量百分比 10%。
- 12.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的共溶剂为醇、 亚砜、 砜、 酰胺、 吡咯垸酮、 咪唑垸酮、 烷基二醇单烷基醚、 烷基酮或环烷基 酮。
- 13.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的共溶剂的含量为小于 或等于质量百分比 99.7%。
- 14.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的醇为丙醇、 异丙醇、 丁醇、 环己醇、 二丙酮醇、 1-硫代丙三醇、 3- (2-氨基苯基硫代） -2-羟丙 基硫醇或 3- (2-羟乙基硫代） -2-羟丙基硫醇。
- 15.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的亚砜为二甲基亚砜、 二乙基亚砜或甲乙基亚砜。
- 16.如权利要求 12所述的清洗剂，其特征在于：所述的砜为甲基砜、乙基砜、 苯基砜或环丁砜。
- 17.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的酰胺为甲酰胺、 乙 胺、 N，N-二甲基甲酰胺或 N，N-二甲基乙酰胺。
- 18.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的吡咯垸酮为 2-吡咯垸 酮、 N-甲基吡咯垸酮或 N-乙基吡咯垸酮。
- 19.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的咪唑烷酮为 2-咪唑垸 酮、 1,3-二甲基 -2-咪唑烷酮或 1，3-二乙基 -2-咪唑烷酮。
- 20.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的烷基二醇单垸基醚为 乙二醇单甲醚、 乙二醇单乙醚、 乙二醇单丁醚、 二乙二醇单甲醚、 二乙 二醇单乙醚、 二乙二醇单丁醚、 三乙二醇单甲醚、 三乙二醇单乙醚、 丙 二醇单甲醚、 丙二醇单乙醚、 丙二醇单丁醚、 二丙二醇单甲醚、 二丙二 醇单乙醚、 二丙二醇单丁醚、 三丙二醇单甲醚、 三丙二醇单乙醚或三丙 二醇单丁醚。
- 21.如权利要求 12所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的垸基酮或环垸基酮为 丙酮、 丁酮、 戊酮、 异戊酮、 异佛二酮或环己酮。
- 22.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的表面活性剂为含羟基 聚醚、 聚乙烯醇、 聚乙烯吡咯垸酮、 聚氧乙烯、 聚硅氧垸、 氟代聚乙烯 醇、 氟代聚乙烯吡咯烷酮、 氟代聚氧乙烯、 氟代聚硅氧烷、 硅酸盐或垸 基磺酸盐。
- 23.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的表面活性剂的含量为 小于或等于质量百分比 10%。
- 24.如权利要求 23所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的含量为小于或等于质 量百分比 3%。
- 25.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的缓蚀剂为酚类， 羧酸、 羧酸酯类， 酸酐类， 或膦酸、 膦酸酯类化合物。
- 26.如权利要求 9所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的缓蚀剂的含量为小于 或等于质量百分比 10%。
- 27.如权利要求 26所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的含量为小于或等于质 量百分比 3%。
- 28.如权利要求 25所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的酚类为苯酚、 1，2-二 羟基苯酚、 对羟基苯酚或连苯三酚。
- 29.如权利要求 25所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的羧酸、 羧酸酯类为苯 甲酸、 对氨基苯甲酸、 对氨基苯甲酸甲酯、 邻苯二甲酸、 间苯二甲酸、 邻苯二甲酸甲酯、 没食子酸或没食子酸丙酯。
- 30.如权利要求 25所述的清洗剂， 其特征在于： 所述的酸酐类为乙酸酐、 己 酸酐、 马来酸酐或聚马来酸酐。
- 31.如权利要求 25所述的清洗剂，其特征在于：所述的磷酸、磷酸酯类为 1,3-(羟乙基） -2，4，6-三膦酸、氨基三亚甲基膦酸或 2-膦酸丁烷 -1,2,4-三羧酸。
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