CN101546727A

CN101546727A - 一种大马士革工艺方法

Info

Publication number: CN101546727A
Application number: CN200810035095A
Authority: CN
Inventors: 王金丽
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2008-03-25
Filing date: 2008-03-25
Publication date: 2009-09-30
Anticipated expiration: 2028-03-25
Also published as: CN101546727B

Abstract

本发明揭露了一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，包括如下步骤：(1)连续对多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对基底或一介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。可见其将多次曝光处理后所得到的曝光区域进行一次显影与刻蚀，得到所需的沟槽或通孔。与传统工艺相比将每次曝光处理后的显影处理集中到一次显影中完成，减少了显影与刻蚀的次数，提高了效率。

Description

一种大马士革工艺方法

技术领域

本发明涉及一种大马士革工艺方法，特别是涉及一种于大马士革工艺制程中减少显影与刻蚀次数的方法。

背景技术

传统的双大马士革工艺需要至少两次显影与刻蚀，以下结合图1概略描述传统的双大马士革工艺中的两次显影与刻蚀的过程。如图，

首先，进行第一次显影与刻蚀，即步骤(1)到(3)，如下：

步骤(1)，第一次曝光：于基底10上形成光阻层12，而后对其进行曝光形成所需的曝光区域14；

步骤(2)，第一次显影：通过化学处理去除曝光区域14的光刻胶；

步骤(3)，第一次刻蚀：在剩余光刻胶的保护下，对基底10进行第一次刻蚀并去除剩余的光刻胶。

而后，进行第二次显影与刻蚀，即步骤(4)到(6)，如下：

步骤(4)，第二次曝光：淀积抗反射层16与光阻层18，而后对其进行曝光形成所需的曝光区域20；

步骤(5)，第二次显影：通过化学处理去除曝光区域20的光刻胶；

步骤(6)，第二次刻蚀：在剩余光刻胶的保护下，对基底10进行第二次刻蚀并去除剩余的光刻胶，从而形成所需形状的沟槽22。

可见，传统的双大马士革工艺需要至少两次显影与刻蚀，如此使得处理过程较为复杂，效率低下，如何改进工艺，减少显影与刻蚀的次数，而简化处理过程，提高效率是本领域的重要课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种大马士革工艺方法，其于制程中可减少显影与刻蚀的次数，从而简化处理过程，提高效率。

为此，本发明提供一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，该方法包括如下步骤：(1)连续对多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；(3)通过上述显影区域对基底或一介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。

进一步的，上述步骤(3)中的刻蚀方式为对显影区域中暴露出的光阻层与基底或介质层同时进行刻蚀。

进一步的，上述步骤(1)包括：于基底或介质层上淀积第一光阻层；对第一光阻层进行曝光处理，形成第一曝光区域；淀积抗反射层与第二光阻层；对第二光阻层与抗反射层进行曝光处理，形成第二曝光区域，其中上述曝光区域包括第一曝光区域与第二曝光区域。

进一步的，上述抗反射层由可经过显影去除的材料构成。

进一步的，上述抗反射层为底部抗反射层。

进一步的，上述第二曝光区域的截面积大于第一曝光区域。

综上所述，本发明于多次曝光处理后再进行显影处理，并通过显影区域实现对基底或介质层的刻蚀，从而形成所需沟槽或通孔。与传统工艺相比将每次曝光处理后的显影处理集中到一次显影中完成，减少了显影与刻蚀的次数，提高了效率。

附图说明

图1为传统的双大马士革工艺中的两次显影与刻蚀的流程示意图；

图2为本发明一实施例中的大马士革工艺流程示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。

本发明的大马士革工艺方法，于基底上的沟槽(或者一介质层上的层间通孔)的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，其包括如下步骤：

连续对多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；

对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；

通过上述显影区域对基底或一介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。

为了更好的理解本发明，此处仍以双大马士革工艺中的两次显影与刻蚀为例加以说明。当然本发明并不局限于此，本领域的技术人员可由此提示将其用于更多次的显影与刻蚀中。请合并参考图1与图2，其中图1为传统的双大马士革工艺中的两次显影与刻蚀的流程示意图，而图2为本发明一实施例所提供的对应的流程示意图。具体如下：

首先，进行第一次曝光，即步骤(1’)：

步骤(1’)，第一次曝光：于基底100上形成光阻层200，而后对其进行曝光形成第一曝光区域E1；

而后，进行第二次曝光，即步骤(2’)到(3’)，如下：

步骤(2’)：淀积抗反射层300与光阻层400；

步骤(3’)，第二次曝光：对光阻层400与抗反射层300进行曝光形成第二曝光区域E2，此时得到所需的曝光区域E；

最后，进行一次显影与刻蚀，形成所需的沟槽102，如下：

步骤(4’)，一次显影处理：通过化学处理去除曝光区域E的光刻胶，形成所需的显影区域D；

步骤(5’)，一次刻蚀：对显影区域D中暴露出的光阻层200与基底100同时进行刻蚀，形成所需的沟槽102。

由以上步骤可以看出，在进行第一次曝光后，本发明不直接进行显影，而是继续进行下一次曝光处理，从而利用两次曝光处理得到的所需形状的曝光区域，最后一次性进行显影，得到所需形状的显影区域，再一次性进行刻蚀，利用同时对显影区域中暴露出的光阻层与基底进行刻蚀的方式，形成所需形状的沟槽。如图，第二曝光区域E2的截面积大于第一曝光区域E1，如此得到的显影区域D暴露出部分光阻层200与部分基底100。由于显影区域D中暴露出的光阻层200的阻挡，对于其所遮挡的基底部分的腐蚀将慢于直接暴露于外的基底部分的腐蚀，从而形成所需形状的沟槽102，如图，其为中间部分低于两侧的形状。

另外，抗反射层300为底部抗反射层(BARC)。且为了实现其与光阻层同时显影，其由一种可经过显影去除的材料构成，从而无需对其进行单独的刻蚀而达到去除的目的。

以上仅为举例，并非用以限定本发明，本发明的保护范围应当以权利要求书所涵盖的范围为准。

Claims

1.一种大马士革工艺方法，其于基底上的沟槽或层间通孔的形成过程中可减少显影与刻蚀的次数，其特征是，包括如下步骤：

(1)连续对基底或一介质层上的多个光阻层进行曝光处理并且于其间不进行显影处理，从而形成一曝光区域；

(2)对上述曝光区域进行显影处理，从而得到与曝光区域相应的显影区域；

(3)通过上述显影区域对上述基底或介质层进行刻蚀，形成所需沟槽或通孔。

2.根据权利要求1所述的大马士革工艺方法，其特征是，其中上述步骤(3)中的刻蚀方式为对显影区域中暴露出的光阻层与基底或介质层同时进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的大马士革工艺方法，其特征是，上述步骤(1)包括：

于基底或介质层上淀积第一光阻层；

对第一光阻层进行曝光处理，形成第一曝光区域；

淀积抗反射层与第二光阻层；

对第二光阻层与抗反射层进行曝光处理，形成第二曝光区域，

其中上述曝光区域包括第一曝光区域与第二曝光区域。

4.根据权利要求3所述的大马士革工艺方法，其特征是，其中上述抗反射层由可经过显影去除的材料构成。

5.根据权利要求3所述的大马士革工艺方法，其特征是，其中上述抗反射层为底部抗反射层。

6.根据权利要求3所述的大马士革工艺方法，其特征是，其中上述第二曝光区域的截面积大于第一曝光区域。