CN101542608A - 制造磁记录介质的方法 - Google Patents

Abstract

根据一个实施例，一种制造磁记录介质的方法包括以下步骤：在基底上沉积磁记录层和牺牲层；构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及回蚀刻所述非磁性材料。

Description

制造磁记录介质的方法

技术领域

本发明的一个实施例涉及一种制造磁记录介质的方法。

背景技术

近年来，对于安装到硬盘驱动器(HDD)中的磁记录介质，存在这样的切实问题，即磁道密度的提高受到相邻磁道之间的干扰的阻碍。特别地，降低由来自写头的磁场的边缘效应引起的写入模糊是一个重要的问题。

为了解决该问题，提出了离散磁道型构图的介质(DTR介质)，其中记录磁道物理分离。在DTR介质中，可以减少当记录信息时相邻磁道的信息被擦除的侧擦除现象和当再现信息时相邻磁道的信息被读出的侧读取现象，使得可以提高磁道密度。因此，DTR介质被预期是能够提供高记录密度的磁记录介质。

为了利用浮动头(flying head)执行DTR介质的读取和写入，优选平坦化DTR介质的表面。具体地，为了使相邻磁道完全分离，例如，去除厚度为约4nm的保护层和厚度为约20nm的磁记录层，以形成深度为约24nm的凹陷，从而形成磁图形。同时，如果残留深的凹陷，由于对浮动头的浮动高度的设计值为约10nm，因此头浮动不稳定。为此，用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷，以使介质表面平坦化，从而确保头的浮动稳定性。

提出了以下方法，以通过用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷来提供具有平坦表面的DTR介质。例如，已知一种制造具有平坦表面的DTR介质的方法，其中通过两步偏置溅射工艺用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷(参见日本专利No.3,686,067)。然而，要求在偏置溅射中在基底的背表面上设置冷却机构，这使得难以执行对两个表面的同时处理。

因此，为了平坦化DTR介质的表面，提出一种在磁图形之间的凹陷中以及在磁图形上沉积非磁性材料且回蚀刻该非磁性材料的方法。在回蚀刻工艺中，利用在磁图形上的非磁性材料的侧蚀刻。然而，在磁图形的宽度大的区域中，例如，在外周侧上的地址部分中，通过侧蚀刻的平坦化效果很小，因此，有必要重复沉积非磁性材料和回蚀刻非磁性材料许多次。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：在基底上沉积磁记录层和牺牲层；构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及回蚀刻所述非磁性材料。

附图说明

图1是沿圆周方向根据本发明的一个实施例的DTR介质的平面图；

图2A至2I是示出根据本发明的一个实施例的DTR介质的制造方法的截面图；以及

图3A至3C是更详细示出图2H的工艺的截面图。

具体实施方式

下文中将参考附图说明根据本发明的各个实施例。

图1是沿圆周方向根据本发明的一个实施例的DTR介质的平面图。如图1中所示，沿着DTR介质1的圆周方向交替形成伺服区2和数据区3。伺服区2包括前导码部分(preamble section)21、地址部分22和脉冲部分(burst section)23。数据区3包括离散磁道31。

将参考图2A至2I说明根据本发明的该实施例制造DTR介质的方法。这里，为了示例简化，示出在基底的一个表面上执行加工的情况。

在玻璃基底51上，顺序沉积厚度为120nm的由CoZrNb制成的软磁性衬层(underlayer)52、厚度为20nm的由Ru制成的用于取向控制的衬层(未示出)、厚度为20nm的由CoCrPt-SiO₂制成的磁记录层53、厚度为4nm的由碳(DLC)制成的保护层54、以及例如由Ru形成的牺牲层55(图2A)。

只要具有比稍后描述的填充到图形之间的凹陷中的非磁性材料高的蚀刻速度，可以不具体限制牺牲层55的材料。虽然牺牲层和非磁性材料的蚀刻速度根据铣削角度而变化，但考虑到生产量，当离子垂直入射时，牺牲层的蚀刻速度优选高于非磁性材料的蚀刻速度。牺牲层的材料包括：诸如Ru、Ni、Al、W、Cr、Cu、Pt和Pd的金属材料；诸如SiO₂、TiO₂和Al₂O₃的氧化物；诸如Si₃N₄、AlN和TiN的氮化物；诸如TiC的碳化物；诸如BN的硼酸盐；以及诸如C和Si的单质。牺牲层优选由这样的材料形成，该材料的蚀刻终点可以通过SIMS(二次离子质谱仪)或Q-MASS(四极质谱仪)容易地检测出来。随着牺牲层的厚度的增加，在填充非磁性材料之前的凹陷的深度增加。因此，优选牺牲层的厚度为3nm以上且20nm以下。

通过旋涂对牺牲层55施加作为抗蚀剂56的厚度为100nm的旋涂玻璃(SOG)。将压模61设置为面对抗蚀剂56。在压模61上，形成与图1中所示的磁图形的凹凸图形相反的凹凸图形。使用压模61执行压印，从而形成与压模61的凹陷对应的抗蚀剂56的凸起(图2B)。

利用ICP(感应耦合等离子体)蚀刻装置执行蚀刻，以去除残留在构图的抗蚀剂56的凹陷的底部上的抗蚀剂残留物。该工艺中的条件如下：例如，将CF₄用作工艺气体，室压力为2mTorr、线圈RF功率和压盘(platen)RF功率分别为100W，蚀刻时间为30秒(图2C)。

使用留下的未去除的抗蚀剂图形(SOG)作为蚀刻掩模，利用ECR(电子回旋共振)离子枪执行离子铣削，蚀刻牺牲层55、保护层54和磁记录层53(图2D)。该工艺中的条件如下：例如，将Ar用作工艺气体，微波功率为800W，加速电压为500V，蚀刻时间为3分钟。

然后，利用RIE装置剥离抗蚀剂图形(SOG)(图2E)。该工艺中的条件如下：例如，将CF₄用作工艺气体，室压力为100mTorr、功率为100W。

接下来，以这样的方式通过DC溅射沉积由NiNbTi制成的非磁性材料57，以使其填充在磁图形和牺牲图形的叠层之间的凹陷中且层叠在牺牲图形上(图2F)。在该工艺中，在这样的条件下通过DC溅射来溅射NiNbTi靶：Ar流速为100sccm、室压力为0.5Pa，以沉积厚度为50nm的膜。非磁性材料57的厚度优选为30至100nm。不希望非磁性材料的厚度小于凹陷的深度，这是因为，随后的回蚀刻工艺有可能引起对磁记录层的损伤。在该阶段，如图2F中所示，表面不平坦，并且使得凹陷的深度为约20nm。然而，图形的宽度变窄。非磁性材料57的蚀刻速度高于保护层54和磁记录层53的蚀刻速度。

然后，回蚀刻非磁性材料57(图2G)。该工艺中的条件如下：使用ECR离子枪，微波功率被设定为800W，加速电压被设定为500V，并且施加Ar离子持续3分钟。这些条件是用于蚀刻20nm的由NiNbTi形成的非磁性材料57的条件。结果，在磁道区的表面上的凹陷的深度减小到10nm。通过该工艺减小介质的表面粗糙度且使凹陷的深度减小一半。由于该工艺将改良非磁性材料的表面，ECR离子枪的条件，例如处理时间，是不很重要的参数。随着离子辐照时间的增加，减小非磁性材料的表面粗糙度的效果和减小凹陷的深度的效果增加。然而，在填充非磁性材料55的工艺(图2F)中有必要使得非磁性材料较厚。

如果重复对非磁性材料的上述沉积和回蚀刻，可以提供具有平坦表面的DTR介质。然而，要在形成大宽度的凸出图形的外周侧使得地址部分的表面平坦需要花费很长时间，使得难以实现该平坦化。因此，在未使用牺牲层55的情况下，有必要重复沉积和回蚀刻该非磁性材料很多次。

在本发明的该实施例中，当在暴露牺牲层55的表面的状态下进一步继续回蚀刻时，凸出的牺牲图形的侧蚀刻更快地进行，并且表面的凹凸减少，这是因为牺牲层55的蚀刻速度高于非磁性材料57的蚀刻速度(图2H)。

将参考图3A至3C更详细解释该工艺。图3A示出了牺牲层55的表面从非磁性材料57暴露的状态。当进一步继续回蚀刻时，凸出的牺牲图形的侧蚀刻更快地进行，这是因为牺牲层55的蚀刻速度高于非磁性材料57的蚀刻速度。这时，暂时出现表面凹凸反转的区域(图3B)。然而，当进一步继续回蚀刻时，形成在牺牲层55之下的具有低蚀刻速度的DLC保护层54用作蚀刻停止层，从而可以抑制平坦化的分散(dispersion)(图3C)。

当将例如Ru用于牺牲层55且将NiNbTi用于非磁性材料57时，通过垂直入射的离子，在回蚀刻中Ru的蚀刻速度是NiNbTi的蚀刻速度的大约两倍。因此，当重复回蚀刻直到表面的凹陷的深度减小了填充凹陷之前的凹陷深度的大约一半之后将非磁性材料57蚀刻至牺牲层55时，表面可以被高度平坦化。

执行回蚀刻约3分钟。当利用Q-MASS(四极质谱仪)检测出保护层54的碳时，确定回蚀刻的终点。在该实施例的方法中，不能精确地确定非磁性材料57被蚀刻到的深度，因此很难基于蚀刻时间控制回蚀刻。相反地，通过Q-MASS的手段或诸如SIMS(二次离子质谱仪)的其它蚀刻终点检测仪来进行终点检测，能够高度精确地执行回蚀刻。

最后，通过CVD(化学气相沉积)沉积碳(C)，以形成保护层58(图2I)。对保护层58的表面施加润滑剂，从而提供DTR介质。

接下来，将说明在本发明的该实施例中使用的优选材料。

<基底>

作为基底，可以使用例如玻璃基底、Al基合金基底、陶瓷基底、碳基底或具有氧化物表面的Si单晶基底。作为玻璃基底，使用非晶玻璃或结晶玻璃。非晶玻璃的实例包括普通的钠钙玻璃和铝硅酸盐玻璃。结晶玻璃的实例包括锂基结晶玻璃。陶瓷基底的实例包括普通的氧化铝、氮化铝或包含氮化硅作为主要成分的烧结体、以及这些材料的纤维强化材料。作为基底，可以使用通过镀敷或溅射在上述金属基底或非金属基底上形成有NiP层的基底。

<软磁性衬层>

软磁性衬层(SUL)担当磁头的这样的功能的一部分，以使得用于磁化垂直磁记录层的来自单磁极磁头的记录磁场沿水平方向流动且使磁场环流(circulate)到磁头侧，并且对记录层施加急剧(sharp)且充分的垂直磁场，从而改善读/写效率。可以将包含Fe、Ni和Co的材料用于软磁性衬层。这样的材料的实例包括：诸如FeCo和FeCoV的FeCo基合金、诸如FeNi、FeNiMo、FeNiCr和FeNiSi的FeNi基合金、诸如FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu和FeAlO的FeAl基合金和FeSi基合金、诸如FeTa、FeTaC和FeTaN的FeTa基合金、以及诸如FeZrN的FeZr基合金。也可以使用具有诸如包含60原子％以上的Fe的FeAlO、FeMgO、FeTaN和FeZrN的微晶结构或者其中微细晶体颗粒分散在基质中的颗粒状结构的材料。作为用于软磁性衬层的其它材料，也可以使用包含Co以及Zr、Hf、Nb、Ta、Ti和Y中的至少一种的Co合金。Co合金优选包含80原子％以上的Co。在这样的Co合金的情况下，当通过溅射沉积时，容易形成非晶层。由于非晶软磁性材料不具有结晶各向异性、晶体缺陷和颗粒边界，其呈现优良的软磁性且能够降低介质噪声。非晶软磁性材料的优选实例包括CoZr基、CoZrNb基和CoZrTa基合金。

可以在软磁性衬层之下进一步形成衬层，以改善软磁性衬层的结晶度或者改善软磁性衬层与基底的附着性。作为这样的衬层的材料，可以使用Ti、Ta、W、Cr、Pt、包含这些金属的合金或者这些金属的氧化物或氮化物。可以在软磁性衬层与记录层之间形成由非磁性材料制成的中间层。中间层具有两个作用，包括切断软磁性衬层与记录层之间的交换耦合相互作用的作用以及控制记录层的结晶度的作用。作为用于中间层的材料，可以使用Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、包含这些金属的合金或者这些金属的氧化物或氮化物。

为了防止尖峰噪声，可以将软磁性衬层分成多个层，并且在它们之间插入厚度为0.5至1.5nm的Ru层，以获得反铁磁性耦合。并且，软磁性层可以与具有纵向各向异性的诸如CoCrPt、SmCo或FePt的硬磁性膜、或者诸如IrMn和PtMn的反铁磁性材料的钉扎层(pinning layer)交换耦合。可以在Ru层上下设置磁性膜(如Co)和非磁性膜(如Pt)，以控制交换耦合力。

<磁记录层>

对于垂直磁记录层，优选使用包含作为主要成分的Co、至少Pt和进一步地氧化物的材料。如果需要，垂直磁记录层可以包含Cr。作为氧化物，特别优选氧化硅或氧化钛。垂直磁记录层优选具有这样的结构，其中在该层中分散着磁性颗粒，即具有磁性的晶体颗粒。磁性颗粒优选具有柱状结构，该柱状结构在厚度方向上贯穿垂直磁记录层。这样的结构的形成改善了垂直磁记录层的磁性颗粒的取向和结晶度，结果可以提供适于高密度记录的信噪比(SN比)。所包含的氧化物的量对于获得这样的结构很重要。

在垂直磁记录层中的氧化物的含量优选为基于Co、Cr和Pt的总量的3mol％以上且12mol％以下，更优选为5mol％以上且10mol％以下。优选使垂直磁记录层中的氧化物含量在上述范围内的原因在于，在形成垂直磁记录层时，氧化物在磁性颗粒周围沉淀，且可以分隔微细的磁性颗粒。如果氧化物含量超过上述范围，氧化物残留在磁性颗粒中，从而破坏磁性颗粒的取向和结晶度。此外，氧化物在磁性颗粒的上部和下部上沉淀，产生不希望的结果，即不形成其中在厚度方向上贯穿垂直磁记录层的磁性颗粒的柱状结构。不希望氧化物含量低于上述范围，这是因为微细的磁性颗粒被不充分地分隔，导致再现信息时噪声增大并因此不能提供适于高密度记录的信噪比(SN比)。

垂直磁记录层中的Cr含量优选为0原子％以上且16原子％以下，更优选10原子％以上且14原子％以下。垂直磁记录层中的Cr含量优选在上述范围内的原因在于，磁性颗粒的单轴结晶磁各向异性常数Ku不会太大幅度地减小，从而维持高磁化，结果，提供适于高密度记录的读/写特性和足够的热扰动特性。不希望Cr含量超过上述范围，这是因为磁性颗粒的Ku降低，因而使热波动特性劣化，并且损害磁性颗粒的结晶度和取向，导致读/写特性的劣化。

垂直磁记录层中的Pt含量优选为10原子％以上且25原子％以下。垂直磁记录层中的Pt含量优选在上述范围内的原因在于，提供垂直磁记录层所需的Ku值，并进一步改善磁性颗粒的结晶度和取向，结果提供适于高密度记录的热波动特性和读/写特性。不希望Pt含量超过上述范围，这是因为在磁性颗粒中形成具有fcc结构的层，并且有可能损害结晶度和取向。不希望Pt含量低于上述范围，这是因为不能提供满足适于高密度记录的热波动特性的Ku值。

除了Co、Cr、Pt和氧化物以外，垂直磁记录层还可以包含选自B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru和Re的至少一种或多种元素。当包含上述元素时，促进微细的磁性颗粒的形成，或者可以改善结晶度和取向，从而可以提供适于高密度记录的读/写特性和热波动特性。上述元素的总含量优选为8原子％以下。不希望该含量超过8原子％，这是因为，在磁性颗粒中形成除了hcp相以外的相，并且磁性颗粒的结晶度和取向受到干扰，结果，不能提供适于高密度记录的读/写特性和热波动特性。

作为垂直磁记录层，可以使用CoPt基合金、CoCr基合金、CoPtCr基合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSi，或者由包含选自Pt、Pd、Rh和Ru的至少一种的合金层和Co层构成的多层结构、以及通过将Cr、B或O添加到这些层而获得的材料，例如CoCr/PtCr、CoB/PdB和CoO/RhO。

垂直磁记录层的厚度优选为5至60nm，更优选为10至40nm。当厚度在该范围内时，可以制成适于更高密度记录的磁记录装置。如果垂直磁记录层的厚度小于5nm，读取输出过低，且噪声成分倾向于较高。如果垂直磁记录层的厚度超过40nm，读取输出过高，且波形倾向于变形。垂直磁记录层的矫顽力优选为237000A/m(3000Oe)以上。如果矫顽力低于237000A/m(3000Oe)，热波动耐性倾向于劣化。垂直磁记录层的垂直度(perpendicular squareness)优选为0.8以上。如果垂直度小于0.8，热波动耐性倾向于劣化。

<保护层>

为了防止垂直磁记录层的侵蚀且当磁头接触介质时防止介质表面受到损伤，设置保护层。保护层材料的实例包括包含C、SiO₂或ZrO₂的材料。保护层的厚度优选为1至10nm。由于可以减小磁头与介质之间的距离，因此该厚度是对于高密度记录优选的。可以将碳分类为sp²-键合的碳(石墨)和sp³-键合的碳(金刚石)。虽然sp³-键合的碳在耐用性和耐腐蚀性方面优于石墨，但由于是结晶材料，因此其在表面粗糙度方面差于石墨。通常，通过使用石墨靶溅射来沉积碳。在该方法中，形成其中sp²-键合的碳与sp³-键合的碳混合的非晶碳。其中sp³-键合的碳的比率大的碳被称为类金刚石碳(DLC)。该碳在耐用性和耐腐蚀性方面以及在表面粗糙度方面都很优良，这是因为其是非晶的，因此被用作磁记录介质的表面保护层。通过在等离子体和化学反应中激发和分解原料气体，借助于CVD(化学气相沉积)的DLC沉积产生DLC，因此，可以通过控制条件来形成更富sp³-键合的碳的DLC。

接下来，将说明在本发明的实施例中的每一个步骤中的优选制造条件。

<压印>

通过旋涂，对基底的表面施加抗蚀剂，然后将压模压在抗蚀剂上，从而将压模的图形转移到抗蚀剂上。作为抗蚀剂，例如，可以使用常规的线型酚醛清漆型光致抗蚀剂或者旋涂玻璃(SOG)。使压模的表面面对抗蚀剂，在该压模上形成有与伺服信息和记录磁道对应的凸凹图形。在该工艺中，将压模、基底和缓冲层设置在模具(die set)的下板上，并且夹在模具的下板和上板之间，例如，在2000bar的压力下挤压60秒。通过压印在抗蚀剂上形成的图形的凸起的高度为例如60至70nm。保持上述条件约60秒，以使被排除的抗蚀剂移动。在这种情况下，如果对压模施加含氟的脱模剂，可以使压模从抗蚀剂令人满意地脱离。

<抗蚀剂残留物的去除>

通过RIE(反应离子蚀刻)去除在抗蚀剂的凹陷底部上留下的未被去除的抗蚀剂残留物。在该工艺中，使用与抗蚀剂材料对应的合适的工艺气体。作为等离子体源，虽然优选在低压下能够产生高密度等离子体的ICP(感应耦合等离子体)装置，但可以采用ECR(电子回旋共振)等离子体或一般的平行板RIE装置。

<磁记录层的蚀刻>

在去除抗蚀剂残留物后，将抗蚀剂图形用作蚀刻掩模，加工磁记录层。对于磁记录层的加工，优选采用Ar离子束的蚀刻(Ar离子铣削)。可以通过采用Cl气体或者CO和NH₃的混合气体的RIE来执行加工。在采用CO和NH₃的混合气体的RIE的情况下，由Ti、Ta或W制成的硬掩模被用作蚀刻掩模。当采用RIE时，凸起的磁图形的侧壁上几乎不形成锥形。在通过能够蚀刻任何材料的Ar离子铣削加工磁记录层时，如果在例如将加速电压设定为400V且离子入射角在30°至70°之间变化的条件下进行蚀刻，在凸起的磁图形的侧壁上几乎不形成锥形。在用ECR离子枪铣削时，如果在静态对立设置(static opposition arrangement)(离子入射角为90°)下进行蚀刻，在凸起的磁图形的侧壁上几乎不形成锥形。

<抗蚀剂的剥离>

在蚀刻磁记录层后，剥离抗蚀剂。当采用常规光致抗蚀剂作为抗蚀剂时，通过氧等离子体处理，抗蚀剂可以容易地被剥离。具体地，光致抗蚀剂是通过采用氧灰化装置，在以下条件下被剥离的：室压力为1Torr，功率为400W，以及加工时间为5分钟。当SOG被用作抗蚀剂时，通过采用含氟气体的RIE剥离SOG。作为含氟气体，CF₄或CF₆是合适的。注意，因为在大气中含氟气体与水汽反应而产生诸如HF、H₂SO₄的酸，优选用水进行冲洗。

<非磁性材料的回蚀刻>

进行对非磁性材料的回蚀刻，直到露出磁记录层(或者在磁记录层上的碳保护膜)。优选通过Ar离子铣削或利用ECR离子枪的蚀刻进行该回蚀刻工艺。

<保护层的沉积和后处理>

在回蚀刻后，沉积碳保护层。可以通过CVD、溅射或真空蒸发沉积碳保护层。通过CVD，形成包含大量sp³-键合的碳的DLC膜。由于产生不令人满意的覆盖率，不优选厚度小于2nm的碳保护层。另一方面，由于增大了读/写头与介质之间的磁间隔，导致SNR的降低，因此，不优选厚度超过10nm的碳保护层。对保护层的表面施加润滑剂。作为润滑剂，使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟代羧酸等。

实例

实例1

通过图2A至2I所示的方法，将其凸起和凹陷的图形包括伺服图形(前导码、地址和脉冲部分)和记录磁道的压模用于制造DTR介质。将Ru用于牺牲层55，且将NiNbTi用于非磁性材料57。将牺牲层(Ru)的厚度设定为5nm。在图2F中，在以下条件下通过DC溅射沉积厚度为50nm的NiNbTi膜：Ar流速为100sccm，且室压力为0.52Pa。在图2G中，使用ECR离子枪，将微波功率和加速电压分别设定为800W和500V，并辐照Ar离子3分钟，以执行回蚀刻。再重复图2F和2G的工艺一次(非磁性材料的沉积和回蚀刻的重复次数为两次)。在图2H中，进行对包括牺牲层55的层的回蚀刻，以平坦化表面。然后，通过CVD沉积4nm厚的DLC，以形成保护层58，从而制成DTR介质。

对于上述DTR介质，利用截面TEM(透射电子显微镜)观测中间磁道区。结果，确认表面几乎是平坦的，虽然在表面上残留有深度为约4nm的微细凹陷。通过AFM(原子力显微镜)观测在外周侧上具有宽凸起(凸起的宽度为约700nm)的地址部分的表面粗糙度。结果，确认Rmax为约4nm，表明即使在具有大宽度的凸起的区域中，表面也是令人满意地平坦的。用自旋支架(spin stand)观测读出信号。结果，未发现信号强度的分散(dispersion)。

比较实例1

除了不沉积牺牲层之外，以与实例1中相同的方式制造DTR介质。对于该DTR介质，利用截面TEM(透射电子显微镜)观测中间磁道区。结果，确认表面几乎是平坦的，虽然在表面上残留有深度为约4nm的微细凹陷。然而，当通过AFM(原子力显微镜)观测在外周侧上具有宽凸起(凸起的宽度为约700nm)的地址部分的表面粗糙度时，发现Rmax为约10nm。并且，当用自旋支架观测读出信号时，发现信号强度在外周侧比在内周侧低，表明外周侧的表面不平坦。处于这样状态的DTR不能被用于HDD。因此，在不使用牺牲层的情况下，有必要进一步增加对非磁性材料的沉积和回蚀刻的重复次数。

实例2

除了将牺牲层的厚度设定为10nm、20nm或30nm之外，以与实例1中相同的方式制造DTR介质。对于每个DTR介质，利用截面TEM(透射电子显微镜)观测中间磁道区。使用具有10nm厚度的牺牲层制成的介质的表面非常平坦。确认使用具有20nm厚度的牺牲层制成的介质的表面几乎是平坦的，虽然在表面上残留有深度为约4nm的微细凹陷。在使用具有30nm厚度的牺牲层制成的介质的情况下，在表面上残留有深度为约13nm的凹陷。

考虑磁头的浮动特性，在表面上的凹陷的深度优选为5nm以下，因此，优选使用具有20nm以下的厚度的牺牲层。

实例3

除了将SiO₂用于牺牲层之外，以与实例1中相同的方式制造DTR介质。对于该DTR介质，利用截面TEM(透射电子显微镜)观测中间磁道区。结果，确认表面几乎是平坦的，虽然在表面上残留有深度为约4nm的微细凹陷。

在遮光测试(light-shielded test)中观测介质的表面。结果，与实例的介质相比，观测到许多尘埃(dust)。当使用非金属材料时，在沉积牺牲层时容易发生电弧放电，导致引起尘埃的产生。因此，优选将金属材料用于牺牲层。

本领域的技术人员很容易想到其它优点和修改。因此，本发明在其更宽的方面不限于这里示出和说明的具体细节和示范性实施例。因此，只要不脱离由所附的权利要求及其等价物所限定的总发明构思的精神或范围，可以进行各种修改。

Claims (6)

1.一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：

在基底上沉积磁记录层和牺牲层；

构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；

在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及

回蚀刻所述非磁性材料。

2.根据权利要求1的方法，其中所述牺牲层的蚀刻速度高于所述非磁性材料的蚀刻速度。

3.根据权利要求1的方法，其中所述牺牲层由金属形成。

4.根据权利要求3的方法，其中所述金属选自Ru、Ni、Al、W、Cr、Cu、Pt和Pd。

5.根据权利要求1的方法，其中所述牺牲层的厚度为3nm以上且20nm以下。

6.根据权利要求1的方法，其中重复所述非磁性材料的沉积和所述非磁性材料的回蚀刻两次或多次。

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