CN101525142A - 一种制备MgO一维纳米材料的方法 - Google Patents
一种制备MgO一维纳米材料的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101525142A CN101525142A CN200910068361A CN200910068361A CN101525142A CN 101525142 A CN101525142 A CN 101525142A CN 200910068361 A CN200910068361 A CN 200910068361A CN 200910068361 A CN200910068361 A CN 200910068361A CN 101525142 A CN101525142 A CN 101525142A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mgo
- speed
- preparing
- complexing agent
- warming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种制备MgO一维纳米材料的方法,包括以下过程:配制成质量浓度为1~6%的有机络合水溶液;将含有镁元素的金属盐和有机络合水溶液按金属盐和有机络合剂的质量比1∶5~5∶1均匀混合;将基板浸入混合溶液,平铺在溶液底部;将置有基板的混合溶液置于烘箱中并以5~20℃/min的速率升温至120~150℃,保温0.5~3h;将制得的样品转移到箱式电阻炉中,以5~20℃/min的速率升温至290~310℃,保温0.5~1h;以5~20℃/min的速率升温至530~560℃,保温0.5~3h,在基板上形成MgO一维纳米材料。本发明提供的工艺,可制得尺寸更小更加均一的纳米材料,工艺也进一步简化,原料可选范围更加广泛,从而进一步降低了制作成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种制备MgO一维纳米材料的方法,属于烧结制备MgO一维纳米材料的技术。
背景技术
纳米MgO具有不同于本体材料的光、电、磁及化学特性,在电子、催化、陶瓷等领域有着广泛的应用。MgO的禁带宽度为,Eg=7.8eV。纳米MgO微粒可以实现低温烧结,并缩短烧结时间,制成致密度高的纳米陶瓷。它可以作为氧化锆、氧化铝、氧化铁等其他纳米粒子的烧结助剂和稳定剂而获得高质量的纳米相陶瓷。另外,纳米MgO可作为油漆、纸张及化妆品的填料,塑料和橡胶的添加剂和补强剂,电子材料和耐火材料的辅助剂等。
纳米MgO制备的方法主要有气相法、溶胶-凝胶法、醇盐水解法、喷雾热解法、均匀沉淀法等。迄今的文献报道中制备MgO一维纳米材料的方法主要集中在水热法,但是此类反应需要在高压釜环境下进行,设备复杂,并需要24小时以上的漫长反应时间,这些都限制了这种工艺的推广,难以实现大规模生长。
专利号为200510122214的发明专利“制备氧化锌纳米线或氧化锌纳米带的方法”,提供了一种制备氧化锌纳米线或氧化锌纳米带的方法。发明人在后续的工艺研究中发现,当采用该专利提供的工艺制备如ZnO之类的纳米线或纳米带时,会由于保温阶段的增加,而使得纳米材料的尺寸过大,而且该工艺比较复杂,制作成本也比较高。同时在原料选择方面,如果限制为金属醋酸盐和聚乙烯醇,则会局限工艺的设计。
发明内容
本发明的目的提供一种制备MgO一维纳米材料的方法,该方法过程简单,费用较低,可与集成电路、半导体工艺兼容。
本发明是通过以下技术方案加以实现的:一种制备MgO一维纳米材料的方法,其特征在于,包括以下过程:
1)以含有羟基、羧基或氨基三种官能团中一种或一种以上的有机物质作为有机络合剂,在75~95℃水浴或者加热条件下,将所述的有机络合剂溶入去离子水中,配制成质量浓度为1~6%的有机络合溶液;
2)将含有镁元素的水溶性金属盐和所述的有机络合水溶液按金属盐和有机络合剂的质量比1∶5~5∶1均匀混合;
3)将基板浸入混合溶液,平铺在溶液底部;
4)将步骤3)的置有基板的混合溶液置于烘箱中并以5~20℃/min的速率升温至120~质量比1∶5~5∶1均匀混合;
3)将基板浸入混合溶液,平铺在溶液底部;
4)将步骤3)的置有基板的混合溶液置于烘箱中并以5~20℃/min的速率升温至120~150℃,保温0.5~3h;
5)将步骤4)制得的样品转移到箱式电阻炉中,以5~20℃/min的速率升温至290~310℃,保温0.5~1h;以5~20℃/min的速率升温至530~560℃,保温0.5~3h,在基板上形成MgO一维纳米材料。
上述的制备MgO一维纳米材料的方法,所述的有机络合剂为含有羟基、羧基或氨基三种官能团中一种或一种以上的有机物质作为有机络合剂,如明胶、壳聚糖、环糊精、羧甲基纤维素钠、硼氢化钾、聚乙烯醇,并不只限于此例;所述的含有镁元素的水溶性金属盐为氯化镁或乙酸镁;所述的基板为硅、石英或玻璃材质。
本发明的有益效果为:采用含镁元素的金属盐(镁的所有水溶性无机盐,如氯化镁等;镁的所有水溶性有机盐,如乙酸镁等)和有机络合剂(明胶、壳聚糖、环糊精、羧甲基纤维素钠、硼氢化钾、聚乙烯醇等,不只限于这些物质,可作为有机络合剂的物质,包括所有含有羟基、羧基、氨基三种官能团中一种或一种以上的有机物质)制备MgO一维纳米材料,具有可控性强、操作简单、费用较低等优点,MgO一维纳米材料的,长度可达10μm以上。由于有机络合剂具有丰富的、分布均匀的官能团(如羟基、羧基、氨基等),镁阳离子与有机络合剂上的官能团相互作用,使镁盐在有机络合剂的空间构架中定位、排布,经程控式快速升温热处理,含镁元素的金属盐和有机络合剂分阶段发生分解、裂解、氧化等反应,通过控制程序升温参数和不同浓度的配比实现MgO一维纳米材料可控合成。由于热处理温度低,可与现有的集成电路、半导体工艺兼容。相较于之前发明人申请的制备氧化锌纳米线的工艺路线,本发明提供的工艺,由于减少了保温阶段,可制得尺寸更小的纳米材料,同时纳米材料的尺寸更加均一,且呈现阵列排布的趋势,而且工艺也进一步简化,从而进一步降低了制作成本。同时在原料选择方面,更加宽泛,使得合成工艺的设计与条件参数选取空间更大。
具体实施方法
概括而言,本发明的制备方法如下:
1)在75~95℃水浴或者加热条件下,将有机络合剂(明胶、壳聚糖、环糊精、羧甲基纤维素钠、硼氢化钾、聚乙烯醇等,不只限于这些物质,可作为有机络合剂的物质,包括所有含有羟基、羧基、氨基的有机物质)溶入去离子水中,配制成质量浓度为1~6%的有机络合溶液;
2)将含有镁元素的金属盐(镁的所有水溶性无机盐,如氯化镁等;镁的所有水溶性有机盐,如乙酸镁等)和有机络合水溶液按金属盐和有机络合剂的质量比1∶5~5∶1均匀混合;
3)将基板(如硅、石英或玻璃)浸入混合溶液,平铺在溶液底部;
4)将步骤3)的置有基板的混合溶液置于烘箱中并以5~20℃/min的速率升温至120~150℃,保温0.5~3h;
5)将步骤4)制得的样品转移到箱式电阻炉中,以5~20℃/min的速率升温至290~310℃,保温0.5~1h;以5~20℃/min的速率升温至530~560℃,保温0.5~3h,在基板上形成MgO一维纳米材料。
下面以MgCl2、Mg(NO3)2、Mg(CH3COO)2和明胶、聚乙烯醇制备的MgO一维纳米材料为例来说明如何实施本发明,本发明不限于这些实施例。
实施例1
在石英烧杯中,在75~95℃水浴或者加热条件下,将4g聚乙烯醇溶于100ml去离子水;加入2gMgCl2,采用磁力搅拌0.5h,转速800转/min,用40KHz、150W的超声波分散0.5h。将石英玻璃基板平铺在石英烧杯底部。然后将石英烧杯置于烘箱中并以5℃/min的速率升温至120℃,保温0.5h,直至烘干。将样品转移到箱式电阻炉中,以5℃/min的速率升温至300℃下热处理0.5h;以5℃/min的速率升温至550℃,保温1h。SEM观察发现,在基板上形成直径30~50nm、长度超过15μm的纳米线。
实施例2
本实施例与实施1相似,不同之处在于步骤2中Mg(CH3COO)2和明胶的用量均为4g,以10℃/min的速率升温至130℃,保温0.5h,直至烘干。将样品转移到箱式电阻炉中,以10℃/min的速率升温至310℃下热处理0.5h;以10℃/min的速率升温至560℃,保温1h。SEM观察发现,产物为直径约50~80nm的纳米棒,长度10μm。
实施例3
本实施例与实例1相似,不同之处在于步骤2中Mg(NO3)2和明胶的用量为4g和2g,以15℃/min的速率升温至150℃,保温1h,直至烘干。将样品转移到箱式电阻炉中,以15℃/min的速率310℃,保温1h;以15℃/min的速率升温至560℃,保温3h。SEM观察发现,产物为直径约80~100nm的纳米棒,长度10μm,且相貌伴有方形口的纳米管出现。
实施例4
本实施例与实例1相似,不同之处在于步骤2中MgCl2和明胶的用量为4g和2g,以20℃/min的速率升温至140℃,保温1h,直至烘干。将样品转移到箱式电阻炉中,以20℃/min的速率315℃,保温1h;以20℃/min的速率升温至550℃,保温2h。SEM观察发现,产物为直径约100~150nm的纳米棒,长度10μm。
实施例5
本实施例与实例3相似,不同之处在于步骤2中,本实施例只采用机械搅拌0.5h,转速800转/min。SEM观察发现,产物中有直径100~1000nm、长度约10μm的纳米线和表面有残缺的纳米棒。
Claims (4)
1.一种制备MgO一维纳米材料的方法,其特征在于,包括以下过程:
1)以含有羟基、羧基或氨基三种官能团中一种或一种以上的有机物质作为有机络合剂,在75~95℃水浴或者加热条件下,将所述的有机络合剂溶入去离子水中,配制成质量浓度为1~6%的有机络合溶液;
2)将含有镁元素的水溶性金属盐和所述的有机络合水溶液按金属盐和有机络合剂的质量比1∶5~5∶1均匀混合;
3)将基板浸入混合溶液,平铺在溶液底部;
4)将步骤3)的置有基板的混合溶液置于烘箱中并以5~20℃/min的速率升温至120~150℃,保温0.5~3h;
5)将步骤4)制得的样品转移到箱式电阻炉中,以5~20℃/min的速率升温至290~310℃,保温0.5~1h;以5~20℃/min的速率升温至530~560℃,保温0.5~3h,在基板上形成MgO一维纳米材料。
2.根据权利要求1所述的制备MgO一维纳米材料的方法,其特征在于,所述的有机络合剂为含有羟基、羧基或氨基三种官能团中一种或一种以上的有机物质作为有机络合剂,如明胶、壳聚糖、环糊精、羧甲基纤维素钠、硼氢化钾、聚乙烯醇,并不只限于此例。
3.根据权利要求1所述的制备MgO一维纳米材料的方法,其特征在于,所述的含有镁元素的水溶性金属盐为氯化镁或乙酸镁。
4.根据权利要求1所述的制备MgO一维纳米材料的方法,其特征在于,所述的基板为硅、石英或玻璃材质。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910068361A CN101525142A (zh) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 一种制备MgO一维纳米材料的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200910068361A CN101525142A (zh) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 一种制备MgO一维纳米材料的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101525142A true CN101525142A (zh) | 2009-09-09 |
Family
ID=41093243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910068361A Pending CN101525142A (zh) | 2009-04-03 | 2009-04-03 | 一种制备MgO一维纳米材料的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101525142A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102992359A (zh) * | 2011-09-15 | 2013-03-27 | 华东理工大学 | 一种制备Tasker Ⅲ型(111)晶面MgO的溶剂热方法 |
CN103628181A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-03-12 | 华东师范大学 | 一种氧化镁复合纤维的制备方法 |
CN109371385A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-02-22 | 福建龙新三维阵列科技有限公司 | 一种片状氧化镁或掺杂氧化镁阵列的制备方法 |
-
2009
- 2009-04-03 CN CN200910068361A patent/CN101525142A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102992359A (zh) * | 2011-09-15 | 2013-03-27 | 华东理工大学 | 一种制备Tasker Ⅲ型(111)晶面MgO的溶剂热方法 |
CN102992359B (zh) * | 2011-09-15 | 2015-06-03 | 华东理工大学 | 一种制备TaskerIII型(111)晶面MgO的溶剂热方法 |
CN103628181A (zh) * | 2013-11-06 | 2014-03-12 | 华东师范大学 | 一种氧化镁复合纤维的制备方法 |
CN103628181B (zh) * | 2013-11-06 | 2015-08-19 | 华东师范大学 | 一种氧化镁复合纤维的制备方法 |
CN109371385A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-02-22 | 福建龙新三维阵列科技有限公司 | 一种片状氧化镁或掺杂氧化镁阵列的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102050479B (zh) | 一种二氧化铈纳米棒及其制备方法 | |
CN100534675C (zh) | 一种球形纳米银粉的制备方法 | |
CN102923770B (zh) | 一种钇稳定纳米二氧化锆粉体的制备方法 | |
CN102786083A (zh) | 一种二氧化钛纳米空心球的制备方法 | |
CN101525155B (zh) | 一种制备三氧化二锰一维纳米材料的方法 | |
CN104439276B (zh) | 一种快速制备中空多孔二氧化硅/银纳米复合材料的方法及产品 | |
CN101525158B (zh) | 一种制备三氧化二铁一维纳米材料的方法 | |
CN105481264B (zh) | 一种形貌可控的wo3薄膜的制备方法 | |
CN101811725B (zh) | 一种笼状纳米氧化锌及其制备方法 | |
CN101857428A (zh) | 一种导电氧化锌粉体的制备方法 | |
CN101585552A (zh) | 由TiO2纳米晶水溶胶制备TiO2多孔薄膜的方法 | |
CN101525148A (zh) | 一种制备氧化铜一维纳米材料的方法 | |
CN101531403B (zh) | 一种制备四氧化三钴一维纳米材料的方法 | |
CN100391845C (zh) | 一种用自蔓延溶胶凝胶法制备纳米氧化镁的方法 | |
CN101525142A (zh) | 一种制备MgO一维纳米材料的方法 | |
CN101525161B (zh) | 一种制备氧化镍一维纳米材料的方法 | |
KR101143859B1 (ko) | 초음파 분무열분해법에 의한 이종원소가 도핑된 산화아연분말의 합성법 | |
CN107416888A (zh) | 一种纳米氧化铜的制备方法 | |
CN101254939B (zh) | 一种通过碱腐蚀反应制备氧化锌纳米空心球的方法 | |
KR102403099B1 (ko) | 포르스테라이트 미립자의 제조 방법 | |
CN104227017A (zh) | 一种粒径可控银纳米粒子的制备方法 | |
CN103862062A (zh) | 铜纳米粒子均匀掺杂亚微米碳球复合材料及其一步合成方法 | |
CN107445202B (zh) | 一种小尺寸、超分散纳米氧化锆基涂层粉体的制备方法 | |
CN101525150B (zh) | 一种制备氧化铅一维纳米材料的方法 | |
Chu et al. | Synthesis of Bi–Bi2O3/C hybrid nanocomposite as a high performance photocatalyst |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090909 |