CN101490858B - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN101490858B
CN101490858B CN2007800088491A CN200780008849A CN101490858B CN 101490858 B CN101490858 B CN 101490858B CN 2007800088491 A CN2007800088491 A CN 2007800088491A CN 200780008849 A CN200780008849 A CN 200780008849A CN 101490858 B CN101490858 B CN 101490858B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
electrode
luminous component
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007800088491A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101490858A (zh
Inventor
舛谷享祐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority claimed from PCT/JP2007/052896 external-priority patent/WO2007094476A1/en
Publication of CN101490858A publication Critical patent/CN101490858A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101490858B publication Critical patent/CN101490858B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种发光二极管(10)具有主光提取表面并包括具有半导体层(130至135)的化合物半导体层(13)、在所述化合物半导体层中包含的发光部分(12)、在所述发光部分中包含的发光层(133)、被接合到所述化合物半导体层的透明衬底(14)、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上形成的极性相反的第一和第二电极(15、16)。在通过去除所述半导体层(132至134)而暴露的化合物半导体层的一部分上的位置处形成所述第二电极，并且所述第二电极具有由所述半导体层包围的其周边。所述主光提取表面具有最大宽度为0.8mm或更大的外部形状。

Description

发光二极管
相关申请的交叉引用
本申请是基于35U.S.C.§111(a)提交的申请，根据35U.S.C.§119(e)(1)，要求根据35U.S.C.§111(b)于2006年2月22日提交的临时申请No.60/775,359和2006年2月14日提交的日本专利申请No.2006-036169的优先权。
技术领域
本发明涉及发光二极管，具体而言涉及具有高亮度的透明衬底、接合型、大尺寸的发光二极管。
背景技术
作为能够发射红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的发光二极管(LED)，迄今已公知具有由铝镓铟磷化物((AlXGa1-X)YIn1-YP，其中0≤X≤1和0<Y≤1)形成的发光层的化合物半导体LED。在这种LED中，一般在例如砷化镓(GaAs)的衬底材料上形成具有由(AlXGa1-X)YIn1-YP(其中0≤X≤1和0<Y≤1)形成的发光部分，该衬底对于从发光层发射的光而言是不透明的而且机械强度不强。
因此，近年来为了获得更高亮度的可见光LED以及为了进一步提高器件的机械强度，已开发了用于构建接合LED的技术，该技术去除了对于发射的光而言不透明的衬底材料，然后重新并入这样的支撑层，该支撑层由能够透射发射的光的透明材料构成并且机械强度比以前更好(例如，参考日本专利No.3230638，JP-A HEI6302857，JP-A2002-246640，日本专利2588849以及JP-A2001-57441)。
为了获得高亮度的可见光LED，已采用了通过利用器件的形状来提高光提取效率的方法。在构建具有分别在半导体发光二极管的第一表面和背表面上形成的电极的器件中，已公开了用于通过利用侧面的形状来实现亮度提高的技术(例如，参考JP-A SHO58-34985和美国专利No.6229160)。
虽然接合型LED已可以提供高亮度的LED，但是仍需要继续寻找更高亮度的LED。对于如此配置的使电极分别形成在发光二极管的第一表面和背面上的器件，已提出了许多的形状。具有在光提取表面上形成的两个电极的结构的器件，形状是复杂的并且未最优化侧面的状态和电极的位置。
本发明是为了解决上述问题而提出的并涉及具有设置在其光提取表面上的两个电极的发光二极管，以及涉及提供一种呈现出高光提取效率的高亮度发光二极管。
发明内容
作为本发明的第一方面，本发明提供了一种发光二极管，其具有主光提取表面并包括：包括半导体层的化合物半导体层、在所述化合物半导体层中包含的发光部分、包含在所述发光部分中的发光层、被接合到所述化合物半导体层的透明衬底、以及在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上形成的极性相反的第一电极和第二电极，其中所述第二电极被形成在通过去除所述半导体层而暴露的所述化合物半导体层的一部分上的位置处并具有由所述半导体层包围的周边，以及其中所述主光提取表面具有这样的外部形状，所述外部形状具有0.8mm或更大的最大宽度。
本发明的第二方面涉及所述第一方面的发光二极管，其中所述透明衬底是所述发光部分发射的光能够通过的衬底。
本发明的第三方面涉及所述第一方面或第二方面的发光二极管，其中所述透明衬底包含近似垂直于并位于所述发光部分的一侧上的第一侧面以及延续到所述第一侧面并具有在远离所述发光层的一侧上形成的倾斜的表面的第二侧面。
本发明的第四方面涉及所述第三方面的发光二极管，其中所述第二侧面的所述倾斜的表面具有10°或更大并小于20°的倾角，并且其中当如投影在发光表面上一样观察时，所述发光部分具有在所述第二侧面之上形成的所述发光部分的一部分。
本发明的第五方面涉及所述第一方面至第四方面中的任何一项的发光二极管，其中所述透明衬底具有底表面，在所述底表面上形成具有范围在0.1μm至10μm的高度差的不平整度。
本发明的第六方面涉及所述第一方面至第五方面中的任何一项的发光二极管，其中所述透明衬底由GaP形成。
本发明的第七方面涉及所述第六方面的发光二极管，其中所述透明衬底由n型GaP形成并且具有作为主表面的粗糙(111)面。
本发明的第八方面涉及所述第一方面至第七方面中的任何一项的发光二极管，其中所述透明衬底具有范围为50μm至300μm的厚度。
本发明的第九方面涉及所述第一方面至第八方面中的任何一项的发光二极管，其中所述发光层、第一电极和第二电极分别具有面积SA、S1和S2，在所述发光二极管具有100％的面积的外部形状的发光表面的条件下，其满足关系80％<SA<90％、10％<S1<20％和5％<S2<10％。
本发明的第十方面涉及所述第一方面至第九方面中的任何一项的发光二极管，其中所述第二电极包括相同长度的两个或更多的直线路和一个或多个线路，所述两个或更多的相同长度的直线路彼此平行延伸并在其相对的侧部上具有端点，其中连接每一个侧部上的所述端点的假想线基本上平行于所述发光二极管的侧面，所述一个或多个线路在所述平行直线路的相对的侧部中的任选的一个侧部处连接在两个邻近的平行直线路的较近的侧部上的端点。
本发明的第十一方面涉及所述第三方面至第十方面中的任何一项的发光二极管，其中当将所述第二电极投影在发光表面上时，所述第二电极倾向于位于所述第二面的所述倾斜的表面的范围之外。
本发明的第十二方面涉及所述第一方面至第十一方面中的任何一项的发光二极管，其中所述第二电极的末端与所述发光部分的末端之间的距离Eμm与主光发射波长λD满足关系570<λD<635和0.8×λD-350<E<1.6×λD-750。
本发明的第十三方面涉及所述第一方面至第十二方面中的任何一项的发光二极管，其中当通过组合具有15μm或更小的宽度的线路来形成所述第一电极时，邻近的线路之间的距离Dμm与主光发射波长λD nm满足关系570<λD<635和0.4×λD-200<D<0.8×λD-400。
本发明的第十四方面涉及所述第一方面至第十三方面中的任何一项的发光二极管，还包括透明导电薄膜，形成所述透明导电薄膜以便覆盖所述第一电极和至少部分的所述光提取表面。
本发明的第十五方面涉及所述第十四方面的发光二极管，其中所述透明导电膜由ITO形成。
本发明的第十六方面涉及所述第一方面至第十五方面中的任何一项的发光二极管，其中所述发光部分包含GaP层并在所述GaP层上形成所述第二电极。
本发明的第十七方面涉及所述第一方面至第十六方面中的任何一项的发光二极管，其中所述第一电极是n型极性以及所述第二电极是p型极性。
本发明的第十八方面涉及所述第一方面至第十七方面中的任何一项的发光二极管，其中包含所述发光部分的所述化合物半导体层由(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1，0<Y≤1)的成分形成。
本发明的第十九方面涉及所述第一方面至第十八方面中的任何一项的发光二极管，其中所述发光部分包含AlGaInP。
本发明的第二十方面涉及所述第三方面至第十九方面中的任何一项的发光二极管，其中通过划片(dicing)方法形成所述第一侧面和所述第二侧面。
根据本发明，可以提高从LED的所述发光部分的提取光的效率，从而提供呈现高亮度的发光二极管。
参考附图，以及下面给出的说明，本发明的上述和其它目的、特征和优点对于本领域的技术人员将变得显而易见。
附图说明
图1是根据本发明的实例1的半导体发光二极管的平面图；
图2是沿图1中的线II-II所取得的半导体发光二极管的截面图；
图3是根据本发明的实例1和比较实例1的外延晶片的截面图；
图4是根据本发明的实例1和比较实例的半导体发光灯的截面图；
图5是图4的半导体发光二极管灯的截面图；
图6是根据本发明的实例2的半导体发光二极管的平面图；
图7根据本发明的实例2的另一半导体发光的平面图；
图8是根据对比实例2的半导体发光二极管的平面图；
图9是根据本发明的实例3的半导体发光二极管的平面图；
图10是根据本发明的实例3的另一半导体发光二极管的平面图；
图11是根据本发明的实例3的又一半导体发光二极管的平面图；
图12是根据本发明的实例3的又一半导体发光二极管的平面图；
图13是根据本发明的实例3的又一半导体发光二极管的平面图；
图14是根据本发明的实例3的又一半导体发光二极管的平面图；
图15是根据本发明的实例3的又一半导体发光二极管的平面图；
图16是根据本发明的实例4的半导体发光二极管的平面图；
图17是沿图16的线XVII-XVII所取得的半导体发光二极管的截面图；
图18是示出了光发射的波长(nm)与所发射的光离开电极的距离E(μm)之间的关系的图；以及
图19是示出了第一电极的间隔D(μm)与光发射的波长(nm)之间的关系的图。
具体实施方式
本发明构思的发光部分是包含发光层并且具有p-n结的化合物半导体叠层结构。可以使用n型和p型中的任一导电类型的化合物半导体构成发光层。优选由通用公式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1，0<Y≤1)表示该化合物半导体。虽然发光层可以是双异质结构、单量子阱(SQW)以及多量子阱(MQW)结构中的任何一种，但是为了获得单色性优良的光发射，选择MQW结构是适宜的。确定组成量子阱(QW)的垒层以及形成阱层的AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1，0<Y≤1)的成分，以便在阱层中形成会产生希望波长的光发射的量子能级。
为了能够使载流子产生辐射复合并在光发射层“限制”(entrapped)所发射的光，发光部分包括发光层和覆盖层，所述覆盖层分别设置在发光层的相对的侧上并彼此相对以形成所谓的双异质(DH)结构。该DH结构非常有利于获得高强度的光发射。优选由具有比形成发光层的化合物半导体更宽的禁带并呈现高折射率的半导体材料形成覆盖层。例如，对于由(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5P的成分形成的发光层，能够发射约570nm波长的黄绿色光，而由(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P的成分形成覆盖层(Y.Hosokawa等，J Crystal Growth，221(2000)，652-656)。在发光层与每个覆盖层之间，可以引入适合于适度地改变该两层之间的带不连续性的中间层。在该情况下，中间层优选由禁带宽度介于发光层与覆盖层之间的半导体材料来形成。
为了提高亮度、散热特性和机械强度，本发明构思通过将透明衬底接合到包含在半导体衬底上生长的发光层的发光部分，产生特性优良的结构。例如，可以由诸如磷化镓(GaP)或铝镓砷化物(AlGaAs)的III-V族化合物半导体晶体，诸如硫化锌(ZnS)或硒化锌(ZeSe)的II-VI族化合物半导体晶体，或者诸如六方或立方的碳化硅(SiC)的IV族半导体晶体来形成该层。
透明衬底优选具有约50μm或更大的厚度以便能够具有足够的机械强度支撑发光部分。为了有助于接合之后在该层上进行机械处理，透明衬底优选具有不超过约300μm的厚度。例如，在具有由(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1，0<Y≤1)形成的发光层的化合物半导体LED中，使由n型GaP单晶形成的透明衬底具有约50μm或更大以及约300μm或更小的厚度是最适合的。
特别地，当透明衬底选择磷化镓(GaP)作为便于将从(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≤X≤1，0<Y≤1)形成的发光层所发射的光透射到外部的材料时，到具有相同的材料特性的GaP表面的接合有利于获得良好的接合条件，例如高的机械强度和热膨胀系数的一致性。
当主光提取表面的外部形状具有0.8mm或更大的最大宽度时，本发明表现出良好的效果。术语“最大宽度”是指该表面的外部形状的最大部分。例如，在矩形或方形的情形下，对角线构成最大宽度。对于近年来需要的适合于使用大电流的发光二极管，采用该结构是必要的。当扩大尺寸时，证明从电极的设计向下的特定的器件结构对于使电流均匀流动是重要的。
本发明还需要在半导体层可以包围电极的周边的位置处形成第二电极。通过采用该结构，可以使第二电极离开半导体层的距离均匀，使电流均匀流动并最小化第二电极的面积而不必增加电阻。由于在去除发光层之后留下的区域中形成第二电极，面积的最小化给予了高亮度的效果。
具体而言，本发明优选具有这样的一种结构，其中发光部分包含GaP层并在该GaP层上形成第二电极。通过采用该结构并由于GaP也是透明材料，可以形成表现出到金属的低接触电阻的欧姆电极并产生减小电阻的效果。
将要接合的透明衬底优选是允许大规模产生并且呈现稳定质量的衬底，特别优选由廉价可得的GaP单晶组成。衬底优选具有(100)面或(111)面。使用具有近(111)面作为主表面的n型GaP单晶是特别有利的。对于相同的杂质浓度，与p型衬底相比n型衬底具有高的透射因子，因此，对于提高亮度证明是有利的。这是因为(111)面具有允许容易地形成不规则性的特性。
可以在例如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)或磷化镓(GaP)的III-V族化合物半导体单晶衬底的表面上或者在硅(Si)的衬底的表面上形成发光部分。有利地以双异质(DH)结构形成发光部分，该双异质(DH)结构能够“限制”(entrapping)用于辐射复合的载流子和光发射。然后，为了获得单色性优良的光发射有利地以SQW结构或多量子阱(MQW)结构形成发光层。作为形成发光部分的子层的方法的实例，可以使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法、分子束外延(MBE)方法和液相外延(LPE)方法。
在衬底与发光部分之间，设置用于缓解衬底材料与发光部分的子层之间的晶格失配的缓冲层、用于将发光层发射的光反射到器件的外部的布拉格反射镜、用于选择性蚀刻的蚀刻停层等等。然后，在发光部分的子层上，可以设置用于降低欧姆电极的接触电阻的接触层、用于使器件操作电流完全扩展到发光部分的整个平面的电流扩展层、以及用于限制能够通过器件操作电流的区域的电流限制层、和电流收缩层。
本发明特征在于使第一电极和极性不同于第一电极的第二电极形成在发光二极管的主光提取表面上。在本发明中所使用的术语“主光提取表面”是指与接合透明衬底的表面相反的一侧上的发光部分的表面。
在本发明中，通过在该结构中形成电极，可以使电流不必流过被固定的透明衬底。因此，可以从例如绝缘体和高电阻半导体的各种材料中选择具有高的透射因子的材料，并且接合具有高的透射因子的衬底能够提高亮度。
本发明还优选透明衬底，在透明衬底的侧面之中，使用第一侧面和第二侧面，所述第一侧面在邻近发光层的侧上的部分处并近似垂直于发光层的发光表面，所述第二侧面在远离开发光层的侧上的部分处并相对于发光表面是倾斜的。第二侧面延续到第一侧面。该倾斜优选指向半导体层的内部。本发明采取该结构的原因在于能够使从发光层发射的朝向透明衬底侧的光被有效地提取到外部。也就是，部分从发光层射向透明衬底侧的光在第一侧面上被反射并且通过第二侧面提取。可以通过第一侧面提取在第二侧面上反射的光。第一侧面与第二侧面的协同效果能够提高光提取的概率。
本发明优选第二电极形成在除第二侧面的倾斜结构之上(在投影视图中)的位置之外的位置。第二侧面的倾斜角度是10°或更大并小于20°。优选地，在发光表面上投影的视图中，在第二侧面之上形成发光部分的一部分。在本发明中，通过在该位置形成第二电极，可以获得高亮度并通过倾斜表面提高光提取效率。
在本发明中，第二电极优选地包括两个或更多的相同长度的直线路和一个或多个线路，该两个或更多的相同长度的直线路彼此平行延伸并具有端点(extreme point)，其中连接每一侧部上的端点的假想线(imaginaryline)基本上平行于芯片的侧面，该一个或多个线路在该平行直线路的相对的侧部中的任选的一个侧部处连接在两个邻近的平行直线路的较近的侧部上的端点(参考图1、图6、图7和图9)。通过采用该形状，能够使第二电极覆盖整个发光部分并最小化第二电极的面积。通过增加平行线路的数目，可以处理更大的芯片。连接平行线路的端点的线路最有利，以便可以最小化电极的面积。由于第二电极需要在其上具有导线接合所必需的衬垫部分，就增加定位衬垫部分的自由度而言，该线可以是曲线或折(bent)线。增加定位衬垫部分的自由度有利于芯片的制造。
为了在发光部分中均匀地扩散电流，必须相对于发光部分均匀地设置第二电极。当电极与发光部分离开电极的最远部分之间的距离过大时，电流不会扩散到整个发光部分。虽然电流的扩散没有问题，但当该距离过小时，会增加电极的数目(面积)，由此减小了光提取面积，从而降低了亮度。来自电极的电流的扩散的距离随所发射的光的波长变化。在AlGaInP的发光层中(发射的光的波长：570nm或更大和635nm或更小)，电流扩散的距离随着波长增加而增加。因此，相对于所发射的光的波长，电极与离开电极的发光部分的最远部分之间的距离具有最优化的范围。关于第二电极，本发明优选形成这样的结构，以便对于570<λD<635的发射的光的波长，由E(μm)表示的第二电极的末端(最接近器件的周边的电极的部分)与发光部分的末端(最接近器件的周边的发光部分的部分)之间的距离和由λD(nm)表示的主光发射波长满足关系，0.8×λD-350<E<1.6×λD-750。
如图18中所示，以发射的光的波长为横轴以及第二电极的末端与发光部分的末端之间的距离为纵轴，通过绘制遍及整个发光部分的电流扩散的区域，而得到的上述关系表达式，允许其左部表示该区域的下限而其右部表示该区域的上限，并且表示了随发射的光的波长增加，上述距离的范围扩大。通过采用上述形状，可以使电流扩散到整个发光部分，同时还不会增加电极的面积，防止了由于光提取面积的减小而导致的亮度减小，从而实现高亮度。而且，满足了上述条件，该条件为应该将第二电极设置在除倾斜的侧面的上方之外的位置处的。
同样第一电极具有相对于发射的光的波长的电流扩散距离的最优化的范围。通过组合具有15μm或更小的宽度的线路形成第一电极，并且通过D(μm)表示相邻的线路之间的距离以及通过λD(nm)表示主发光波长，在此条件下，本发明优选形成一种结构，以便满足如图19中所示的关系570<λD<635和0.4×λD-200<D<0.8×λD-400。上述关系表达式表示允许电流在发光部分中均匀扩散的区域。当第一电极的间隔过大时，出现电流未扩散的部分。当间隔过窄时，需要增加电极的面积。通过采用该结构，可以使电流扩散到整个发光部分，而不会增加电极的面积，防止由于光提取面积的减小而导致的亮度减小，从而实现高亮度。
本发明优选第二侧面与第一侧面之间的角度处于10°至20°的范围。通过采用该范围，可以将在透明衬底的底部上反射的光有效地提取到外部。
那么，本发明优选第一侧面的宽度(厚度方向)处于30μm至100μm的范围。通过使第一侧面的宽度处于该范围，在透明衬底的底部上反射的光可以在第一侧面的一部分处有效地返回到发光表面并进一步通过主光提取表面释放，从而将成功地获得发光二极管的光发射效率。
本发明优选在包含GaP层的结构中形成发光部分并使第二电极形成在该GaP层上。采用该结构导致了降低操作电压的效果。通过在GaP层上形成第二电极，可以获得良好的欧姆接触并减低操作电压。
本发明优选以n型极性形成第一电极并且以p型极性形成第二电极。该结构的采用导致了高亮度的效果。以p型极性形成第一电极导致归因于高电阻的电流的扩散劣化，由此导致亮度降低。通过以n型极性形成第一电极，导致增强了电流的扩散，由此可获得高亮度。
本发明优选粗糙化透明衬底的倾斜的表面。该结构的采用导致了通过倾斜的表面而获得的提高光提取效率的效果。通过粗糙化倾斜的表面，可以减少在倾斜的表面上的全反射，由此提高光提取效率。可以通过使用由磷酸、过氧化氢和水+盐酸组成的混合物的化学蚀刻来粗糙化该表面。
然后，本发明优选在透明衬底的底部表面上形成具有范围在0.1μm至10μm的高度差的不平整度。采用该结构能使限制在芯片中的光被漫反射并被有效地提取到芯片的外部。
本发明优选通过划片方法形成第二侧面。采用该方法可以提高产品的成品率。虽然通过诸如湿法蚀刻、干法蚀刻、划线方法和激光处理方法、划片方法的方法的组合可以形成第二侧面，但是证明划片方法是最合适的，因为其具有控制形状的能力并且成品率优良。
本发明优选通过划片方法形成第一侧面。采用该方法能够降低生产成本。具体而言，由于该制造方法使得在芯片分离过程中不必切割边缘，从而允许大量地生产发光二极管并因此降低产生成本。采用该方法导致通过第一侧面提高了光提取效率并且实现高亮度。
本发明优选形成这样结构的发光二极管，在发光二极管的发光表面的外部形状具有100％的面积的条件下，分别由SA、S1、S2表示的发光层的面积、第一电极的面积和第二电极的面积满足关系80％<SA<90％、10％<S1<20％和5％<S2<10％。该形状的采用能够提高亮度，因为小的电极面积使光从较大的光发射面积有效地发射。
本发明优选形成透明导电膜以覆盖第一电极和光提取表面的一部分。采用该形状导致透明导电膜能够有助于电流的扩散并允许制造低操作电压的LED芯片。本发明还优选形成ITO的透明导电膜。ITO表现出低的电阻并拥有高的透射因子，由此产生了降低操作电压而不影响光的提取的效果。
实例1：
实例1提供了制造本发明构思的发光二极管的实例的详细解释。
图1和图2是示例了在实例1中制造的半导体发光二极管的图；图1是平面视图，而图2是沿图1的线II-II取得的截面图。图3是用于半导体发光二极管的半导体外延晶片的叠层结构的截面图。
在实例1中制造的半导体发光二极管10是具有AlGaInP发光部分的红色发光二极管(LED)。
参考通过将GaP衬底接合到在GaAs衬底上设置的外延叠层结构(外延晶片)来制造发光二极管的案例，实例1具体解释了本发明。
使用具有在半导体衬底11上依次堆叠的半导体层13的外延晶片制造LED10，半导体衬底11由具有从(100)面倾斜15°的表面的Si掺杂的n型GaAs单晶形成。叠层半导体层是由GaAs形成的Si掺杂的n型缓冲层130、由(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P形成的Si掺杂的n型接触层131、由Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P形成的Si掺杂的n型下覆盖层132、由(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P和(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P形成的20对未掺杂的发光层133、由(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P形成的Mg掺杂的p型上覆盖层134、以及Mg掺杂的p型GaP层135。
在实例1中，在GaAs衬底11上通过低压金属有机化学气相淀积方法(MOCVD方法)，使用三甲基铝((CH3)3Al)、三甲基镓((CH3)3Ga)和三甲基铟((CH3)3In)作为用于III族成分元素的原材料，来堆叠半导体子层130至135，从而形成了外延晶片。作为用于Mg掺杂的原材料，使用双环戊二烯基镁(bis-(C5H5)2Mg)。使用乙硅烷((Si2H6))用于Si掺杂的原材料。那么，作为用于V族成分元素的原材料，使用磷烷(PH3)或砷烷(AsH3)。在750℃下生长GaP层135，在730℃下生长形成半导体层13的其它半导体子层130至134。
GaAs缓冲层130具有2×1018cm-3的载流子浓度和0.2μm的层厚度。接触层由(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P形成并具有2×1018cm-3的载流子浓度以及1.5μm的层厚度。n覆盖层132具有8×1017cm-3的载流子浓度和1μm的层厚度。发光层133是厚度为0.8μm的未掺杂的层。p覆盖层134具有2×1017cm-3的载流子浓度和1μm的层厚度。GaP层135具有3×1018cm-3的载流子浓度和9μm的层厚度。
将从第一表面达到约1μm的深度的p型GaP层135的区域抛光直到镜面面层(finish)。通过镜面面层，使p-GaP层135的表面具有0.18nm粗糙度。其间，制备了将施加到p型GaP层135的镜面面层的表面的n型GaP衬底14。为使GaP衬底14适于施加，添加Si，直到2×1017cm-3的载流子浓度。使用具有(111)的表面取向的单晶。准备施加的GaP衬底14具有50nm的直径和250μm的厚度。在被接合到p型GaP层135之前，该GaP衬底14具有0.12nm的均方根值的镜面抛光的表面。
将GaP衬底14和外延晶片放入处理装置，对装置的内部进行抽气直到真空。此后，为了去除玷污表面，使用加速的Ar束辐射GaP衬底14和外延晶片的表面。此后，在室温接合这两种元件。
然后，从接合的晶片，使用基于氨的蚀刻剂选择性地去除GaAs衬底11和GaAs缓冲层130。
在接触层131的第一表面上，通过真空蒸发方法以0.15μm的厚度淀积AuGe(Ge的质量比率：12％)，以0.05μm的厚度淀积Ni，以1μm的厚度淀积Au，形成n型欧姆电极15。通过常规光刻方法构图该电极以完成电极。以10μm的宽度和60μm间隔的栅格的形状形成n型欧姆电极(图1)。
接下来，通过在形成p电极的区域中选择性地去除外延层131至134暴露出GaP层135。在GaP层的表面上，通过真空蒸发方法以0.2μm的厚度淀积AuBe和以1μm的厚度淀积Au，形成p型欧姆电极16。以两个叠层的形状，每个叠层由具有25μm宽度的方形的三个边组成(图1)，形成p型欧姆电极16。此时，从发光部分的端到p型欧姆电极的端的距离是130μm。此后，为了在450℃合金10分钟，热处理产生的接合层，结果形成具有低电阻的p型和n型欧姆电极。
此后，通过使用真空蒸发方法，在n型欧姆电极的一部分上淀积1μm厚的Au，形成接合衬垫。而且，使用SiO2薄膜淀积0.3μm的厚度，覆盖半导体层，并且用作保护膜。
接着，通过使用划片锯从GaP衬底14的背表面将V型槽插入到GaP衬底14中，以该方式使得倾斜表面具有15°的角度(通过图2中的标号20表示)并使第二侧面22具有180μm的长度。此后，使用抗蚀剂保护发光二极管的第一表面，并通过使用磷酸、过氧化氢和水+盐酸的混合溶液的蚀刻来粗糙化GaP衬底14的背表面23。GaP衬底14的背表面具有500nm的均方根值(rms)。
接着，使用划片锯以1mm的间距从第一表面侧将晶片切割成芯片。第一侧面21具有80μm的长度并基本上垂直于发光层。
通过划片去除了损坏层而通过使用硫酸和过氧化氢的混合液体去除玷污，从而制造了半导体LED(芯片)10。
通过上述制造的LED芯片，装配图4和图5中示意性地示例的LED灯42。通过使用银浆糊安装LED芯片固定在安装衬底45上，将LED芯片10的n型欧姆电极15用金线46线接合到在安装衬底45的第一表面上安装的n电极端子43并使用金线46将p型欧姆电极16布线接合到p电极端子44，此后使用常规环氧树脂41密封接合拐角(corner)，来制造该LED灯42。
当通过在安装衬底45的第一表面上设置n电极端子43和p电极端子44在n型和p型欧姆电极15和16之间通过电流时，发射具有620nm的主波长的红色光。在400mA的电流沿正向通过时，正向电压(Vf)达到约2.3V，该量反映了欧姆电极15和16的良好的欧姆特性。当正向电流设定在400mA时，发射的光的强度达到4000mcd的高亮度，该量反映了发光部分的结构具有高的光发射效率，并反映了在晶片分离为芯片期间由于通过去除了损坏的层而提高了到外部的提取效率。
比较实例1：
虽然实例1使芯片侧面包括基本上垂直于发光部分的发光表面的第一侧面和相对于发光表面倾斜的第二侧面，对比实例1改变了侧面的形状并使芯片侧面的仅包括基本上垂直于发光表面的第一侧面。比较实例1具有与实例1相同的工艺直到形成p型和n型欧姆电极并使用划片锯以1mm的间距从第一表面侧切割晶片以产生芯片，而未使用划片锯从背表面侧将V形凹槽嵌入到GaP衬底中并且没有通过蚀刻粗糙化面。形成芯片侧面基本上垂直于发光层。接着，通过使用硫酸和过氧化氢的混合液通过蚀刻去除由于划片产生的损坏层和玷污，完成半导体LED(芯片)。当以与实例1相同的方法评价该芯片时，发现通过芯片侧面的光提取效率变差并且光发射的强度只有2500mcd。
实例2：
通过实例1的工序制造发光二极管，只是改变了p型欧姆电极的形状。如在图6中示出了该相关的形状。如此获得的发光二极管具有与实例1的产品相同的低电阻和高亮度的优点，即使如图6所示，p型欧姆电极的方形的三个边的样式(letter)的一边是双向(bilaterally)倒转的。除了该变化之外，还允许p型欧姆电极具有无数的变化的形状和图形。另外，可以通过增加方形的三个边的样式的数目(图7)来进一步增加LED芯片的尺寸。
比较实例2：
除了邻近发光部分的末端设置p型欧姆电极之外，仍按照实例1的工序来制造时，由于发光部分不存在于GaP衬底的倾斜的表面之上，所以降低了光提取效率。当以与实例1中相同方法评价该芯片时，光发射强度只有3500mcd。通过邻近中心设置p型欧姆电极，可以提高光提取效率。
实例3：
通过按照实例1的工序制造发光二极管，但是以图9至图15中示例的形状形成p型欧姆电极和n型欧姆电极。这些产品具有与实例1的产品相同的低电阻和高亮度的优点。
实例4：
在实例4中，通过使用与实例1中相同的衬底和外延晶片制造具有在其中设置了透明导电膜的发光二极管芯片。图16和图17是示例了在实例4中制造的半导体发光二极管的图，图16是平面图而图17是沿图16中的线XVII-XVII取得的截面图。在接触层的表面上，通过真空蒸发方法以0.15μm的厚度淀积AuGe(Ge的质量比率：12％)，以0.05μm的厚度淀积Ni，实现n型欧姆电极的淀积。通过使用常规光刻方法构图产生的叠层，形成具有30μm的直径的圆形电极。将两个最邻近的n型欧姆电极之间的中心距离设置为0.25mm。此后，形成p型欧姆电极并通过进行450℃合金10分钟的热处理进行合金。
接下来，通过常规的磁控溅射方法淀积300nm厚度的透明导电薄膜，所述透明导电膜由铟锡氧化物(ITO)形成并覆盖上覆盖层的发光表面和n型欧姆电极。该透明导电膜具有2×10-4Ω·cm的比电阻并且对于光发射的波长的光表现出94％的透射因子。
接下来，通过使用真空蒸发方法，在透明导电膜的一部分上淀积1μm厚的Au，形成接合衬垫。而且，使用淀积至0.3μm的厚度的SiO2膜覆盖半导体层并用作保护膜。此后，通过按照实例1的工序获得发光二极管芯片。
当以与实例1中相同的方法评价发光二极管芯片时，发现由于透明导电薄膜呈现出均匀扩散电流的效果并基本上无损地提取光发射的波长的光的效过，所以具有与实例1的产品相同的低电阻和高亮度的优点。
工业适用性：
归因于优化了电极的设置和芯片的形状，本发明能够提供这样的发光二极管，其具有大尺寸并呈现出此前不可获得的高亮度和低操作电压，确保了高可靠性并允许在各种显示灯中应用。

Claims (20)

1.一种发光二极管，具有主光提取表面并包括：
化合物半导体层，其包括半导体层；
发光部分，其被包含在所述化合物半导体层中；
发光层，其被包含在所述发光部分中；
透明衬底，其被接合到所述化合物半导体层；以及
相反极性的第一电极和第二电极，形成在与所述透明衬底相对的侧上的所述主光提取表面上；
其中所述第二电极被形成在通过去除所述半导体层而暴露的所述化合物半导体层的一部分上的位置处并具有由所述半导体层包围的周边；以及
其中所述主光提取表面具有这样的外部形状，所述外部形状具有0.8mm或更大的最大宽度。
2.根据权利要求1的发光二极管，其中所述透明衬底是所述发光部分发射的光能够通过的衬底。
3.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述透明衬底包含垂直于并位于所述发光部分的一侧上的第一侧面以及延续到所述第一侧面并具有在远离所述发光层的一侧上形成的倾斜的表面的第二侧面。
4.根据权利要求3的发光二极管，其中所述第二侧面的所述倾斜的表面具有10°或更大并小于20°的倾角，并且其中当如投影在发光表面上一样观察时，所述发光部分具有在所述第二侧面之上形成的所述发光部分的一部分。
5.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述透明衬底具有底表面，在所述底表面上形成具有范围在0.1μm至10μm的高度差的不平整度。
6.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述透明衬底由GaP形成。
7.根据权利要求6的发光二极管，其中所述透明衬底由n型GaP形成并具有作为主表面的粗糙(111)面。
8.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述透明衬底具有范围为50μm至300μm的厚度。
9.根据权利要求1或2的发光二极管，其中在所述发光二极管具有100％的面积的外部形状的发光表面的条件下，所述发光层、第一电极和第二电极的面积SA、S1和S2分别满足关系80％＜SA＜90％、10％＜S1＜20％和5％＜S2＜10％。
10.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述第二电极包括相同长度的两个或更多的直线路和一个或多个线路，所述两个或更多的相同长度的直线路彼此平行延伸并在其相对的侧部上具有端点，其中连接每一个侧部上的所述端点的假想线平行于所述发光二极管的侧面，所述一个或多个线路在所述平行直线路的相对的部分中的任选的一个部分处连接在两个邻近的平行直线路的较近的侧部上的端点。
11.根据权利要求3的发光二极管，其中当将所述第二电极投影在发光表面上时，所述第二电极落在所述第二面的所述倾斜的表面的范围之外。
12.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述第二电极的末端与所述发光部分的末端之间的距离E与主光发射波长λD满足关系570nm＜λD＜635nm和0.8×λD-350nm＜E＜1.6×λD-750nm，其中所述距离E的单位为微米以及所述主光发射波长λD的单位为纳米。
13.根据权利要求1或2的发光二极管，其中当通过组合具有15μm或更小的宽度的线路来形成所述第一电极时，邻近的线路之间的距离D与主光发射波长λD满足关系570nm＜λD＜635nm和0.4×λD-200nm＜D＜0.8×λD-400nm，其中所述距离D的单位为微米以及所述主光发射波长λD的单位为纳米。
14.根据权利要求1或2的发光二极管，还包括透明导电膜，形成所述透明导电膜以便覆盖所述第一电极和至少部分的所述光提取表面。
15.根据权利要求14的发光二极管，其中所述透明导电膜由ITO形成。
16.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述发光部分包含GaP层并在所述GaP层上形成所述第二电极。
17.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述第一电极是n型极性以及所述第二电极是p型极性。
18.根据权利要求1或2的发光二极管，其中包含所述发光部分的所述化合物半导体层由(AlXGa1-X)YIn1-YP的成分形成，其中0≤X≤1，0＜Y≤1。
19.根据权利要求1或2的发光二极管，其中所述发光部分包含AlGaInP。
20.根据权利要求3的发光二极管，其中通过划片方法形成所述第一侧面和所述第二侧面。
CN2007800088491A 2006-02-14 2007-02-09 发光二极管 Expired - Fee Related CN101490858B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP036169/2006 2006-02-14
JP2006036169A JP5032033B2 (ja) 2006-02-14 2006-02-14 発光ダイオード
PCT/JP2007/052896 WO2007094476A1 (en) 2006-02-14 2007-02-09 Light-emitting diode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101490858A CN101490858A (zh) 2009-07-22
CN101490858B true CN101490858B (zh) 2011-06-08

Family

ID=38497700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007800088491A Expired - Fee Related CN101490858B (zh) 2006-02-14 2007-02-09 发光二极管

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5032033B2 (zh)
KR (1) KR100992496B1 (zh)
CN (1) CN101490858B (zh)
TW (1) TWI376039B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5205047B2 (ja) * 2007-12-18 2013-06-05 ローム株式会社 半導体発光素子
JP5276959B2 (ja) * 2008-11-19 2013-08-28 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ
KR101100684B1 (ko) * 2009-07-15 2012-01-03 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
JP5343018B2 (ja) 2010-02-08 2013-11-13 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
JP2013120936A (ja) 2011-12-07 2013-06-17 Ultratech Inc パターン効果を低減したＧａＮＬＥＤのレーザーアニール
JP6352068B2 (ja) * 2014-06-20 2018-07-04 日本オクラロ株式会社 光送受信機
KR102306671B1 (ko) * 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
CN105742446B (zh) 2016-04-29 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 发光元件及其制备方法
CN107482098B (zh) * 2017-09-20 2023-05-09 南昌大学 一种薄膜led芯片结构
US10985022B2 (en) * 2018-10-26 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gate structures having interfacial layers

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309286A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2004128321A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP2005142602A (ja) * 2005-03-01 2005-06-02 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2003243709A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309286A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP2004128321A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子
JP2005142602A (ja) * 2005-03-01 2005-06-02 Matsushita Electric Works Ltd 半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007220709A (ja) 2007-08-30
TW200739968A (en) 2007-10-16
KR20080091391A (ko) 2008-10-10
CN101490858A (zh) 2009-07-22
KR100992496B1 (ko) 2010-11-08
TWI376039B (en) 2012-11-01
JP5032033B2 (ja) 2012-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101490858B (zh) 发光二极管
CN101371372B (zh) 发光二极管及其制造方法
US8097892B2 (en) Light-emitting diode
JP6000625B2 (ja) 発光素子
RU2491683C2 (ru) Контакт для полупроводникового светоизлучающего устройства
CN102386295B (zh) 发光元件
CN101897045B (zh) 发光二极管及其制造方法
US8507943B2 (en) Semiconductor light-emitting element
US8022436B2 (en) Light emitting diode, production method thereof and lamp
CN101379628B (zh) 发光二极管及其制造方法
TWI447956B (zh) 發光二極體及其製造方法以及發光二極體燈
JP2005183909A (ja) 高出力フリップチップ発光ダイオード
CN101939856A (zh) 化合物半导体发光二极管
WO2010095353A1 (ja) 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ
CN101379623A (zh) 发光二极管及其制造方法
JP2010098068A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法、並びにランプ
CN102428580A (zh) 发光二极管和发光二极管灯以及照明装置
KR100691497B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
WO2011090112A1 (ja) 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置
TWI495159B (zh) 發光二極體元件及發光裝置
JPH04361572A (ja) 半導体発光素子
KR20130043708A (ko) 발광소자
KR101068864B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100663910B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20130032201A (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110608

Termination date: 20160209