JP5205047B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5205047B2 JP5205047B2 JP2007326319A JP2007326319A JP5205047B2 JP 5205047 B2 JP5205047 B2 JP 5205047B2 JP 2007326319 A JP2007326319 A JP 2007326319A JP 2007326319 A JP2007326319 A JP 2007326319A JP 5205047 B2 JP5205047 B2 JP 5205047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type semiconductor
- disposed
- light emitting
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
(素子構造)
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子は、図1に示すように、導電性基板100と、導電性基板100上に配置され,n型不純物をドープされた第1のn型半導体層120と、第1のn型半導体層120上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層130と、第1の活性層130上に配置され,p型不純物をドープされた第1のp型半導体層140と、第1のp型半導体層140上に配置された第1のアノード電極2とを備える。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、図5(a)〜(f)に示すように、導電性基板10上に第1の活性層を含む第1のエピタキシャル成長層500を形成する工程と、第1のエピタキシャル成長層500をパターニング後、第1のエピタキシャル成長層500をエッチングにより除去し、導電性基板10の表面を露出する工程と、第1のエピタキシャル成長層500上にGaAs層(エッチングストップ層)28を形成する工程と、導電性基板10の表面およびGaAs層28上に第2の活性層を含む第2のエピタキシャル成長層520を形成する工程と、第2のエピタキシャル成長層520をパターニング後、第2のエピタキシャル成長層520をGaAs層28までエッチングにより除去する工程と、GaAs層28を除去後、第1のエピタキシャル成長層500と第2のエピタキシャル成長層520との間を分離する工程とを有する。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子に適用可能な第1のLED(赤色)は、図6に示すように、GaAs基板10と、GaAs基板10上に配置されたGaAsバッファ層12と、GaAsバッファ層12上に配置されたAlInP/(AlGa)InPの積層構造からなる第1の反射積層膜(DBR)14と、第1の反射積層膜14上に配置され,例えばAlInPからなるn型クラッド層16と、n型クラッド層16上に配置され,(Al0Ga1.0)0.5In0.5Pウェル層と(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5Pバリア層の多重量子井戸構造の活性層18と、活性層18上に配置され,例えばAlInPからなるp型クラッド層20と、p型クラッド層20上に配置されたInGaAlP層22と、InGaAlP層22上に配置されたGaPウィンドウ層24と、GaPウィンドウ層24上に配置され,エッチングストップ層となる(AlGa)InP層26と、(AlGa)InP層26上に配置されたGaAs層28とを備える。
図8(a)は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体発光素子の発光スペクトル例であって、光出力Poと波長との関係を示す。また、図8(b)は、図8(a)の発光スペクトル例を得た2色LED(UW:赤色、YG:黄緑色)の平面パターン構成例を示す。
2色発光の半導体発光素子を別々、または同時に発光させるためには、カソード電極を共通とし、アノード電極パッドを別々に構成するカソードコモン構成と、アノード電極を共通とし、カソード電極パッドを別々に構成するアノードコモン構成がある。
本発明の第1の実施の形態の変形例1に係る半導体発光素子は、図2に示すように、導電性基板200と、導電性基板200上に配置された第1の反射積層膜14と、第1の反射積層膜14上に配置され,p型不純物をドープされた第1のp型半導体層220と、第1のp型半導体層220上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層230と、第1の活性層230上に配置され,n型不純物をドープされた第1のn型半導体層240と、第1のn型半導体層240上に配置された第1のカソード電極6とを備える。
[第2の実施の形態]
本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光素子は、図3に示すように、n型不純物をドープされた第1のカソード領域300と、第1のカソード領域300上に配置され,n型不純物をドープされた第1のn型半導体層320と、第1のn型半導体層320上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層330と、第1の活性層330上に配置され,p型不純物をドープされた第1のp型半導体層340と、第1のp型半導体層340上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第2の活性層350と、第2の活性層350上に配置され,n型不純物をドープされた第2のn型半導体層360と、第2のn型半導体層360に配置され,n型不純物をドープされた第2のカソード領域380と、第1のカソード領域300上に配置された第1のカソード電極4と、第2のカソード領域380上に配置された第2のカソード電極6aと、第1のp型半導体層340上に配置された共通のアノード電極3(2)とを備える。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、n型不純物をドープされた第1のカソード領域300上にn型不純物をドープされた第1のn型半導体層320を形成する工程と、第1のn型半導体層320上に、(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層330を形成する工程と、第1の活性層330上に、p型不純物をドープされた第1のp型半導体層340を形成する工程と、第1のp型半導体層340上に、(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第2の活性層350を形成する工程と、第2の活性層350上にn型不純物をドープされた第2のn型半導体層360を形成する工程と、第2のn型半導体層360上にn型不純物をドープされた第2のカソード領域380を形成する工程と、第1のカソード領域300上に第1のカソード電極4を形成する工程と、第2のカソード領域380上に第2のカソード電極6aを形成する工程と、第1のp型半導体層340上に共通のアノード電極3(2)を形成する工程とを有する。
本発明の第2の実施の形態の変形例に係る半導体発光素子は、図4に示すように、p型不純物をドープされた第1のアノード領域400と、第1のアノード領域400上に配置され,p型不純物をドープされた第1のp型半導体層420と、第1のp型半導体層420上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層430と、第1の活性層430上に配置され,n型不純物をドープされた第1のn型半導体層440と、第1のn型半導体層440上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第2の活性層450と、第2の活性層450上に配置され,p型不純物をドープされた第2のp半導体層460と、第2のp半導体層460に配置され,p不純物をドープされた第2のアノード領域480と、第1のアノード領域400上に配置された第1のアノード電極8と、第2のアノード領域480上に配置された第2のアノード電極2aと、第1のn型半導体層440上に配置された共通のカソード電極7(4)とを備える。
上記のように、本発明は第1乃至第2の実施の形態およびそれぞれの変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
4、6、6a、7…カソード電極
10…GaAs基板
12…GsAsバッファ層
14…第1の反射積層膜(DBR)
15…第2の反射積層膜(DBR)
16、17…n型クラッド層
18、19…活性層
20、21…p型クラッド層
22、23…InGaAlP層
24、25…GaPウィンドウ層
26、27…AlGaInP層
28、29…GaAs層(エッチングストップ層)
32、33…レジスト層
100、200…導電性基板
120、240、320、440…第1の活性層
130、230、330、430…第1の多重量子井戸層
140、220、340、420…第1のp型半導体層
160、280、360…第2のn型半導体層
170、270、350、450…第2の活性層
180、260、460…第2のp型半導体層
300…第1のカソード領域
380…第2のカソード領域
400…第1のアノード領域
480…第2のアノード領域
500…第1のエピタキシャル成長層
520…第2のエピタキシャル成長層
Claims (3)
- 導電性基板と、
前記導電性基板上に配置され,n型不純物をドープされた第1のn型半導体層と、
前記第1のn型半導体層上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第1の活性層と、
前記第1の活性層上に配置され,p型不純物をドープされた第1のp型半導体層と、
前記第1のp型半導体層上に配置された第1のアノード電極と、
前記導電性基板上に前記第1のn型半導体層に隣接して配置されたn型不純物をドープされた第2のn型半導体層と、
前記第2のn型半導体層上に配置され,(AlxGay)0.5In0.5P(0≦x≦0.85、0≦y≦1)4元系化合物半導体からなる第2の活性層と、
前記第2の活性層上に配置され,p型不純物をドープされた第2のp型半導体層と、
前記第2のp型半導体層上に配置された第2のアノード電極と、
前記導電性基板の前記第1及び第2のn型半導体層が配置された表面と反対側の裏面上に配置された共通のカソード電極と
を備え、
前記第1の活性層は、 (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 Pからなるウェル層と(Al v Ga 1-v ) 0.5 In 0.5 P(0≦x<v<0.8)からなるバリア層の多重量子井戸構造を備え、前記第2の活性層は、(Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 Pからなるウェル層と(Al w Ga 1-w ) 0.5 In 0.5 P(0≦x<w<0.9) からなるバリア層からなり、かつ前記第1の活性層とは異なる組成を有する多重量子井戸構造を備え、
前記第1のp型半導体層は、第1のp型GaPウィンドウ層を含み、前記第2のp型半導体層は、第2のp型GaPウィンドウ層を含み、前記第1のp型GaPウィンドウ層及び前記第2のp型GaPウィンドウ層の厚さは、共に2μmであることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記導電性基板と前記第1のn型半導体層との間に配置された第1の反射積層膜と、
前記導電性基板と前記第2のn型半導体層との間に配置された第2の反射積層膜と
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記第1のアノード電極の電極パッドと前記第2のアノード電極の電極パッドとは、それぞれの形状もしくは反射率が異なることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007326319A JP5205047B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007326319A JP5205047B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009152240A JP2009152240A (ja) | 2009-07-09 |
JP5205047B2 true JP5205047B2 (ja) | 2013-06-05 |
Family
ID=40921078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007326319A Expired - Fee Related JP5205047B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5205047B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6068073B2 (ja) * | 2012-09-18 | 2017-01-25 | スタンレー電気株式会社 | Ledアレイ |
JP7052742B2 (ja) * | 2019-01-23 | 2022-04-12 | 豊田合成株式会社 | 発光素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3290672B2 (ja) * | 1990-08-20 | 2002-06-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光ダイオード |
JPH04253381A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2006120927A (ja) * | 2004-10-22 | 2006-05-11 | Sharp Corp | 発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007096162A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP5032033B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-09-26 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード |
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007326319A patent/JP5205047B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009152240A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7745843B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP6947386B2 (ja) | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 | |
JP2002222989A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR20120053571A (ko) | 복수의 메사 구조체를 갖는 발광 다이오드 칩 | |
WO2007097411A1 (ja) | 2波長半導体発光装置及びその製造方法 | |
JPH11274558A (ja) | 半導体発光素子および半導体発光装置 | |
JP4957130B2 (ja) | 発光ダイオード | |
JP7414419B2 (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
KR20220138863A (ko) | 다중 색상 발광 구조물 | |
TW202015254A (zh) | 具有光提取強化之利用內部色彩轉換之發光二極體 | |
JP2009152297A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4077137B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
CN112151650A (zh) | 微型发光二极管阵列及其制备方法 | |
KR20080039058A (ko) | 반도체 발광 소자의 제조방법 | |
JP2023536363A (ja) | Ledデバイス及びledデバイスの製造方法 | |
JP2009070893A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5205047B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5717640B2 (ja) | オプトエレクトロニクス半導体チップおよびオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法 | |
JP2009070991A (ja) | 発光装置 | |
JP2004241462A (ja) | 発光素子及び発光素子用エピタキシャルウエハ | |
KR100550513B1 (ko) | 발광 소자 및 이의 제조 방법 | |
KR101189162B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
CN213366615U (zh) | 微型发光二极管阵列 | |
JP4162700B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101305793B1 (ko) | 발광소자 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5205047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160222 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |