CN112151650A - 微型发光二极管阵列及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种微型发光二极管阵列及其制作方法。所述方法包括：支撑衬底；图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
Description
技术领域
本发明涉及半导体显示和照明领域，尤其涉及一种微型发光二极管阵列及其制备方法。
背景技术
随着科技的发展进步，对下一代照明和显示技术提出了更高要求。微型发光二极管(Micro-LED)由于其微米级尺寸且具有自发光、相应速度快、功耗低等特点，因而通过将红、绿、蓝三色Micro-LED集成于TFT或CMOS基板上作为显示像素点而实现自发光全彩显示的技术路线被誉为下一代新型全彩显示的核心技术，具有广阔的市场应用前景。然而，目前Micro-LED全彩显示仍存在诸多挑战：1)随着芯片尺寸的微小化，表面非辐射复合的影响占比增加，从而使得芯片的发光效率随着芯片尺寸的缩小而降低。因而如何避免或减小芯片制备过程中由于刻蚀而导致的侧壁损伤变得尤为重要。2)高分辨率显示中微小的芯片间距导致芯片之间的光串扰亟待解决。3)由于红光Micro-LED与蓝、绿光Micro-LED的驱动电压不一致而导致的驱动电路复杂以及全彩显示需要三次巨量转移而导致成本高等问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种微型发光二极管阵列及其制备方法。
为了解决上述问题，本发明提供了一种微型发光二极管阵列，包括：支撑衬底；图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
本发明还提供了一种微型发光二极管阵列的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；去除所述支撑衬底，并在暴露出的发光二极管的发光结构表面制作第二电极。
本发明还提供了一种微型发光二极管阵列的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；在所述图形化的绝缘层上形成电极窗口；在电极窗口处制作与发光二极管的发光结构底部电学连接的第二电极；将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；去除部分支撑衬底。
上述技术方案：1)避免了常规芯片制成过程中所需要的刻蚀步骤，因而避免了在刻蚀过程中产生的芯片侧壁损伤，减少了芯片侧壁的非辐射复合中心，从而避免了芯片侧壁的非辐射复合，提高芯片的发光效率。2)阵列芯片之间的掩膜层/高光反射层同时起到了阻止相邻芯片侧壁发光而导致的光串扰问题。3)可直接与TFT，CMOS，玻璃等基板键合实现单色显示，避免采用常规芯片所需的巨量转移，降低成本。4)蓝光阵列芯片亦可与红，绿色量子点相结合实现全彩显示，避免多次巨量转移，以及由于红光Micro-LED与蓝、绿光Micro-LED的驱动电压不一致而导致的驱动电路复杂问题，降低成本。
附图说明
附图1所示是本发明一具体实施方式所述步骤示意图。
附图2A至附图2I所示是上述具体实施方式所述工艺示意图。
附图3A至附图3C所示是附图1步骤中步骤S12的工艺示意图。
附图4所示是本发明一具体实施方式所述步骤示意图。
附图5A至附图5D所示是上述具体实施方式所述工艺示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的微型发光二极管阵列及其制备方法的具体实施方式做详细说明。
附图1所示是本发明一具体实施方式所述步骤示意图，包括：步骤S10，提供一支撑衬底；步骤S11，在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；步骤S12，在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；步骤S13，在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；步骤S14，在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；步骤S15，将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；以及步骤S16，去除所述支撑衬底，并在暴露出的发光二极管的发光结构表面制作第二电极。
附图2A至附图2I所示是本具体实施方式的工艺示意图。
附图2A所示，参考步骤S10，提供一支撑衬底20，所述支撑衬底20包括支撑层201和表面的外延层202。其中支撑层201选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝中的任一种，表面的外延层202选自于GaN/InGaN、以及AlN/GaN/InGaN中的任意一种；也可以是支撑层201选自于GaAs、GaP、以及InP中的任意一种，外延层202选自于GaAs、AlGaAs、AlInP或其任意组合；也可以是支撑层201选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝的任意一种，外延层202选自于GaN、AlN、AlGaN或其任意组合。其中外延层202可以通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、Sputter或其组合形成。
附图2B和2C所示，参考步骤S11，在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层21。制作图形化绝缘层21的步骤可以是采用沉积工艺形成连续的掩膜层211，其材料选自于SiOx、SiNx、以及TiOx等绝缘物质中的任意一种，再通过光刻和刻蚀工艺在连续的掩膜层211上形成镂空图形，以完成图形化的绝缘层21的制作。沉积方式采用原子层沉积、PECVD、磁控溅射或结合方式。镂空图形可以选择为圆形、正方形、长方形、或多边形中的任意一种。
附图2D和2E所示，参考步骤S12，在所述图形化绝缘层21的镂空部侧壁生长光反射层22。在本发明的一个具体实施方式中，本步骤中在侧壁制作光反射层22可以具体是采用如下步骤，附图3A至附图3C所示是下述步骤的工艺示意图。步骤S121，在所述图形化绝缘层表面生长连续的光反射层221；步骤S122，参考附图3A，在所述连续的光反射层221表面涂敷连续的光刻胶层222；步骤S123，参考附图3B，对镂空部底部的光刻胶层曝光显影去除，保留侧壁的侧面覆盖的光刻胶层；步骤S124，参考附图3C，刻蚀去除底部暴露出来的光反射层，保留在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长的光反射层22。在步骤S123中，图形化绝缘层21表面的光刻胶层可以选择显影去除或保留。如果选择显影去除，则在步骤S124中，该部分对应的光反射层也一并刻蚀去除；如果选择保留，则在步骤S124中，该部分对应的光反射层也得以保留。在步骤S124中，可以将刻蚀工艺稍作延长而产生过刻蚀的效果，该效果可以使侧壁光刻胶底部的光反射层被去除。
所述光反射层材料选自于二氧化铪/二氧化硅交替叠层、二氧化硅/氧化钽交替叠层、五氧化铌(Nb2O5)和二氧化硅交替叠层、二氧化锆和二氧化硅交替叠层、以及二氧化硅/二氧化钛交替叠层中的任意一种或多种的组合。或者由覆盖绝缘材料(如SiO2等)的具有反光特性的金属层(如Al，Ag等)组成，并采用原子层沉积、PECVD、电子束蒸镀、磁控溅射中的任意一种或多种的组合工艺形成。
之后采用光刻和刻蚀工艺去除图形化绝缘层表面上的光反射层，保留侧壁光反射层，从而形成只设置在侧壁上的光反射层22。光反射层22起到了阻止相邻芯片侧壁发光而导致的光串扰问题。同时将芯片发射到侧壁的光反射，提高芯片的发光效率和亮度。
附图2F所示，参考步骤S13，在所述图形化的绝缘层21的镂空处生长发光二极管的发光结构23。典型的发光结构23应当包括N型层，多量子阱发光层和P型层，优选地P型层中可以包括P型电子阻挡层，填充方法优选地使用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)等工艺。发光层如为蓝光：由不同In组分和厚度的InxGa1-xN和GaN交替叠层多量子阱组成。发光层如为紫外光或深紫外光：由不同Al组分和厚度的AlxGa1-xN和AlyGa1-yN交替叠层多量子阱组成。发光层如为红光：由不同组分和厚度的(AlGa)xIn1-xP和(AlGa)yIn1-yP交替叠层多量子阱组成。由于图形化的绝缘层21是采用SiOx、SiNx、以及TiOx等绝缘物质，因此通过工艺控制在其表面不会发生外延生长的现象，外延只会发生在通过镂空处而暴露出的支撑衬底20的表面，并进一步填满镂空处形成发光结构23，原位形成相互隔离的发光二极管的发光结构阵列，避免了常规芯片制成工艺中需要光刻和刻蚀才可以形成芯片台面而导致的芯片侧壁损伤。同时，后续的切割工艺可以沿图形化绝缘层21的绝缘部分实施，进一步避免了切割工艺对芯片侧壁产生的损伤。因而整个芯片制备流程中可以避免在刻蚀和切割过程中产生的芯片侧壁损伤，减少了芯片侧壁的非辐射复合中心，从而减小了芯片侧壁的非辐射复合几率，提高芯片的发光效率。
附图2G所示，参考步骤S14，在所述发光二极管的发光结构23的暴露表面制作第一电极24。第一电极24采用金属材料制作，可以为多层金属叠层，如Ag、Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Ge、AuGe、Pd以及Au中的一种或其任意组合的合金，并通过电子束蒸镀(e-beam evaporation)等工艺方法实现。由于该面的相对面为出光面，因此优选为金属材料具有对发光层所发出的光进行全反射之特点。且同时具有欧姆特性，电流扩展特性(如ITO)。进一步的，未被第一电极24覆盖的发光结构23的上表面可以设有反光层结构，如分布式布拉格反射镜DBR,全方位反射镜ODR(未图示)。
附图2H所示，参考步骤S15，将所述已经具备发光结构的支撑衬底20与一驱动电路基板25键合，所述发光二极管的发光结构23的第一电极24与驱动电路基板表面的电极对应(未图示)。键合后还可以选择填充绝缘保护物质，如反光白胶等。所述驱动电路基板25可以是采用TFT工艺、CMOS工艺的硅，玻璃或PCB等基板。由于发光二极管的发光结构23是已经在支撑衬底20上制作完成的，因此可以采用衬底对衬底的键合方式，将发光结构批量转移到驱动电路基板25，相比于切割完毕后逐一转移而言降低了成本。并且如果在支撑衬底20被去除后，继续在表面涂敷量子点光转换材料，则发光结构23还可以与不同颜色量子点光转换材料相结合，以实现全彩显示，同样可以在本步骤中一次转移完毕。例如在发光二极管的发光结构发蓝光时，可以在阵列发光结构上通过喷涂、印刷或打印红、绿色量子点等方式集成，实现全彩显示；发光二极管的发光结构发紫光或紫外光时，可以在阵列芯片上通过喷涂、印刷或打印红、绿、蓝色量子点等方式集成，实现全彩显示。
附图2I所示，参考步骤S16，去除所述支撑衬底20，并在暴露出的发光二极管的发光结构23表面制作第二电极26。可以采用湿法或激光剥离的方法去除支撑衬底20。第二电极26采用金属材料制作，本发明对金属材料不做具体限定，由于该面为出光面，因此优选为金属材料具有对发光层所发出的光进行全透射之特点。
上述步骤实施完毕后所获得的微型发光二极管阵列，包括：图形化绝缘层，所述图形化绝缘层具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并在发光结构的相对两表面分别设置第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准键合。
上述步骤实施完毕后，还可以根据需要进行选择性的切割，切割可以沿图形化绝缘层21的绝缘部分实施，因此避免了常规芯片的分片过程中由于切割对芯片侧壁造成的损伤，减少了芯片侧壁的非辐射复合中心及非辐射复合几率，提高芯片的内量子效率和发光效率。
附图4所示是本发明又一具体实施方式所述步骤示意图，包括：步骤S40，提供一支撑衬底；步骤S41，在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；步骤S42，在所述图形化的绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；步骤S43，在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；步骤S44，在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；步骤S45，在所述图形化的绝缘层上形成电极窗口；步骤S46，在电极窗口处制作与发光二极管的发光结构底部电学连接的第二电极；步骤S47，将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；步骤S48，去除部分支撑衬底。
以上步骤S40至步骤S44的进一步解释请参考前一个具体实施方式步骤S10至步骤S14的叙述，此处不再赘述。本具体实施方式与前一具体实施方式所不同之处在于本具体实施方式所形成的电极位于同一表面。
步骤S45，参考附图5A所示，在所述图形化的绝缘层21上形成电极窗口51。可以采用光刻和刻蚀工艺形成所述电极窗口51。所述支撑衬底20通过所述电极窗口51暴露出来。
步骤S46，参考附图5B所示，在电极窗口51处制作与发光二极管的发光结构底部电学连接的第二电极52。电极材料可以为多层金属叠层，如Ag、Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Ge、AuGe、Pd以及Au中的一种或其任意组合的合金，并通过电子束蒸镀(e-beam evaporation)等工艺方法实现。为了保证电学连接的实现，在本具体实施方式中，所述支撑衬底20中表面的外延层202材料应当具有导电特性，可通过在202材料中掺杂Si等方式实现。
步骤S47，参考附图5C所示，将所述已经具备发光结构的支撑衬底20与一驱动电路基板53键合，所述发光二极管的发光结构的第一电极24和第二电极52与驱动电路基板53表面对应的电极对准。
步骤S48，参考附图5D所示，去除部分支撑衬底。此结构是倒装，支撑衬底20是出光面，需要把禁带宽度小的支撑衬底20中的支撑层201(如硅等)去除，保留宽禁带的表面的外延层202导电层部分。
上述步骤实施完毕后所获得的微型发光二极管阵列，包括：图形化绝缘层，所述图形化绝缘层具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并在发光结构的同侧表面设置第一电极和第二电极，所述驱动电路基板键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
以下结合具体材料给出本发明的一个实施例：
提供GaAs基的AlGaAs衬底；
在衬底表面采用PECVD蒸镀的SiO2制作正方形网格形状的绝缘层；
采用电子束蒸镀的方法在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长由Al/SiO2全方位反射镜ODR形成的光反射层；
采用MOCVD选区生长方法在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构：N型层为硅掺杂的AlInP,发光层由GaInP/AlGaInP多量子阱MQW组成，P型层由镁掺杂的AlInP/GaP组成；
采用溅射的方法在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作由ITO/Au组成的第一电极；
将上述已经具备发光结构和第一电极的支撑衬底与一CMOS驱动电路基板键合；
采用绝缘物质保护驱动基板后，去除所述支撑衬底GaAs和AlGaAs，采用H3PO4:H2O2:H2O湿法去除；
采用电子束蒸镀的方法在暴露出的发光二极管的发光结构表面制作由AuGe/Au组成的第二电极。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (19)
1.一种微型发光二极管阵列，其特征在于，包括：
支撑衬底；
图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；
发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及
驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述支撑衬底包括支撑层和表面的外延层，支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝中的任一种，表面的外延层选自于GaN/InGaN、以及AlN/GaN/InGaN中的任意一种；或支撑层选自于GaAs、GaP、以及InP中的任意一种，外延层选自于AlGaAs、AlInP或其任意组合；或支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝的任意一种，外延层选自于GaN、AlN、AlGaN或其任意组合；其中外延层通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其组合形成。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述图形化绝缘层的材料选自于SiOx、SiNx、以及TiOx中的任意一种，并采用原子层沉积、PECVD、磁控溅射或结合方式形成。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述光反射层材料由两种不同折射率的绝缘材料交替叠层组成，选自于二氧化铪/二氧化硅交替叠层、二氧化硅/氧化钽交替叠层、五氧化铌(Nb2O5)和二氧化硅交替叠层、二氧化锆和二氧化硅交替叠层、以及二氧化硅/二氧化钛交替叠层中的任意一种或多种的组合，并采用原子层沉积、PECVD、电子束蒸镀、磁控溅射中的任意一种或多种的组合工艺形成。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，光反射层由覆盖绝缘材料的具有反光特性的金属层组成。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，在发光结构的相对两表面分别设置第一电极和第二电极，所述驱动电路基板键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，在发光结构的同侧表面设置第一电极和第二电极，所述驱动电路基板键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。
8.一种微型发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一支撑衬底；
在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；
在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；
在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；
在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；
将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；
去除所述支撑衬底，并在暴露出的发光二极管的发光结构表面制作第二电极。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层的步骤，进一步包括：
在所述图形化绝缘层表面生长连续的光反射层；
在所述连续的光反射层表面涂敷连续的光刻胶层；
对镂空部底部的光刻胶层显影去除，保留侧壁的侧面覆盖的光刻胶层；
刻蚀去除底部暴露出来的光反射层，保留在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长的光反射层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底包括支撑层和表面的外延层，支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝中的任一种，表面的外延层选自于GaN/InGaN、以及AlN/GaN/InGaN中的任意一种；或支撑层选自于GaAs、GaP、以及InP中的任意一种，外延层选自于AlGaAs、AlInP或其任意组合；或支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝的任意一种，外延层选自于GaN、AlN、AlGaN或其任意组合；其中外延层通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其组合形成。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述图形化绝缘层的材料选自于SiOx、SiNx、以及TiOx中的任意一种，并采用原子层沉积、PECVD、磁控溅射或结合方式形成。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光反射层材料由两种不同折射率的绝缘材料交替叠层组成，选自于二氧化铪/二氧化硅交替叠层、二氧化硅/氧化钽交替叠层、五氧化铌(Nb2O5)和二氧化硅交替叠层、二氧化锆和二氧化硅交替叠层、以及二氧化硅/二氧化钛交替叠层中的任意一种或多种的组合，并采用原子层沉积、PECVD、电子束蒸镀、磁控溅射中的任意一种或多种的组合工艺形成。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光反射层由覆盖绝缘材料的具有反光特性的金属层组成。
14.一种微型发光二极管阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一支撑衬底；
在所述支撑衬底表面制作图形化的绝缘层；
在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层；
在所述图形化的绝缘层的镂空处生长发光二极管的发光结构；
在所述发光二极管的发光结构的暴露表面制作第一电极；
在所述图形化的绝缘层上形成电极窗口；
在电极窗口处制作与发光二极管的发光结构底部电学连接的第二电极；
将所述已经具备发光结构的支撑衬底与一驱动电路基板键合，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准；去除部分支撑衬底。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长光反射层的步骤，进一步包括：
在所述图形化绝缘层表面生长连续的光反射层；
在所述连续的光反射层表面涂敷连续的光刻胶层；
对镂空部底部的光刻胶层显影去除，保留侧壁的侧面覆盖的光刻胶层；
刻蚀去除底部暴露出来的光反射层，保留在所述图形化绝缘层的镂空部侧壁生长的光反射层。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述支撑衬底包括支撑层和表面的外延层，支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝中的任一种，表面的外延层选自于GaN/InGaN、以及AlN/GaN/InGaN中的任意一种；或支撑层选自于GaAs、GaP、以及InP中的任意一种，外延层选自于AlGaAs、AlInP或其任意组合；或支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝的任意一种，外延层选自于GaN、AlN、AlGaN或其任意组合；其中外延层通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其组合形成。
17.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述图形化的绝缘层的材料选自于SiOx、SiNx、以及TiOx中的任意一种，并采用原子层沉积、PECVD、磁控溅射或结合方式形成。
18.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述光反射层材料由两种不同折射率的绝缘材料交替叠层组成，选自于二氧化铪/二氧化硅交替叠层、二氧化硅/氧化钽交替叠层、五氧化铌(Nb2O5)和二氧化硅交替叠层、二氧化锆和二氧化硅交替叠层、以及二氧化硅/二氧化钛交替叠层中的任意一种或多种的组合，并采用原子层沉积、PECVD、电子束蒸镀、磁控溅射中的任意一种或多种的组合工艺形成。
19.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述光反射层由覆盖绝缘材料的具有反光特性的金属层组成。
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