CN113299806A - 基于平面衬底的倒装rcled芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备设置有凸台与n‑GaN层的外延结构，并制备透明导电层。在凸台一侧的n‑GaN层上制备第一N电极层以及在透明导电层上制备第一P电极层；制备第一反射镜；刻蚀所述第一反射镜，制备第二N电极层以及第二P电极层，并制备N电极互联区与P电极互联区，形成N电极与P电极；在衬底底部制备第二反射镜，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。第一反射镜与第二反射镜均包括分布式布拉格反射镜，并形成法布里‑珀罗谐振腔，进而实现LED器件光谱变窄和光汇聚。本发明使用蓝宝石等价格低廉的材料作为衬底，提供了一种不需要进行剥离、转移等复杂工艺的制备方法，提高生产效率，降低生产成本。
Description
技术领域
本申请涉及照明技术领域，尤其涉及一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法。
背景技术
谐振腔发光二极管(Resonant-Cavity Light-Emitting Diodes，RCLED)，它的谐振腔的光学厚度一般为1个或者半个LED辐射的中心波长。RCLED是一种利用谐振腔作用使得自发发射得到增强的器件。与传统的LED相比，RCLED有着高亮度、高效率、半高宽较窄和方向性更好的优点；与垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)相比，制备工艺较为简单、成本更低、稳定性更好及无阈值电流限制等。
由于GaN的六方结构，现有技术中通常选择蓝宝石作为RCLED芯片的外延衬底，然而由于蓝宝石导电性较差，且在衬底上直接生长的外延层没有连续的N型层，导致N电极无法直接引出。而激光剥离等技术虽然可以将外延层从衬底剥离，但剥离技术工艺繁杂，且剥离后的外延层需要转移，极易造成器件损坏。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。
为实现上述目的，作为本发明的一个方面，本发明提供了一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法，包括：
S1：在衬底上制备包括n-GaN层的外延结构以及透明导电层；所述外延结构包括设置在n-GaN层上的凸台，所述透明导电层设置在所述凸台上；
S2：在所述凸台一侧的n-GaN层上制备第一N电极层以及在透明导电层上制备第一P电极层；所述第一N电极层覆盖部分所述n-GaN层；
S3：在所述n-GaN层、所述透明导电层、所述第一N电极层以及第一P电极层上制备第一反射镜；所述第一反射镜覆盖所述第一N电极层、所述第一P电极层、所述透明导电层、所述n-GaN层以及所述外延结构的凸台的侧壁；
S4：刻蚀所述第一反射镜，形成暴露第一N电极层的第一通孔以及暴露第一P电极层的第二通孔；
S5：在所述第一反射镜上制备第二N电极层以及第二P电极层，并在所述第一通孔内形成N电极互联区，在所述第二通孔内形成P电极互联区；
所述第二N电极层通过所述N电极互联区与所述第一N电极层电连接，形成N电极；所述第二P电极层通过所述P电极互联区与所述第一P电极层电连接，形成P电极；
S6：将步骤S5中的衬底倒装，对所述衬底的底部进行减薄；
S7：在步骤S6中得到的所述衬底底部制备第二反射镜，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。
作为本发明的又一方面，还提供了基于平面衬底的倒装RCLED芯片，包括：
衬底；
外延结构，设置在衬底上；
包括n-GaN层；以及
设置在n-GaN层上的凸台；
透明导电层，设置在所述凸台上；
N电极，包括：第一N电极层、N电极互联区以及第二N电极层；所述第一N电极层设置在所述凸台一侧的n-GaN层上；
P电极，包括：第一P电极层、P电极互联区以及第二P电极层；所述第一P电极层设置在所述透明导电层上；
第一反射镜，覆盖所述第一N电极层、第一P电极层、透明导电层(3)、所述n-GaN层以及所述外延结构的凸台的侧壁；
所述第一反射镜设置有暴露第一N电极层的第一通孔以及暴露第一P电极层的第二通孔，所述N电极互联区设置于第一通孔内，所述P电极互联区设置于第二通孔内；
所述第二N电极层设置在第一反射镜上，并通过N电极互联区与所述第一N电极层电连接；
所述第二P电极层设置在第一反射镜上，并通过P电极互联区与所述第一P电极层电连接；以及
第二反射镜，设置于所述衬底底部，适用于与所述第一反射镜形成法布里-珀罗谐振腔。
基于以上技术方案，本发明的基于平面衬底的倒装RCLED芯片及其制备方法至少具有如下有益效果之一：
1、本发明的基于平面衬底的倒装RCLED芯片在衬底上直接制备RCLED芯片，使用蓝宝石等价格低廉的材料作为衬底，提供了一种不需要进行衬底剥离、发光层转移、二次键和等复杂工艺的简单的制备方法，该制备方法将大幅提高生产效率，降低生产成本；
2、本发明的基于平面衬底的倒装RCLED芯片中采用蓝宝石或石英作为衬底的材料，该衬底能够同时满足不吸收量子阱发出的光，并能在保障上在衬底上高质量的外延出由氮化物材料制备成的外延结构；
3、本发明的基于平面衬底的倒装RCLED芯片中第一反射镜和第二反射镜均为分布式布拉格反射镜，由第一反射镜和第二反射镜形成法布里-珀罗谐振腔，实现对多量子阱发光层发出来的光进行选择，进而实现LED器件光谱变窄和光汇聚；
4、本发明的基于平面衬底的倒装RCLED芯片使用磁耦合等离子体刻蚀(InductiveCoupled Plasma，ICP)在衬底上刻蚀出透镜可用于增强光的汇聚效果，提升RCLED芯片的发光效率。
附图说明
图1是本发明实施例中基于平面衬底的倒装RCLED芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例中基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法流程示意图；
图3是本发明另一个实施例中基于平面衬底的倒装RCLED芯片的结构示意图；
图4是本发明另一个实施例中基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法流程示意图。
附图标记说明：
1-衬底；
11-第一透镜；
2-外延结构；
21-缓冲层；
22-u-GaN层；
23-n-GaN层；
24-多量子阱有源层；
25-电子阻挡层；
26-p-GaN层；
3-透明导电层；
4-N电极；
41-第一N电极层；
42-N电极互联区；
43-第二N电极层；
5-P电极；
51-第一P电极层；
52-P电极互联区；
53-第二P电极层；
6-第一反射镜；
7-第二反射镜；
71-第二透镜。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
RCLED芯片的基本结构主要包括类型为金属或者分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector，DBR)的一个顶部反射镜和一个底部反射镜以及两个反射镜中间的有源区。本发明的实施例中采用工业上可以量化生产的金属有机物化学气相沉积的方法外延氮化物薄膜，直接制备RCLED芯片，从而能以较低的成本和工艺难度，解决LED发光发散无法汇聚的问题。
本发明公开了基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法，包括：
S1：在衬底1上制备包括n-GaN层23的外延结构2以及透明导电层3；所述外延结构2包括设置在n-GaN层23上的凸台，所述透明导电层3设置在所述凸台上；
S2：在所述凸台一侧的n-GaN层23上制备第一N电极层41以及在透明导电层3上制备第一P电极层51；所述第一N电极层41覆盖部分所述n-GaN层23；
S3：在所述n-GaN层23、所述透明导电层3、所述第一N电极层41以及第一P电极层51上制备第一反射镜6；所述第一反射镜6覆盖所述第一N电极层41、所述第一P电极层51、所述透明导电层3、所述n-GaN层23以及所述外延结构2的凸台的侧壁；
S4：刻蚀所述第一反射镜6，形成暴露第一N电极层41的第一通孔以及暴露第一P电极层51的第二通孔；
S5：在所述第一反射镜6上制备第二N电极层43以及第二P电极层53，并在所述第一通孔内形成N电极互联区42，在所述第二通孔内形成P电极互联区52；
所述第二N电极层43通过所述N电极互联区42与所述第一N电极层41电连接，形成N电极4；所述第二P电极层53通过所述P电极互联区52与所述第一P电极层51电连接，形成P电极5；
S6：将步骤S5中的衬底1倒装，对所述衬底1的底部进行减薄；
S7：在步骤S6中得到的所述衬底1底部制备第二反射镜7，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。
在本发明的一些实施例中，所述步骤S1还包括：
S11：在所述衬底1依次生长缓冲层21、u-GaN层22、n-GaN层23、多量子阱有源层24、电子阻挡层25以及p-GaN层26，形成外延层；
S12：在所述p-GaN层26上覆盖透明导电材料层；
S13：刻蚀所述外延层以及透明导电材料层，深度到达所述n-GaN层23，得到包括多量子阱有源层24、电子阻挡层25以及p-GaN层26的凸台，形成所述外延结构2与所述透明导电层3。
在本发明的一些实施例中，所述步骤S6还包括：
刻蚀经减薄的所述衬底1的底部，在与所述透明导电层3相对应的衬底1底部形成第一透镜11；
在本发明的一些实施例中，所述步骤S7还包括：
所述第二反射镜7在与所述衬底1相对的表面上形成第二透镜71。
在本发明的一些实施例中，所述第一透镜11的制备方法包括磁耦合等离子体刻蚀法。
本发明还公开了基于平面衬底的倒装RCLED芯片，包括：
衬底1；
外延结构2，设置在衬底1上；
包括n-GaN层23；以及
设置在n-GaN层23上的凸台；
透明导电层3，设置在所述凸台上；
N电极4，包括：第一N电极层41、N电极互联区42以及第二N电极层43；所述第一N电极层41设置在所述凸台一侧的n-GaN层23上；
P电极5，包括：第一P电极层51、P电极互联区52以及第二P电极层53；所述第一P电极层51设置在所述透明导电层3上；
第一反射镜6，覆盖所述第一N电极层41、第一P电极层51、透明导电层3、所述n-GaN层23以及所述外延结构2的凸台的侧壁；
所述第一反射镜6设置有暴露第一N电极层41的第一通孔以及暴露第一P电极层51的第二通孔，所述N电极互联区42设置于第一通孔内，所述P电极互联区52设置于第二通孔内；
所述第二N电极层43设置在第一反射镜6上，并通过N电极互联区42与所述第一N电极层41电连接；
所述第二P电极层53设置在第一反射镜6上，并通过P电极互联区52与所述第一P电极层51电连接；以及
第二反射镜7，设置于所述衬底1底部，适用于与所述第一反射镜6形成法布里-珀罗谐振腔。
在本发明的一些实施例中，所述外延结构2还包括：
缓冲层21，设置在所述衬底1上；以及
u-GaN层22，设置在所述缓冲层21上，且位于所述n-GaN层23底部；
在本发明的一些实施例中，所述凸台包括：
多量子阱有源层24，设置在所述n-GaN层23上；
电子阻挡层25，设置在所述多量子阱有源层24上；以及
p-GaN层26，设置在所述电子阻挡层25上。
在本发明的一些实施例中，所述衬底1还包括：
第一透镜11，没置在与所述透明导电层3相对应的衬底1底部，适用于增强光的汇聚效果；
在本发明的一些实施例中，所述第二反射镜7还包括：
第二透镜71，设置在所述第二反射镜7与所述衬底1相对的表面上。
在本发明的一些实施例中，所述第一反射镜6包括15对TiO2/SiO2分布式布拉格反射镜；
在本发明的一些实施例中，所述第二反射镜7包括12对SiO2/TiO2分布式布拉格反射镜；
在本发明的一些实施例中，所述第一反射镜6的反射率大于所述第二反射镜7的反射率。
在本发明的一些实施例中，所述透明导电层3由包括氧化铟锡的材料制成；
在本发明的一些实施例中，所述衬底1由包括蓝宝石或石英的材料制成。
在本发明的一些实施例中，所述多量子阱有源层24包括AlXGa1-XN/GaN量子阱发光层或InYGa1-YN/GaN量子阱发光层；其中0＜X＜1，0＜Y＜1；
在本发明的一些实施例中，所述N电极4采用的材料包括Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al或Ti中的任一种或多种的组合；
在本发明的一些实施例中，所述P电极5采用的材料包括Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al或Ti中的任一种或多种的组合。
下面通过具体实施例结合附图来对本发明的技术方案作进一步阐述说明。需要注意的是，下述的具体实施例仅是作为举例说明，本发明的保护范围并不限于此。
实施例1
一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片，如图1所示，包括：衬底1、外延结构2、透明导电层3、N电极4、P电极5、第一反射镜6以及第二反射镜7。
衬底1由包括蓝宝石的材料制成；
外延结构2设置在衬底1上；包括：
缓冲层21，设置在所述衬底1上，采用的材料包括AlN；
u-GaN层22，设置在所述缓冲层21上；
n-GaN层23，设置在所述u-GaN层22上；
多量子阱有源层24，设置在所述n-GaN层23上；例如可以为AlGaN/GaN、InGaN/GaN等适合VCSEL结构的量子阱发光层；
电子阻挡层25，设置在所述多量子阱有源层24上，例如可以为Mg掺杂的AlGaN；以及
p-GaN层26，设置在所述电子阻挡层25上；其中，多量子阱有源层24、电子阻挡层25以及p-GaN层26在n-GaN层23上形成凸台；
透明导电层3设置在所述凸台上；其中，透明导电层3采用包括氧化铟锡的材料制成，也可以是其他同时具备高透过率和高导电率的材料；
N电极4包括：第一N电极层41、N电极互联区42以及第二N电极层43；所述第一N电极层41设置在所述凸台一侧的n-GaN层23上；
P电极5包括：第一P电极层51、P电极互联区52以及第二P电极层53；所述第一P电极层51设置在所述透明导电层3上；
第一反射镜6覆盖所述第一N电极层41、第一P电极层51、透明导电层3、所述n-GaN层23以及所述外延结构2的凸台的侧壁；
所述第一反射镜6设置有暴露第一N电极层41的第一通孔以及暴露第一P电极层51的第二通孔，所述N电极互联区42设置于第一通孔内，所述P电极互联区52设置于第二通孔内；
所述第二N电极层43设置在第一反射镜6上，并通过N电极互联区42与所述第一N电极层41电连接；
所述第二P电极层53设置在第一反射镜6上，并通过P电极互联区52与所述第一P电极层51电连接；以及
第二反射镜7设置于所述衬底1底部。
在本实施例中，第一反射镜6为包括15对TiO2/SiO2分布式布拉格反射镜；所述第二反射镜7为12对SiO2/TiO2分布式布拉格反射镜；所述第一反射镜6的反射率大于所述第二反射镜7的反射率，所述第一反射镜6与第二反射镜7形成法布里-珀罗谐振腔。
在本实施例中，所述N电极4与所述P电极5由包括Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al或Ti等半导体工艺中常用的金属中的一种或任意组合制备而成。
图2是本发明实施例中基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法流程示意图。
在本实施例中，公开了实施例1中的基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法，如图2所示，包括：
S101：在蓝宝石平面衬底1上生长外延层。
根据本发明的实施例，外延层例如包括2μm的AlN缓冲层21、3.5μm的u-GaN层22、1.5μm的n-GaN层23(Si掺杂浓度大约为2×1019cm-3)、多量子阱有源层24为9对In0.17Ga0.83N/GaN(3.5nm/10nm)、电子阻挡层25为0.02μm的p-Al0.1Ga0.9N和p-GaN层26为0.08μm n-GaN(Mg掺杂浓度大约为3.6×1019cm-3)。
S102：在外延层上面采用电子束蒸发的方法蒸镀100nm的氧化铟锡层。
S103：采用ICP技术刻蚀外延层和氧化铟锡层，形成外延结构2与透明导电层3。
在本实施例中，刻蚀深度到达n型掺杂的GaN电子注入层(即n-GaN层23)，暴露出n-GaN层23，并形成包含有多量子阱有源层24、电子阻挡层25和p-GaN层26的凸台。
根据本发明的实施例，所述凸台的形状与结构不做限定，可根据实际需要进行设计。
根据本发明的实施例，例如先用光刻胶定义出发光区域，利用光刻胶作为掩膜，然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到n型掺杂的GaN电子注入层(即n-GaN层23)为止。
S104：在外延结构2上制备第一N电极层41，以及在透明导电层3上制备第一P电极层51。
根据本发明的实施例，制备金属电极一般例如可以采用电子束蒸发、热蒸发或者溅射Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al、Ti等半导体工艺中常用的金属中的一种或多种的组合。
根据本发明的实施例，例如采用电子束蒸发Ni/Au，在p电极区域的透明导电层3上制备第一P电极层51，在n型掺杂的GaN电子注入层(即n-GaN层23)上制备第一N电极层41。
S105：蒸镀第一反射镜6。
在在n-GaN层23、透明导电层3、第一N电极层41以及第一P电极层51上蒸镀第一反射镜6。
本实施例的第一反射镜6为不同折射率材料交替生长或蒸镀的15对SiO2/TiO2分布式布拉格反射镜。
S106：采用ICP技术刻蚀第一反射镜6，形成第一通孔与第二通孔。
在本实施例中，采用ICP技术刻蚀第一反射镜6，刻蚀出第一通孔暴露出第一N电极层41，用于实现第一N电极层41与第二N电极层43的电气互连；并刻蚀出第二通孔暴露出第一P电极层51，用于实现第一P电极层51与第二P电极层53的电气互连。
S107：制备第二N电极层43、N电极互联区42、P电极互联区52以及第二P电极层53，形成N电极以及P电极。
在第一反射镜6上制备第二N电极层43，并在第一通孔内制备N电极互联区42，第二N电极层43与第一N电极层41通过N电极互联区电气连接，形成N电极4；以及
在第一反射镜6上制备第二P电极层53，并在第二通孔内制备P电极互联区52，第二P电极层53与第一P电极层51通过P电极互联区52电气连接，形成P电极5。
根据本发明的实施例，制备金属电极一般例如可以采用电子束蒸发、热蒸发或者溅射Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al、Ti等半导体工艺中常用的金属中的一种或多种的组合。
S108：将步骤S107中得到的结构倒装，采用机械抛光或者化学机械抛光技术减薄衬底1的底部。
S109：在经减薄的衬底1的底部蒸镀第二反射镜7。
本实施例的第二反射镜7为不同折射率材料交替生长或蒸镀的12对SiO2/TiO2分布式布拉格反射镜。
实施例2
一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片，如图3所示。
本实施例中的基于平面衬底的倒装RCLED芯片与实施例1的不同仅在于衬底1的底部设置有第一透镜11。所述第一透镜11的位置与透明导电层3的位置相对应，适用于增强光的汇聚效果；以及
第二反射镜7上设置有与第二透镜71，所述第二透镜71的位置与所述第一透镜11的位置相对应。
在本实施例中，还公开了实施例2中的基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法，如图4所示，
本实施例中的制备方法与实施例1中制备方法的不同仅在于：
S108：将步骤S107中得到的结构倒装，采用机械抛光或者化学机械抛光技术减薄衬底1的底部，并采用ICP刻蚀技术制备出第一透镜11。
根据本发明的实施例，例如先在出光区域定义一层较厚的光刻胶，利用光刻胶作为掩膜，然后进行ICP刻蚀，直至刻蚀到有利于光汇聚的透镜为止。以及
S109：在经减薄的衬底1的底部以及第一透镜11上蒸镀第二反射镜7，并在第二反射镜7上形成与第一透镜11位置相对应的第二透镜71。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
S1：在衬底(1)上制备包括n-GaN层(23)的外延结构(2)以及透明导电层(3)；所述外延结构(2)包括设置在n-GaN层(23)上的凸台，所述透明导电层(3)设置在所述凸台上；
S2：在所述凸台一侧的n-GaN层(23)上制备第一N电极层(41)以及在透明导电层(3)上制备第一P电极层(51)；所述第一N电极层(41)覆盖部分所述n-GaN层(23)；
S3：在所述n-GaN层(23)、所述透明导电层(3)、所述第一N电极层(41)以及第一P电极层(51)上制备第一反射镜(6)；所述第一反射镜(6)覆盖所述第一N电极层(41)、所述第一P电极层(51)、所述透明导电层(3)、所述n-GaN层(23)以及所述外延结构(2)的凸台的侧壁；
S4：刻蚀所述第一反射镜(6)，形成暴露第一N电极层(41)的第一通孔以及暴露第一P电极层(51)的第二通孔；
S5：在所述第一反射镜(6)上制备第二N电极层(43)以及第二P电极层(53)，并在所述第一通孔内形成N电极互联区(42)，在所述第二通孔内形成P电极互联区(52)；
所述第二N电极层(43)通过所述N电极互联区(42)与所述第一N电极层(41)电连接，形成N电极(4)；所述第二P电极层(53)通过所述P电极互联区(52)与所述第一P电极层(51)电连接，形成P电极(5)；
S6：将步骤S5中的衬底(1)倒装，对所述衬底(1)的底部进行减薄；
S7：在步骤S6中得到的所述衬底(1)底部制备第二反射镜(7)，形成所述基于平面衬底的倒装RCLED芯片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：
S11：在所述衬底(1)依次生长缓冲层(21)、u-GaN层(22)、n-GaN层(23)、多量子阱有源层(24)、电子阻挡层(25)以及p-GaN层(26)，形成外延层；
S12：在所述p-GaN层(26)上覆盖透明导电材料层；
S13：刻蚀所述外延层以及透明导电材料层，深度到达所述n-GaN层(23)，得到包括多量子阱有源层(24)、电子阻挡层(25)以及p-GaN层(26)的凸台，形成所述外延结构(2)与所述透明导电层(3)。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
所述步骤S6还包括：
刻蚀经减薄的所述衬底(1)的底部，在与所述透明导电层(3)相对应的衬底(1)底部形成第一透镜(11)；
所述步骤S7还包括：
所述第二反射镜(7)在与所述衬底(1)相对的表面上形成第二透镜(71)。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，
所述第一透镜(11)的制备方法包括磁耦合等离子体刻蚀法。
5.一种基于平面衬底的倒装RCLED芯片，其特征在于，包括：
衬底(1)；
外延结构(2)，设置在衬底(1)上；
包括n-GaN层(23)；以及
设置在n-GaN层(23)上的凸台；
透明导电层(3)，设置在所述凸台上；
N电极(4)，包括：第一N电极层(41)、N电极互联区(42)以及第二N电极层(43)；所述第一N电极层(41)设置在所述凸台一侧的n-GaN层(23)上；
P电极(5)，包括：第一P电极层(51)、P电极互联区(52)以及第二P电极层(53)；所述第一P电极层(51)设置在所述透明导电层(3)上；
第一反射镜(6)，覆盖所述第一N电极层(41)、第一P电极层(51)、透明导电层(3)、所述n-GaN层(23)以及所述外延结构(2)的凸台的侧壁；
所述第一反射镜(6)设置有暴露第一N电极层(41)的第一通孔以及暴露第一P电极层(51)的第二通孔，所述N电极互联区(42)设置于第一通孔内，所述P电极互联区(52)设置于第二通孔内；
所述第二N电极层(43)设置在第一反射镜(6)上，并通过N电极互联区(42)与所述第一N电极层(41)电连接；
所述第二P电极层(53)设置在第一反射镜(6)上，并通过P电极互联区(52)与所述第一P电极层(51)电连接；以及
第二反射镜(7)，设置于所述衬底(1)底部，适用于与所述第一反射镜(6)形成法布里-珀罗谐振腔。
6.根据权利要求5所述的倒装RCLED芯片，其特征在于，
所述外延结构(2)还包括：
缓冲层(21)，设置在所述衬底(1)上；以及
u-GaN层(22)，没置在所述缓冲层(21)上，且位于所述n-GaN层(23)底部；
所述凸台包括：
多量子阱有源层(24)，设置在所述n-GaN层(23)上；
电子阻挡层(25)，设置在所述多量子阱有源层(24)上；以及
p-GaN层(26)，设置在所述电子阻挡层(25)上。
7.根据权利要求6所述的倒装RCLED芯片，其特征在于，
所述多量子阱有源层(24)包括AlXGa1-XN/GaN量子阱发光层或InYGa1-YN/GaN量子阱发光层；其中0＜X＜1，0＜Y＜1；
所述N电极(4)采用的材料包括Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al或Ti中的任一种或多种的组合；
所述P电极(5)采用的材料包括Au、Ag、Cu、Pt、Cr、Ni、Al或Ti中的任一种或多种的组合。
8.根据权利要求5所述的倒装RCLED芯片，其特征在于，
所述衬底(1)还包括：
第一透镜(11)，设置在与所述透明导电层(3)相对应的衬底(1)底部，适用于增强光的汇聚效果；
所述第二反射镜(7)还包括：
第二透镜(71)，设置在所述第二反射镜(7)与所述衬底(1)相对的表面上。
9.根据权利要求5所述的倒装RCLED芯片，其特征在于，
所述第一反射镜(6)包括15对TiO2/SiO2分布式布拉格反射镜；
所述第二反射镜(7)包括12对SiO2/TiO2分布式布拉格反射镜；
所述第一反射镜(6)的反射率大于所述第二反射镜(7)的反射率。
10.根据权利要求5所述的倒装RCLED芯片，其特征在于，
所述透明导电层(3)由包括氧化铟锡的材料制成；
所述衬底(1)由包括蓝宝石或石英的材料制成。
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