CN101483219A - Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜,其Co的摩尔百分含量为2≤x≤10%,Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3%。采用脉冲激光沉积法制备,以纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末混合烧结的陶瓷片为靶材,将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中,生长室抽至本底真空小于8.0×10-4Pa,在压强为2~15Pa的O2气氛下生长,温度为350~700℃。本发明制备方法简单,n型掺杂载流子浓度可以达到5.0×1019~5.0×1020cm-3,并且同时具有室温铁磁性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种高载流子浓度n型并且具有室温铁磁性能的ZnO基稀磁半导体薄膜制备方法。
背景技术
稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors-DMS)是在半导体材料中通过掺杂引入磁性离子,使磁性离子部分地取代半导体中的非磁性阳离子,形成同时具有电子电荷和自旋双重性质的一种材料,可以用来制备各种超低能量消耗高密度的信息存储器、逻辑器和自旋偏振光发射器等集成了光、电、磁功能的新型器件。稀磁半导体是具有自旋极化的半导体,通常稀磁半导体的制备是采用少量3d过渡族元素掺入到半导体材料中使之产生铁磁性,而同时保持其半导体特性。
ZnO基DMS材料的研究目前还处于基础研究阶段,如要应用则必须同时解决高载流子浓度与室温铁磁性的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种操作简单、成本低廉的Co-Ga共掺杂生长高载流子浓度的n型,并且具有室温铁磁性能的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。
本发明的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜,其Co的摩尔百分含量为2≤x≤10%,Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3%。
Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:
1)称量纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末,其中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10%,Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3%。将上述粉末球磨混合均匀、压制成型,然后在1000~1300℃温度下烧结,制得Zn(Co,Ga)O陶瓷靶;
2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中,保持靶材与衬底之间的距离为4~6cm,生长室真空度抽至小于8.0×10-4Pa,衬底加热升温到350~700℃,生长室通入O2气体,控制压强为2~15Pa,开启激光器,让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材,沉积在衬底上,得到Co-Ga共掺杂生长n型ZnO基稀磁半导体薄膜,然后在50Pa氧气氛下冷却至室温。
上述的衬底可以是硅或蓝宝石或氧化锌或石英或玻璃。
本发明的优点是:
1)采用激光脉冲沉积技术生长,工艺成熟,操作简单,易于实现;
2)Co-Ga共掺ZnO薄膜同时具有高载流子浓度(5.0×1019~5.0×1020cm-3)和室温铁磁性。
附图说明
图1是根据本发明方法采用的脉冲激光沉积装置示意图。图中1为激光器;2为生长室;3为靶材;4为衬底;
图2是本发明制备的Zn(Co,Ga)O薄膜的室温铁磁性测量结果。
具体实施方式
以下结合具体实例进一步说明本发明。
实施例1
1)陶瓷靶的制备。称量纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末,其中Co的摩尔百分含量为2%,Ga的摩尔百分含量为3%,把称量好的ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末倒入装有玛瑙球的球磨罐中,在球磨机上球磨24小时,使ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末混合均匀并细化。然后将原料分离出来并烘干,添加粘结剂研磨,压制成型。把成型的胚体放入烧结炉中,先在800℃保温2小时,使粘结剂挥发,再升温至1250℃烧结2小时,得到Zn(Co,Ga)O陶瓷靶。
2)以2英寸石英抛光片作为衬底,将衬底表面清洗后放入脉冲激光沉积系统的生长室中,生长室真空度抽至小于8.0×10-4Pa,然后加热衬底,使衬底温度升至350℃,输入氧气,氧压调至10Pa,衬底与靶材间距4.5cm。开启激光器(脉冲激光能量为340mJ,频率5Hz),预沉积5min,除去靶材表面的玷污,然后旋开挡板,沉积薄膜。沉积过程中衬底和靶材低速旋转,以改善薄膜的均匀性,沉积时间为30min。在此条件下沉积一层约500nm的Co-Ga共掺的ZnO稀磁半导体薄膜,在50Pa氧气氛下以5℃/min的速度降温冷却至室温。本例制得Co-Ga共掺的ZnO稀磁半导体薄膜具有高载流子浓度(见表1)和室温铁磁性(见图2)。
表1是Co-Ga共掺杂制备的ZnO薄膜和单独Co掺杂的ZnO薄膜的电学性能比较(A:ZnCoO薄膜,B:Zn(Co,Ga)O薄膜),由表可见Co-Ga共掺杂ZnO薄膜具有更高的载流子浓度;
实施例2
靶材制备和薄膜沉积过程同实施例1,其中Co的摩尔百分含量为10%,Ga的摩尔百分含量为3%,同样获得制得Co-Ga共掺的ZnO稀磁半导体薄膜具有高载流子浓度和室温铁磁性。
实施例3
靶材制备和薄膜沉积过程同实施例1,区别在于衬底为蓝宝石,且衬底温度升至700℃,同样获得制得Co-Ga共掺的ZnO稀磁半导体薄膜具有高载流子浓度和室温铁磁性。
实施例4
靶材制备和薄膜沉积过程同实施例1,其中Co的摩尔百分含量为5%,Ga的摩尔百分含量为2%,同样获得制得Co-Ga共掺的ZnO稀磁半导体薄膜具有高载流子浓度和室温铁磁性。
Claims (3)
1.Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜,其特征是该薄膜中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10%,Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3%。
2.根据权利要求1所述的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法,包括以下步骤:
1)称量纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末,其中Co的摩尔百分含量为2≤x≤10%,Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3%。将上述粉末球磨混合均匀、压制成型,然后在1000~1300℃温度下烧结,制得Zn(Co,Ga)O陶瓷靶;
2)将步骤1)制得的陶瓷靶和清洗过的衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中,保持靶材与衬底之间的距离为4~6cm,生长室真空度抽至小于8.0×10-4Pa,衬底加热升温到350~700℃,生长室通入O2气体,控制压强为2~15Pa,开启激光器,让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材,沉积在衬底上,得到Co-Ga共掺杂生长n型ZnO基稀磁半导体薄膜,然后在50Pa氧气氛下冷却至室温。
3.根据权利要求2所述的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜的制备方法,其特征在于所说的衬底是硅或蓝宝石或氧化锌或石英或玻璃。
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