CN101465327A - 半导体元件衬底、喷墨头及其相关连接方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种半导体元件衬底、喷墨头及其相关连接方法。半导体元件衬底包括电极板;半导体元件;以及用于加热电极板的连接加热器,其中连接加热器布置在能够将电极板加热到能够进行电连接的水平的范围内。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体元件芯片、采用该半导体元件芯片的喷墨头以及用于将悬空引线(flying lead)接合至该半导体元件芯片的电极的方法。
背景技术
在使用半导体的设备的领域中,为实现更高水平集成,已知有使用TAB(带式自动接合)和FPC(柔性印刷电路)等柔性布线片(flexible wiring sheet)的设备。
图8是半导体元件芯片和柔性布线片之间的电连接部的示意图。图8(a)是电连接部的平面图,并且图8(b)是电连接部的沿图8(a)中的线E-E的截面图。
参照图8中的(a)和(b),附图标记101表示由硅(Si)等制成的半导体元件芯片,并且附图标记102表示具有悬空引线105的柔性布线片。悬空引线105是一种电极,并且是柔性布线片102的图案化电布线的一个组成部分。柔性布线片102具有用于容纳半导体元件芯片101的矩形器件孔103。将半导体元件芯片101放置在矩形器件孔103中,并且稳固地安装在支持构件109上。柔性布线片102的覆盖物是由聚酰亚胺等介电树脂形成的平板状基膜104。通过将由铜等导电金属物质制成的金属箔接合在平板状基膜104的下表面(图8(b))上,并且利用光刻将金属箔蚀刻成所希望的图案,来形成悬空引线105。在蚀刻处理之后,利用金、锡、焊料来镀悬空引线105的下表面。另外,利用抗蚀剂层108等覆盖柔性布线片102的下表面中将不暴露的金属区域。在上述处理期间,还形成了柔性布线片102的内部布线(未示出)、外部引线(未示出)等。柔性布线片102的外部引线是用于将柔性布线片102电连接至设备的主组件的电极板(electrode pad)。
另外,以使悬空引线105从柔性布线片102延伸至矩形器件孔103的内部的方式来形成悬空引线105。半导体元件芯片101配置有位于半导体元件芯片101的衬底的上表面上的多个电极板106。电极板106由铝等制成。利用在悬空引线105的端部和电极板106之间所提供的钉头凸点(stud bump)107,每个电极板106具有与从柔性布线片102延伸至器件孔103内部的相对应的悬空引线105的端部的电连接。
更具体地,电极板106配置有钉头凸点107,其中钉头凸点107是预先在电极板106的上表面上利用金等金属物质形成的突出物。对于在悬空引线105和相对应的电极板106之间建立电连接的方法,首先,将悬空引线105的端部放置在电极板106的钉头凸点107上,然后,使用接合工具(未示出)将端部按压在钉头凸点107上,从而将悬空引线105接合至钉头凸点107以建立悬空引线105和电极板106之间的电连接。
在上述接合处理期间,为了确保在半导体元件芯片101和柔性布线片102之间进行令人满意的电连接,通过吸引等将牢固地固定有半导体元件芯片101和柔性布线片102的支持部109牢固地保持到接合台。另外,为了将悬空引线105高效率地接合至钉头凸点107,对涉及接合处理的整个工件保持加热。
对于用于加热上述涉及接合处理的工件的方法,实践上通常使用通过使工件与加热块相接触而引起的热传导来加热工件。然而,该方法的问题在于:如果工件不能被放置成与加热块完全地接触,或者在类似的情况下,则热不能高效率地从加热块传导至工件。关于该问题的解决方法,例如,可以采用日本特开昭64-18735中所公开的加热方法。根据该申请,用于将采用半导体元件的设备组合在一起的设备配置有加热光源和聚光部(聚焦部),并且在辐射加热半导体元件芯片101和悬空引线105的同时执行上述在悬空引线105和电极板106之间进行令人满意的电连接的处理。
顺便提及,诸如上述的接合处理通常称为ILB(Inner LeadBonding,内部引线接合)。
ILB处理可以大致分为两组。这两组中的一组称作群接合,并且另一组称作单点接合。在群接合的情况下,通过使用接合工具将柔性布线片的所有悬空引线,或者在柔性布线片的任何一边延伸出的所有悬空引线,和相对应的钉头凸点同时一一连接。在单点接合的情况下,将柔性布线片的悬空引线和相对应的钉头凸点选择性地、分别地和顺序地一一连接。
不论是使用群接合方法还是使用单点接合方法,都在连接时对要连接的部分保持高温加热。更具体地,在通过群接合方法将悬空引线接合至相对应的钉头凸点的情况下,需要将接合工具加热到大约500℃,而在使用单点接合方法的情况下,必须将工件加热到大约200℃。在任何一种情况下,将热的接合工具或工件按压在放置在电极板上的悬空引线之上,以在引线和板的界面处使它们相互焊接。
一般来说,与半导体元件芯片101的衬底(由Si(硅)等形成)的线性膨胀系数相比,基膜104(主要由有机介电树脂形成)的线性膨胀系数和悬空引线105(由Cu(铜)形成)的线性膨胀系数相当大。因此,即使半导体元件芯片101上的给定电极(电极板106)与相对应的悬空引线105在加热前完全对准(完全接触),随着柔性布线片102的热膨胀进程,它们有时也变得不相互重合。
日本特开2003-7765中公开了上述问题的一个解决方法。根据该申请,考虑到基膜104的热膨胀的量来设置悬空引线间距。该申请中还公开了形成比悬空引线相对于钉头凸点的偏移量更宽的悬空引线以补偿该偏移量。
近年来,在柔性布线片上接合点的数量稳定地增加的同时,对减小柔性布线片的大小的需求增加。然而,在一定程度上,半导体元件芯片的大小由半导体元件芯片的成本决定。因此,要求减小电触头间距。为了减小电触头间距,不得不减小电极板间距的大小,这又要求减小钉头凸点的大小。为了减小钉头凸点的大小,不得不减小悬空引线的宽度。悬空引线的宽度的减小减少了悬空引线和电极展宽(electrode stretch)之间的接触面积。
在通过使用ILB处理将一组间距相当小的悬空引线接合至相对应的一组间距也相当小的电极板的情况下,由于来自ILB处理的热而膨胀的悬空引线有时与位于该悬空引线要接合至的电极板附近的电极板相接触。
另外,柔性布线片和半导体元件芯片两者在不可移动地保持到支持构件时被加热。因此,在保持热膨胀时将柔性布线片的悬空引线接合至半导体元件芯片的电极板。在接合处理完成之后,允许柔性布线片和半导体元件芯片冷却到常温。另外,在每个悬空引线和相对应的电极板之间存在钉头凸点,并且该钉头凸点在接合处理期间也被加热。因此,随着钉头凸点和电极板之间的接合区域的冷却,在接合区域中出现由于半导体元件芯片和柔性布线片之间线性膨胀系数的差别而导致的应力。该应力集中到电极板和相对应的钉头凸点之间的界面以及钉头凸点和相对应的悬空引线之间的界面上,这有时引起电极板从钉头凸点分离并且/或者悬空引线从钉头凸点分离(破坏点连接)。
随着上述电连接点的间距的减小,可能减小悬空引线的宽度。因此,不得不由更窄的悬空引线来吸收在上述冷却期间出现的应力。换言之,不得不由更小的接触区域来吸收应力,这样,接合强度更低。因此,悬空引线和电极板可能容易地相互分离。
另外,近年来,喷墨打印机在图像质量和速度上已经改善。换言之,这些喷墨打印机的喷出墨滴的孔的数量和孔的密度已经增加。换言之,除了喷墨孔的数量,这些喷墨打印机的用于喷出墨滴的记录元件的数量、用于驱动记录元件的元件的数量等也已经增加,这又使得半导体元件芯片上的线和电触头的数量增加。
然而,在采用半导体元件芯片的设备,更具体地,要求以高精确度来喷出墨滴的喷墨打印机的情况下,不得不预先将半导体元件芯片和柔性布线片不可移动地安装在支持部上。因此,出现类似于上述的问题。
发明内容
考虑到上述问题做出了本发明。因此,本发明的主要目的是提供一种半导体元件芯片和采用这样的半导体元件芯片的喷墨头,该半导体元件芯片可以防止柔性布线片的悬空引线和半导体元件芯片的相对应的电极板之间的非理想接合,该非理想接合是由于悬空引线和电极板之间的线性膨胀系数的差别而导致的。
本发明的另一个目的是提供一种用于接合半导体元件芯片的电极和柔性布线片的悬空引线的方法。
根据本发明的一个方面,提供了一种半导体元件衬底,包括:电极板;半导体元件;以及连接加热器,用于加热所述电极板,其中,所述连接加热器布置在能够将所述电极板加热到能够进行电连接的水平的范围内。
根据本发明的另一个方面,提供了一种喷墨头,包括:如上所述的半导体元件衬底;喷出能量生成元件,其配置在所述半导体元件上,用于生成用于喷出记录液体的能量;以及电布线构件,其配置有用于与所述电极板电连接的电触头,用于向所述喷出能量生成元件施加电脉冲。
根据本发明的另一方面,提供了一种用于半导体元件衬底的电连接方法,所述半导体元件衬底上配置有电极板、所述电极板上的钉头凸点以及半导体元件,所述电连接方法包括如下步骤:将悬空引线配置在所述钉头凸点上方而不与所述钉头凸点接触;将用于加热所述电极板的连接加热器配置在能够将所述电极板加热到能够进行电连接的水平的范围内;向所述连接加热器供电;以及向所述电极板按压所述悬空引线。
根据本发明的另一方面,提供了一种用于将第一构件的第一电极和第二构件的第二电极相互连接的连接方法,所述连接方法包括如下步骤:为所述第一构件配置用于加热所述第一电极的加热部件;利用所述加热部件将所述第一电极加热到预定温度;以及将所述第一电极和所述第二电极相互连接。
本发明使得可以提供:可以防止其电极板与相对应的柔性布线片的内部引线之间的非理想接合的半导体元件芯片,该非理想接合是由于半导体元件芯片的衬底和柔性布线片(内部引线)之间的线性膨胀系数的差别而导致的;采用这样的半导体芯片的喷墨头;以及用于使这样的半导体元件芯片的电极与柔性布线片的内部引线相接合的方法。
本发明涉及的电连接部是半导体元件芯片的电极板与相对应的柔性布线片的悬空引线之间的导电连接部,或者是使得可以形成电连接部的结构布置。在电极板的材料和悬空引线的材料是电极板和悬空引线能够直接相互接合的材料的情况下,无需在电极板和悬空引线之间放置另一片材料。即,在电极板和悬空引线之间放置另一片其它材料不是本发明的主要意图。然而,当优选地在电极板和悬空引线之间放置能够使得电极板和悬空引线更容易地相互接合的另一片材料时,可以将例如钉头凸点这样的材料放置在电极板和悬空引线之间。
考虑到如下结合附图对本发明的优选实施例的说明,本发明的这些和其它目的、特征和优点将变得更加显而易见。
附图说明
图1是本发明的第一实施例中的半导体元件芯片的电极板和柔性布线片的内部引线(悬空引线)之间的电连接部的示意图。
图2是本发明的第一实施例中的半导体元件芯片的电极板和柔性布线片的内部引线(悬空引线)之间的电连接部以及ILB设备200的一部分的示意图。
图3是喷墨头的示意性截面图。
图4是用于说明本发明的第二优选实施例的示意图。
图5是用于说明本发明的第三优选实施例的示意图。
图6是用于说明本发明的第四优选实施例的示意图。
图7是用于说明本发明的第五优选实施例的示意图。
图8是采用半导体元件芯片的传统设备中的电极板和悬空引线(内部引线)之间的电连接部的示意图。
具体实施方式
将参照本发明的优选实施例来说明的本发明是一种用于接合第一电极和第二电极的方法,其中,第一电极是例如半导体元件芯片等第一构件所具有的电极,第二电极是例如布线片等第二构件所具有的悬空引线。更具体地,第一构件配置有专用于加热第一构件的电极的加热部件,并且在使第一构件的电极与第二构件的电极相接合以在两个电极之间建立电连接时,使用该加热部件将第一构件的电极加热到预设的温度水平。换言之,在将第一构件的电极加热到可以令人满意地接合两个电极的温度水平之后,使第一构件的电极与第二构件的电极相接合。
实施例1
图1是本发明的第一优选实施例中的半导体元件芯片的电极板组和相对应的柔性布线片的内部引线(悬空引线)组之间的电连接部的示意图。图1(a)是电连接部的平面图,并且图1(b)是在图1(a)中线A-A处的电连接部的截面图。
参照图1中的(a)和(b),附图标记110表示专用于在使电极板106与相对应的悬空引线105相接合时加热电极板106的加热器。使用膜形成技术在半导体元件芯片101的衬底上形成加热器110,以使加热器110恰好位于或大致位于电极板106的下方,其中在电极板106和加热器110之间布置介电层112。加热器110处在这样的区域内:在该区域中,加热器110可以将电极板106加热到可以令人满意地与悬空引线105相接合的温度水平,而不会不利地影响半导体元件芯片101的功能。介电层112由用于形成半导体膜的SiN等形成。通过介电层112使加热器110和要加热以进行接合的电极板106相互电绝缘。加热器110包括发热电阻层,其中发热电阻层由当有电流通过其中时产生热的TaSiN等形成,而且在发热层上形成由A1等形成的电极层(电布线),以使得以预定量的间隔在发热层上配置多对电极。当电流流过每对电极111时,发热电阻层在每对电极111之间的部分生成热。加热器110仅是用于加热电极板106的加热器的一个例子,并非意图限制本发明的范围。即,只要发热效率高,可以使用任何金属物质作为用于加热器110的材料。
图2是半导体元件芯片101的电极板106组和柔性布线片102的悬空引线105(内部引线)组之间的电连接部以及ILB设备200的一部分的示意图。图2(a)是电连接部和ILB设备200的一部分的平面图,并且图2(b)是在图2(a)中线B-B处的电连接部和ILB设备200的一部分的截面图。
参照图2中的(a)和(b),ILB设备配置有接触电极201,接触电极201可以布置成与半导体元件芯片101的加热器电极111接触以向加热器110供电。接触电极201配置有电源202,电源202向接触电极201提供用于使加热器110生成热的电力。
下面是用于使电极板加热器110生成热的过程:
以使各悬空引线105位于相对应的电极板106的钉头凸点107之上的方式来布置半导体元件芯片101和柔性布线片102的位置。悬空引线105是电布线构件的这样一部分:该部分用于将外部电信号、用于驱动半导体元件芯片101的电力等提供给半导体元件芯片101的电极板106。悬空引线105以作为电引线从柔性布线片102延伸的方式附接到柔性布线片102。
在该过程的这一阶段,悬空引线105和相对应的钉头凸点107还没有被布置成相互接触。即使它们相互接触,也希望该接触是两者之间没有热传导的接触。即,希望两者之间没有实际上的接触。换言之,不对悬空引线105加热,直到紧接在对两者加热以进行接合之前,由此防止悬空引线105由于其热膨胀而发生变形(尤其是长度方向上的变形)的问题。
接着,从电源202向电极板加热器110供电。然后,在电极板加热器110达到预设的温度水平(高到足够能提供用于使电极板106和悬空引线105相互接合的热能)之后,在向电极板加热器110供电的同时开始将悬空引线105接合到电极板106,以使得电极板106和悬空引线105之间的电连接部的温度保持在预设水平。然后,在悬空引线105和电极板106之间在电极板106上存在钉头凸点107的情况下,使用器具向电极板106按压悬空引线105。在该步骤期间,与任何传统ILB的情况不同,不用高温加热的接合工具或工件来按压悬空引线105。替代地,从位于电极板106下方的电极板加热器110提供ILB所必需的热能。在通过上述步骤完成钉头凸点107和悬空引线105的相互接合之后,终止施加来自电源202的电压。然后,将ILB设备200的接触电极201从电极板加热器110的电极111断开,并且将ILB设备200从半导体元件芯片101移开。可以根据需要,通过电压值和/或电流值来控制在ILB步骤期间提供给接合加热器110的电极111的电力,以提供用于适当的ILB所必需的量的热能。
如上所述,在将悬空引线105接合至电极板106之前通过接合加热器110加热电极板106。因此,悬空引线105不会承受过量的热。因此,可以在悬空引线105实际上没有由于热膨胀而导致变形的同时将悬空引线105接合至电极板106。因此,可以防止将悬空引线105非理想地接合至电极板106。另外,在实际上没有悬空引线105的位置偏移的同时接合悬空引线105。因此,即使随着悬空引线105和电极板106之间的电连接部冷却,在电连接部中实际上也不会产生应力;在电连接部冷却之后,在电连接部中实际上没有应力。另外,与任何传统过程相比,该过程在控制执行ILB处理的温度水平方面更容易,并且可以将更多量的热供给至电极板106和钉头凸点107,因此缩短了将电极板106的温度提高到预设水平所要花费的时间长度。另外,不会不必要地加热悬空引线105。因此,该过程的冷却电连接部的时间长度短。因此,该过程可以缩短ILB所要求的时间长度。
另外,在将多个内部引线接合至相对应的电极时,保持内部引线接合加热器接通,因此,热通过先前的接合所创建的电连接部持续地传导至悬空引线105。该热传导持续,直到将全部悬空引线接合至相对应的电极板106之后切断接合加热器110的供电为止。因此,在整个电连接部中,由于热膨胀而导致的悬空引线105的位置偏移持续发生。然而,将单个悬空引线105接合至相对应的电极板106所花费的时间长度大约是相当短的0.05秒。因此,即使要接合30个悬空引线105,热被传导至悬空引线105的时间长度也大约为1.5秒。因此,不会出现如下情况:在它们开始被接合之前,直到开始ILB处理为止一直被加热的悬空引线105的温度升高到足够进行接合的水平。因此,尽管在接合的顺序中较为靠后的一些悬空引线105在接合处理结束时可能发生位置偏离,但是它们的位置偏移量也足够小到在ILB处理完成之后使电连接部冷却时以及在电连接部变为常温之后,在电连接部中实际上不产生应力。
基本上,将半导体元件芯片101作为组件中的一个而放置在采用半导体元件芯片的设备中之后,通常是在常温水平下使用半导体元件芯片101。即,本实施例中的ILB处理不会使半导体元件芯片101经受根据现有技术的ILB处理使半导体元件芯片101所经受的温度那样的高温。即,在使用上述接合方法将柔性布线片102的悬空引线105接合至半导体元件芯片101的电极板时,半导体元件芯片101和柔性布线片102之间的电连接部实际上不会经受应力。换言之,本实施例中的内部引线接合方法可以在半导体元件芯片101和柔性布线片102之间的电连接部的可靠性的方面,改善采用半导体元件芯片101和柔性布线片102的设备。
可以应用本发明的这个实施例的设备的一个例子是安装在图3中示出的打印机等中的喷墨头。
图3中示出的喷墨头包括半导体元件芯片101和位于半导体元件芯片101的上部的液体通路形成构件116。液体通路形成构件116具有液体喷出孔117的列,通过液体喷出孔117喷出墨等记录液体的小滴。以使液体通路形成构件116的液体喷出孔117一一对应地面对液体喷出能量生成元件(由发热电阻构成的液体喷出加热器120)的方式来布置液体通路形成构件116的位置。除了作为记录芯片的半导体元件芯片101,喷墨头还具有用于向半导体元件芯片101(记录芯片)提供记录液体的支持构件109和柔性布线片102。柔性布线片102是用于向各液体喷出能量生成元件施加电脉冲以使记录液体从喷墨头喷出的组件。另外,喷墨头配置有墨提供单元119,墨提供单元119用于从各颜色墨容器118向支持构件109提供记录液体。
关于喷墨头所采用的半导体元件芯片,用于向作为使喷墨头喷出墨滴的元件的例子的各液体喷出加热器120供电的电路部分与用于向内部引线接合加热器110的电极111供电的电路部分不同。即,以使用于向内部引线接合加热器110供电的电路部分在使用产品时不产生任何影响喷墨产品的功能的问题的方式,构成半导体元件芯片101。
如上所述,即使在将悬空引线接合至记录芯片的电极时,使用本实施例中的ILB方法也能够产生例如上述的这些效果,其中悬空引线用于将用于驱动记录元件的电力提供给上述喷墨头的记录芯片。
实施例2
图4是用于说明本发明的第二优选实施例的图。在本实施例中,将内部引线接合加热器110放置在半导体元件芯片101的衬底上,以使得加热器110紧邻半导体元件芯片101的电极板106,而不是位于电极板106的正下方。图4(a)是半导体元件芯片101和柔性布线片102之间的电连接部的平面图,并且图4(b)是在图4(a)中线C-C处的电连接部的截面图。另外,在本实施例中,将电极接合加热器110布置在这样的区域中:在该区域中,加热器110可以将电极板106加热到电极板106和内部引线105可以一一对应地、令人满意地相互接合的温度水平,而不会有损害地影响半导体元件芯片101的功能。本实施例中的用于将悬空引线105接合至相对应的电极板106的方法与第一实施例中的相同。
本实施例中的ILB接合方法不要求在介电层112上形成电极板106和要连接到电极板106的电布线。因此,无需考虑各电极板106和介电层112之间的接触的状态以及电布线和介电层112的边缘之间的落差的覆盖的状态,即无需考虑影响采用半导体元件芯片101的设备的可靠性的因素。
另外,在将本实施例用于制造喷墨头的情况下,可以同时用相同的材料形成液体喷出加热器120和电极接合加热器110。换言之,本实施例可以减少喷墨头制造步骤的数量,并且可以简化喷墨头制造工艺。
实施例3
图5是用于说明本发明的第三优选实施例的图。在本实施例中,将例如温度传感二极管等温度检测部件113放置在邻近布置有电极板106的区域。本实施例中的用于将悬空引线105一一对应地接合至电极板106的方法与第一实施例中的相同。
在本实施例的情况下,设置温度检测部件113,作为用于在电极接合加热器110对电连接部进行加热时更容易地控制电连接部的温度的部件。将来自温度检测部件113的输出信号从温度检测部件113的电极114输出。基于由温度检测部件113检测到的电连接部的温度水平,可以通过控制(持续或停止)加热器110的电力供给来控制电连接部的温度,从而将电连接部的温度保持在进行令人满意的电极接合的范围内。如果由于温度检测部件113的热特性的原因而有必要采用两个或更多个温度检测部件113,则也是可以的。
本实施例中的电极接合方法还适合于用作喷墨头的记录芯片的半导体元件芯片。
实施例4
图6是用于说明本发明的第四优选实施例的图。在本实施例中,作为柔性布线片102的外部端子组的一部分来形成端子115,其中,经由端子115向半导体元件芯片101的电极接合加热器110施加电压。柔性布线片102的这一外部端子组是电极板组,经由这一电极板组将电信号、电力等提供给半导体元件芯片101的电极板106。本实施例中的用于将悬空引线105一一对应地接合至电极板106的方法与第一实施例中的相同。
在本实施例的情况下,在一一对应地接合电极板106和悬空引线105之前,将钉头凸点107接合至电极板加热器110的电极111。经由端子115从外部电源向电极接合加热器110施加电压。
本实施例还适合于可用作喷墨头的记录芯片的半导体元件芯片。
在由于衬底上的可用空间的原因而不能将用于向半导体元件芯片101的电极接合加热器110供电的电极115形成在半导体元件芯片101的衬底上时,或者在电极115的大小被减小到使得电极115与ILB设备200的电极接触部201之间的接触面积的大小的不足时,本实施例是有益的。
实施例5
图7是用于说明本发明的第五优选实施例的图。在本实施例中,以脉冲信号的形式来施加要经由加热器110的电极111施加到电极接合加热器110的电压。图7(a)是半导体元件芯片101和柔性布线片102之间的电连接部的平面图,并且图7(b)是在图7(a)中线D-D处的电连接部的截面图。
参照图7中的(a)和(b),以使电压转换单元203位于电源202和电极接触部201之间的方式来构成ILB设备200。本实施例中的用于将悬空引线105一一对应地接合至电极板106的方法与第一实施例中的相同。
本实施例还适合于用作喷墨头的记录芯片的半导体元件芯片。
本实施例可以使得施加到电极接合加热器110的电压保持恒定,从而更容易地将电极接合加热器110的温度保持在预设水平。更具体地,即使在达到预设温度之后,电极接合加热器110的温度也可能波动。本实施例可以通过基于电极接合加热器110的热属性预先设置脉冲信号长度,来更容易地将该温度波动量保持在预设范围内。
上面使用本发明的第一到第五优选实施例说明的本发明使用膜形成技术在半导体元件芯片的衬底上形成作为专用于电极接合的热生成电阻的电极接合加热器,并且在保持利用电极接合加热器加热电极板的同时,将柔性布线片的悬空引线(内部引线)接合至半导体芯片的电极板。然而,不对悬空引线加热,直到紧接在实际接合悬空引线之前为止。因此,可以在实际上不产生由于悬空引线的热膨胀而导致的悬空引线变形的同时接合悬空引线。因此,即使在半导体芯片和柔性布线片之间的电连接部已经冷却到常温之后,实际上电连接部中也没有应力,从而使得柔性布线片的任何悬空引线不会从相对应的半导体芯片的电极板分离。即,本发明可以改善半导体芯片和柔性布线片之间的电连接部的可靠性。
尽管参考典型实施例说明了本发明,但是应该理解,本发明不局限于所公开的典型实施例。所附权利要求书的范围符合最宽的解释,以包含所有这样的修改、等同结构和功能。
Claims (6)
1.一种半导体元件衬底,包括:
电极板;
半导体元件;以及
连接加热器,用于加热所述电极板,
其中,所述连接加热器布置在能够将所述电极板加热到能够进行电连接的水平的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体元件衬底,其特征在于,所述连接加热器配置在所述电极板下方,其中,在所述连接加热器和所述电极板之间具有电绝缘层。
3.根据权利要求1所述的半导体元件衬底,其特征在于,所述连接加热器沿所述半导体元件衬底的表面配置在所述电极板的侧方。
4.一种喷墨头,包括:
根据权利要求1~3中任一项所述的半导体元件衬底;
喷出能量生成元件,其配置在所述半导体元件上,用于生成用于喷出记录液体的能量;以及
电布线构件,其配置有用于与所述电极板电连接的电触头,用于向所述喷出能量生成元件施加电脉冲。
5.一种用于半导体元件衬底的电连接方法,所述半导体元件衬底上配置有电极板、所述电极板上的钉头凸点以及半导体元件,所述电连接方法包括如下步骤:
将悬空引线配置在所述钉头凸点上方而不与所述钉头凸点接触;
将用于加热所述电极板的连接加热器配置在能够将所述电极板加热到能够进行电连接的水平的范围内;
向所述连接加热器供电;以及
向所述电极板按压所述悬空引线。
6.一种用于将第一构件的第一电极和第二构件的第二电极相互连接的连接方法,所述连接方法包括如下步骤:
为所述第一构件配置用于加热所述第一电极的加热部件;
利用所述加热部件将所述第一电极加热到预定温度;以及
将所述第一电极和所述第二电极相互连接。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007328707 | 2007-12-20 | ||
JP2007328707A JP5147382B2 (ja) | 2007-12-20 | 2007-12-20 | 半導体素子基板及び該素子基板を用いたインクジェットヘッド、及びそれらに用いられる半導体素子基板の電気接続方法 |
JP2007-328707 | 2007-12-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101465327A true CN101465327A (zh) | 2009-06-24 |
CN101465327B CN101465327B (zh) | 2011-04-20 |
Family
ID=40788094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101862429A Expired - Fee Related CN101465327B (zh) | 2007-12-20 | 2008-12-22 | 半导体元件衬底、喷墨头及其相关连接方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8235503B2 (zh) |
JP (1) | JP5147382B2 (zh) |
KR (1) | KR101083492B1 (zh) |
CN (1) | CN101465327B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103182844A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 珠海纳思达企业管理有限公司 | 一种液体喷头 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6143486B2 (ja) * | 2013-02-08 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | 電気接続方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57152147A (en) | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Formation of metal projection on metal lead |
JPS6418735U (zh) | 1987-07-23 | 1989-01-30 | ||
AT389832B (de) * | 1988-08-01 | 1990-02-12 | Plansee Metallwerk | Loetverbindung |
US5241134A (en) * | 1990-09-17 | 1993-08-31 | Yoo Clarence S | Terminals of surface mount components |
JP3276589B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2002-04-22 | デイエツクスアンテナ株式会社 | 共同受信施設用増幅器 |
KR200170023Y1 (ko) | 1997-08-22 | 2000-02-01 | 토니헬 | 굴삭기의 브레이커 배관 취부구조 |
JP3223283B2 (ja) | 1999-09-14 | 2001-10-29 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003007765A (ja) | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Canon Inc | Tabテープ及びボンディング方法 |
JP2010000700A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Canon Inc | 記録ヘッドの製造方法および記録ヘッド |
-
2007
- 2007-12-20 JP JP2007328707A patent/JP5147382B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-02 US US12/326,381 patent/US8235503B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-19 KR KR1020080129757A patent/KR101083492B1/ko active IP Right Grant
- 2008-12-22 CN CN2008101862429A patent/CN101465327B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103182844A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 珠海纳思达企业管理有限公司 | 一种液体喷头 |
CN103182844B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-06-03 | 珠海纳思达企业管理有限公司 | 一种液体喷头 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009152367A (ja) | 2009-07-09 |
KR101083492B1 (ko) | 2011-11-16 |
KR20090067098A (ko) | 2009-06-24 |
JP5147382B2 (ja) | 2013-02-20 |
CN101465327B (zh) | 2011-04-20 |
US8235503B2 (en) | 2012-08-07 |
US20090160908A1 (en) | 2009-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20110420 Termination date: 20191222 |