JP5147382B2 - 半導体素子基板及び該素子基板を用いたインクジェットヘッド、及びそれらに用いられる半導体素子基板の電気接続方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施態様に係る半導体素子基板のILB接続部の模式図である。図1(a)は平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。
図4は、第2の実施態様を説明する図であり、接続用ヒーター110を半導体素子基板101上の電極パッド106の直下ではなく、半導体素子基板面に沿って側方の近傍に配置したものである。図4(a)は平面図であり、図4(b)は図4(a)のC−C断面図である。なお、本実施形態においても、接続用ヒーター110は、半導体素子基板101の機能を損なうことなく、電極パッド106をILB接続等の電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配されている。なお、電極パッド106に対するフライングリード105のILB接続の方法は第1の実施形態と同様である。
図5は、第3の実施形態を説明する図であり、半導体素子基板101上の電極接続部付近にDi(ダイオード)センサーなどの温度検出手段113を配置したものである。なお、電極パッド106に対するフライングリード105のILB接続の方法は第1の実施形態と同様である。
図6は、第4の実施態様を説明する図であり、半導体素子基板101の接続用ヒーター110に電圧を印加する場所を、フレキシブル配線シートの外部接続用端子列に含まれる端子115にしたものである。この外部接続用端子列は、半導体素子基板101の電極パッド106へ供給される電気信号や駆動電力等をフレキシブル配線テープを介して受ける際の電極パッドである。なお、電極パッド106に対するフライングリード105のILB接続の方法は第1の実施形態と同様である。
図7は、第5の実施形態を説明する図であり、半導体素子基板101の接続用ヒーター電極111に与える電圧を、パルス信号による印加手段にしたものである。図7(a)は平面図であり、図7(b)は図7(a)のD−D断面図である。
102 フレキシブル配線シート
103 デバイスホール
104 ベースフィルム
105 フライングリード
106 電極パッド
107 スタッドバンプ
108 レジスト層
109 支持部材
110 接続用ヒーター
111 接続用ヒーター電極
112 絶縁層
113 温度検出手段(Diセンサー等)
114 温度検出用電極
115 端子
116 流路形成部材
117 吐出口
118 インクタンク
119 インク供給ユニット
120 吐出用ヒーター
201 電気接触部
202 電源
203 パルス信号変換ユニット
Claims (6)
- 電極パッドと半導体素子とが形成された半導体素子基板であって、
前記電極パッドを加熱する専用の接続用ヒーターを、電極パッドを電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配したことを特徴とする半導体素子基板。 - 前記接続用ヒーターは、前記電極の下方に絶縁層を介して配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子基板。
- 前記接続用ヒーターは、半導体素子基板面に沿って、前記電極の側方に配されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子基板。
- 請求項1乃至3のいずれか1項の半導体素子と、
前記半導体素子に配された、記録液を吐出するエネルギーを発生させるための吐出エネルギー発生素子と、
前記電極パッドと電気接続する端子を備え、前記エネルギー発生素子へ電気パルスを印加するための電気配線部材と、
を有することを特徴とするインクジェットへッド。 - 電極パッドと、該電極パッド上に形成されたスタッドバンプと、半導体素子と、が形成された半導体素子基板の電気接続方法において、
フライングリードを前記スタッドバンプの上に非接触に配する工程と、
電極パッドを電気接続可能な温度に加熱できる範囲内に配された前記電極パッドを加熱する専用の接続用ヒーターを加熱する工程と、
前記接続用ヒーターが前記電極パッドへ接続に必要な熱エネルギーを供給可能な温度に達する工程と、
前記フライングリードを前記電極パッドへ押圧する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子基板の電気接続方法。 - 第1の部材の有する第1の電極と第2の部材が有する第2の電極との接続方法であって、
前記第1の電極と前記第2の電極との電気接合を形成する際に、前記第1の部材に前記第1の電極を加熱する専用の加熱手段を設け、先に前記加熱手段を用いて前記第1の電極の方を一定の温度に加熱した後、前記第1の電極と前記第2の電極との接合を行なうことを特徴とする接合方法。
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