CN101463140A - 一种超疏水聚偏氟乙烯膜的制备方法及其制品 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种超疏水PVDF膜的制备方法及其制品。该制备方法包括:1.PVDF膜的制备;2.PVDF膜等离子体处理:在真空度8-11Pa条件下,采用氮气、氧气、空气、氩气或氦气气氛的等离子体处理PVDF膜5-15min,处理功率100-200W;3.PVDF膜表面修饰:制备体积浓度为1/10-1/3的有机硅烷溶液,放在相对湿度为30-60%的密闭容器中待用;然后将经等离子体处理过的PVDF膜放入所述密闭容器中,采用化学浴沉积法处理8-12min,或者采用化学气相沉积法气相条件下处理50-120min;然后依次用甲苯、乙醇和体积比1∶1的乙醇/水在常温下充分洗涤,在100-120℃下烘干10-15min后,即制得所述的超疏水PVDF膜。该PVDF膜制品采用本发明超疏水PVDF膜的制备方法制成。

Description

一种超疏水聚偏氟乙烯膜的制备方法及其制品
技术领域
本发明涉及一种有机膜制备技术,具体为一种超疏水聚偏氟乙烯(PVDF)膜的制备方法及其制品。
背景技术
聚偏氟乙烯(PVDF)是一种高分子量的半结晶有机氟聚合物,具有比其它结晶聚合物更为优良的耐候性,如可抵抗紫外线引起的降解和大气中化学物质的损伤,还可抵抗海藻类菌和真菌的侵蚀。所以PVDF膜用途极广,可普遍用于建筑膜材、玻璃、纺织品等基材的表层,以增加基材的耐候性能。但PVDF膜表面的疏水性能较低,自清洁功能较差,长期使用过程中聚集在PVDF膜表面的尘污会影响膜表面的清洁度及透光性能。通过对PVDF膜表面进行处理获得超疏水性能,在使用过程中仅依靠雨水冲刷就能自洁,不仅可以使膜表面美观、保持良好的透光性能,而且大大节省了人们对基材表面的清洗和维护。
PVDF具有较高的化学惰性,结构中只具有反方向的C—F键和C—H键,本身不含羟基、羧基等极性基团,难以采用普通的化学改性方法获得超疏水性能。采用在PVDF膜溶液中添加纳米粒子的方法可获得超疏水表面,例如,赵晓娣在其博士论文“PVDF/纳米SiO2防污自洁面涂剂的制备及其在PVC膜材上的应用”中介绍了在面涂剂里添加纳米SiO2粒子的方法制备获得PVDF膜的超疏水表面。但这种方法存在纳米粒子容易团聚,PVDF膜透光性能降低等问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本发明拟解决的技术问题是,提供一种超疏水聚偏氟乙烯膜的制备方法及其制品。该制备方法采用等离子体对聚偏氟乙烯(PVDF)膜表面进行改性,再采用化学方法进行表面修饰,工艺方法简单,容易工业实施,所制备的PVDF膜表面具有良好的超疏水和防污自洁性能。
本发明解决所述制备方法技术问题的技术方案是:设计一种超疏水PVDF膜的制备方法,该制备方法包括以下工艺:
1.PVDF膜的制备:将PVDF粉体溶解于溶剂中,配制成质量分数为5-10%的PVDF溶液,60-80℃恒温搅拌1-2h,静置脱泡30-60min,涂膜,在90-180℃条件下烘干,即得到PVDF膜;所述的溶剂为丙酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺;
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度8-11Pa条件下,采用特定气氛的等离子体处理PVDF膜表面5-15min,处理功率100-200W;所述特定气氛为氮气、氧气、空气、氩气或氦气;
3.PVDF膜表面修饰:将有机硅烷溶解于有机溶剂中制成体积浓度为1/10-1/3的有机硅烷溶液,放在相对湿度为30-60%的密闭容器中,待用;所述有机硅烷为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷或氟代烷基硅烷;所述有机溶剂为苯、甲苯、乙醚、二乙烯醚或环氧乙烷;然后将经等离子体处理过的PVDF膜浸渍在所述密闭容器中的有机硅烷溶液里,表面处理8-12min;或者将经等离子体处理过的PVDF膜放在所述密闭容器中的有机硅烷溶液之上,气相条件下沉积处理50-120min;处理后的PVDF膜依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水在常温下充分洗涤,在100-120℃下烘干10-15min后,即制得所述的超疏水PVDF膜。
本发明解决所述制品技术问题的技术方案是:设计一种超疏水PVDF膜制品,该超疏水PVDF膜制品采用本发明所述的超疏水PVDF膜制备方法制成。
与现有技术相比,本发明制备方法所用材料为低表面能物质,工艺简单,易于操作,所得PVDF膜表面可形成类似于荷叶表面的微米-纳米双重结构,粘附力很低,污物在这种PVDF膜表面的接触面积少,很容易在雨水冲刷下随水滴滚落,因此具有良好的超疏水性能和自清洁功能。
附图说明
图1(a)为本发明制备方法中未经表面修饰的PVDF膜表面与水的接触角照片图;
图1(b)为本发明制备方法中未经表面修饰的PVDF膜(图1(a)膜)的防污自洁效果照片图;
图2(a)为本发明制备方法中一种实例所得的PVDF膜表面经化学浴沉积法修饰后与水的接触角照片图;
图2(b)为本发明制备方法中一种实例所得的PVDF膜(图2(a)膜)表面的防污自洁效果照片图;
图3(a)为本发明制备方法中一种实例所得PVDF膜表面经化学气相沉积法修饰后与水的接触角照片图;
图3(b)为本发明制备方法中一种实例所得PVDF膜(图3(a)膜)表面的防污自洁效果照片图。
具体实施方式
下面结合实施例及其附图进一步叙述本发明。
针对目前PVDF膜疏水性能存在的问题,本发明设计思路是将“荷叶效应”原理应用到超疏水PVDF膜的制备之中,采用等离子体对PVDF膜表面进行改性,再用化学方法对PVDF膜进行表面修饰,制得一种新型的超疏水PVDF膜。该PVDF膜表面具有微米-纳米双重结构,粘附力很低,污物不容易粘附,提高了PVDF膜的疏水性和自清洁功能。
本发明设计的超疏水PVDF膜制备方法(简称制备方法)包括以下工艺:
1.PVDF膜的制备:PVDF是一种高分子量的半结晶有机氟聚合物,结晶度在60~80%,在特定的情况下能形成微晶。将PVDF粉体溶解于丙酮、DMF或DMAC等适当溶剂中,配制成质量分数为5-10%的PVDF溶液,60-80℃恒温搅拌1-2h,静置脱泡30-60min,涂膜,然后在90-180℃烘干,制得PVDF膜。
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度8-11Pa条件下、采用特定气氛的等离子体处理所得PVDF膜表面5-15min,处理功率100-200W,使该膜表面产生活性基团;所述特定气氛为氮气、氧气、空气、氩气或氦气。所述的等离子体可以是微波等离子体或辉光等离子体。
3.PVDF膜表面修饰:本发明制备方法的PVDF膜表面修饰包括两种方法,一种是化学浴沉积法,另一种是化学气相沉积法,两种修饰方法的所得制品膜的性能相差不多。具体做法是:先将有机硅烷溶解于有机溶剂中制成体积浓度1/10-1/3的有机硅烷溶液,并放在相对湿度为30-60%的密闭容器中,待用;所述有机硅烷为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷或氟代烷基硅烷(CF3(CF2)8(CH2)2-Si(OCH3)3,简称FAS);所述有机溶剂为苯、甲苯、乙醚、二乙烯醚或环氧乙烷;然后将经等离子体处理过的PVDF膜浸渍在所述密闭容器中有机硅烷溶液里进行表面处理8-12min(即化学浴沉积法);或者放在所述密闭容器中的有机硅烷溶液之上,利用有机硅烷气体的挥发性,在气相条件下沉积处理50-120min(即化学气相沉积法),处理后取出,再将处理后的PVDF膜依次用甲苯、乙醇和体积比为1:1的乙醇/水在常温下充分洗涤,最后在100-120℃下烘干10-15min,即制得所述的超疏水PVDF膜。
本发明所述的超疏水PVDF膜制品采用本发明所述的超疏水PVDF膜制备方法制成。利用杨氏接触角和德国波恩大学A.Born等开发的集灰实验测试方法检测PVDF膜表面的疏水自洁性能,测试结果表明,本发明所得的PVDF膜表面与水的接触角高达155°以上(参见实施例),具有良好的超疏水性能。液滴在膜表面呈球状,滚动角小,在液滴滚落的同时,能容易地将膜表面的污物带走,显示了良好的防污自洁性能。
本发明基于“荷叶效应”原理,采用PVDF溶液制膜工艺构筑微米结构;再用等离子体处理PVDF膜,产生活性基团,进而利用有机硅烷发生水解聚合反应生成低表面能的聚硅氧烷,沉积在PVDF膜表面,以构筑类似于荷叶表面的微米-纳米结构。本发明制备方法没有使用纳米粒子,不存在纳米粒子容易团聚,降低PVDF膜透光性能的问题。
下面给出本发明制备方法的具体实施例。具体实施例不限制本发明权利要求。
实施例1
1.PVDF膜的制备:将PVDF粉体溶解于DMF溶液中,配制质量分数为5%的PVDF溶液,60℃恒温搅拌2h,静置脱泡30min,涂膜,120℃烘干,制得具有微米结构的PVDF膜。
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度10Pa条件下、用氧微波等离子体处理PVDF膜表面5min,处理功率200W,使该膜表面产生活性基团。
3.化学浴沉积法修饰经等离子体处理过的PVDF膜:先将甲基三氯硅烷溶解于甲苯溶剂中,制成体积浓度为1/10的甲基三氯硅烷溶液,并放在相对湿度为60%的密闭容器中,待用,再将经等离子体处理过的PVDF膜浸渍在所述密闭容器中的甲基三氯硅烷溶液里,进行表面处理10min,将处理后的PVDF膜取出,依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水在常温下充分洗涤,在120℃下烘干10min,即获得用化学浴沉积法加工的超疏水PVDF膜。
未经表面修饰的PVDF膜与水的接触角只有88°(参见图1(a)),且膜表面的污物很难随水滴滚落(参见图1(b))。本实施例经化学浴沉积法修饰后的PVDF膜与水的接触角高达157°(参见图2(a)),所得PVDF膜表面的水滴呈球状;当PVDF膜倾斜4°时,水滴滚动,且很容易将膜表面的污物带走(参见图2(b)),显示出良好的疏水自洁性能。
实施例2
1.PVDF膜的制备:将PVDF粉体溶解于丙酮溶液中,配制质量分数为10%的PVDF溶液,80℃恒温搅拌1h,静置脱泡50min,涂膜,100℃烘干,制得具有微米结构的PVDF膜。
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度10Pa条件下、用氧辉光等离子体处理PVDF膜表面12min,处理功率200W,使该膜表面产生活性基团。
3.采用化学气相沉积法修饰经等离子体处理过的PVDF膜:先将甲基三氯硅烷溶解于甲苯溶剂中,制成体积浓度为1/10的甲基三氯硅烷溶液,并放在相对湿度30%密闭容器中,待用;将经氧等离子体处理过的PVDF膜放在所述密闭容器中的甲基三氯硅烷溶液之上,在气相条件下反应1h后,取出,然后依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水常温下充分洗涤,100℃下烘干15min,即获得用化学气相沉积法加工的超疏水PVDF膜。
本实施例所得PVDF膜与水的接触角为155°(参见图3(a)),当PVDF膜倾斜4°时,水滴很容易将膜表面的污物带走(参见图3(b)),显示出良好的疏水自洁性能。
实施例3
1.PVDF膜的制备:同实施例1步骤1。
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度11Pa条件下、用氮气微波等离子体处理PVDF膜表面10min,处理功率150W,使该膜表面产生活性基团。
3.化学浴沉积法修饰经等离子体处理过的PVDF膜:先将FAS溶解于乙醚溶剂中,制成体积浓度为1/6的FAS溶液,并放在相对湿度为50%的密闭容器中,待用;再将经等离子体处理过的PVDF膜浸渍在所述密闭容器中的FAS溶液里,进行表面处理12min,然后将处理后的PVDF膜取出,依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水在常温下充分洗涤,在120℃下烘干10min,即获得用化学浴沉积法加工的超疏水PVDF膜。
本实施例经化学浴沉积法修饰后的PVDF膜与水的接触角高达156°,所得PVDF膜表面的水滴呈球状;当PVDF膜倾斜4°时,水滴滚动,且很容易将膜表面的污物带走,显示出良好的疏水自洁性能。
实施例4
1.PVDF膜的制备:同实施例1步骤1。
2.PVDF膜等离子体处理:在真空度8Pa条件下、用空气微波等离子体处理PVDF膜表面15min,处理功率100W,使该表面产生活性基团。
3.采用化学气相沉积法修饰经等离子体处理过的PVDF膜:先将二甲基二氯硅烷溶解于二乙烯醚中,制成体积浓度为1/3的二甲基二氯硅烷溶液,并放在相对湿度40%密闭容器中,待用;将经空气等离子体处理过的PVDF膜放在所述密闭容器中的二甲基二氯硅烷溶液之上,在气相条件下反应2h后,取出,然后依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水常温下充分洗涤,120℃下烘干10min,即获得用化学气相沉积法加工的超疏水PVDF膜。
本实施例所得PVDF膜与水的接触角为155°,当PVDF膜倾斜4°时,水滴很容易将膜表面的污物带走,显示出良好的疏水自洁性能。

Claims (2)

1.一种超疏水PVDF膜的制备方法,该制备方法包括以下工艺:
(1).PVDF膜的制备:将PVDF粉体溶解于溶剂中,配制成质量分数为5-10%的PVDF溶液,60-80℃恒温搅拌1-2h,静置脱泡30-60min,涂膜,在90-180℃条件下烘干,即得到PVDF膜;所述的溶剂为丙酮、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺;
(2).PVDF膜等离子体处理:在真空度8-11Pa条件下,采用特定气氛的等离子体处理PVDF膜表面5-15min,处理功率100-200W;所述特定气氛为氮气、氧气、空气、氩气或氦气;
(3).PVDF膜表面修饰:将有机硅烷溶解于有机溶剂中制成体积浓度为1/10-1/3的有机硅烷溶液,放在相对湿度为30-60%的密闭容器中,待用;所述有机硅烷为甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、三甲基氯硅烷或氟代烷基硅烷;所述有机溶剂为苯、甲苯、乙醚、二乙烯醚或环氧乙烷;然后将经等离子体处理过的PVDF膜浸渍在所述密闭容器中的有机硅烷溶液里,表面处理8-12min;或者将经等离子体处理过的PVDF膜放在所述密闭容器中的有机硅烷溶液之上,气相条件下沉积处理50-120min;处理后的PVDF膜依次用甲苯、乙醇和体积比1:1的乙醇/水在常温下充分洗涤,在100-120℃下烘干10-15min后,即制得所述的超疏水PVDF膜。
2.一种超疏水PVDF膜制品,其特征在于该膜制品采用权利要求1所述的超疏水PVDF膜制备方法制成。
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