CN101428770B - 一种ZnSe荧光量子点的合成方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于一种半导体纳米材料的合成方法，具体为一种ZnSe荧光量子点的合成方法。在惰性气体的保护下，将Se，配位溶剂，加热并搅拌得到Se前体；将十八烯，锌源体，长链烷基胺搅拌混合得到Zn前体；将Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，反应体系温度迅速下降，纳米晶开始生长，立即开始取样得到ZnSe量子点的原溶液粗产物。分离纯化后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，量子点荧光量子产率高，结晶度好的优点。

Description

一种ZnSe荧光量子点的合成方法

技术领域

本发明涉及一种半导体纳米材料的合成方法，长链烷基胺在反应体系中既充当Zn前体的活化剂，又充当高温溶剂，在有机相中采用单一有机膦配位溶剂合成ZnSe量子点的方法。

背景技术

半导体量子点也称作半导体纳米晶，是由数目极少的原子或分子组成的原子或原子团簇，通常是由IIB-VI族或III-V族原子和硅原子构成的化合物。由于半导体量子点的直径小于其玻尔半径，所以表现出很特殊的物理和化学性质，尤其是半导体纳米晶的尺寸和结构导致了它具有量子尺寸效应和介电限域效应，并由此派生出半导体纳米晶优越的发光特性。相比有机荧光染料，量子点具有宽吸收，窄发射和尺寸依赖的光谱特性，并有更高的量子产率，较长的荧光寿命以及很强的抗光漂白能力。因此，不同大小的量子点可被单一波长的激发光所激发，产生出多种不同颜色的可被同时检测的光谱，这一点与传统的荧光染料的“专一激发”不同。量子点的发射波长可通过控制粒径的大小进行调谐，因而可以获得多种不同的颜色。量子点独特的荧光特性使其除了可应用于光电器件外，还可适应特异和高通量的分子识别等，因此可广泛应用于生物标记、免疫分析、细胞识别、疾病诊断、信号传导、实时监控生物组分的运动和迁移等方面。目前常用荧光量子点多为CdSe、CdS、CdTe等含Cd的量子点，其生物毒性一直是人们所担心的问题，虽然这种担心还有待研究来证实或排除。因此低毒的含Zn量子点ZnSe、ZnS等越来越受到人们的关注。这类锌的量子点的发光特性类似于镉化合物量子点，具有在可见光范围内可调控的发射波长，而生物毒性却大为降低，且光稳定性大大优于镉化合物。其中，ZnSe的发光性能更为突出，因此成为目前低毒量子点的研究重点。

目前，ZnSe量子点的合成路线可根据反应介质主要分为水相合成和有机相合成两类。中国专利200510024938.8采用水相介质在微波辅助下快速合成硒化锌量子点，但这种方法合成出的量子点，荧光量子产率低只有15％。中国专利200610024520.1采用水相介质合成ZnSe/ZnS核壳量子点，但这种方法合成出的量子点荧光量子产率也不高，只有20％，且在制备量子点的过程中所需光降解时间长。中国专利200710053094.9给出CdSe/ZnSe/ZnS核壳量子点的制备方法，半导体纳米晶ZnSe的合成方法在其中也有相应的说明，但ZnSe是作为CdS，CdSe的外层包裹物而不是作为单一的高品质量子点予以合成的。在有机相中合成ZnSe量子点，目前成功的合成路线主要有：(1)Peng的研究组(L Li，N Pradhan，Y Wanget al.Nano Lett.，2004，4：2261～2264)采用高温溶剂的方法，用十八烷基胺(简称ODA)活化Zn前体，合成出了结晶度高的ZnSe纳米晶，荧光量子产率高达50％，荧光峰的半峰宽为仅为12-15nm。Peng的研究组认为较高的反应温度是合成高质量低表面缺陷和致密晶体的关键，因此他们提出采用二十四烷和十八烯(简称ODE)作为高温反应溶剂。但由于二十四烷的引入，给后期的洗涤带来了很大困难，且新的高温溶剂的引入在对反应的成本控制也是十分不利的。(2)2005年中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的曾庆辉等的发明利用类似的方法在有机相中制备ZnSe纳米晶(中国专利：申请号为2005 10016794.1)。他们采用氧化锌(ZnO)、硬脂酸和十八烯，在氮气保护下制得锌的前驱体溶液，用硒粉、三正辛基膦(简称TOP)和十八烯在密封容器中，制得Se的储备液；向锌的前驱体溶液中加入氧化三正辛基膦(简称TOPO)和十六烷基胺，在氮气的存在下将硒的储备液快速注入、降温，制得ZnSe量子点。该方法使用TOPO作为Zn前体的配体溶剂，毒性大，且价格高。此外，该方法合成反应温度低于300℃，不利于得到结晶度好的量子点。(3)中国专利200710193410.2提出了一种由二氧化硒合成硒化镉或硒化锌量子点的方法，其合成硒化锌所选定的反应温度范围是270-300℃，由于反应温度不足够高，所得的纳米晶存在表面缺陷并且晶体不致密，故所得纳米晶的荧光峰出现拖尾的现象，且其发射峰的半峰宽达70nm以上。而要将量子点用于荧光标记和识别，必须要使量子点具有较窄的荧光发射峰(半峰宽约为30-40nm以下)，才能保证荧光标记具有较高的分辨率和精确度。

总之，当前ZnSe量子点的合成工艺中存在的不足是：1.水相合成路线所得的量子点荧光量子产率普遍较低(15-20％)；2.中国专利：申请号为200510016794.1所用的有机相含有机膦的合成路线中，采用长链烷基胺来活化锌的前体，此外还要加入ODE作为高温非配位溶剂，使用两种有机膦试剂(TOPO和TOP)分别作为Zn前体和Se前体的配位溶剂，其毒性和成本都较高，且因反应温度较低(低于300℃)不利于得到结晶度好的量子点；3.Peng的研究组所采用的有机相含有机膦的合成路线中，使用2种混合高温非配位溶剂(ODE和二十四烷)时方可使反应温度高于300℃，以确保所得量子点的结晶度高，具有较高的荧光量子产率，但其中的长链烷烃(如二十四烷)的引入使量子点的洗涤非常困难；4.中国专利200710193410.2所采用的有机相无膦合成路线中，因反应温度较低(270-300℃)，所得的量子点的结晶度和发光性能不够理想。

发明内容

本发明的目的在于针对目前合成ZnSe量子点的合成工艺中存在的不足，提出一种在有机相中合成ZnSe量子点的新方法。该方法具有反应体系简单，原料易得，操作简单，环境污染小，量子点荧光量子产率高，结晶度好的优点。

为实现上述目的，本发明在有机相中合成量子点，将长链烷基胺用作Zn前体的活化剂的同时，将其用作一种高温溶剂，大大简化了反应体系，降低了合成成本，既能保证体系的反应温度在300℃以上，因而可得到结晶度和发光性能理想的量子点，同时又避免了引入长链烷烃所引起的产品洗涤困难。Zn的前体分散在非配位溶剂ODE中，避免使用配位溶剂TOPO这一剧毒物质，降低了反应体系的毒性和成本。所得的量子点的结晶度较好，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处，荧光量子产率(对比罗丹明B)在50％左右。

本发明的方法合成ZnSe量子点是用Se前体和Zn前体在高温下(300-350℃)进行的有机相合成反应。Se前体是在惰性气体保护下，将单质Se加热搅拌或超声溶于TOP中得到；锌前体是在惰性气体保护下将锌源体加热溶于非配位溶剂十八烯和长链烷基胺得到；在将Zn前体温度升至合成反应温度(300-350℃)时，将Se前体快速加入Zn前体中，通过反应一定时间，得到不同尺寸的ZnSe量子点的原溶液粗产物。通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

上述锌源体可以为ZnO，硬脂酸锌(ZincStearate)，癸酸锌，醋酸锌，碳酸锌，钛酸锌或磷酸锌等。

上述长链烷基胺为总C数在12以上的直链烷基胺或支链C数在6以上且支链数大于等于2的支链烷基胺(如十六烷基胺，十八烷基胺，二辛基胺等)。

上述配位溶剂可以为三辛基膦TOP(Tri-n-octylphosphine)或三丁基膦TBP(Tributylphosphine)等。

上述惰性气体可以为氮气或氩气等。

上述高极性有机溶剂可以为乙醇，甲醇，丁醇或丙酮等。

上述低极性有机溶剂可以为正己烷，甲苯，石油醚，氯仿或苯等。

ZnSe的合成反应温度在300℃-350℃，优选330℃-350℃。

本发明的ZnSe量子点的合成具体包括如下步骤：

1、第一步，首先将Se，配位溶剂，在惰性气体保护下加热并搅拌1-10个小时，得到Se前体。

加热温度比较宽泛，为室温至100℃；加热方式可以是油浴或水浴，搅拌方式可以为磁力搅拌或超声等。

2、第二步，将ODE，锌源体，长链烷基胺在惰性气体的保护下搅拌混合得到Zn前体。

Se和锌源体之间的摩尔比控制在1∶1到20∶1之间即可。

ODE和锌源体之间的摩尔比控制在80∶1到120∶1之间。

长链烷基胺的量没有严格的规定，控制长链烷基胺与锌源体的摩尔比在40∶1以上即可。

3、第三步，继续在惰性气体保护下，将Zn前体升温至300-350℃后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，一般降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、第四步，纳米晶开始生长后，立即开始取样。第一次取样控制在反应10S以内，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样＜1ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、第五步，取5-6次样后，此时反应时间达到1-3小时后，停止加热，结束反应。

6、第六步，分离纯化，即通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

混合溶剂为高极性有机溶剂与低极性有机溶剂以任意比例混合得到的。

本发明的合成ZnSe量子点的方法具有以下特点：

(1)在高温(高于300℃)有机相中合成ZnSe量子点，所合成的量子点具有较高的荧光量子产率，结晶度好。

(2)仅用一种毒性的有机膦配位溶剂TOP，相比采用两种有机膦配位溶剂的合成方法，毒性和成本都降低。

(3)长链烷基胺在反应体系中既充当Zn前体的活化剂，又充当高温溶剂。简化了反应体系，降低了合成成本，既能保证体系的反应温度在300℃以上(确保得到结晶度和发光性能理想的量子点)，同时避免了引入长链烷烃所引起的产品洗涤困难。

(4)本方法可以应用于量子点的离子掺杂，并适用于其它半导体材料的设计和制备中，可引发系列的同类低毒量子点生物标记材料的研制。

本方法合成出的纳米晶半导体，除了其在生物标记领域的应用外，也可以使用在光催化(如光催化制备氢气)、电致发光、平板显示(真空荧光显示器，场致发射显示器)、阴极射线管等，此外它还可用于传感器，纳米材料激光的制作。

下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的描述。

附图说明

图1是本发明的合成路线图

图2是采用本发明方法合成出的ZnSe量子点的TEM图

具体实施方式

实施例1：

ZnSe量子点的合成：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)在氮气保护下油浴加热40℃，搅拌一个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(1.08g)在氮气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氮气保护下，将Zn前体所在体系升温至305℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到275℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应10S时通过注射器取第一次样品，取0.6ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.6ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应40分钟取第五次样，反应1小时10分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入苯与丁醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用苯溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例2：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(1.08g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至305℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到275℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应8S时通过注射器取第一次样品，取0.7ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.7ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应30分钟取第五次样，反应1小时取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入石油醚与乙醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用石油醚溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例3：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氮气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，十六烷基胺(2.16g)在氮气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氮气保护下，将Zn前体所在体系升温至315℃，在搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到290℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应10S时通过注射器取第一次样品，取0.5ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.5ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应50分钟取第五次样，反应1小时30分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入甲苯与丙酮，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用甲苯溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例4：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(3.9g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至325℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到300℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应10S时通过注射器取第一次样品，取0.7ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.7ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应30分钟取第五次样，反应1小时5分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入正己烷与丁醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用正己烷溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例5：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并搅拌2个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，二辛基胺(7.8g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至330℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到305℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应9S时通过注射器取第一次样品，取0.4ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.4ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应45分钟取第五次样，反应1小时25分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入氯仿与乙醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用氯仿溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例6：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(2*0.5g)，在氩气保护下加热40℃并超声半个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(15.6g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至340℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到310℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应8S时通过注射器取第一次样品，取0.5ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.5ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应35分钟取第五次样，反应1小时15分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入氯仿与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用氯仿溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例7：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TBP(0.5g)，在氩气保护下加热50℃并搅拌1.5个小时，得到Se前体。

2、将ODE(2g)，ZincStearate(0.054g，8.5*10^-5mol)，ODA(2.16g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至315℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到290℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应7S时通过注射器取第一次样品，取0.8ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.8ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应1小时取第五次样，反应1小时45分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入甲苯与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用甲苯溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例8：

1、首先将Se(0.0316g)，TOP(396ul)在氩气的保护下室温搅拌三个小时，得到Se前体。

2、将ZnO(0.0163g)，油酸OA(0.565g)，ODE(8.4ml)，ODA(3.9g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至330℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到300℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应7S时通过注射器取第一次样品，取0.8ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.8ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应1小时40分取第五次样，反应2小时10分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入苯与丁醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用苯溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例9：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(0.5g)在氩气保护下油浴加热搅拌45℃三个小时，得到Se前体。

2、将ZnO(0.1mmol)，油酸OA(0.4mmol)，ODA(4g)，ODE(2g)在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至330℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到300℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应9S时通过注射器取第一次样品，取0.6ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.6ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应1小时35分取第五次样，反应2小时5分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入石油醚与甲醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用石油醚溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

实施例10：

1、首先将Se(0.048g，0.6mmol)，TOP(0.5g)在氩气保护下加热30℃并超声四个小时，得到Se前体。

2、将ZnO(0.3mmol)，癸酸DA(1.2mmol)，十六烷基胺(4g)，在氩气的保护下搅拌混合，得到Zn前体。

3、继续在氩气保护下，将Zn前体所在体系升温至340℃，搅拌的同时将Se前体快速注射到Zn前体中，此时反应体系温度降到300℃，纳米晶开始生长，反应开始计时。

4、在反应10S时通过注射器取第一次样品，取0.3ml，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样0.3ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物。

5、反应35分取第五次样，反应1小时5分钟取第六次样，然后停止加热，结束反应。

6、在ZnSe量子点的原溶液粗产物中加入苯与乙醇，利用其组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用苯溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

所得ZnSe量子点尺寸分布在3-10nm之间，荧光量子产率在50％左右，紫外吸收峰位置在350nm附近，XRD分析出峰位置在d＝3.2808，d＝1.9986，d＝1.7013处。

Claims (10)

1.一种ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)首先将Se，配位溶剂，在氮气或氩气保护下加热并搅拌1-10个小时得到Se前体；

(2)十八烯，锌源体，长链烷基胺在氮气或氩气保护下搅拌混合得到Zn前体；

(3)继续在氮气或氩气保护下，将Zn前体升温至300-350℃以上后，搅拌的同时将Se前体迅速注射到Zn前体中，此时由于反应吸热和温差将会使整个反应体系温度迅速下降，降幅在20-50℃之间，此时纳米晶开始生长，反应开始计时；

(4)纳米晶开始生长后，立即开始取样；第一次取样控制在反应10s以内，以后每隔一定时间取出一定量的样品，每次取样＜1ml，所取样品即为ZnSe量子点的原溶液粗产物；

(5)取5-6次样后，此时反应时间达到1-3小时后，停止加热，结束反应；

(6)分离纯化，即通过加入高极性有机溶剂与低极性有机溶剂组成的混合溶剂洗涤离心，反复洗涤离心3-5次，最后用低极性有机溶剂溶解得到最终产物ZnSe量子点的透明溶液。

2.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中，加热温度为室温至100℃，加热方式是油浴或水浴，搅拌方式是磁力搅拌或超声。

3.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)中，配位溶剂是三辛基膦TOP(Tri-n-octylphosphine)或三丁基膦TBP(Tributylphosphine)。

4.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)中，Se和锌源体之间的摩尔比控制在1∶1到20∶1之间；ODE和锌源体之间的摩尔比控制在80∶1到120∶1；长链烷基胺的量没有严格的规定，控制长链烷基胺与锌源体的摩尔比在40∶1以上。

5.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(2)中，锌源体是氧化锌，硬脂酸锌(ZincStearate)，癸酸锌，醋酸锌，碳酸锌，钛酸锌或磷酸锌。

6.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(2)中，长链烷基胺是总C数在12以上的直链烷基胺或支链C数在6以上且支链数大于等于2的支链烷基胺。

7.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(3)中，ZnSe的合成反应温度优选在330℃-350℃。

8.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(6)中，高极性有机溶剂是乙醇，甲醇，丁醇或丙酮。

9.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(6)中，低极性有机溶剂是正己烷，甲苯，石油醚，氯仿或苯。

10.如权利要求1所述的ZnSe荧光量子点的合成方法，其特征在于：所述步骤(6)中，混合溶剂是高极性有机溶剂与低极性有机溶剂以任意比例混合得到的。 

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