CN101423976B - 具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法 - Google Patents

具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101423976B
CN101423976B CN2008101755338A CN200810175533A CN101423976B CN 101423976 B CN101423976 B CN 101423976B CN 2008101755338 A CN2008101755338 A CN 2008101755338A CN 200810175533 A CN200810175533 A CN 200810175533A CN 101423976 B CN101423976 B CN 101423976B
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
rotation
quartz crucible
single crystal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101755338A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101423976A (zh
Inventor
赵铉鼎
申丞镐
文智勋
李洪雨
洪宁皓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Siltron Co Ltd
Original Assignee
Siltron Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siltron Inc filed Critical Siltron Inc
Publication of CN101423976A publication Critical patent/CN101423976A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101423976B publication Critical patent/CN101423976B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy

Abstract

本发明涉及一种半导体单晶生长方法，该方法使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转石英坩埚和施加强水平磁场的同时提升晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转石英坩埚的同时提升晶种。

Description

具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法
技术领域
本发明涉及半导体单晶生长方法，该方法使用强水平磁场通过Czochralski工艺(Czochralski process，柴氏拉晶法)通过在半导体单晶生长期间控制流入半导体单晶的氧浓度来生长高质量半导体单晶。
背景技术
在通过Czochralski工艺的硅单晶生长中，需要石英坩埚来容纳由加热器所熔化的硅熔体。然而，石英坩埚与硅熔体反应并在该熔体中溶解。因此，氧从坩埚中被洗提并通过固-液界面流入单晶。流入单晶的氧增加了晶片的强度并在晶片中产生体内微缺陷(BMD)，其在半导体工艺期间成为金属杂质吸取区(gettering site)并导致多种晶体缺陷和偏析，因此降低了半导体器件的产量。因此，在通过Czochralski工艺的硅单晶生长期间，应当适当控制通过固-液界面流入单晶的氧的浓度。
传统地，对坩埚旋转速度、对氩(Ar)气流量或压力进行控制用于氧浓度控制。并且，改变勾形磁场(cusp magnetic field)的条件以变化氧浓度而同时少许降低晶体缺陷水平。此外，已报道在使用超导水平磁体的强水平磁场条件下氧浓度受到坩埚旋转速度的影响。
作为涉及氧浓度控制的技术，日本专利公开号9-235192公开了当通过MCZ(施加磁场Czochralski方法)提升硅单晶时将单晶和坩埚的旋转速度控制至预定范围从而降低氧浓度以及在径向上的氧浓度偏差。根据该技术，对于直径大约6英寸的小-直径硅单晶，在径向上氧浓度偏差水平可以达到±0.5ppma。然而，对于直径大约12英寸的大-直径硅单晶，在径向上氧浓度偏差水平可能被劣化。
作为另一实例，韩国专利号735902教导一种技术，其根据强水平磁场条件下单晶的长度来控制坩埚旋转速度并且对氩(Ar)气流量和压力进行附加地控制从而有效地控制氧浓度。然而，该技术适合于控制直径大约8英寸的小-直径硅单晶的氧浓度。
通过施加强水平磁场用于控制氧浓度的传统技术主要旨在使用包含较小体积硅熔体的直径为24英寸以下的坩埚来生长直径为8英寸以下的单晶。如果使用上述技术来利用直径为32英寸的坩埚生长直径为12英寸以上的单晶，无法做到氧浓度控制。这是由于硅熔体的体积增加80％以上，将导致熔体的不稳定流动。即，熔体体积越大，熔体的流动越不稳定，并因此氧性态(behavior)变得复杂。因此，根据单晶的长度(熔体的体积)简单地改变氩气流量或压力不能导致对于氧浓度的适当控制。同时，在强水平磁场的条件下发生氧性态的无序。方案应当根本上解决无序问题并且改进由熔体的严重不稳定流动所引起的提拉速度上改变的幅度(width)。
由于锭(ingot)的长度较大，熔体和坩埚之间的接触面积减少。为了克服该减少影响，传统技术逐渐增加坩埚旋转速度(将坩埚速度设定在0.1rpm和0.9rpm范围之间或在0.3rmp和0.7rmp范围之间)。在这种情况下，如图1所示，根据锭的主体(body，晶体)的中间阶段处的概率，氧浓度降低。图1中，在上部和下部水平参考线之间的部分(由点链线所表示)意味着优选的氧浓度范围。施加上述坩埚旋转速度导致对于直径为8英寸以下的单晶的11ppma以上的氧浓度，但是其导致直径为12英寸以上的单晶的非常不稳定的氧浓度分布，原因在于大-直径单晶使用较大体积的熔体。
并且，在根据上述技术对氩气流量和压力进行控制的情况下(氩气流量从160lpm减小至140lpm，并且压力从50Torr增加至60Torr到70Torr)从而控制氧浓度，如图2所示在锭的主体的中间阶段氧浓度降低。
分析表明上述现象是由于熔体在强水平磁场条件下分离为低氧熔体和高氧熔体而产生。即，根据Czochralski工艺不使用磁场或具有旋转对称的勾形或垂直MCZ，可以通过单晶和坩埚的旋转来保持旋转对称，并因此熔体未分离为两种类型熔体。然而，根据具有镜面对称的水平MCZ，由于单晶和坩埚的旋转导致在反向(右和左)产生洛伦兹力，并因此熔体分离为两种类型的熔体。在这种条件下，根据低氧熔体和高氧熔体如何支配单晶的界面的下部而影响流入单晶的氧的性态。例如，对于图1的第3道，在800mm和900mm之间的锭长度中高氧熔体是主要的而在1000mm和1300mm之间的锭长度中低氧熔体是主要的。发现主要熔体的类型受到坩埚旋转速度的影响。低氧熔体的频率是0.005Hz，其对应于大约0.3rpm的坩埚旋转速度。因此，当坩埚旋转速度大约是0.3rpm时，具有低氧熔体的谐振现象发生，其使得生长高氧晶体变得困难。
发明内容
设计本发明以解决上述问题。因此，本发明的一个目的是提供一种半导体单晶生长方法，其建议在生长大-直径单晶(例如，12英寸直径)期间能够控制氧浓度的坩埚旋转条件以降低氧浓度在主长度(prime length)上的偏差。
本发明的另一目的是提供一种半导体单晶生长方法，其改进在生长大-直径(例如，12英寸直径)单晶期间提拉速度上改变的幅度，从而确保工艺的稳定性。
为了达到本发明的目的，本发明提供一种半导体单晶生长方法，其使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转石英坩埚并施加强水平磁场的同时提升晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转石英坩埚的同时提升晶种。
优选地，在半导体单晶的主体的初始阶段处以0.6rpm和0.8rpm之间的速度旋转石英坩埚。
优选地，根据单晶生长长度逐渐增加石英坩埚的旋转速度以使氧浓度中改变的幅度最小化。
可以施加强度为2000G以上的强水平磁场。
可以施加强度为2500G和3500G之间的强水平磁场。
附图说明
结合附图，将在下面详细描述中更加充分地描述本发明，但本文中所提出的描述仅是出于示例目的的优选实例，并不旨在限制本发明的范围。
图1和图2是由传统硅单晶生长方法所提供的根据锭长度的氧浓度分布的曲线图。
图3是根据本发明的半导体单晶生长设备的配置原理图。
图4是根据坩埚旋转速度的氧浓度分布变量的曲线图。
图5是示出了根据本发明的优选实施例和传统技术的施加坩埚旋转速度的结果的曲线图。
图6是根据本发明的优选实施例的通过施加坩埚旋转速度的提拉速度分布的曲线图。
图7是根据传统技术的通过施加坩埚旋转速度的提拉速度分布的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。在描述之前，应该理解，在说明书中和所附权利要求书中使用的术语不应被理解为限于通用的以及和字典含义，而应该以发明人允许定义适于最好解释的术语的原则为基础，基于对应于本发明的技术方面的含义和概念加以解释。所以本文中做出的描述只是用于说明目的的优选实例，而不用于限制本发明的范围，因此应当理解，在不背离本发明精神和范围的情况下，可以做出其它等同替换和修改。
本发明使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转石英坩埚和施加2000G以上强水平磁场的同时提升晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，并且特别地，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转该石英坩埚时提升该晶种。因此，考虑到熔体中最佳温度分布和来自Q’z玻璃坩埚(Q’zglass crucible)氧分解，优选地施加具有强度为2500G和3500G之间的强水平磁场。
图3示出了根据本发明的半导体单晶生长设备的配置示意图。
参考图3，该半导体单晶生长设备包括：石英坩埚10，用于容纳由高温熔化多晶硅得到的硅熔体(SM)；坩埚支撑物20，环绕石英坩埚10的外围用于支撑处于高层大气具有预定形状的石英坩埚10；坩埚旋转装置30，安装在坩埚支撑物20下方用于将石英坩埚10与坩埚支撑物20一起旋转；加热器40，与坩埚支撑物20的壁分开预定距离用于对石英坩埚10进行加热；隔热装置50，围绕加热器40安装用于阻止来自加热器40所产生的热向外辐射；单晶提拉装置60，用于使用在预定方向上旋转的籽晶将硅单晶1从石英坩埚10所容纳的硅熔体(SM)中提升；热屏蔽结构70，与通过单晶提拉装置60所提拉的硅单晶1的外围分开预定距离，用于对辐射自硅单晶1的热进行屏蔽；惰性气体提供装置(未示出)，用于沿硅单晶1的外围将惰性气体(例如，氩气)提供至硅熔体(SM)的上表面；以及磁场施加装置，具有线圈组件80用于在石英坩埚10中产生强水平磁场。本领域已知的，与利用Czochralski工艺的半导体单晶生长设备的典型部件相对应的用于生长半导体单晶的设备的部件以及其详细描述在本文中将被省略。
本发明对生长设备的坩埚旋转装置30进行控制以生长硅单晶1而同时以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转石英坩埚10。当控制坩埚旋转装置30以逐渐在上述范围中增加石英坩埚10的旋转速度时，根据单晶的生长长度可以使氧浓度中改变的幅度最小化。
图4示出了根据利用石英坩埚10的旋转速度范围的两种类型在生长直径大约为12英寸(300mm)的硅单晶期间根据锭长度的氧浓度分布的曲线图。图4中，第1道显示了当坩埚旋转速度被设定在1rpm和1.2rpm之间时氧浓度分布，而第2道显示了当坩埚旋转速度被设定在0.7rpm和1.2rpm之间时氧浓度分布。
如上所述，当坩埚旋转速度大约为0.3rpm时发生谐振现象，而当坩埚旋转速度大约为0.5rpm时发生少许谐振现象。并且，在坩埚旋转速度非常大的情况下，氧浓度过度增加。考虑到上述情况，本发明将坩埚旋转速度设计在0.6rpm和1.5rpm的范围之间。特别地，如果坩埚旋转速度从对应于大约400mm的锭长度的主体的初始阶段增加1rpm以上，如第1道所示氧浓度极度增加。因此，在锭的主体的初始阶段处优选地将坩埚旋转速度保持在0.6rpm和0.8rpm范围之间。通过施加上述的坩埚旋转速度，氧浓度在10.6rpm和12.8rpm范围之间(由图4中的点链线示出)，并且可以制造具有较小分布的直径为12英寸以上的高质量硅单晶。
更优选地，本发明将坩埚旋转速度设计在0.7rpm和1.3rpm范围之间，以如图5的第3道中所示的对在900mm和1300mm之间的锭长度上的氧浓度的降低进行补偿，并制造具有氧浓度在11ppma和12.4ppma之间的比传统技术更高质量的硅单晶。
在上述的坩埚旋转速度在0.6rpm和1.5rpm范围之间的情况下，如图6所述提拉速度中改变的幅度被显著减小以确保工艺稳定性(例如)以降低加热器功率中的改变。
相反，在根据传统技术的坩埚旋转速度在0.1rpm和0.5rpm范围之间的情况下，低氧熔体和高氧熔体彼此干扰，其导致如图7所述的提拉速度中改变的较大幅度。
因此，本发明避免了在强水平磁场条件下谐振现象，并可以生长具有氧浓度在10.6ppma和12.8ppma之间并且较小分布的直径为12英寸以上的高质量硅单晶。本发明对于生长适合于NAND闪存器件的具有氧浓度大约为11.7ppma的硅单晶是有优势的。
并且，本发明减少了单晶的提拉速度中改变的幅度以稳定地并且容易地执行半导体单晶生长工艺。
上文中，已参照附图对本发明的优选实施例进行了详细描述。然而，应当理解，在表示本发明优选实施例的同时仅以示出的方式给出了详细描述和具体实例，因此通过这些详细描述，在本发明精神和范围内的各种改变和改进对于本领域的那些技术人员将变得显而易见。

Claims (3)

1.一种半导体单晶生长方法，所述方法使用通过将晶种浸入容纳在石英坩埚中的半导体熔体中并在旋转所述石英坩埚和施加强水平磁场的同时提升所述晶种而通过固-液界面生长半导体单晶的Czochralski工艺，
其中，当以0.6rpm和1.5rpm之间的速度旋转所述石英坩埚的同时提升所述晶种，以及
其中，在所述半导体单晶的主体的初始阶段，以0.6rpm和0.8rpm之间的速度旋转所述石英坩埚，以生长具有10.6ppma和12.8ppma之间的氧浓度的单晶；
其中，根据单晶生长长度逐渐增加所述石英坩埚的旋转速度以使氧浓度中改变的幅度最小化。
2.根据权利要求1所述的半导体单晶生长方法，
其中，以2000G以上的强度施加所述强水平磁场。
3.根据权利要求2所述的半导体单晶生长方法，
其中，以2500G和3500G之间的强度施加所述强水平磁场。
CN2008101755338A 2007-11-02 2008-11-03 具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法 Active CN101423976B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070111339A KR100906284B1 (ko) 2007-11-02 2007-11-02 산소농도 특성이 개선된 반도체 단결정의 제조방법
KR10-2007-0111339 2007-11-02
KR1020070111339 2007-11-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101423976A CN101423976A (zh) 2009-05-06
CN101423976B true CN101423976B (zh) 2012-11-07

Family

ID=40290945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101755338A Active CN101423976B (zh) 2007-11-02 2008-11-03 具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8114216B2 (zh)
EP (1) EP2055812B1 (zh)
JP (1) JP2009114054A (zh)
KR (1) KR100906284B1 (zh)
CN (1) CN101423976B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006069841A (ja) * 2004-09-02 2006-03-16 Sumco Corp 磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法
DE102009024473B4 (de) * 2009-06-10 2015-11-26 Siltronic Ag Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Silizium und danach hergestellter Einkristall
CN102011178B (zh) * 2010-12-30 2012-10-03 宁晋晶兴电子材料有限公司 一种降低单晶硅内部气孔的生产方法
JP5823947B2 (ja) * 2012-12-27 2015-11-25 トヨタ自動車株式会社 ＳｉＣ単結晶の製造方法
CN105350070A (zh) * 2015-12-09 2016-02-24 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种利用变频磁场控制直拉法硅单晶氧含量的方法
DE102015226399A1 (de) * 2015-12-22 2017-06-22 Siltronic Ag Siliciumscheibe mit homogener radialer Sauerstoffvariation
CN106498494A (zh) * 2016-11-02 2017-03-15 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种ｍｅｍｓ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法
KR101881380B1 (ko) * 2017-02-06 2018-07-24 에스케이실트론 주식회사 단결정 잉곳 성장 방법
JP6950581B2 (ja) * 2018-02-28 2021-10-13 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置
CN112359412A (zh) * 2020-11-03 2021-02-12 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于晶体生长的引晶方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW554093B (en) * 2000-02-28 2003-09-21 Shinetsu Handotai Kk Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE513714A (zh) * 1951-08-23 1900-01-01
US4281053A (en) * 1979-01-22 1981-07-28 Eastman Kodak Company Multilayer organic photovoltaic elements
JP2767074B2 (ja) * 1990-07-13 1998-06-18 信越半導体 株式会社 シリコン単結晶の引上方法
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
GB9423692D0 (en) * 1994-11-23 1995-01-11 Philips Electronics Uk Ltd A photoresponsive device
JP2940437B2 (ja) * 1995-06-01 1999-08-25 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法及び装置
JP3598634B2 (ja) * 1996-01-30 2004-12-08 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JPH09235192A (ja) * 1996-03-01 1997-09-09 Mitsubishi Materials Shilicon Corp 低酸素濃度単結晶インゴット及び単結晶引上方法
JPH09263485A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Nippon Steel Corp 単結晶引き上げ制御方法、単結晶製造方法および装置
DE60041429D1 (de) * 1999-03-17 2009-03-12 Shinetsu Handotai Kk Verfahren zur herstellung von silicium einkristallen
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6866901B2 (en) * 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6576351B2 (en) * 2001-02-16 2003-06-10 Universal Display Corporation Barrier region for optoelectronic devices
US6664137B2 (en) * 2001-03-29 2003-12-16 Universal Display Corporation Methods and structures for reducing lateral diffusion through cooperative barrier layers
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
JP4153293B2 (ja) * 2002-12-17 2008-09-24 コバレントマテリアル株式会社 シリコン単結晶引上方法
JP4438701B2 (ja) * 2005-06-24 2010-03-24 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶製造方法
KR100840751B1 (ko) * 2005-07-26 2008-06-24 주식회사 실트론 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼
WO2007013148A1 (ja) * 2005-07-27 2007-02-01 Sumco Corporation シリコン単結晶引上装置及びその方法
JP2007031274A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Siltron Inc シリコン単結晶インゴット、ウエハ、その成長装置、及びその成長方法
JP4631717B2 (ja) * 2006-01-19 2011-02-16 株式会社Ｓｕｍｃｏ Ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP5083001B2 (ja) * 2008-04-08 2012-11-28 株式会社Ｓｕｍｃｏ シリコン単結晶の引上げ方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW554093B (en) * 2000-02-28 2003-09-21 Shinetsu Handotai Kk Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009114054A (ja) 2009-05-28
CN101423976A (zh) 2009-05-06
US8114216B2 (en) 2012-02-14
KR20090045494A (ko) 2009-05-08
EP2055812A1 (en) 2009-05-06
EP2055812B1 (en) 2016-04-13
US20090114147A1 (en) 2009-05-07
KR100906284B1 (ko) 2009-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101423976B (zh) 具有氧浓度特性改进的半导体单晶生长方法
KR101009074B1 (ko) 가변 자기장을 사용한 성장 실리콘 결정의 용융물-고체 계면 형상의 제어
WO2014091671A1 (ja) シリコン単結晶の製造方法
US10494734B2 (en) Method for producing silicon single crystals
CN114606567A (zh) n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片
CN110629283A (zh) 一种硅单晶的生长方法
JP6458590B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法
US11214891B2 (en) Apparatus for growing single crystalline ingot and method for growing same
CN114616361B (zh) 硅单晶的制造方法
JP4314974B2 (ja) シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶
KR100946558B1 (ko) 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 방법
TWI761454B (zh) 單晶矽的製造方法
KR100835293B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 제조방법
WO2014174752A1 (ja) シリコン単結晶の製造方法
JP2001089289A (ja) 単結晶引上方法
KR100221087B1 (ko) 실리콘 단결정 성장 방법 및 실리콘 단결정
CN102373504B (zh) 硅单晶生产方法
KR100831052B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 산소농도 조절방법, 이를 사용하여제조된 잉곳
CN114855263A (zh) 一种晶体生长方法及生长装置
KR100868192B1 (ko) 가변 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 그 장치및 반도체 단결정 잉곳
KR100827033B1 (ko) 무결함 단결정 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정
KR101002134B1 (ko) 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법
CN108691009A (zh) 单晶硅的制造方法
JP2001226195A (ja) シリコン単結晶インゴットの製造方法
KR20100069248A (ko) 단결정 잉곳성장장치의 산소농도 제어 모듈 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant