CN101385128A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够有效地除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置。基板处理装置(10)的第三工艺单元(36)具备框体状的处理室容器(腔室)(50)、氮气供给系统(190)和臭氧气体供给系统(191)。臭氧气体供给系统(191)具有臭氧气体供给部(195)、与该臭氧气体供给部(195)连接的臭氧气体供给管(196)。臭氧气体供给管(196)具有以与晶片(W)相对的方式开口的臭氧气体供给孔(197)，臭氧气体供给部(195)通过臭氧气体供给管(196)从臭氧气体供给孔(197)向腔室(50)内供给臭氧(O3)气体。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，特别是涉及除去有机物层的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
在由硅晶片(以下简称“晶片”)制造电子设备的电子设备的制造方法中，依次反复地实行以下工序：在晶片的表面形成导电膜和绝缘膜的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)等的成膜工序、在所形成的导电膜和绝缘膜上形成希望的图案的光致抗蚀剂层的光刻工序、以及使用抗蚀剂层作为掩膜，利用从处理气体中生成的等离子体在栅极电极上形成导电膜，或者在绝缘膜上形成配线槽和接触孔的蚀刻工序。
例如，在某个电子设备的制造方法中，使用HBr(溴化氢)类的处理气体对在晶片上形成的由SiN(氮化硅)层以及多晶硅层构成的浮栅进行蚀刻，使用CHF3类的处理气体对浮栅下的层间SiO2膜进行蚀刻，进一步，使用HBr(溴化氢)类的处理气体对层间SiO2膜下的Si层进行蚀刻。在这种情况下，在形成于晶片上的沟槽180的侧面形成由三层构成的沉积膜181(参照图12)。该沉积膜与上述各个处理气体对应，由SiOBr层182、CF类沉积层183以及SiOBr层184构成。SiOBr层182、184是具有与SiO2层近似性质的类似SiO2层，CF类沉积层183是有机物层。
但是，由于这些SiOBr层182、184以及CF类沉积层183成为电子设备的不良，例如成为导通不良的原因，因此，必须将其除去。
作为类似SiO2层的除去方法，我们已熟知的是对晶片实施COR(Chemical Oxide Removal)处理以及PHT(Post Heat Treatment)处理的基板处理方法。COR处理是使类似SiO2层与气体分子发生化学反应而生成生成物的处理，PHT处理是加热被实施COR处理的晶片，使通过COR处理的化学反应而在晶片上生成的生成物气化、热氧化(Thermal Oxidation)，将其从该晶片中除去的处理。
作为进行由该COR处理以及PHT处理构成的基板处理方法的基板处理装置，我们已熟知的是一种具备化学反应处理装置以及与该化学反应处理装置连接的热处理装置的基板处理装置。化学反应处理装置具备腔室，对被收容在该腔室中的晶片实施COR处理。热处理装置也具备腔室，对被收容在该腔室中的晶片实施PHT处理(例如，参照美国专利申请公开第2004/0185670号说明书)。
但是，在利用上述基板处理装置除去作为类似SiO2层的SiOBr层184的情况下，CF类沉积层183露出。该CF类沉积层183即便实施热处理也不会气化，而且，不会与气体分子发生化学反应而生成生成物，因此，利用上述基板处理装置难以除去CF类沉积层183。即，难以有效地除去SiOBr层184以及CF类沉积层183。
本发明的目的在于提供一种能够有效除去氧化物层以及有机物层的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。
发明内容
为了达到上述目的，根据本发明的第一方面，提供一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理装置，其包括：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理装置；和对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理装置，其中，上述热处理装置包括：收容上述基板的收容室；和向该收容室内供给臭氧气体的臭氧气体供给系统。
在本发明的第一方面中，优选上述臭氧气体供给系统具有臭氧气体供给孔，该臭氧气体供给孔与被收容在上述收容室中的上述基板相对。
在本发明的第一方面中，上述有机物层是由CF类的沉积物构成的层。
为了达到上述目的，根据本发明的第二方面，提供一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理装置，其特征在于，包括：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理装置；和对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理装置，其中，上述热处理装置包括：收容上述基板的收容室；和向该收容室内供给氧自由基的氧自由基供给系统。
在本发明的第二方面中，优选上述氧自由基供给系统具有氧自由基供给孔，该氧自由基供给孔与被收容在上述收容室中的上述基板相对。
在本发明的第二方面中，优选上述氧自由基供给系统具有向上述收容室供给臭氧气体的臭氧气体供给部、和热分解该被供给的臭氧气体的臭氧气体加热部。
在本发明的第二方面中，上述有机物层是由CF类的沉积物构成的层。
为了达到上述目的，根据本发明的第三方面，提供一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法，其包括：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理步骤；对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理步骤；和向被实施上述热处理的基板的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给步骤。
为了达到上述目的，根据本发明的第四方面，提供一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法，其包括：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理步骤；对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理步骤；和向被实施上述热处理的基板的表面供给氧自由基的氧自由基供给步骤。
为了达到上述目的，根据本发明的第五方面，提供一种存储介质，其是保存使计算机执行对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法的计算机能够读取的存储介质，其特征在于：上述程序具有：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理模块；对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理模块；和向被实施上述热处理的基板的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给模块。
为了达到上述目的，根据本发明的第六方面，提供一种存储介质，其是保存使计算机执行对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法的计算机能够读取的存储介质，其特征在于：上述程序具有：使上述氧化物层与气体分子发生化学反应，在上述表面上生成生成物的化学反应处理模块；对在上述表面生成有上述生成物的上述基板进行加热的热处理模块；和向被实施上述热处理的基板的表面供给氧自由基的氧自由基供给模块。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的平面图。
图2A以及图2B分别是图1中的第二工艺单元的截面图，图2A是沿着图1中的II-II线的截面图，图2B是图2A中的A部的放大图。
图3是图1中第三工艺单元的截面图。
图4是表示图1中的第二工艺舟的概略结构的立体图。
图5是表示图4中的第二负载锁定单元的单元驱动用干燥空气供给系统的概略结构图。
图6是表示图1的基板处理装置中的系统控制器的概略结构图。
图7是作为本实施方式的基板处理方法的沉积膜除去处理的流程图。
图8是作为本发明的第二实施方式涉及的基板处理装置所配置的热处理装置的第三工艺单元的截面图。
图9是作为本实施方式的基板处理方法的沉积膜除去处理的流程图。
图10是表示上述各实施方式中的基板处理装置的第一变形例的概略结构的平面图。
图11是表示上述各实施方式中的基板处理装置的第二变形例的概略结构的平面图。
图12是表示由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
首先，对本发明的第一实施方式涉及的基板处理装置进行说明。
图1是本实施方式涉及的基板处理装置的概略结构的平面图。
在图1中，基板处理装置10包括：对电子设备用的晶片(以下简称“晶片”)(基板)W实施蚀刻处理的第一工艺舟11；与该第一工艺舟11平行配置的，对在第一工艺舟11中实施蚀刻处理的晶片W实施后述的COR处理、PHT处理以及有机物层除去处理的第二工艺舟12；和与第一工艺舟11和第二工艺舟12分别连接的作为矩形的共通搬送室的装载单元13。
除了与上述第一工艺舟11和第二工艺舟12连接之外，装载单元13还与分别载置作为收容25个晶片W的容器的前开式晶片盒(FrontOpening Unified Pod)14的三个前开式晶片盒载置台15、对从前开式晶片盒14中搬出的晶片W的位置进行预对准的定位仪16、测量晶片W的表面状态的第一以及第二IMS(集成测量系统：IntegratedMetrology System，Therma-Wave，Inc.)17、18连接。
第一工艺舟11和第二工艺舟12，以与装载单元13的长边方向的侧壁连接，同时夹着装载单元13而与三个前开式晶片盒载置台15相对的方式配置，定位仪16被配置在装载单元13的长边方向的一端，第一IMS17被配置在装载单元13的长边方向的另一端，第二IMS18与三个前开式晶片盒15并列设置。
装载单元13具有被配置在内部用来搬送晶片W的标量双臂式搬送臂机构19、以与各前开式晶片盒15对应的方式配置在侧壁上的作为晶片W的投入口的三个装载口20。搬送臂机构19从被载置在前开式晶片盒载置台15上的前开式晶片盒14中经由装载口20取出晶片W，并将该取出的晶片W搬入搬出到第一工艺舟11、第二工艺舟12、定位仪16、第一IMS17、第二IMS18。
第一IMS17是光学监视器，其具有载置被搬入的晶片W的载置台21、和对被载置在该载置台21上的晶片W进行定向的光学传感器22，用来测定晶片W的表面形状，例如表面层的膜厚以及配线槽和栅极电极等的CD(Critical Dimension：临界尺寸)值。第二IMS18也是光学监视器，与第一IMS17同样，具有载置台23和光学传感器24，测量晶片W表面的颗粒数。
第一工艺舟11具有对晶片W实施蚀刻处理的第一工艺单元25、内置用来向该第一工艺单元25交接晶片W的链节(link)型单镐(singlepick)式第一搬送臂26的第一负载锁定单元27。
第一工艺单元25具有圆筒状的处理室容器(腔室)，和被配置在该腔室内的上部电极及下部电极，该上部电极及下部电极之间的距离被设定成用于对晶片W实施蚀刻处理的适当间隔。另外，下部电极在其顶部具有利用库仑力等卡住晶片W的ESC28。
在第一工艺单元25中，将处理气体导入腔室的内部，利用在上部电极以及下部电极之间产生电场使导入的处理气体实施等离子体化，产生离子及自由基，利用该离子及自由基对晶片W实施蚀刻处理。
在第一工艺舟11中，装载单元13的内部压力被保持为大气压，另一方面，第一工艺单元25的内部压力被保持为真空。因此，第一负载锁定单元27在与第一工艺单元25的连结部配置真空闸阀29，同时，在与装载单元13的连结部配置大气闸阀30，由此构成能够调整其内部压力的真空预备搬送室。
在第一负载锁定单元27的内部，在大致中央部设置有第一搬送臂26，与该第一搬送臂26相比在第一工艺单元25侧设置有第一缓冲器31，与第一搬送臂26相比在装载单元13侧设置有第二缓冲器32。第一缓冲器31以及第二缓冲器32被配置在用来支撑配置在第一搬送臂26的顶端部的晶片W的支撑部(爪)33移动的轨道上，通过使被实施蚀刻处理的晶片W暂时在支撑部33的轨道上方待机，这样就能顺利进行未蚀刻处理的晶片W与已蚀刻处理的晶片W在第一工艺单元25中的调换。
第二工艺舟12具有对晶片W实施COR处理的第二工艺单元34(化学反应处理装置)、通过真空闸阀35与该第二工艺单元34连接的，对晶片W实施PHT处理以及有机物层除去处理的第三工艺单元36(热处理装置)、内置用来向第二工艺单元34以及第三工艺单元36交接晶片W的链节型单镐式第二搬送臂37的第二负载锁定单元49。
图2A以及图2B分别是图1中的第二工艺单元的截面图，图2A是沿着图1中的II-II线的截面图，图2B是图2A中的A部的放大图。
在图2A中，第二工艺单元34具有圆筒状的处理室容器(腔室)38、作为配置在该腔室38内的晶片W的载置台的ESC39、配置在腔室38上方的喷淋头40、排出腔室38内的气体等的TMP(涡轮分子泵：Turbo Molecular Pump)41、被配置在腔室38以及TMP41之间的，控制腔室38内的压力的作为可变式蝶形阀的APC(Adaptive PressureControl)阀42。
ESC39具有对内部施加直流电压的电极板(图中未示)，利用由直流电压产生的库仑力或者约翰逊-拉别克(Johnson-Rahbek)力吸附保持晶片W。另外，ESC39具有作为调温机构的制冷剂室(图中未示)。向该制冷剂室内循环供给规定温度的制冷剂例如冷却水或galden(注册商标)液，根据该制冷剂的温度，对被吸附保持在ESC39上面的晶片W的处理温度进行控制。另外，ESC39具有向ESC39的上面与晶片的背面之间彻底地供给传热气体(氦气)的传热气体供给系统(图中未示)。传热气体在COR处理期间，对被制冷剂保持在希望的指定温度的ESC39与晶片进行热交换，从而有效并且均匀地冷却晶片。
此外，ESC39具有从其上面自由突出的作为升降销的多个推进销56，这些推进销56在晶片W被ESC39吸附保持时被收纳在ESC39中，在从腔室38中搬出被实施COR处理的晶片W时，从ESC39的上面突出然后向上方抬起晶片W。
喷淋头40具有双层结构，在下层部43以及上层部44分别具有第一缓冲室45以及第二缓冲室46。第一缓冲室45以及第二缓冲室46分别通过通气孔47、48与腔室38内连通。即，喷淋头40由具有分别供给第一缓冲室45以及第二缓冲室46的气体通向腔室38内的内部通路，并且重叠成阶层状的两个板状体(下层部43、上层部44)构成。
当对晶片W实施COR处理时，从后述的氨气供给管57向第一缓冲室45供给NH3(氨)气体，该供给的氨气通过通气孔47向腔室38内供给，同时，从后述的氟化氢气体供给管58向第二缓冲室46供给HF(氟化氢)气体，该供给的氟化氢气体通过通气孔48向腔室38内供给。
此外，喷淋头40内置有加热器(图中未示)，例如加热元件。该加热元件优选被配置在上层部44上，对第二缓冲室46内的氟化氢气体的温度进行控制。
此外，如图2B所示，通气孔47、48的向腔室38内的开口部形成喇叭形状。由此，能够有效地向腔室38内扩散氨气和氟化氢气体。而且，因通气孔47、48的截面呈中间变细的形状，故防止在腔室38中产生的堆积物向通气孔47、48甚至第一缓冲室45和第二缓冲室46倒流。另外，通气孔47、48也可以是螺旋状的通气孔。
该第二工艺单元34通过调整腔室38内的压力以及氨气和氟化氢气体的体积流量比，对晶片W实施COR处理。此外，由于该第二工艺单元34采用在腔室38内氨气和氟化氢气体初次混合的方式设计(后混合式设计)，因此，在上述两种气体被导入腔室38内之前，防止该两种混合气体混合，从而防止氟化氢气体与氨气在导入腔室38内之前发生反应。
此外，在第二工艺单元34中，腔室38的侧壁内置加热器(图中未示)例如加热元件，防止腔室38内的气体温度下降。由此，能够提高COR处理的再现性。此外，侧壁内的加热元件通过控制侧壁的温度，防止在腔室38内产生的副生成物附着在侧壁的内侧。
图3是图1中的第三工艺单元的截面图。
在图3中，第三工艺单元36具有：框体形状的处理室容器(腔室)50；以与该腔室50的顶部185相对的方式配置在腔室50内的作为晶片W的载置台的载置台加热器51；配置在该载置台加热器51的附近，向上方抬起被载置在载置台加热器51上的晶片W的缓冲臂52；和设在腔室50的顶部185上，并且遮断腔室50内以及外部气氛的作为自由开闭的盖的PHT腔室盖(图中未示)。
载置台加热器51由在表面形成氧化薄膜的铝构成，利用由内置的电热线等构成的加热器186将所载置的晶片W加热至规定温度。具体来讲，载置台加热器51对载置晶片W至少直接加热一分钟，将其加热至100～200℃，优选是加热至约135℃。再者，加热器186的散热量被加热器控制装置187控制。
在PHT腔室盖上设置硅胶制的板式加热器，从上方加热晶片W。此外，在腔室50的侧壁内置盒式加热器188，该盒式加热器188将腔室50侧壁的壁面温度控制在25～80℃。由此，防止副生成物附着在腔室50的侧壁上，防止因附着的副生成物而引起的颗粒的产生，从而延长腔室50的清洗周期。再者，腔室50的外周被绝热板(图中未示)覆盖，盒式加热器188的散热量被加热器控制装置189控制。
作为从上方加热晶片W的加热器，也可以配置紫外线放射(UVradiation)加热器来代替上述板式加热器。作为紫外线放射加热器，相当于放射波长190～400nm的紫外线的紫外线灯等。
缓冲臂52使被实施COR处理的晶片W暂时在第二搬送臂37中的支撑部53的轨道的上方待机，这样能够顺利进行第二工艺单元34和第三工艺单元36中的晶片W的调换。
该第三工艺单元36通过调整晶片W的温度对晶片W实施PHT处理。
此外，第三工艺单元36具备氮气供给系统190和臭氧供给系统191。
氮气供给系统190具有氮气供给部192、与该氮气供给部192连接的氮气供给管193，氮气供给管193具有在腔室50的顶部以与被载置在载置台加热器51上的晶片W相对的方式开口的氮气供给孔194。氮气供给部192通过氮气供给管193从氮气供给孔194向腔室50内供给作为洗净气体的氮气(N2)。此外，氮气供给部192调整供给的氮气的流量。
臭氧供给系统191具有臭氧供给部195、和与该臭氧供给部195连接的臭氧供给管196，臭氧供给管196具有在腔室50的顶部以与被载置在载置台加热器51上的晶片W相对的方式开口的臭氧供给孔197。臭氧供给部195通过臭氧供给管196从臭氧供给孔197向腔室50内供给臭氧(O3)。此外，臭氧供给部195调整供给的臭氧的流量。
该第三工艺单元36在对被实施PHT的晶片W继续实施PHT处理之后，对晶片W实施有机物层除去处理。
返回到图1，第二负载锁定单元49具有内置第二搬送臂37的框体状的搬送室(腔室)70。此外，装载单元13的内部压力被保持为大气压，而第二工艺单元34以及第三工艺单元36的内部压力被保持为真空或者大气压以下。因此，第二负载锁定单元49在与第三工艺单元36的连结部配置真空闸阀54，同时，在与装载单元13的连结部配置气门阀55，于是便构成了能够调整其内部压力的真空预备搬送室。
图4是表示图1中第二工艺舟的概略结构的立体图。
在图4中，第二工艺单元34具备：向第一缓冲教室45供给氨气的氨气供给管57；向第二缓冲室46供给氟化氢气体的氟化氢气体供给管58；测定腔室38内的压力的压力计59；和向配设在ESC39内的冷却系统供给制冷剂的冷却单元60。
在氨气供给管57中设置有MFC(Mass Flow Controller：质量流量控制器)(图中未示)，该MFC调整向第一缓冲室45供给的氨气的流量，并且在氟化氢气体供给管58中也设置有MFC(图中未示)，该MFC调整向第二缓冲室46供给的氟化氢气体的流量。氨气供给管57的MFC与氟化氢气体供给管58的MFC配合，用来调整供给到腔室38的氨气与氟化氢气体的体积流量比。
此外，在第二工艺单元34的下方配置有与DP(Dry Pump)(图中未示)连接的第二工艺单元排气系统61。第二工艺单元排气系统61具有与在腔室38与APC阀42之间配设的排气口62连通的排气管63、和与TMP41的下方(排气侧)连接的排气管64，用来排出腔室38内的气体等。再者，排气管64在DP的前面与排气管63连接。
除了上述氮气供给系统190以及臭氧供给系统191之外，第三工艺单元36还具备测定腔室50内部压力的压力计66、排出腔室50内的氮气等的第三工艺单元排气系统67。
第三工艺单元排气系统67具有与腔室50连通并且与DP连接的主排气管68、在该主排气管68的中途设置的APC阀69、和为了避开APC阀69而从主排气管68分支并且在DP的前面与主排气管68连接的副排气管68a。APC阀69控制腔室50内的压力。
第二负载锁定单元49具备：向腔室70内供给氮气的氮气供给管71；测定腔室70内部压力的压力计72；排出腔室70内的氮气等的第二负载锁定单元排气系统73；和大气开放腔室70内的大气连通管74。
在氮气供给管71上设置有MFC(图中未示)，该MFC调整被供给到腔室70的氮气的流量。第二负载锁定单元排气系统73由一根排气管构成，该排气管与腔室70连通，同时在DP的前面与第三工艺单元排气系统67中的主排气管68连接。另外，第二负载锁定单元排气系统73以及大气连通管74分别具有自由开闭的排气阀75以及安全阀76，该排气阀75以及安全阀76配合，将腔室70内的压力调整至从大气压至希望的真空度中的任意一个压力。
图5是表示图4中第二负载锁定单元的单元驱动用干燥空气供给系统的概略结构图。
在图5中，第二负载锁定单元49的单元驱动用干燥空气供给系统77的干燥空气供给目的地，包括：气门阀55具有的滑动门驱动用的门阀气缸、作为氮气洗净单元的氮气供给管71具有的MFC、作为大气开放用的安全阀的大气连通管74具有的安全阀76、作为抽真空单元的第二负载锁定单元排气系统73具有的排气阀75、以及真空闸阀54具有的滑动闸门驱动用的闸阀气缸。
单元驱动用干燥空气供给系统77具备：从第二工艺舟12配置的主干燥空气供给管78分支的副干燥空气供给管79、和与该副干燥空气供给管79连接的第一电磁阀80以及第二电磁阀81。
第一电磁阀80通过各个干燥空气供给管82、83、84、85与门阀气缸、MFC、安全阀76以及闸阀气缸连接，通过控制供给它们的干燥空气的供给量来控制各部的动作。另外，第二电磁阀81通过干燥空气供给管86与排气阀75连接，通过控制供给排气阀75的干燥空气的供给量来控制排气阀75的动作。再者，氮气供给管71中的MFC也与氮气(N2)供给系统87连接。
此外，第二工艺单元34和第三工艺单元36也具备具有与上述第二负载锁定单元49的单元驱动用干燥空气供给系统77同样结构的单元驱动用干燥空气供给系统。
返回到图1，基板处理装置10具备用来控制第一工艺舟11、第二工艺舟12以及装载单元13动作的系统控制器、在装载单元13的长边方向的一端配置的操作面板88。
操作面板88例如具有由LCD(Liquid Crystal Display)构成的显示部，该显示部显示基板处理装置10的各构成要素的动作情况。
另外，如图6所示，系统控制器具备：EC(Equipment Controller：设备控制器)89；三个MC(Module Controller：模块控制器)90、91、92；和连接EC89和各MC的开关阀93。该系统控制器从EC89通过LAN(Local Area Network：局域网)170，与作为用来管理设置有基板处理装置10的整个工厂的制造工序的MES(Manufacturing ExecutionSystem：制造执行系统)的PC171连接。MES与系统控制器合作，向主业务系统(图中未示)反馈有关工厂中的工序的实时信息，同时，考虑整个工厂的负荷等后进行有关工序的判断。
EC89是统筹各个MC，控制基板处理装置10整体动作的主控制部(总控制部)。此外，EC89具有CPU、RAM、HDD等，在操作面板88中，根据用户等指定的晶片W的处理方法，即根据与方案对应的程序，CPU向各个MC发送控制信号，以此来控制第一工艺舟11、第二工艺舟12以及装载单元13的动作。
开关阀93根据来自EC89的控制信号来切换作为EC89的连接目的地的MC。
MC90、91、92是分别控制第一工艺舟11、第二工艺舟12以及装载单元13的动作的副控制部(从属控制部)。各个MC利用DIST(Distribution)板(Board)96通过GHOST网络95分别与各个I/O(输入输出)模块97、98、99连接。GHOST网络95是通过被搭载在各个MC具有的MC板上的称作GHOST(General High-Speed OptimumScalable Transceiver)的LSI来实现的网络。GHOST网络95中最大可连接31个I/O模块，在GHOST网络95中，MC相当于主控制部，I/O模块相当于从属控制部。
I/O模块98由与第二工艺舟12中的各构成要素(以下称作“EndDevice：终端设备”)连接的多个I/O部100构成，用来传达向各个终端设备发送的控制信号以及从各个终端设备输出的输出信号。在I/O模块98中，在与I/O部100连接的终端设备中，例如相当于第二工艺单元34中的氨气供给管57的MFC、氟化氢气体供给管58的MFC、压力计59以及APC阀42；第三工艺单元36中的氮气供给部192、臭氧供给部195、压力计66、APC阀69、缓冲臂52以及载置台加热器51；第二负载锁定单元49中的氮气供给管71的MFC、压力计72以及第二搬送臂37；以及单元驱动用干燥空气供给系统77中的第一电磁阀80以及第二电磁阀81等。
另外，因I/O模块97、99具有与I/O模块98同样的结构，并且与第一工艺舟11对应的MC90和I/O模块97的连接关系、以及与装载单元13对应的MC92和I/O模块99的连接关系也与上述MC91和I/O模块98的连接关系相同，故省略这些说明。
此外，在各个GHOST网络95中，也连接有用来控制I/O部100中的数字信号、模拟信号以及串行信号的输入输出的I/O板(图中未示)。
在基板处理装置10中，当对晶片W实施COR处理时，根据与COR处理的方案对应的程序，EC89的CPU通过开关阀93、MC91、GHOST网络95以及I/O模块98中的I/O部100，向希望的终端设备发送控制信号，从而在第二工艺单元34中实施COR处理。
具体来讲，CPU向氨气供给管57的MFC以及氟化氢气体供给管58的MFC发送控制信号，于是将腔室38中的氨气以及氟化氢气体的体积流量比调整至希望的值，并且向TMP41以及APC阀42发送控制信号，于是将腔室38内的压力调整至希望的值。另外，此时，压力计59将腔室38内的压力值作为输出信号向EC89的CPU发送，该CPU根据被发送的腔室38内的压力值，决定氨气供给管57的MFC、氟化氢气体供给管58的MFC、APC阀42和TMP41的控制参数。
此外，当对晶片W实施PHT处理时，根据与PHT处理的方案对应的程序，EC89的CPU向希望的终端设备发送控制信号，从而在第三工艺单元36中实施PHT处理。
具体来讲，CPU向氮气供给部192以及APC阀69发送控制信号，于是将腔室50内的压力调整至希望的值，并且，向载置台加热器51发送控制信号，于是将晶片W的温度调整至希望的温度。另外，此时，压力计66将腔室50内的压力值作为输出信号向EC89的CPU发送，该CPU根据被发送的腔室50内的压力值，决定APC阀69和氮气供给部192的控制参数。
进一步，当对晶片W实施有机物层除去处理时，根据与有机物层除去处理的方案对应的程序，EC89的CPU向希望的终端设备发送控制信号，从而在第三工艺单元36中实施有机物层除去处理。
具体来讲，CPU通过向臭氧供给部195以及APC阀69发送控制信号，将腔室50内的压力调整至希望的值，并且，通过向载置台加热器51发送控制信号，将晶片W的温度调整至希望的温度。另外，此时，压力计66将腔室50内的压力值作为输出信号向EC89的CPU发送，该CPU根据被发送的腔室50内的压力值，决定APC阀69和臭氧供给部195的控制参数。
在图6的系统控制器中，多个终端设备不直接与EC89连接，与该多个终端设备连接的I/O部100被模块化并构成I/O模块，该I/O模块通过MC以及开关阀93与EC89连接，因此，能够简化通信系统。
此外，由于EC89的CPU发送的控制信号中包含与希望的终端设备连接的I/O部100的地址、以及包括该I/O部100的I/O模块的地址，因此，开关阀93参照控制信号中的I/O模块的地址，MC的GHOST参照控制信号中的I/O部100的地址，由此开关阀93和MC无需向CPU询问控制信号的发送目的地，这样就能实现控制信号的顺利传达。
但是，如上所述，由于晶片W上的浮栅和层间SiO2膜的蚀刻，结果在晶片W上形成的沟槽的侧面，形成由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜。另外，如上所述，SiOBr层是具有与SiO2层相似性质的类似SiO2层。由于这些SiOBr层以及CF类沉积层成为电子设备不良，例如成为导通不良的原因，故必须将其除去。
与此对应，本实施方式涉及的基板处理方法对在沟槽的侧面形成有沉积膜的晶片W实施COR处理、PHT处理以及有机物层除去处理。
在本实施方式涉及的基板处理方法中，在COR处理中使用氨气以及氟化氢气体。在此，氟化氢气体促进类似SiO2层的腐蚀，氨气根据需要限制氧化膜与氟化氢气体的反应，并最终合成用来使其停止的反应副生成物(By-product)。具体来讲，在本实施方式涉及的基板处理方法中，在COR处理以及PHT处理中利用以下的化学反应。
(COR处理)
SiO2+4HF→SiF4+2H2O↑  SiF4+2NH3+2HF→(NH4)2SiF6
(PHT处理)
(NH4)2SiF6→SiF4↑+2NH3↑+2HF↑
再者，在PHT处理中，也产生少量N2以及H2。
另外，在本实施方式涉及的基板处理方法中，在有机物层除去处理中使用臭氧气体。在此，在被实施COR处理以及PHT处理的晶片W上，在沟槽侧面的沉积膜中除去最表层的SiOBr层，露出作为有机物层的CF类沉积层。臭氧气体分解露出的CF类沉积层。具体来讲，被暴露在臭氧气体中的CF类沉积层通过化学反应被分解成CO、CO2和F2等。由此，在沟槽侧面的沉积膜中，CF沉积膜被除去。
图7是作为本实施方式涉及的基板处理方法的沉积膜除去处理的流程图。
在图7中，在基板处理装置10中，首先，将在沟槽侧面形成有由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的晶片W收容在第二工艺单元34的腔室38中，将该腔室38内的压力调整为规定的压力，向腔室38内导入氨气、氟化氢气体以及作为稀释气体的氩气(Ar)，使腔室38内形成由这些气体组成的混合气体的氛围，在规定的压力下，将最表层的SiOBr层暴露在混合气体中。于是，使SiOBr层、氨气以及氟化氢气体发生化学反应，生成具有络合物结构的生成物((NH4)2SiF6)(步骤S71)(化学反应处理步骤)。此时，最表层的SiOBr层被暴露在混合气体中的时间优选是2～3分钟，另外，ESC39的温度优选被设定为10～100℃中的任一温度。
腔室38内的氟化氢气体的分压优选是6.7～13.3Pa(50～100mTorr)。由此，由于腔室38内的混合气体的流量比等稳定，因此能够促进生成物的生成。此外，由于温度越高，在腔室38内产生的副生成物就越难以附着，所以腔室38内的内壁温度优选利用埋设在侧壁中的加热器(图中未示)设定成例如50℃。
接着，将生成有生成物的晶片W载置在第三工艺单元36的腔室50内的载置台加热器51上，将该腔室50内的压力调整至规定的压力，向腔室50内导入氮气，然后使其产生粘性流，利用载置台加热器51将晶片W加热至规定的温度(步骤S72)(热处理步骤)。此时，生成物的络合物结构因热而分解，生成物分离成四氟化硅(SiF4)、氨、氟化氢后气化。气化的这些气体分子被卷入从氮气供给孔194供给的氮气的粘性流中，利用第三工艺单元排气系统67从腔室50中排出。
在第三工艺单元36中，生成物是包含配位键的络合物(Complexcompound)，络合物的结合力弱，在较低的温度下热分解也被加速，因此，被加热的晶片W的规定温度优选是80～200℃，而且，对晶片W实施PHT处理的时间优选是30～120秒。另外，为了在腔室50中产生粘性流，提高腔室50内的真空度并不理想，而且，需要一定流量的气体流。因此，该腔室50中的规定压力优选是6.7×10～1.3×102Pa(500mTorr～1Torr)，氮气的流量优选是500～3000SCCM。这样，能够确实在腔室50内产生粘性流，因此，能够确实除去因生成物的热分解而产生的气体分子。
其次，在第三工艺单元36的腔室50内，从臭氧气体供给孔197供给臭氧气体(步骤S73)(臭氧气体供给步骤)。此时，被供给的臭氧气体利用化学反应将最表层的SiOBr层被除去后露出的CF类沉积层分解成CO、CO2和F2等气体分子。这些气体分子被卷入从氮气供给孔194供给的氮气的粘性流中，然后利用第三工艺单元排气系统67从腔室50中排出。此时，向腔室50内供给臭氧气体的时间优选是10秒左右，此外，载置台加热器51的温度优选被设定为100～200℃中的任一温度。再者，从臭氧气体供给孔197供给的臭氧气体的流量优选是1～5SLM。
接着，将在沟槽侧面的沉积膜中CF类沉积层被除去后最底层的SiOBr层露出的晶片W收容在第二工艺单元34的腔室38中，对该晶片W实施与上述步骤S71同样的处理(步骤S74)，而且，将该晶片W载置在第三工艺单元36的腔室50内的载置台加热器51上，对该晶片W实施与上述的步骤S72同样的处理(步骤S75)。这样，除去最底层的SiOBr层，然后结束本处理。
另外，上述步骤S73相当于有机物层除去处理。
根据上述的本实施方式涉及的基板处理装置，第三工艺单元36具备向腔室50内供给臭氧气体的臭氧气体供给系统191。在被最表层的SiOBr层覆盖的CF类沉积层形成于沟槽侧面的晶片W中，如果利用氨气以及氟化氢气体的化学反应将从SiOBr层生成的生成物加热，那么，该生成物发生气化，CF类沉积层露出，该露出的CF类沉积层被暴露在所供给的臭氧气体中，该臭氧气体利用化学反应将CF类沉积层分解成CO、CO2和F2等气体分子。因此，能够在除去最表层的SiOBr层后连续除去CF类沉积层，于是，能够有效地除去SiOBr层以及CF类沉积层。
另外，在上述基板处理装置中，因臭氧气体供给孔197与被载置在载物台加热器51上的晶片W相对，故能够朝向晶片W的表面集中供给臭氧气体，于是，能够更加有效地除去CF类沉积层。
在图3中，用一根配管表示臭氧气体供给系统191的臭氧气体供给管196，但构成臭氧气体供给管196的配管的根数并非局限于此，臭氧气体供给管196也可使用多根配管构成。在这种情况下，在腔室50的顶部设置有与各个配管分别对应的多个臭氧气体供给孔。在这些多个臭氧气体供给孔中，既可以按照与被载置在载置台加热器51上的晶片W的周边部(斜面(bevel)部)相对的方式配置一部分臭氧气体供给孔，而且，也可以在与斜面部相对的臭氧气体供给孔对应的配管中设置加热器。这样，与斜面部相对的臭氧气体供给孔能够向斜面部供给高温的臭氧气体。堆积物(斜面聚合物)附着在斜面部上，但是，如果斜面聚合物被暴露在高温的臭氧气体中，那么，就会因热化学反应而被分解。因此，通过从与上述斜面部相对的臭氧气体供给孔向斜面部供给高温的臭氧气体，这样，就能分解斜面聚合物。此时，氮气供给系统190也可向腔室50内供给氮气，于是，能够产生氮气的粘性流，利用该粘性流能够从斜面部中确实除去被分解的斜面聚合物。另外，载置台加热器51也可设置用来抬起晶片W，使其从该载置台加热器51分离的升降销，如果利用升降销抬起晶片W，那么，由于高温的臭氧气体蔓延至该晶片W的斜面部的背面侧，因此，也能确实除去斜面部的背面侧的斜面聚合物。
下面，对本发明的第二实施方式涉及的基板处理装置进行说明。
本实施方式，其结构和作用与上述第一实施方式基本相同，取代臭氧气体供给系统而配置氧自由基供给系统这一点与上述第一实施方式不同。因此，对于重复的结构、作用，省略其说明，下面，对不同的结构、作用进行说明。
图8是作为本实施方式涉及的基板处理装置配置的热处理装置的第三工艺单元的截面图。
在图8中，第三工艺单元198取代臭氧气体供给系统而配置氧自由基供给系统199。
氧自由基供给系统199具有臭氧气体供给部200、臭氧气体加热部201、通过该臭氧气体加热部201连接腔室50以及臭氧气体供给部200的氧自由基供给管202，氧自由基供给管202在腔室50的顶部具有以与被载置在载置台加热器51上的晶片W相对的方式开口的氧自由基供给孔203。臭氧气体供给部200向氧自由基供给管202内供给臭氧气体，臭氧气体加热部201将被供给到氧自由基供给管202内的臭氧气体热分解成氧自由基。然后，氧自由基从氧自由基供给孔203供给到腔室50内。另外，臭氧气体供给部200调整供给的臭氧气体，甚至氧自由基的流量。
该第三工艺单元198在PHT处理后对被实施PHT处理的晶片W实施有机物层除去处理。
下面，对本实施方式涉及的基板处理方法进行说明。
在本实施方式涉及的基板处理方法中，与上述第一实施方式不同，在有机物层除去处理中使用氧自由基。氧自由基对因COR处理和PHT处理而露出的CF类沉积层进行分解。具体来讲，被暴露在氧自由基中的CF类沉积层通过化学反应被分解成CO、CO2和F2等。由此，在沟槽侧面的沉积膜中CF类沉积层被除去。
图9是作为本实施方式涉及的基板处理方法的沉积膜除去处理的流程图。
在图9中，在基板处理装置10中，首先，将在沟槽侧面形成有由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的晶片W收容在第二工艺单元34的腔室38中，对该晶片W实施与图7中的步骤S71同样的处理(步骤S91)，而且，将该晶片W载置在第三工艺单元36的腔室50内的载置台加热器51上，对该晶片W实施与图7中的步骤S72同样的处理(步骤S92)。由此，除去最表层的SiOBr层，使CF类沉积层露出。
接着，从氧自由基供给孔203向第三工艺单元36的腔室50内供给氧自由基(步骤S93)(氧自由基供给步骤)。此时，被供给的氧自由基利用化学反应将露出的CF类沉积层分解成CO、CO2和F2等。这些气体分子被卷入从氮气供给孔194供给的氮气的粘性流中，利用第三工艺单元排气系统67从腔室50中排出。此时，向腔室50内供给氧自由基的时间优选是10秒左右，此外，载置台加热器51的温度优选被设定为100～200℃中的任一温度。再者，从氧自由基供给孔203供给的氧自由基的流量优选是1～5SLM。
接着，将在沟槽侧面的沉积膜中CF类沉积层被除去后最底层的SiOBr层露出的晶片W收容在第二工艺单元34的腔室38中，对该晶片W实施与步骤S91同样的处理(步骤S94)，进一步，将该晶片W载置在第三工艺单元36的腔室50内的载置台加热器51上，对该晶片W实施与上述的步骤S92同样的处理(步骤S95)。由此，除去最底层的SiOBr层，然后结束本处理。
另外，上述步骤S93相当于有机物层除去处理。
根据上述的本实施方式涉及的基板处理装置，第三工艺单元198具备向腔室50内供给氧自由基的氧自由基供给系统199。在被SiOBr层覆盖的CF类沉积层形成于沟槽侧面的晶片W中，如果对通过与气体分子的化学反应而从SiOBr层生成的生成物进行加热，那么，该生成物发生气化，CF类沉积层露出，该露出的CF类沉积层被暴露在所供给的氧自由基中，该氧自由基分解CF类沉积层。因此，能够在除去SiOBr层后连续除去CF类沉积层，于是，能够有效地除去SiOBr层以及CF类沉积层。
在上述基板处理装置中，由于氧自由基供给孔203与被载置在载物台加热器51上的晶片W相对，所以能够朝向晶片W的表面集中供给氧自由基，于是，能够更加有效地除去CF类沉积层。
此外，在上述基板处理装置中，氧自由基供给系统199具有臭氧气体供给系统200、和热分解被供给到腔室50内的臭氧气体的臭氧气体加热部201。臭氧气体的使用简便，被热分解后容易变成氧自由基。因此，能够简便地供给氧自由基，于是，能够确实有效地除去CF类沉积层。
上述第三工艺单元198配置具有臭氧气体供给部200以及臭氧气体加热部201的氧自由基供给系统199，但是，氧自由基供给系统并不是一定要配置臭氧气体供给部以及臭氧气体加热部，也可以配置向腔室50内供给在外部生成的氧自由基的氧自由基供给部。
下面，对本发明的第三实施方式涉及的基板处理装置进行说明。
本实施方式，其结构和作用与上述第一实施方式基本相同，因此，对于重复的结构、作用，省略其说明，下面，对不同的结构、作用进行说明。
本实施方式涉及的基板处理装置中的第三工艺单元仅取代臭氧气体供给系统而配置氧气供给系统以及氯气供给系统这一点与第三工艺单元36不同，其它的结构与第三工艺单元36相同。
氧气供给系统向被载置在载置台加热器51上的晶片W喷出氧气，氯气供给系统向该晶片W供给氯气。该第三工艺单元也在PHT处理后对被实施PHT处理的晶片W实施有机物层除去处理。
下面，对本实施方式涉及的基板处理方法进行说明。
在本实施方式涉及的基板处理方法中，与上述第一实施方式不同，使用在有机物层除去处理中被喷出的氧气(O2-flash)以及氯气。如果由于COR处理以及PHT处理而露出的CF类沉积层被暴露在所喷出的氧气以及在该氧气之后所供给的氯气中，那么，它会因氧化反应以及还原反应而被分解。由此，在沟槽侧面的沉积膜中，CF类沉积层被除去。
具体来讲，首先，对在沟槽的侧面形成有由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的晶片W实施与图7中的步骤S71以及步骤S72同样的处理。由此，除去最表层的SiOBr层，使CF类沉积层露出。
接着，从氧气供给系统向第三工艺单元的腔室50内喷出氧气。此时，CF类沉积层被氧化。CF类沉积层被氧化后，从氯气供给系统供给氯气。此时，被氧化的CF类沉积层被还原，结果它被分解。于是，在沟槽侧面的沉积膜中，CF类沉积层被除去。
接着，对在沟槽侧面的沉积膜中，CF类沉积层被除去后最底层的SiOBr层露出的晶片W实施与步骤S71以及步骤S72同样的处理。由此，除去最底层的SiOBr层，然后结束本处理。
根据上述本实施方式涉及的基板处理装置，第三工艺单元具备向晶片W喷出氧气的氧气供给系统以及向该晶片W供给氯气的氯气供给系统。在被SiOBr层覆盖的CF类沉积层形成于沟槽侧面的晶片W中，如果因与气体分子的化学反应而从SiOBr层生成的生成物被加热，那么，该生成物发生气化，CF类沉积层露出。如果该露出的CF类沉积层被暴露在所喷出的氧气以及在该氧气后所供给的氯气中，那么，因氧化反应以及还原反应它被分解。因此，能够在除去SiOBr层后连续除去CF类沉积层，于是，能够有效地除去SiOBr层以及CF类沉积层。
上述各个实施方式涉及的基板处理装置并非局限于具备两个图1所示的相互平行配置的工艺舟的平行式基板处理装置，也可以如图10和图11所示，相当于作为对晶片W实施规定处理的真空处理室的多个工艺单元以放射状配置的基板处理装置。
图10是表示上述各个实施方式涉及的基板处理装置的第一变形例的概略结构的平面图。另外，在图10中，对与图1的基板处理装置10中的构成要素相同的构成要素标注相同的符号，并省略其说明。
在图10中，基板处理装置137具备平面看为六边形的传输(transfer)装置138、在该传输装置138的周围以放射状配置的四个工艺单元139～142、装载单元13、被配置在传输装置138以及装载单元13之间的，连结传输装置138以及装载单元13的两个负载锁定单元143、144。
传输装置138以及各个工艺单元139～142，其内部压力被保持为真空，传输装置138与各个工艺单元139～142分别通过真空闸阀145～148连接。
在基板处理装置137中，装载单元13的内部压力被保持为大气压，而传输装置138的内部压力被保持为真空。因此，各个负载锁定单元143、144分别在与传输装置138的连结部配置真空闸阀149、150，并且在与装载单元13的连结部配置气门阀151、152，这样便构成能够调整其内部压力的真空预备搬送室。另外，各个负载锁定单元143、144具有用来暂时载置在装载单元13以及传输装置138之间交接的晶片W的晶片载置台153、154。
传输装置138具有在其内部配置的可自由伸缩和旋转的蛙腿(frogleg)式搬送臂155，该搬送臂155在各个工艺单元139～142和各个负载锁定单元143、144之间搬送晶片W。
各个工艺单元139～142分别具有载置被实施处理的晶片W的载置台156～159。在此，工艺单元139、140具有与基板处理装置10中的第一工艺单元25同样的结构，工艺单元141具有与第二工艺单元34同样的结构，工艺单元142具有与第三工艺单元36或第三工艺单元198同样的结构。因此，工艺单元139、140可对晶片W实施蚀刻处理，工艺单元141可对晶片W实施COR处理，工艺单元142可对晶片W实施PHT处理以及有机物层除去处理。
在基板处理装置137中，将在沟槽侧面形成有由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的晶片W搬入到工艺单元141中，对其实施COR处理，进一步，将其搬入到工艺单元142中，对其实施PHT处理以及有机物层除去处理，这样进行上述各个实施方式涉及的基板处理方法。
再者，基板处理装置137中的各个构成要素的动作被具有与基板处理装置10中的系统控制器同样结构的系统控制器所控制。
图11是表示上述各个实施方式涉及的基板处理装置的第二变形例的概略结构的平面图。另外，在图11中，在与图1的基板处理装置10以及图10的基板处理装置137中的构成要素相同的构成要素标注相同的符号，并省略其说明。
在图11中，基板处理装置160与图10的基板处理装置137相比，增加了两个工艺单元161、162，与此对应，传输装置163的形状也与基板处理装置137中的传输装置138的形状不同。增加的两个工艺单元161、162分别通过真空闸阀164、165与传输装置163连接，并且具有晶片W的载置台166、167。工艺单元161具有与第一工艺单元25同样的结构，工艺单元162具有与第二工艺单元34同样的结构。
此外，传输装置163具备由两个标量臂式的搬送臂构成的搬送臂单元168。该搬送臂单元168沿着在传输装置163内配设的导轨169移动，在各个工艺单元139～142、161、162和各个负载锁定单元143、144之间搬送晶片W。
在基板处理装置160中，与基板处理装置137同样，将在沟槽侧面形成有由SiOBr层、CF类沉积层以及SiOBr层构成的沉积膜的晶片W搬入到工艺单元141或者工艺单元162中，对其实施COR处理，进一步，将其搬入到工艺单元142中，对其实施PHT处理以及有机物层除去处理，这样进行上述各个实施方式涉及的基板处理方法。
另外，基板处理装置160中的各个构成要素的动作也被具有与基板处理装置10中的系统控制器同样结构的系统控制器所控制。
本发明的目的也可通过以下方式达成，向EC89供给记录有实现上述各个实施方式的功能的软件的程序代码的存储介质，EC89的计算机(或者CPU和MPU等)读出被保存在存储介质中的程序代码，然后执行。
在这种情况下，从存储介质读出的程序代码本身实现上述各个实施方式的功能，该程序代码以及存储有该程序代码的存储介质构成本发明。
此外，用来供给程序代码的存储介质例如可以使用软盘(注册商标)、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盘、磁带、不挥发性存储卡、ROM等。另外，也可通过网络下载程序代码。
此外，通过执行计算机读出的程序代码，这样，不仅能实现上述各个实施方式的功能，而且根据该程序代码的指示，在计算机上工作的OS(操作系统)等进行部分或者全部实际处理，根据该处理，上述各个实施方式的功能也得以实现。
另外，从存储介质读出的程序代码被写入到插入计算机中的功能扩展卡和与计算机连接的功能扩展装置中配置的存储器中后，根据该程序代码的指示，在扩展其扩展功能的扩展卡和扩展装置中配置的CPU等进行部分或者全部处理，根据该处理，上述各个实施方式的功能也得以实现。
上述程序代码的方式也可由目标代码、通过解释器执行的程序代码、被供给到OS的脚本数据等方式组成。
工业实用性
根据本发明的基板处理装置，热处理装置配置向收容基板的收容室内供给臭氧气体的臭氧气体供给系统。在在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板上，如果因与气体分子的化学反应而从氧化物层生成的生成物被加热，那么，该生成物发生气化，有机物层露出，该露出的有机物层被暴露在所供给的臭氧气体中，该臭氧气体分解有机物层。因此，能够在除去氧化物层后连续除去有机物层，于是，能够有效地除去氧化物层以及有机物层。
根据本发明的基板处理装置，因臭氧气体供给系统的臭氧气体供给孔与被收容在收容室中的基板相对，故能够向基板的表面集中供给臭氧气体，于是，能够更加有效地除去有机物层。
根据本发明的基板处理装置，有机物层是由CF类的沉积物构成的层。CF类的沉积物容易被臭氧气体分解。因此，能够更加有效地除去有机物层。
根据本发明的基板处理装置，热处理装置配置向收容基板的收容室内供给氧自由基的氧自由基供给系统。在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板上，如果因与气体分子的化学反应而从氧化物层生成的生成物被加热，那么，该生成物发生气化，有机物层露出，该露出的有机物层被暴露在所供给的氧自由基中，该氧自由基分解有机物层。因此，能够在除去氧化物层后连续除去有机物层，于是，能够有效地除去氧化物层以及有机物层。
根据本发明的基板处理装置，因氧自由基供给系统的氧自由基供给孔与被收容在收容室中的基板相对，故能够向基板的表面集中供给氧自由基，于是，能够更加有效地除去有机物层。
根据本发明的基板处理装置，氧自由基供给系统具有向收容室供给臭氧气体的臭氧气体供给部、热分解该被供给的臭氧气体的臭氧气体加热部。臭氧气体的使用简便，被热分解后容易变成氧自由基。因此，能够简便地供给氧自由基，于是，能够确实有效地除去有机物层。
根据本发明的基板处理装置，有机物层是由CF类的沉积物构成的层。CF类的沉积物容易被臭氧气体分解。因此，能够更加有效地除去有机物层。
根据本发明的基板处理方法以及存储介质，在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板上，氧化物层与气体分子发生化学反应，在基板的表面上生成生成物，在表面生成该生成物的基板被加热，向被实施热处理的基板的表面供给臭氧气体。如果因与气体分子的化学反应而从氧化物层生成的生成物被加热，那么，该生成物发生气化，有机物层露出，该露出的有机物层被暴露在所供给的臭氧气体中，该臭氧气体分解有机物层。因此，能够在除去氧化物层后连续除去有机物层，于是，能够有效地除去氧化物层以及有机物层。
根据本发明的基板处理方法以及存储介质，在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板上，氧化物层与气体分子发生化学反应，在基板的表面上生成生成物，在表面生成该生成物的基板被加热，向被实施热处理的基板的表面供给氧自由基。如果因与气体分子的化学反应而从氧化物层生成的生成物被加热，那么，该生成物发生气化，有机物层露出，该露出的有机物层被暴露在所供给的氧自由基中，该氧自由基分解有机物层。因此，能够在除去氧化物层后连续除去有机物层，于是，能够有效地除去氧化物层以及有机物层。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理装置，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理装置；和对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理装置，其中，
所述热处理装置包括：收容所述基板的收容室；和向该收容室内供给臭氧气体的臭氧气体供给系统。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述臭氧气体供给系统具有臭氧气体供给孔，该臭氧气体供给孔与被收容在所述收容室中的所述基板相对。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述有机物层是由CF类的沉积物构成的层。
4.一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理装置，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理装置；和对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理装置，其中，
所述热处理装置包括：收容所述基板的收容室；和向该收容室内供给氧自由基的氧自由基供给系统。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
所述氧自由基供给系统具有氧自由基供给孔，该氧自由基供给孔与被收容在所述收容室中的所述基板相对。
6.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
所述氧自由基供给系统具有向所述收容室供给臭氧气体的臭氧气体供给部、和热分解该被供给的臭氧气体的臭氧气体加热部。
7.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
所述有机物层是由CF类的沉积物构成的层。
8.一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理步骤；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理步骤；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给步骤。
9.一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理步骤；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理步骤；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给氧自由基的氧自由基供给步骤。
10.一种存储介质，其是保存使计算机执行对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法的计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
所述程序具有：使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理模块；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理模块；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给模块。
11.一种存储介质，其是保存使计算机执行对在表面形成有被氧化物层覆盖的有机物层的基板实施处理的基板处理方法的计算机能够读取的存储介质，其特征在于：
所述程序具有：使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生成物的化学反应处理模块；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理模块；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给氧自由基的氧自由基供给模块。
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