CN101383367A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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- CN101383367A CN101383367A CNA2008102156470A CN200810215647A CN101383367A CN 101383367 A CN101383367 A CN 101383367A CN A2008102156470 A CNA2008102156470 A CN A2008102156470A CN 200810215647 A CN200810215647 A CN 200810215647A CN 101383367 A CN101383367 A CN 101383367A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 166
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：第一衬底，包括其中提供有读出电路的像素部分和其中提供有外围电路的外围部分。可以在第一衬底上形成包括线路的层间电介质，以便与读出电路和外围电路连接。通过键合工艺，可以在层间电介质对应于像素部分的那部分提供晶态半导体层，其可以包括第一光电二极管和第二光电二极管。第一和第二光电二极管可以由晶态半导体层中的器件隔离槽来限定。可以在包括器件隔离槽的晶态半导体层上形成器件隔离层。上部电极层通过器件隔离层以与第一光电二极管的一部分连接。可以在上部电极层中形成暴露部分，以便选择性地暴露第一光电二极管的上部区域。钝化层可以在其上提供有暴露部分的第一衬底上形成。
Description
背景技术
图像传感器是用于将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器大致可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。
一般而言，通过离子注入，在具有读出电路的衬底中形成图像传感器的光电二极管。然而，由于为了增加像素的数量而不增大芯片尺寸而使光电二极管的尺寸越来越小，光接收部分的面积缩小，以致于图像质量降低。
此外，还由于堆叠高度不会如光接收部分的面积缩小那样地减小，因此，入射到光接收部分的光子的数量也由于光的衍射而减少，这称为“艾里斑(airydisk)”。
作为克服此局限性的可替选方案，已经进行了如下尝试：使用非晶硅(Si)形成光电二极管；或使用诸如晶片与晶片键合这样的方法，在Si衬底中形成读出电路并在读出电路上形成光电二极管(称为“三维(3D)”图像传感器)。光电二极管通过金属线路与读出电路连接。
根据相关技术，没有完全做到像素之间的器件隔离。
此外，根据相关技术的图像传感器，由于可以导致暗电流的外围因素，如线路和温度，可能产生漏电流。
此外，根据相关技术，由于转移晶体管的源极和漏极两者都是利用n型杂质而被重掺杂的，因此会发生电荷共享现象，如图19所示。当发生电荷共享现象时，输出图像的灵敏度降低，可能产生图像误差。
此外，根据相关技术，由于光电荷不易在光电二极管和读出电路之间移动，因此，会产生暗电流，或者饱和度以及灵敏度降低。
发明内容
本发明的实施例涉及图像传感器以及用于制造该图像传感器的方法。
根据一个实施例，提供了一种图像传感器，该图像传感器可以包括：第一衬底，包括其中提供有读出电路的像素部分和其中提供有外围电路的外围部分；第一衬底上的层间电介质，该层间电介质包括与读出电路相连的第一线路和与外围电路相连的第二线路；位于层间电介质对应于像素部分的那部分上的晶态半导体层；晶态半导体层中的第一光电二极管和第二光电二极管，该第一光电二极管和第二光电二极管被器件隔离槽分离，第一光电二极管和第二光电二极管被连接到第一线路中的相应线路；包括器件隔离槽的晶态半导体层上的器件隔离层；通过晶态半导体层上的器件隔离层以与第一光电二极管的一部分连接的上部电极层；上部电极层中的暴露部分，该暴露部分选择性地暴露第一光电二极管的上部区域；以及，其上提供有暴露部分的第一衬底上的钝化层。
在另一个实施例中，可以在芯片的像素部分的边缘提供虚拟(dummy)像素。此虚拟像素可以用于进行测试。
此外，用于制造图像传感器的方法可以包括：在第一衬底的像素部分形成读出电路，在第一衬底的外围部分形成外围电路；在第一衬底上形成包括与读出电路相连的第一线路和与外围电路相连的第二线路的层间电介质；形成包括晶态半导体层的第二衬底；在晶态半导体层中形成光电二极管层；将第一衬底与包括光电二极管层的第二衬底键合；去除第二衬底的一部分以暴露第一衬底上的光电二极管层；在晶态半导体层中形成隔离光电二极管层的区域的器件隔离槽，以形成分别与第一线路相连的第一光电二极管和第二光电二极管；在包括器件隔离槽的晶态半导体层上形成器件隔离层；在器件隔离层上形成上部电极层，使得该上部电极层与第一光电二极管的一部分连接；去除上部电极层的一部分，以形成选择性地暴露第一光电二极管的上部区域的暴露部分；以及，在其上形成有暴露部分的层间电介质上形成钝化层。
在下面的附图和描述中阐述了一个或多个实施例的详细信息。根据描述和图形，以及权利要求，其它特点将变得明显。
附图说明
图1到16是示出了根据一个实施例的图像传感器的制造工艺的截面图；
图17是根据另一个实施例的图像传感器的部分细节图；
图18是示出了根据一个实施例的读出电路的光电荷堆积(dump)结构的图；
图19是示出了根据相关技术的读出电路的光电荷堆积结构的图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述图像传感器及其制造方法的实施例。
图16是示出了根据一个实施例的图像传感器的截面图。
图像传感器可以包括：第一衬底100，包括其中形成有读出电路120的像素部分A和其中形成有外围电路的外围部分B；在第一衬底100上形成的层间电介质160，其中线路150和150a与读出电路120连接，线路170与外围电路连接；位于层间电介质160的对应于像素部分A的那部分上的晶态半导体层200；在晶态半导体层200中形成的第一光电二极管205和第二光电二极管205a，它们对应于每个单元像素，被器件隔离槽235分离(参见图8)，并分别与线路150和150a相连；在包括器件隔离槽235的晶态半导体层200上形成的器件隔离层250；通过器件隔离层250以与第一光电二极管205的一部分连接的上部电极层260；在上部电极层260中形成的暴露部分265，用于选择性地暴露第一光电二极管205的上部区域；以及，在第一衬底100上形成的、包括暴露部分265的钝化层270。
第一光电二极管205可以是通过第一通路孔255与上部电极层260电连接以执行实质操作的主像素。第二光电二极管205a可以是不与上部电极层260相连的虚拟像素。由于充当虚拟像素的第二光电二极管205a可以排除上部电极层260的泄漏因素，因此它可以用作用于测量准确的漏电流的基准像素。例如，可以在芯片的边缘区域提供第二光电二极管205a。
第一钝化层270和第二钝化层280可以被设置在其上形成有上部电极层260的第一衬底100上。可以通过上部电极层260的第一暴露部分265而在器件隔离层250上形成第一钝化层270。
器件隔离层250可以形成在晶态半导体层200中，以隔离对应于每个单元像素的光电二极管205。
此外，第一钝化层270和第二钝化层280还可以在其上形成有晶态半导体层200的层间电介质160上形成，用以保护外围部分B的光电二极管205和线路170。
在图16中没有说明的附图标记将在下面的制造方法中被说明。
下面，将参考图1到16来描述根据实施例的图像传感器的制造方法。
参见图1，读出电路和线路150以及150a可以在第一衬底100的像素部分A上形成。
第一衬底100可以是单晶硅衬底或多晶硅衬底，并且可以是掺杂了p型杂质或n型杂质的衬底。器件隔离区域110可以在第一衬底100中形成，以限定有源区域。可以在有源区域中形成包括针对每个单元像素的晶体管的读出电路120。
参考图2详细描述读出电路120和线路150。
参见图2，读出电路120可以包括转移晶体管Tx 121、复位晶体管Rx 123、驱动晶体管Dx 125以及选择晶体管Sx 127。在形成晶体管的栅极之后，可以形成包括各晶体管的浮动扩散区域FD 131、以及源极/漏极区域133、135和137的离子注入区域。同时，在各实施例中，读出电路120可以是3Tr、4Tr和5Tr之一。
在第一衬底100上形成读出电路120可以包括：在第一衬底100中形成电结区域140，在电结区域140上形成与线路150相连的第一导电类型连接区域147。
例如，电结区域140可以是，但不仅限于，PN结140。例如，电结区域140可以包括在第二导电类型阱141(或第二导电类型外延层)上形成的第一导电类型离子注入层143，以及在第一导电类型离子注入层143上形成的第二导电类型离子注入层145。例如，PN结140可以是，但不仅限于，如图2所示的P0(145)/N-(143)/P-(141)结。在一个实施例中，可以利用第二导电类型杂质对第一衬底100掺杂。
根据实施例，器件被设计成使得在转移晶体管Tx的源极和漏极之间产生电势差，这样光电荷可以完全堆积。相应地，由于从光电二极管产生的光电荷被完全堆积到浮动扩散区域，因此可以提高输出图像的灵敏度。
也就是说，根据实施例，在形成有读出电路120的第一衬底100中形成电结区域140，使得可以在转移晶体管Tx 121端部的源极和漏极之间产生电势差，以便于光电荷可以被完全堆积。
下面，将详细描述根据实施例的光电荷的堆积结构。
与作为N+结的浮动扩散区域FD 131的节点不同，作为电结区域140、并且没有完全向其输送所施加的电压的PNP P/N/P结140在预定电压处被夹断。此电压被称作“销(pin)电压”，这取决于P0区域145和N区域143的掺杂浓度。
具体来说，从光电二极管205产生的电子移动到PNP结140，并且当转移晶体管Tx 121接通时被转移到浮动扩散区域FD 131的节点，并被转换为电压。
由于P0/N-/P-结140的最大电压值变成销电压，且浮动扩散区域FD131的节点的最大电压值变成Vdd-Rx 123的阈值电压Vth，因此从芯片上部的光电二极管205产生的电子可以被完全堆积到浮动扩散区域FD131的节点，而没有由转移晶体管Tx 121的端部之间的电势差引起的电荷共享，如图18所示。
也就是说，根据实施例，在第一衬底中形成P0/N-/P-阱结，而不是N+/P-阱结，以使得在4-Tr有源像素传感器(APS)复位操作过程中，能够将+电压施加于P0/N-/P-阱结的N-区域143，将地电压施加于P0 145和P-阱141，这样，在预定电压或更大的电压处，对于P0/N-/P-阱双结可以产生夹断，正如在双极结晶体管(BJT)结构中那样。这被称作“销电压”。因此，在转移晶体管Tx 121的源极和漏极之间产生了电势差，以通过转移晶体管Tx将来自于N-阱的光电荷完全堆积到浮动扩散区域FD 131，如此可以防止在转移晶体管Tx的通/断操作中的电荷共享现象。
因此，与相关技术中的光电二极管简单地与N+结相连的情况不同，可以避免诸如饱和度减小和灵敏度降低的局限性。
接下来，可以在光电二极管和读出电路之间形成第一导电类型连接区域147，以提供光电荷的快速移动路径，使得暗电流源最小化，这样可以抑制饱和度减小和灵敏度降低。
为此，根据实施例，可以在P0/N-/P-结140的表面形成n+掺杂区域，作为用于欧姆接触的第一导电类型连接区域147。N+区域147可以被形成为通过P0 145，与N-区域143接触。
同时，为防止第一导电类型连接区域147变成泄漏源，可以使第一导电类型连接区域147的宽度最小化。为此，在一个实施例中，在为第一金属接触部151a蚀刻通路孔之后，可以执行插头(plug)注入。在另一个实施例中，可以形成离子注入图案(未示出)，然后，可以使用该离子注入图案作为离子注入掩模，形成第一导电类型连接区域147。
也就是说，在此实施例中，利用n型杂质仅对接触形成部分进行本地重掺杂的原因是，在最小化暗信号的同时有助于形成欧姆接触。在如相关技术中那样重掺杂整个转移晶体管(Tx源)的情况下，可能通过Si表面悬挂键提高暗信号。
在第一衬底100上可以形成层间电介质160和线路150。线路150可以包括第一欧姆接触部151a、第一金属151、第二金属152、第三金属153，以及第四金属接触部154a，但是实施例不仅限于此。
可以针对每个单元像素形成线路150，以将光电二极管205与读出电路120连接，用以输送光电二极管205的光电荷。当形成与读出电路120相连的线路150时，也可以形成与外围部分B相连的线路170。线路150和170可以由各种导电材料形成，包括金属、合金或硅化物。
在像素部分A中形成的线路150针对每个单元像素而被形成，以将光电二极管的光电荷输送到读出电路120。例如，像素部分A的第一线路150与执行实质操作的单元像素连接，第二线路150a可以与虚拟像素连接。在形成线路150的第三金属153的工艺步骤中，在外围部分B中可以形成垫(pad)180。
参见图3，可以准备包括晶态半导体层200的第二衬底20。第二衬底20是单晶硅或多晶硅衬底，并且可以是掺杂了p型杂质或n型杂质的衬底。可以通过在第二衬底20上执行外延工艺来形成晶态半导体层200。
参见图4，可以在晶态半导体层200中形成光电二极管层201。可以通过利用离子注入、在晶态半导体层200中形成n型第一杂质区域220和p型第二杂质区域230，来形成光电二极管层201。相应地，可以在晶态半导体层200中形成PN结。
此外，通过向第一杂质区域220的表面注入高浓度n型杂质来形成欧姆接触层210。
根据实施例，由于第一杂质区域220形成得比第二杂质区域230更厚，因此可以增加电荷存储容量。也就是说，使N-层形成得更厚，以扩展用于耗尽的面积，使得可以改善可容纳光电荷的容量。
尽管未示出，也可以在晶态半导体层200和第二衬底20之间形成氢离子层。可替选地，可以在晶态半导体层220和第二衬底20之间埋入电介质。在去除第二衬底20之后，可以通过湿刻蚀工艺去除电介质。氢离子层和电介质旨在将第二衬底与晶态半导体层200分离。
参见图5，第一衬底100和包括晶态半导体层200的第二衬底20彼此键合。欧姆接触层210的表面可以被置于层间电介质160上，其是第一衬底100的表面，然后进行键合。之后，下部线路150和欧姆接触层210被电连接。
参见图6，可以去除第二衬底20以便于暴露光电二极管层201。也就是说，当去除第二衬底20时，薄膜晶态半导体层200保留在第一衬底100上。例如，可以利用刮刀或者通过使用氢离子层(未示出)或介电层(未示出)作为基准的化学机械抛光(CMP)工艺来去除第二衬底20。
参见图7，可以在晶态半导体层200上形成器件隔离图案240。器件隔离图案240可以通过在光电二极管层201上形成诸如氧化层的电介质、然后对电介质图形化来形成，这样，它可以选择性地暴露晶态半导体层200。此外，器件隔离图案240可以暴露晶态半导体层200的对应于外围部分B的那部分。
参见图8，可以在晶态半导体层200中形成器件隔离槽235。通过使用器件隔离图案240作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻晶态半导体层200，可以形成器件隔离槽235。通过这样做，像素部分A中的光电二极管层201被器件隔离槽235隔离，并可以与针对每个单元像素而分离的线路150连接。
也就是说，与线路150相连的第一光电二极管205可以是实质上进行操作的单元像素，与线路150a相连的第二光电二极管205a可以是虚拟像素。此外，在形成用于限定第一和第二光电二极管205和205a的隔离槽时，去除了外围部分B中的一部分晶态半导体层200，使得能够暴露层间电介质160的一部分和外围部分B中的线路170。
参见图9，器件隔离层250可以在其上形成有器件隔离槽235的第一衬底100上形成。可以使用诸如氧化层的透明电介质来形成器件隔离层250。由于在填充器件隔离槽235的内部时在层间电介质160上形成器件隔离层250，因此第一和第二光电二极管205和205a可以彼此隔离。此外，由于器件隔离层250形成在层间电介质160的整个表面上，因此，它可以保护第一和第二光电二极管205和205a以及外围部分B中的线路170。
参见图10，可以在器件隔离层250中形成第一和第二通路孔255和257。可以通过去除器件隔离层250的某些部分来形成第一和第二通路孔255和257，并可以分别暴露第一光电二极管205的部分表面和线路170。
参见图11，可以在包括第一和第二通路孔255和257的器件隔离层250上形成上部电极层260。可以通过在包括第一和第二通路孔255和257的器件隔离层250上沉积导电材料来形成上部电极层260。例如，上部电极层260可以由不透明金属层形成，如Ti、Al、Cu、Co和W。
上部电极层260可以通过第一通路孔255与针对每个单元像素隔离的第一光电二极管205电连接。此外，上部电极层260也可以通过第二通路孔257与外围部分B中的线路170电连接。上部电极层260从第一通路孔255延伸到第二通路孔257，以遮蔽第二光电二极管205a的上表面。因此，引导到第二光电二极管205a的光可以被上部电极层260阻止。
上部电极层260仅连接到第一光电二极管205(而不连接到第二光电二极管205a)，使得第一光电二极管205能够执行实质操作。此外，因为上部电极层262不与第二光电二极管205a电连接，因此第二光电二极管205a可以充当虚拟像素。一般而言，在测量漏电流的过程中的漏电流因素可以归因于下部线路和上部线路。根据实施例，在不产生线路150的漏电流的情况下，虚拟像素不与作为复位线的上部电极层260相连，这样可以排除复位线的漏电流因素，使得可以对漏电流进行准确测量。由于该漏电流对暗信号具有直接影响，因此第二光电二极管205a被用作虚拟像素，以便第二光电二极管205a可以用作暗信号的基准像素。
此外，由于上部电极层260充当第二光电二极管205a的阻挡层，因此由于内部和外部的温度而导致的信号差异被比较，使得可以改善与热像素相关的输出图像。
参见图12，可以在上部电极层260中形成第一暴露部分265，以便暴露针对每个单元像素形成的第一光电二极管205的光接收区域。通过去除上部电极层260对应于针对每个单元像素形成的第一光电二极管205的那部分，第一暴露部分265可以保护第一光电二极管205的光接收区域。
此外，在形成第一暴露部分265时，可以形成第二暴露部分267，该第二暴露部分267用于暴露器件隔离层250对应于垫180的那部分。
参见图13，第一钝化层270和第二钝化层280可以在其上形成有第一暴露部分265和第二暴露部分267的层间电介质160上形成。第一钝化层270可以通过第一暴露部分265接触器件隔离层250。在某些实施例中，第一钝化层270可以是氧化物层或氮化物层。此外，第二钝化层280可以是氮化物层或氧化物层。
参见图14，可以形成暴露外围部分B中的垫180的垫孔穴285。通过去除层间电介质160、器件隔离层250、第一钝化层270以及第二钝化层280的对应于垫180的部分，垫孔穴285可以暴露垫180。
参见图15，垫钝化层290可以在其中形成有垫孔穴285的层间电介质160上形成。垫钝化层290旨在防止垫180在随后形成滤色镜300和微透镜(未示出)的工艺中被污染。例如，垫钝化层290可以是厚度大约为10-200的正硅酸乙酯(TEOS)层。
参见图16，可以在垫钝化层290的对应于第一和第二光电二极管205和205a的那些部分上形成滤色镜300和微透镜(未示出)。针对每个单元像素，可以形成一个滤色镜300，用以分离入射光的颜色。
图17是根据另一个实施例的图像传感器的部分细节图。
参见图17，图像传感器可以包括：其中形成有读出电路120的第一衬底100；在第一衬底100上形成的、因此与读出电路120电连接的线路150；以及，与线路150电连接的、在第一衬底100上的晶态半导体层中形成的光电二极管(未示出)。
该实施例可以采用参考图2到16所描述的实施例的技术特征。
例如，可以通过器件隔离槽235和器件隔离层250、根据单元像素来隔离每个第一光电二极管205。此外，钝化层270可以在其上形成有第一光电二极管205的层间电介质160上形成，以保护光电二极管205及其它器件。此外，可以形成用于测量漏电流的第二光电二极管205a，该第二光电二极管205a是不与上部电极层260电连接的虚拟像素。
同时，与上文所描述的实施例不同，如图17所示的实施例示出了在电结区域140的一端形成的第一导电类型连接区域148。
根据实施例，可以在P0/N-/P-结140处形成用于欧姆接触的N+连接区域148。这样，形成N+连接区域148和M1C接触部151a的工艺可以提供泄漏源，因为器件利用施加于P0/N-/P-结140的反向偏压来操作，因此可以在Si表面上产生电场EF。在电场内部的接触部形成工艺中产生的晶体缺陷充当泄漏源。
此外，在P0/N-/P-结140的表面上形成N+连接区域148的情况下，添加了由于N+/P0结148/145而产生的电场。此电场也充当泄漏源。
因此，此实施例提出了这样的布局：在不以P0层掺杂的有源区域中形成第一接触插头151a，但包括N+连接区域148。然后，第一接触插头151a通过N+连接区域148与N-结143连接。
根据实施例，在Si表面上不产生电场，这可以有助于减少3D集成CIS的暗电流。
在此说明书中，任何提及的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等等是指：结合实施例所描述的特定特性、结构或特征包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中的不同位置出现这样的短语不一定都是指同一个实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特性、结构或特征时，假定在本领域技术人员的学识范围内，能够结合其它实施例来实现这样的特性、结构或特征。
虽然实施例是通过参考许多其说明性实施例来描述的，但是，应该理解，本领域技术人员可以设计许多其它修改方案和实施例，其落入本公开的原理的精神和范围内。更具体来说，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内，在构成部件和/或主体组合布局方面，可以进行各种变化和修改。除对构成部件和/或布局的变化和修改之外，替换性的使用对本领域技术人员也是明显的。
Claims (19)
1.一种图像传感器，包括:
第一衬底，包括其中提供有读出电路的像素部分和其中提供有外围电路的外围部分；
第一衬底上的层间电介质，该层间电介质包括与读出电路相连的第一线路和与外围电路相连的第二线路；
位于层间电介质的对应于像素部分的那部分上的晶态半导体层；
晶态半导体层中的第一光电二极管和第二光电二极管，该第一光电二极管和第二光电二极管被器件隔离槽分离，第一光电二极管和第二光电二极管被连接到第一线路中的相应线路；
包括器件隔离槽的晶态半导体层上的器件隔离层；
通过晶态半导体层上的器件隔离层以与第一光电二极管的一部分连接的上部电极层；
上部电极层中的暴露部分，该暴露部分选择性地暴露第一光电二极管的上部区域；以及
其上提供有暴露部分的第一衬底上的钝化层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中晶态半导体层上的器件隔离层的一部分包括暴露第一光电二极管的第一通路孔，其中上部电极层通过第一通路孔与第一光电二极管电连接。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中第一光电二极管包括与上部电极层相连以执行实质操作的主像素，第二光电二极管包括不与上部电极层相连的虚拟像素。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中读出电路包括第一衬底中的电结区域，其中该电结区域包括:
第一衬底中的第一导电类型离子注入区域；以及
第一导电类型离子注入区域上的第二导电类型离子注入区域。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，还包括与电结区域上的第一线路电连接的第一导电类型连接区域。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中电结区域包括PNP结。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中读出电路具有在晶体管的端部的源极和漏极之间产生的电势差。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中晶体管是转移晶体管，晶体管源极的离子注入浓度低于晶体管漏极的浮动扩散区域的离子注入浓度。
9.根据权利要求4所述的图像传感器，还包括与电结区域的一端的第一线路电连接的第一导电类型连接区域。
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，第一导电类型连接区域被设置在第一衬底中的器件隔离区域与电结区域之间，并接触第一衬底中的器件隔离区域和电结区域。
11.一种用于制造图像传感器的方法，该方法包括:
在第一衬底的像素部分形成读出电路，在第一衬底的外围部分形成外围电路；
在第一衬底上形成包括与读出电路相连的第一线路和与外围电路相连的第二线路的层间电介质；
形成包括晶态半导体层的第二衬底；
在晶态半导体层中形成光电二极管层；
将第一衬底与包括光电二极管层的第二衬底键合；
去除第二衬底的一部分以暴露第一衬底上的光电二极管层；
在晶态半导体层中形成分离光电二极管层的区域的器件隔离槽，以形成分别与第一线路相连的第一光电二极管和第二光电二极管；
在包括器件隔离槽的晶态半导体层上形成器件隔离层；
在器件隔离层上形成上部电极层，使得该上部电极层与第一光电二极管的一部分连接；
去除上部电极层的一部分，以形成选择性地暴露第一光电二极管的上部区域的暴露部分；以及
在其上形成有暴露部分的层间电介质上形成钝化层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成器件隔离槽的过程中，去除晶态半导体层的对应于外围部分的那部分，以便暴露外围部分中的线路。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成上部电极层包括:
在晶态半导体层上的器件隔离层的一部分中形成第一通路孔，以暴露第一光电二极管的部分表面；以及
在包括第一通路孔的器件隔离层上形成金属层。
14.根据权利要求13所述的方法，还包括在形成第一通路孔时形成暴露外围部分中的线路的第二通路孔，上部电极层通过第二通路孔与外围部分的线路电连接。
15.根据权利要求11所述的方法，其中在第一衬底中形成读出电路包括:在第一衬底中形成电结区域，其中在第一衬底中形成电结区域包括:
在第一衬底中形成第一导电类型离子注入区域；以及
在第一导电类型离子注入区域上形成第二导电类型离子注入区域。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括:在电结区域上形成与第一线路中的一个相连的第一导电类型连接区域。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在对于第一线路中的一个执行接触蚀刻之后形成第一导电类型连接区域。
18.根据权利要求15所述的方法，还包括:在电结区域的一端形成与第一线路中的一个相连的第一导电类型连接区域。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，第一导电类型连接区域被形成在第一衬底中形成的器件隔离区域与电结区域之间，并接触第一衬底中形成的器件隔离区域和电结区域。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070090979 | 2007-09-07 | ||
| KR10-2007-0090979 | 2007-09-07 | ||
| KR20070090979 | 2007-09-07 | ||
| KR10-2008-0073161 | 2008-07-25 | ||
| KR1020080073161A KR100997299B1 (ko) | 2007-09-07 | 2008-07-25 | 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR1020080073161 | 2008-07-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101383367A true CN101383367A (zh) | 2009-03-11 |
| CN101383367B CN101383367B (zh) | 2010-06-02 |
Family
ID=40463085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008102156470A Expired - Fee Related CN101383367B (zh) | 2007-09-07 | 2008-09-08 | 图像传感器及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009117802A (zh) |
| KR (1) | KR100997299B1 (zh) |
| CN (1) | CN101383367B (zh) |
| TW (1) | TWI375320B (zh) |
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| CN107195649A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-09-22 | 豪威科技(上海)有限公司 | 背照式cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN108206194A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 图像传感器及其制造方法 |
| CN108269818A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-07-10 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种cmos型图像传感器及其制作方法 |
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| JPWO2022176491A1 (zh) * | 2021-02-17 | 2022-08-25 | ||
| CN113540141A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-10-22 | 北京京东方传感技术有限公司 | 一种平板探测器像素结构及其制作方法 |
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- 2008-07-25 KR KR1020080073161A patent/KR100997299B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-09-05 JP JP2008229042A patent/JP2009117802A/ja active Pending
- 2008-09-05 TW TW097134296A patent/TWI375320B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-09-08 CN CN2008102156470A patent/CN101383367B/zh not_active Expired - Fee Related
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| JP2009117802A (ja) | 2009-05-28 |
| TW200915548A (en) | 2009-04-01 |
| KR100997299B1 (ko) | 2010-11-29 |
| TWI375320B (en) | 2012-10-21 |
| CN101383367B (zh) | 2010-06-02 |
| KR20090026038A (ko) | 2009-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100602 Termination date: 20130908 |