CN101373706B - 基板清洗装置及基板清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种既能够抑制对基板造成损伤又能够高效率地去除基板表面上的颗粒的基板清洗装置及方法。在振动施加位置对基板表面(Wf)上的液膜(LF)施加超声波振动。而且，与此同时，在与该振动施加位置不同的液滴滴下位置，向液膜供给清洗液的液滴，以此对液膜施加与超声波振动不同的波动。由此，与仅施加超声波振动的情况相比，能够显著地去除附着于基板表面(Wf)上的颗粒。因此，即使以不使基板(W)受到损伤的程度来设定超声波振动的输出功率及频率，也能够通过波动有效地去除颗粒，从而良好地清洗基板表面(Wf)。

Description

基板清洗装置及基板清洗方法

技术领域

本发明涉及一种对半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等进行超声波清洗的基板清洗装置及基板清洗方法。

背景技术

在半导体器件或者液晶显示装置等的电子部件的制造工序中，包括有对基板的表面重复进行成膜及蚀刻等的处理从而形成微细图案的工艺程序。在此，为了很好地进行微细加工，需保证基板表面的洁净状态，并且根据需要对基板表面进行清洗处理。因此，以往为了去除附着在基板上的颗粒(particle)，在向基板供给清洗液的同时，向该清洗液施加超声波振动。由此，通过清洗液所具有的超声波振动能量，能够有效地使颗粒脱离基板从而被去除。

作为这种基板清洗装置提出了如下的方式。例如，专利文献1所记载的装置通过从喷嘴向基板表面喷射施加了超声波振动的清洗液，从而清洗基板表面。另外，专利文献2、3所记载的装置是在基板表面形成清洗液的液膜，并且向该液膜施加超声波振动，从而清洗基板表面。另外，专利文献4所记载的装置是与基板表面相对地配置超声波振子，并且使清洗液流入两者之间，从而清洗基板表面。

专利文献1：JP特开平11-244796号公报(第6页)

专利文献2：JP特许第3493492号公报(图6、图7)

专利文献3：JP特开2001-87725号公报(图2)

专利文献4：JP特开2006-326486号公报(图3、图4)

在上述清洗方法中，施加超声波振动的超声波施加装置(棒状焊头(horn)、探针、超声波施加头)与基板表面相对地配置，并且在该相对位置，通过超声波振动来去除颗粒。因此，为了提高颗粒的去除率，增大超声波振动的输出功率或者降低其频率。然而，伴随着输出功率增大等，形成在相对位置的基板上的图案等受到损伤的可能性也增大。而且，在上述清洗方法中，为了清洗基板表面整体，超声波施加装置相对基板移动。因此，上述损伤波及至基板表面整体。与此相反，若降低超声波振动的输出功率或者增大其频率，则能够抑制损伤，但是颗粒的去除率却大幅降低。这样，现有的清洗方法仅利用超声波振动来去除颗粒，因此抑制基板受到损伤和去除颗粒很难同时实现。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其第一目的在于提供一种既能够抑制基板受到损伤又能够高效率地去除基板表面上的颗粒的基板清洗装置及方法。

而且，本发明的第二目的在于提供一种基板清洗装置及方法，进一步均匀地去除基板表面上的颗粒。

本发明的基板清洗装置的第一技术方案为了实现上述目的具有如下的特征，即，具有：超声波施加单元，其对覆盖基板表面的第一清洗液的液膜施加超声波振动；供给单元，其在第二位置对液膜供给第二清洗液，所述第二位置位于超声波振动在液膜中向基板表面传播的路径上，且不同于施加超声波振动的第一位置；控制单元，其使超声波施加单元动作，对液膜施加超声波振动，并且通过供给单元向液膜供给第二清洗液，由此对液膜施加不同于超声波振动的附加振动。

而且，本发明的基板清洗方法的第一技术方案为了实现上述目的具有如下特征，即，包括：第一工序，使超声波振子与覆盖基板表面的第一清洗液的液膜在第一位置接触；第二工序，使超声波振子动作，对液膜施加超声波振动，并且在不同于第一位置的第二位置向液膜供给第二清洗液，由此对液膜施加不同于超声波振动的附加振动。

在具有上述结构的发明中，在第一位置，对覆盖基板表面的第一清洗液的液膜施加超声波振动，并且在与该第一位置不同的第二位置，对液膜供给第二清洗液，从而对液膜施加与超声波振动不同的施加振动。即，通过向液膜供给第二清洗液，在液膜表面产生波动，对液膜施加振动。将该波动振动作为本发明的“附加振动”施加到液膜。如后述的实验结果所示，如此施加波动振动能够大幅提高颗粒的去除率。

在此，“覆盖基板表面的第一清洗液的液膜”包括如下的液膜，(a)通过向基板表面供给第一清洗液，在基板表面上形成基板侧液膜区域，从而仅由该基板侧液膜区域构成的液膜，(b)通过向基板表面供给第一清洗液，在基板表面上形成基板侧液膜区域，并且通过从基板表面向盘表面流入第一清洗液，在盘表面上形成外侧液膜区域，从而包括基板侧液膜区域和外侧液膜区域的液膜。

其中针对形成了液膜(a)的基板，将第一位置以及第二位置都能够设定在基板侧液膜区域。在该情况下，如后所述那样，通过附加波动振动能够提高颗粒的去除率的区域(下面，称作“去除效果良好的区域”)不扩展到整个基板表面，而具有偏重。因此，另外设置旋转基板的基板旋转单元，并且在旋转基板至少一周以上的期间，若对液膜施加超声波振动和波动，则能够获得下面的效果。即，由于采用这样的结构，从而相对于基板表面的第一位置以及第二位置的相对关系随时间发生变化。因此，去除效果良好的区域扩展，能够提高去除颗粒的均匀性。而且，根据后述的实验结果，去除效果良好的区域是第二位置的基板表面区域和相对第二位置位于第一位置相反侧的基板表面区域。因此，在旋转基板的情况下，从提高去除颗粒的均匀性的观点来看，(1)使第二位置相对第一位置位于基板的旋转中心一侧，或者(2)将第二位置设定在基板的旋转中心。而且，通过固定配置超声波施加单元，能够简化装置结构。而且，能够任意地设定第一位置，例如，最好是在基板表面中除了能够干净地去除颗粒的区域以外的区域设定第一位置。之所以这样，是因为通常基板表面的周边部是不形成图案等的部位，因此通过在这样的表面周边部配置超声波施加单元，能够防止图案受到损伤。

另一方面，针对形成液膜(b)的基板，能够将第一位置设定在外侧液膜区域。由于该外侧液膜区域位于基板表面的外侧，并且超声波施加单元输出的超声波振动经由外侧液膜区域传播到基板侧液膜区域，因此能够有效地防止损伤波及到基板表面。而且，通过对外侧液膜区域附加波动，能够获得上述的作用效果，该外侧液膜区域向基板侧液膜区域以及基板表面传播超声波振动。在该情况下，整个基板表面成为去除效果良好的区域。此外，不对外侧液膜区域附加波动，而对基板侧液膜区域附加波动也可以。

而且，在如此地将第一位置设定在外侧液膜区域的情况下，优选将基板的旋转中心、第二位置以及第一位置依次配置在一条直线上，而且通过采用该配置结构能够提高去除颗粒的均匀性。

此外，为了对液膜可靠地附加波动，优选使第二清洗液以液滴状态着液在液膜上从而施加附加振动。而且，也可以向基板表面供给来自该喷嘴的第一清洗液从而形成液膜。如此地供给单元进行液膜形成动作和液滴供给动作，而且至少在构成元件上从液膜形成到清洗能够有效地进行。与此相反，也可以向基板表面供给从不同于该喷嘴的喷嘴喷出的第一清洗液从而形成液膜。而且，在第一位置，对覆盖基板表面的第一清洗液的液膜接触超声波振子，此时可以旋转基板，由此能够有效地且均匀地去除颗粒。而且，作为第一清洗液以及第二清洗液能够使用相同种类的处理液。

而且，根据本发明的基板清洗装置的其它技术方案，是在基板表面上形成第一清洗液的基板侧液膜区域的状态下清洗基板表面的基板清洗装置，为了实现上述目的，该基板清洗装置的特征在于，具有：导入部，其配置在所述基板的周边部附近，并且从所述基板侧液膜区域向所述基板的外侧导入第一清洗液，从而形成与所述基板侧液膜区域相连的外侧液膜区域；超声波施加单元，其向所述外侧液膜区域施加超声波振动；供给单元，其在比施加所述超声波振动的位置更靠近基板侧的位置，向所述外侧液膜区域供给第二清洗液；控制单元，其使所述超声波施加单元动作，对所述外侧液膜区域施加超声波振动，并通过所述供给单元供给第二清洗液，由此对所述外侧液膜区域施加不同于所述超声波振动的附加振动。

根据上述本发明，对覆盖基板表面的第一清洗液的液膜施加超声波振动，并且在与施加该超声波振动的位置不同的位置，对液膜施加与超声波振动不同的附加振动，因此即使以不给基板带来损伤的程度来设定超声波振动的输出功率以及频率等，也能够通过附加波动提高颗粒的去除率。即，既能够抑制基板受到损伤又能够提高颗粒的去除效果。

附图说明

图1A、图1B和图1C是表示有关通过施加振动来去除颗粒(particle)的实验内容的图。

图2是表示在实验中设定的供给条件的图。

图3A、图3B是表示在清洗处理中从喷嘴供给到液膜的清洗液的供给状态的图。

图4是表示在清洗处理之后的颗粒去除状态的图。

图5A、图5B是表示第二实施方式的振动施加位置与液滴滴下位置之间的关系的图。

图6A、图6B是表示第三实施方式的振动施加位置与液滴滴下位置之间的关系的图。

图7是表示该发明的基板清洗装置的第一实施方式的图。

图8是表示图7的基板清洗装置所使用的超声波施加头(head)的结构的剖视图。

图9是表示图7所示的基板清洗装置的电学结构的框图。

图10是表示该发明的基板清洗装置的第二实施方式的图。

图11是表示图10所示的基板清洗装置的电气结构的框图。

图12是表示第四实施方式的振动施加位置与液滴滴下位置之间的关系的图。

图13是表示第五实施方式的振动施加位置与液滴滴下位置之间的关系的图。

图14是表示该发明的基板清洗装置的第六实施方式的图。

具体实施方式

在现有装置中，对形成于基板表面上的清洗液的液膜施加超声波振动，从而使颗粒脱离基板表面而被去除，但是本发明的发明人为了改善超声波清洗技术，针对施加了超声波振动的液膜以各种条件供给清洗液，并检验了颗粒去除率随供给条件不同而产生的变化。而且，根据该检验结果得出如下的结论：针对施加了超声波振动的液膜供给清洗液，通过向液膜附加波动，从而提高颗粒的去除率。因此，本发明的发明人基于这样的结论，发明了将超声波振动和波动组合起来的基板清洗装置及方法。下面，在对本发明的发明人的结论内容即“由附加振动引起的颗粒去除率的提高”进行了说明之后，然后对利用了该结论的实施方式进行详细叙述。

<由附加振动引起的颗粒去除率的提高>

本发明的发明人进行了下面的实验。准备硅晶片(晶片直径：200mm)9张，使用单张式基板处理装置(大日本网屏制造会社制造的旋转处理器SS-3000)，从而强制地污染晶片(基板)W1～W9。具体而言，一边旋转晶片，一边向晶片供给分散液，该分散液使颗粒(Si屑)分散于晶片表面。在此，为了使附着于晶片表面的颗粒的数量约为10000个，适当地调节分散液的液量、晶片转数以及处理时间。然后，测定附着于晶片表面的颗粒(粒子直径：0.08μm以上)的数量(初始值)。此外，使用KLA-Tencor会社制造的颗粒评价装置SP1-TBI对颗粒数目的测定进行评价。

接下来，使用在图1A中表示了概略结构的装置，在晶片W的表面Wf上形成DIW(deionized water：脱离子水)的液膜。即，在以100rpm的速度旋转表面Wf朝上且水平姿势的晶片W1～W9的同时，配置在晶片表面Wf上方的距离喷嘴高度H的位置的喷嘴41以300(mL/min)的流量向晶片表面Wf供给DIW。由此，在晶片表面Wf上形成2～3mm的DIW膜。然后，如图1B所示，将超声波施加头71定位在晶片表面周边部的振动施加位置P1，从而施加超声波振动，并且一边使对于W1～W9的供给条件(DIW流量以及喷嘴高度H)各不不同，一边向晶片旋转中心(位置P2)供给DIW，以此来清洗晶片表面Wf。具体而言，在将超声波施加头71固定配置在振动施加位置P1的情况下，一方面将超声波振动的振荡输出功率设定为5W且将振荡频率设定为3MHz，另一方面如图2所示那样分别对晶片W1～W9的供给条件进行设定。此外，为了观察在各供给条件下从喷嘴41喷出的DIW附着在液膜时的供给状态，用数码相机等照相装置来照相。

在晶片清洗处理之后，进行旋转干躁，而且使用上述颗粒评价装置来测定附着于晶片表面的颗粒数。然后，通过对比清洗处理后的颗粒数和清洗处理前的颗粒数(初始值)，计算出针对晶片表面整体和评价对象区域(图1C的斜线部分)的颗粒去除率。

在上述实验中，使DIW的供给条件不同，但是根据不同的供给条件，存在DIW的供给状态为棒状(液柱状态)的情况以及为液滴状态的情况。即，在晶片W1～W9中的晶片W2、W3、W6的供给条件下，如图3A所示，从喷嘴41供给至液膜的DIW的为连续流动的液体流，呈棒状，而且在液膜的表面不起波浪，在几乎静止的状态下DIW供给至晶片的旋转中心(位置P2)。另一方面，在晶片W1、W2、W4、W5、W7～W9的供给条件下，如图3B所示，从喷嘴41供给至液膜的DIW处于断断续续的分开的液体流状态，即液滴状态，因液滴状的DIW而在液膜的表面产生波浪。

图4示出了在各供给条件下进行清洗处理的晶片W1～W9的颗粒去除状态。图中的黑点表示被去除的颗粒的位置。因此，一方面能够根据黑点的数量求出颗粒去除率，另一方面根据黑点的分布求出清洗效果的偏重。在此，分别对晶片整个面和评价对象区域，计算出颗粒去除率。图中，“整体○○％”是晶片整个面的颗粒去除率，而半圆形的虚线包围的部分所对应的数字是评价对象区域的颗粒去除率。此外，如图1C及图4所示，该评价对象区域是指在晶片表面中的相对液滴滴下位置P2的位于振动施加位置P1的相反侧的区域。

从上述实验结果可知，针对施加了超声波振动的液膜再施加液滴状态的清洗液(DIW)是提高颗粒去除率的非常有效的方法。这与因供给液滴而在液膜的液面上产生波动有密切的关系。而且，根据颗粒去除的分布状况可知在清洗效果上存在偏重。能够通过附加波动来提高颗粒去除率的区域，即去除效果良好的区域不是晶片表面的整个面，而是偏重于某个区域，并且对应于振动施加位置P1和液滴滴下位置P2的相对位置关系，去除效果良好的区域不同。即，在振动施加位置P1施加的超声波振动在液膜中沿着晶片表面Wf传播，例如在上述实验中，如图1A、图1B和图1C所示，振动施加位置P1位于晶片表面Wf的左端周边部，因此超声波振动从晶片W的左端周边部向右端侧传播。而且，在该传播路径上附加波动，相对于施加该波动的液滴滴下位置P2，位于振动施加位置P1的相反侧的晶片表面区域成为去除效果良好的区域。因此，通过调节该相对位置关系，能够调节去除效果良好的区域。尤其是，将液滴滴下位置P2设定在晶片W的旋转中心，并且在清洗处理过程中旋转晶片W，则去除效果良好的区域伴随晶片旋转而移动。因此，若将晶片W旋转一圈以上，则能够从晶片的整个面上均匀且良好地去除颗粒。如上所述，振动施加位置P1相当于本发明的“第一位置”，液滴滴下位置P2相当于本发明的“第二位置”。

而且，在上述实验中，虽然针对形成在晶片表面Wf上的液膜(相当于本发明的“基板侧液膜区域”)施加超声波振动和波动，但是如后述的第二实施方式以及第三实施方式所说明的那样，即使变更施加超声波振动及波动的位置，也能够获得与上述同样的实验结果。例如在使用第二实施方式或第三实施方式的装置的情况下，如图5A、图5B及图6A、图6B所示能够形成这样的液膜LF，即，该液膜LF具有基板侧液膜区域LF1和外侧液膜区域(相当于本发明的“外侧液膜区域”)LF2，其中，该基板侧液膜区域LF1形成在晶片表面Wf上，该外侧液膜区域LF2形成为从晶片表面周边向外侧突出。这样，在使用具有基板侧液膜区域LF1和外侧液膜区域LF2的液膜LF从上方覆盖晶片表面Wf的情况下，能够向外侧液膜区域LF2施加超声波振动，并且该超声波振动的大部分向晶片表面Wf传播。而且，通过在该传播路径上附加波动，与上述实验结果相同，能够良好地去除附着于下述晶片表面区域的颗粒，所述晶片表面区域是相对于施加了波动的液滴滴下位置P2位于振动施加位置P1的相反侧的区域。例如，如图5A、图5B所示，对外侧液膜区域LF2附加波动，使得在外侧液膜区域LF2中，振动施加位置P1相对于液滴滴下位置P2位于基板侧液膜区域LF1的相反侧(图中的左侧)，若在该状态下对外侧液膜区域LF2附加波动，则整个晶片表面Wf位于相对于液滴滴下位置P2的振动施加位置P1的相反侧，并成为去除效果良好的区域。而且，例如图6A、图6B所示，对外侧液膜区域LF2施加超声波振动，从而超声波振动从晶片表面Wf的左端部向整个晶片表面Wf传播，在此状态下，若对基板侧液膜区域LF1的任意位置附加波动，则相对附加了该波动的液滴滴下位置P2的位于振动施加位置P1相反侧的晶片表面区域成为去除效果良好的区域。

<第一实施方式>

图7是表示本发明的基板清洗装置的第一实施方式的图。此外，图8是表示图7的基板清洗装置所使用的超声波施加头的结构的剖视图。而且，图9是表示图7所示的基板清洗装置的电学结构的框图。该基板处理装置是在清洗处理中使用的单张式的基板处理装置，其中所述清洗处理用于去除附着在半导体晶片等基板W表面Wf上的颗粒等污染物质。更具体地说，该装置对形成了器件图案(device pattern)的基板表面Wf供给作为清洗液的DIW等处理液，从而形成清洗液的液膜，然后对液膜施加超声波振动及波动，进而清洗基板W。此外，在本实施方式中，第一清洗液和第二清洗液都使用相同种类的处理液。

该基板处理装置具有旋转台11，该旋转台11具有略大于基板W的平面尺寸。在该旋转台11的上面周边，配置有多个支承销12。而且，各支承销12与基板W的端部抵接，从而以基板W的基板表面Wf朝上并且大致处于水平状态的方式来支撑基板W。此外，用于保持基板的结构不仅限于此，例如可以通过旋转卡盘等的吸附方式保持基板W。

如图7所示，旋转台11与旋转轴31连接。该旋转轴31经由带(belt)32与马达33的输出旋转轴34连接。而且，若马达33基于控制单元2的控制信号来动作，则伴随该马达的驱动，旋转轴31旋转。由此，位于旋转台11的上方且由支承销12保持的基板W与旋转台11一起绕旋转轴心Pa旋转。这样，在本实施方式中，本发明的“基板旋转单元”包括旋转轴31、带32以及马达33，能够旋转驱动基板W。

这样，为了向旋转驱动的基板W表面Wf供给清洗液而设置供给单元4。在该供给单元4中，喷嘴41配置在旋转轴心Pa上且位于旋转台11的上方。该喷嘴41经由流量调节部42与清洗液供给部43连接，而且能够向基板表面Wf的旋转中心位置供给清洗液。这样，在本实施方式中，基板表面Wf的旋转中心位置和液滴滴下位置(第二位置)P2一致。而且，在清洗液供给部43动作的状态下，流量调节部42按照控制单元2的控制信号进行动作，从而调节从清洗液供给部43向喷嘴41供给的清洗液。更具体地说，流量调节部42具有向喷嘴41供给或停止供给清洗液以及调节在供给清洗液时流量的功能。此外，调节清洗液的流量的主要目的之一如后面所述那样，通过单一的喷嘴41选择性地进行液膜形成动作或者液滴滴下动作。当然，也可以如后述的第二实施方式及第三实施方式那样设置两种喷嘴，从一种液膜形成用喷嘴喷出第一清洗液从而形成液膜，而从另一种的液滴用喷嘴喷出第二清洗液从而对液膜附加波动。

通过水平管道51，喷嘴41的上端与喷嘴升降驱动机构52相联结。而且，喷嘴升降驱动机构52按照控制单元2的控制信号进行动作，因此喷嘴41与水平管道51一起升降移动。因此，若将高度位置指令从控制单元2传到喷嘴升降驱动机构52，则喷嘴41进行升降移动，定位到与该高度位置指令相对应的高度位置，其中，该高度位置指令与从基板表面Wf起至喷嘴41为止的高度有关。因此，通过调节从基板表面Wf起至喷嘴41前端(喷出口)为止的高度H，能够将从喷嘴41喷出的清洗液的对液膜的着液状态调节为液柱状态或液滴状态。

而且，为了防止从喷嘴41喷出的清洗液飞散，在旋转台11的周围配置了防飞散杯61。即，若杯升降驱动机构62按照控制单元2的控制信号升高杯61，则如图7所示，杯61从侧方位置包围由旋转台11及支承销12保持的基板W，并且能够收集从旋转台11以及基板W飞散的清洗液。另一方面，未图示的搬送单元将未处理的基板W装载到旋转台11上的支承销12中或者从支承销12中取出处理完的基板W，或者在接下来要说明的在振动施加位置与退避位置之间移动超声波施加单元7的头71时，杯升降驱动机构62按照控制单元2的控制信号上下驱动杯61。

图8是表示超声波施加头的结构的剖视图。该超声波施加单元7具有超声波施加头71、保持超声波施加头71的臂构件72以及移动超声波施加头71的头驱动机构73。

在超声波施加头71中，在例如由聚四氟乙烯(注册商标)(poly tetrafluoroethylene)等氟树脂构成的主体部711的底面侧开口，安装有振动膜712。在俯视时该振动膜712为圆盘形状，并且其底面为振动面VF。而且，在振动膜712的上面粘贴有振子713。而且，基于控制单元2的控制信号，若超声波振动器714将脉冲信号输出到振子713，则振子713进行超声波振动。

超声波施加头71被保持在臂构件72的一端。而且，该臂构件72的另一端与头驱动机构73连接。该头驱动机构73具有旋转马达731。而且，旋转马达731的旋转轴732与臂构件72的另一端连接，若旋转马达731按照控制单元2的控制信号动作，则如图1B所示，臂构件72绕旋转中心Pb摇动，从而在振动施加位置P1与退避位置P0之间往复移动超声波施加头71。在此，可任意地设定振动施加位置P1，但是在该实施方式中，为了抑制因超声波振动而产生损伤，将振动施加位置P1设定在基板W的表面周边部。而且，在进行清洗处理期间，将超声波施加头71固定配置在振动施加位置P1。

搭载有旋转马达731的升降台734可自由滑动地安装在立式导杆735上，并且升降台734与滚珠螺杆736螺合，该滚珠螺杆736与导杆735并排设置。该滚珠螺杆736与升降马达737的旋转轴联动连接。而且，该升降马达737按照控制单元2的控制信号动作，旋转滚珠螺杆736，从而使喷嘴41沿上下方向升降。这样，头驱动机构73是升降及往返移动超声波施加头71从而将其定位在振动施加位置P1的机构。

而且，当通过头驱动机构73将超声波施加头71定位在振动施加位置P1时，通过升降马达737的驱动控制，能够高精度地调节振动面VF与基板表面Wf之间的间隔，即基板相对间隔D。即，如图8所示，基板相对间隔D小于等于清洗液的液膜LF的膜厚，而且成为了振动面VF与基板表面Wf所夹着的空间(间隙空间K)的充满清洗液的的间隔。而且，在这种液体接触的状态下，若控制单元2使超声波施加头71动作，则超声波振动施加到液膜LF以及基板W上。

此外，控制装置的整体的控制单元2主要具有CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器)21、RAM(Random Access Memory：随机存储器)22、ROM(Read Only Memory：只读存储器)23以及驱动控制部24。其中的ROM23是所谓的非易失性存储部，而且存储着用于控制装置各部的程序。而且，CPU21按照存储在ROM23内的程序控制装置各部，从而装置进行下面将要说明的基板清洗动作。

接下来，对具有上述结构的基板清洗装置的动作进行说明。在该基板处理装置中，未图示的搬送单元将未处理的基板W搬送到支承销12中，从而基板W保持在支承销12中。然后，在搬送单元从基板清洗装置中退避之后，控制单元2的CPU21控制装置各部进行清洗处理。此外，在该时刻超声波施加头71定位在退避位置P0上。

首先，开始旋转基板W。然后，从喷嘴41喷出液柱状的清洗液并供给至基板表面Wf。由此，在基板表面Wf上形成清洗液的液膜LF(液膜形成动作)。此时，通过调节基板W的转速，能够高精度地调节液膜LF的膜厚。例如将基板W的转速设定为100rpm，并且喷嘴41以300(mL/min)的流量向基板表面Wf供给作为清洗液的DIW，则能够在基板表面Wf上形成2～3mm的清洗液的液膜LF。此外，在该第一实施方式中，仅在基板表面Wf的液膜区域LF1上形成液膜LF，并且由该液膜LF从上方覆盖基板表面Wf。

在液膜形成之后，将超声波施加头71从退避位置P0移动到振动施加位置P1并将其定位。由此振动面VF与液膜LF接触。接着，将脉冲信号从超声波振动器714输出至振子713，从而振子713进行超声波振动。由此，在振动施加位置(基板W的表面周边部)P1，对液膜LF施加超声波振动。此外，在该实施方式中，在接下来要说明的附加波动的期间，将超声波施加头71固定配置在振动施加位置P1，并且，此时将超声波振动的振动输出功率设定为5W，而且将振动频率设定为3MHz。

而且，在该实施方式中，在进行上述超声波振动的基础上，喷嘴41以液滴状态滴下清洗液，从而对液膜LF附加波动。即，控制单元2通过控制流量调节部42调节喷嘴41所喷出的清洗液流量，并且控制喷嘴升降驱动机构52以调节喷嘴41的高度位置，而且通过调节两个控制因素(清洗液流量以及喷嘴高度H)向液膜LF的位于基板W的旋转中心的位置供给清洗液的液滴(液滴滴下动作)。

这样，在振动施加位置P1，对基板表面Wf上的液膜LF施加超声波振动，同时在与该振动施加位置P1不同的液滴滴下位置P2，对液膜LF供给清洗液的液滴，从而对液膜LF施加与超声波振动不同的波动。因此，与只施加超声波振动的情况相比，附着于基板表面Wf的颗粒的去除率显著地提高。此作用效果与上述实验结果所示的效果相同，通过利用此作用效果，即使以对基板不产生损伤的程度设定超声波振动的输出功率以及频率等，也能够通过波动有效地去除颗粒，从而能够干净地清洗基板表面Wf。

若通过上述工序结束对基板表面Wf的清洗处理，则在喷嘴41停止供给清洗液的同时，停止超声波振动。而且，提高基板W的转速，对残留于基板W上的清洗液作用离心力，从而从基板W去除清洗液，进而干躁(旋转干躁)基板W。然后，若结束一连串的处理，则通过搬送单元从基板处理装置搬出处理完的基板W。

如上所述，根据附加波动的本实施方式，对硅晶片等基板W上的液膜LF不仅施加超声波振动，还附加波动，因此能够提高颗粒去除率。因此，仅仅以上述的振动输出功率及频率来施加超声波振动，能够抑制损伤，却不能干净地去除颗粒，但是通过附加波动能够提高颗粒的去除率。即，既能够抑制基板的损伤又能够提高颗粒的去除率。

而且，在上述实施方式中，将振动施加位置P1设置在基板W的表面周边部。通常，该表面周边部是不形成图案等的部位，因此沿液膜LF传播的传达到基板W的超声波振动的大部分集中于非图案部位。其结果，能够有效地防止因超声波振动而产生的图案的损伤。

另外，在附加波动时波动偏重于去除效果良好的区域，但是在本实施方式中，将液滴滴下位置P2设定在基板W的旋转中心，并且一边旋转基板W一圈以上一边进行清洗处理，因此能够在整个基板表面Wf上均匀且干净地去除颗粒。

此外，在上述第一实施方式中，将液滴滴下位置P2设定在基板W的旋转中心，但是液滴滴下位置P2不仅限于此，能够将液滴滴下位置P2设定在与振动施加位置P1不同的位置，并向液膜LF施加波动，从而既能够抑制基板W的损伤又能够高效率地去除基板表面Wf上的颗粒。此外，若使液滴滴下位置P2相对振动施加位置P1位于基板W的旋转中心侧，则能够从基板表面Wf均匀地去除颗粒。

<第二实施方式>

因此，在上述第一实施方式的基板清洗装置中，在基板表面Wf上形成的液膜区域(下面称作“基板侧液膜区域”)LF1的振动施加位置P1上定位超声波施加头71，并施加超声波振动，但是如之后所说明地那样，也可以在基板W的周边外侧形成液膜区域，并向该外侧区域施加超声波振动。下面，关于本发明的第二实施方式，参照图5A、图5B、图10以及图11进行说明。

图10是表示该发明的基板清洗装置的第二实施方式的图。而且，图11是表示图10所示的基板清洗装置的电学结构的框图。该第二实施方式与第一实施方式的最大的不同点在于，设置用于形成外侧液膜区域的导入部8，并且从不同的喷嘴41a、41b喷出第一清洗液以及第二清洗液，而且振动施加位置P1以及液滴滴下位置P2位于外侧液膜区域内，除此之外的结构以及动作基本上与第一实施方式相同。因此，在接下来的说明中，以不同点为主进行说明，并且对与第一实施方式相同的结构标注相同或相当的附图标记并省略其说明。

在第二实施方式中，供给单元4具有两种喷嘴即喷嘴41a、41b。与第一实施方式相同地该喷嘴41a位于旋转轴心Pa上，而且配置在旋转台11的上方的位置。该喷嘴41a经由第一流量调节部42a与第一清洗液供给部43a连接，并且能够向基板表面Wf的旋转中心位置供给第一清洗液。而且，第一清洗液供给部43a以及第一流量调节部42a按照来自控制单元2的指令动作，从而从第一喷嘴41a向基板表面Wf的中央部供给第一清洗液。此时，通过调节基板W的转速，高精度地调节液膜LF的膜厚。此外，在该第二实施方式中，如下面所说明的那样，能够在基板W的周边部附近以与基板表面Wf大致平行地方式配置导入部8的盘(plate)81，而且第一清洗液从基板表面Wf流入导入部8的盘81的表面，从而能够在盘81上形成外侧液膜区域LF2。

如图5A、图5B以及图10所示，该导入部8具有盘81和侧板82，其中，该盘81在基板W的周边部附近能够与基板W的主面大致平行地进行配置，该侧板82将该盘81固定在超声波施加头71上。即，在该实施方式中，盘81的一侧(图5A、图5B的左手侧)通过侧板82与超声波施加头71连接，从而安装成所谓的悬臂状态。因此，盘81的另一侧(图中的右手侧)成为浮端侧(避端)，并且向基板侧延伸。而且，若头驱动机构73按照控制单元2的动作指令工作，从而超声波施加头71移动到振动施加位置P1，则盘81向基板W的周边部附近移动并被定位。该盘81由与成为清洗对象的基板W的表面Wf相比，是由具有高亲水性的材料(例如，石英)形成。而且，若头驱动机构73将盘81配置到基板W的周边部附近，则如图5A、图5B所示，当从上方观看时，基板表面Wf的周边部与盘81的浮端部部分地重叠，并且从喷嘴41a向基板表面Wf供给的第一清洗液因表面张力之差而从基板W侧向盘81侧导入。其结果，在盘81上，形成与基板侧液膜区域LF1连续的外侧液膜区域LF2，并且通过包括这些基板侧液膜区域LF1以及外侧液膜区域LF2的液膜LF，从上方覆盖基板表面Wf。

此外，在本实施方式中，当将盘81配置在清洗处理位置(基板W的周边部附近)时，以基板侧液膜区域LF1可与外侧液膜区域LF2连接的程度且接近于基板W的周边端部和下面的方式配置盘81。因此，在另一侧的喷嘴41b向液膜LF供给第二清洗液并施加波动的情况下，因盘81与基板W接触而能够防止基板W受到损伤。

该第二喷嘴41b经由第二流量调节部42b与第二清洗液供给部43b连接，而且能够向外侧液膜区域LF2供给第二清洗液。此外，在第二实施方式中，振动施加位置P1相对于液滴滴下位置P2而位于基板侧液膜区域LF1的相反侧，而且所设定液滴滴下位置P2使得基板W的旋转中心、液滴滴下位置P2以及振动施加位置P1在一条直线(图5B中的点划线)上。而且，在使第二清洗液供给部43b动作的状态下，第二流量调节部42b按照来自控制单元2的控制信号动作，从而调节从第二清洗液供给部43b向喷嘴41b供给的第二清洗液。

该第二喷嘴41b的上端通过水平管道51b与第二喷嘴升降驱动机构52b连接。而且，第二喷嘴升降驱动机构52b按照控制单元2的控制信号动作，从而喷嘴41b与水平管道51b一起升降移动。因此，若高度位置指令从控制单元2传送至第二喷嘴升降驱动机构52，则升降移动喷嘴41b并定位到与该高度位置指令相对应的位置，其中，该高度位置指令与从基板表面Wf起至喷嘴41b为止的高度位置有关。因此，通过调节从基板表面Wf起至喷嘴41的前端(喷出口)为止的高度H，能够将从喷嘴41b喷出的第二清洗液到达外侧液膜区域LF2的着液状态控制为液柱状态或液滴状态。

接下来，对具有上述结构的第二实施方式的基板清洗装置的动作进行说明。在该基板清洗装置中，通过未图示的搬送单元将未处理的基板W搬送到支承销12中，并且保持在支承销12中。然后，在搬送单元从基板清洗装置中退避之后，控制单元2的CPU21控制装置各部进行清洗处理。此外，在该时刻超声波施加头71被定位在退避位置P0。

首先，开始旋转基板W。然后，喷嘴41a喷出液柱状的第一清洗液，并供给至基板表面Wf。由此，在基板表面Wf上形成清洗液的液膜LF(液膜形成动作)。此时，与第一实施方式相同通过调节基板W的转速，能够高精度地调节液膜LF的膜厚。

在液膜形成之后，停止旋转基板W。然后，将防飞散杯61的高度位置设定至下降位置，将盘81以及超声波施加头71从退避位置P0摇动至振动施加位置P1(图5A、图5B以及图10所示位置)从而配置到基板W的外缘部附近。此时，盘81的浮端侧(图5A、图5B的右手侧)进入基板W的下面侧，该浮端侧位于超声波施加头71与侧板82的连接侧的相反侧。然后，盘81浮端侧的端部的上面以与基板W的周边部下面相对且接近的方式进行配置。由此，盘81的上面的大部分从基板W的周边端部沿着直径方向AR1并列配置，并且成为被基板W覆盖的状态。

因此，盛载在基板W上的第一清洗液的一部分因表面张力而从基板W上向盘81上导入。其结果，在盘81上形成外侧液膜区域LF2。这样，在该第二实施方式中，通过供给至基板表面Wf的第一清洗液，不仅在基板表面Wf上形成液膜区域LF1，而且第一清洗液从基板W侧向盘81侧导入，从而形成与基板侧液膜区域LF1连续的外侧液膜区域LF2。这样通过包括基板侧液膜区域LF1以及外侧液膜区域LF2的液膜LF来覆盖基板表面Wf，并且振动膜712的振动面VF与外侧液膜区域LF2接触。

而且，与盘81以及超声波施加头71的摇动动作一起，喷嘴41b在喷嘴升降驱动机构52b的驱动下从退避位置向液滴滴下位置(第二位置)P2摇动。其中，喷嘴41b的摇动动作不仅限于该时刻，也可以在导入用盘81以及超声波施加头71的摇动动作结束之后，开始喷嘴41b的摇动动作。而且，也可以在喷嘴41b的摇动动作结束之后，开始盘81以及超声波施加头71的摇动动作。喷嘴41b的摇动时刻与后述的第三实施方式也相同。

在此，如图5A、图5B及图10所示，在盘81以及超声波施加头71配置于基板W的周边部附近的情况下，与从喷嘴41b相比，超声波施加头71的振动膜712配置在基板W的直径方向AR1上的远离基板一侧。

接着，控制单元2使超声波施加部70工作，以使超声波振动施加到外侧液膜区域LF2的振动施加位置P1，同时从第二清洗液供给部43b向外侧液膜区域LF2供给第二清洗液，以使不同于超声波振动的振动(波动)施加到外侧液膜区域LF2的液滴滴下位置P2。更具体地说，打开流量调节阀42b，向外侧液膜区域LF2的液滴滴下位置P2供给第二清洗液。而且，在供给第二清洗液同时，从超声波振动器714向振子713输出脉冲信号，从而将超声波振动施加到外侧液膜区域LF2的振动施加位置P1。与从第二清洗液供给部43b供给的第二清洗液的液滴滴下位置P2相比，该振动施加位置P1位于远离基板W一侧。而且，基板W的旋转中心、液滴滴下位置P2以及振动施加位置P1配置在一条直线(图5B中的点划线)上。

这样，在第二实施方式中，对外侧液膜区域LF2滴下液滴状的第二清洗液，从而能够良好地附加波动。而且，在清洗处理中，由于对外侧液膜区域LF2施加超声波振动并且供给第二清洗液，因此能够减少因这些动作而引起的基板W的损伤，并且能够显著地提高附着于基板W的颗粒去除率。

而且，仅施加超声波振动不会给基板W带来损伤，但另一方面，即使超声波振动的输出功率以及振动频率处于不能干净地去除基板W上的颗粒的范围内，也能够通过同时进行超声波振动以及波动振动，从基板W干净地去除颗粒。由此，与对外侧液膜区域LF2仅施加超声波振动从而进行清洗的情况相比，能够提高附着于基板W上的颗粒的去除率，并且能够减少形成在基板W上的布线图案所受到的损伤。

而且，如图5A、图5B及图10所示，第二清洗液供给部43b位于基板W以外的位置，并且能够从一个喷嘴41b向外侧液膜区域LF2供给第二清洗液。由此，能够使从喷嘴41b喷出的第二清洗液与外侧液膜区域LF2碰撞的范围最小。因此，能够降低对基板损伤的影响。

此外，在本实施方式中，将超声波施加头71的超声波振动的振动输出功率设定为在1W以上10W以下(最好是3W以上6W以下)的范围，并且将振动频率设定为在1MHz以上6MHz以下(最好是2MHz以上3MHz以下)的范围。由此，能够防止基板W以及形成在基板W上的布线图案等受到因超声波振动而引起的损伤。

若如上所述那样去除颗粒的动作结束，则关闭流量调节阀42b，停止液滴滴下第二清洗液，并且超声波施加头71停止施加超声波。然后，退避超声波施加头71，使基板W高速旋转。由此，附着于基板W上的第一及第二清洗液因旋转离心力而被甩掉，从而使基板干燥(旋转干燥)，清洗处理结束。然后，在一连串的处理结束后，通过搬送单元从基板清洗装置中搬出处理完的基板W。

这样，根据第二实施方式，对硅晶片等基板W上的液膜LF不仅附加超声波振动，而且还附加波动，因此与第一实施方式相同，能够提高颗粒去除率。而且，根据第二实施方式，由于将振动施加位置P1设定在外侧液膜区域LF2，因此超声波施加头71所输出的超声波振动经由外侧液膜区域LF2传播到基板侧液膜区域LF1，从而能够有效地防止因超声波振动而引起的损伤波及到基板表面Wf。而且，在第二实施方式中，在外侧液膜区域LF2中，的由于在位置P2附加波动，该位置P2位于从振动施加位置P1向基板侧液膜区域LF1以及基板表面Wf传播超声波振动的位置，因此能够以优异的去除率去除整个基板表面Wf的颗粒。总之，既能够抑制基板W受到损伤又能够更有效地去除基板表面Wf上的颗粒。

<第三实施方式>

在上述第二实施方式的基板清洗装置中，将超声波振动以及波动一起施加到外侧液膜区域LF2，但是也可以如图6A、图6B所示，例如对基板侧液膜区域LF1施加波动的结构。下面，参照图6A、图6B说明本发明的第三实施方式。此外，由于装置的基本结构与第二实施方式的结构相同，因此省略对于结构的说明。

在该第三实施方式中，与第二实施方式相同，将来自喷嘴41a的第一清洗液供给到基板表面Wf，从而形成包括基板侧液膜区域LF1以及外侧液膜区域LF2的液膜LF。然后，与盘81以及超声波施加头71的摇动动作一起，喷嘴41b在喷嘴升降驱动机构52b的驱动下，从退避位置向基板侧液膜区域LF1的液滴滴下位置(第二位置)P2摇动。这样定位的喷嘴41b相对超声波施加头71的振动膜712位于基板侧(图6A、图6B的右手侧)。

接着，控制单元2使超声波施加部70工作，使得超声波振动施加到外侧液膜区域LF2的振动施加位置P1，并且从第二清洗液供给部43b向基板侧液膜区域LF1供给第二清洗液，使得不同于超声波振动的振动(波动)施加到基板侧液膜区域LF1的液滴滴下位置P2。此外，在供给第二清洗液同时，从超声波振动器714向振子713输出脉冲信号，将超声波振动施加到外侧液膜区域LF2的振动施加位置P1。上述振动施加位置P1以及液滴滴下位置P2的相对关系与第二实施方式相同，即，与从第二清洗液供给部43b供给的第二清洗液的液滴滴下位置P2相比，振动施加位置P1位于远离基板W的一侧。而且，基板W的旋转中心、液滴滴下位置P2以及振动施加位置P1配置在一条直线(图6B中的点划线)上。

如上所述，第三实施方式也与第二实施方式相同，对外侧液膜区域LF2施加超声波振动，因此在清洗处理中，能够减少因施加超声波振动而引起的基板W的损伤。而且，通过对基板侧液膜区域LF1滴下液滴状的第二清洗液，在基板侧液膜区域LF1施加超声波振动和波动，其结果，如上述实验结果所示，能够显著地提高附着于基板W上的颗粒的去除率。

而且，在第三实施方式中，如图6A、图6B所示，向基板侧液膜区域LF1中的与基板表面Wf的周边部相对应的位置供给第二清洗液，从而附加波动。即，将液滴滴下位置P2设置在基板W的表面周边部。该表面周边部通常是不形成图案等的部位，因此在向液膜LF供给第二清洗液时发生的波动的大部分集中在非图案部位。其结果，能够有效地防止通过波动而引起的图案的损伤。而且，根据本图可知，由于在基板侧液膜区域LF1中最接近于振动施加位置P1的位置设定液滴滴下位置P2，因此去除效果良好的区域扩展到除了非图案部位以外的基板表面Wf的整个面，能够均匀地从整个基板表面Wf去除颗粒。

<其它>

此外，本发明不仅限于上述实施方式，只要不脱离该宗旨，除了上述的实施方式以外，可进行各种各样的改变。例如在上述第二实施方式以及第三实施方式中，以使基板W的旋转中心、液滴滴下位置P2以及振动施加位置P1在一条直线(图5B以及图6B中的点划线)上的方式，设定振动施加位置P1以及液滴滴下位置P2，但是振动施加位置P1以及液滴滴下位置P2的相对关系不仅限于此。即，能够将位于超声波振动通过液膜LF向基板表面Wf传播的路径上且与施加超声波振动的振动施加位置(第一位置)P1不同的位置作为液滴滴下位置(第二位置)P2。例如图12及图13所示，也可以将液滴滴下位置P2配置在偏离下述直线的位置，即，基板W的旋转中心与振动施加位置P1相连接的直线。

而且，在第二实施方式以及第三实施方式中，将来自喷嘴41a的第一清洗液供给到用于形成基板表面Wf上的液膜的基板表面Wf上，并且将来自喷嘴41b的第二清洗液供给到用于附加波动的导入用盘81上，虽然对这些内容进行了说明，但是第一及第二清洗液的供给方法不仅限于此。例如，在第一及第二清洗液为相同种类的处理液的情况下，可以由一个喷嘴来供给清洗液。在该情况下，当形成基板侧液膜区域LF1时，喷嘴移动至基板W的旋转中心的上方，当附加波动时，喷嘴移动至液滴滴下位置P2的上方。

而且，在第二实施方式以及第三实施方式中，通过头驱动机构73驱动导入用盘81，通过升降驱动机构52能够驱动以及升降可喷出第二清洗液的喷嘴41b，虽然对这些内容进行了说明，但是导入用盘81以及喷嘴41b的摇动以及升降方法不仅限于此。例如，可以与导入用盘81相同地将喷嘴41b安装在超声波施加头71上。在该情况下，能够使摇动机构及升降机构成为一个机构。由此，既能够减少构件数量，又能够减少基板清洗装置的占地面积(Footprint)。

而且，在第二实施方式以及第三实施方式中，能够使超声波施加头71和导入用盘81一体移动，但是也可以各自单独移动。在该情况下，能够单独定位导入用盘81的高度位置和超声波施加头71的振动膜712的高度位置，能够提高各个部分的位置精度，而且能够应对各种制造方法(recipe)，从而能够提高通用性。

而且，第二实施方式以及第三实施方式说明了通过支承销12将基板W保持在支撑台11，但是不仅限于此，例如也可以通过比基板W小的吸附卡盘来吸附保持基板W。在该情况下，在清洗基板W期间，也可以在配置了导入用盘81的状态下旋转吸附卡盘，由此旋转基板W。具体地说，若清洗时间为60秒，则在此期间至少旋转一周(1rpm)即可。由此，能够实现基板W整个面的清洗效果的均匀性。而且，如第二实施方式以及第三实施方式那样，即使在由支承销12保持基板W的状态下，也可以伴随在清洗处理中的旋转台11的旋转，一边进行控制使得导入用盘81从与支承销12相抵接的位置退避，而在支承销12通过之后再进入，一边旋转基板W。

而且，在第二实施方式以及第三实施方式中，配置一个超声波施加头71，但是如图14所示，例如也可以在基板W的外缘部附近配置多个超声波施加头71。根据该实施方式，在对三个支承销12所保持的基板W进行清洗处理的装置中，三个导入用盘81以及超声波施加头71被配置在沿圆周方向观看时的相邻的支承销12之间。而且，将各超声波施加头71沿基板W的圆周方向大致等间隔(角度R1间隔：大致120°的间隔)配置。由此，能够实现在基板W整个面均匀性良好的清洗效果。

另外，上述第一及第三实施方式说明第一清洗液以及第二清洗液中的任意一个都是DIW(相同种类的处理液)，但是不仅限于此。例如，第一清洗液以及第二清洗液也可以是SC1溶液(氨水与过氧化氢的混合溶液)等用于晶片清洗的药液。而且，第一及第二清洗液也可以是不同的处理液。

本发明的基板清洗装置以及基板清洗方法，能够利用超声波振动对包括半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等的全部的基板实施清洗处理。

Claims (22)

1.一种基板清洗装置，其特征在于，具有：

超声波施加单元，其对覆盖基板表面的第一清洗液的液膜施加超声波振动；

供给单元，其在第二位置对所述液膜供给第二清洗液，所述第二位置位于所述超声波振动在所述液膜中向基板表面传播的路径上，且不同于施加所述超声波振动的第一位置；

控制单元，其使所述超声波施加单元动作，对所述液膜施加超声波振动，并且通过所述供给单元向所述液膜供给第二清洗液，由此对所述液膜施加不同于所述超声波振动的附加振动。

2.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，

所述液膜具有基板侧液膜区域，所述基板侧液膜区域是通过向所述基板表面供给所述第一清洗液而形成在所述基板表面上的，

所述第一位置以及所述第二位置都位于所述基板侧液膜区域内。

3.根据权利要求1或2所述的基板清洗装置，其特征在于，

具有基板旋转单元，所述基板旋转单元使所述基板旋转，

所述控制单元在所述基板旋转至少一周以上的期间，对所述液膜施加所述超声波振动和所述附加振动。

4.根据权利要求3所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第二位置相对所述第一位置位于所述基板的旋转中心一侧。

5.根据权利要求4所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第二位置是所述基板的旋转中心。

6.根据权利要求2所述的基板清洗装置，其特征在于，所述超声波施加单元被固定配置。

7.根据权利要求6所述的基板清洗装置，其特征在于，所述超声波施加单元以与所述基板的表面周边部相对的方式配置。

8.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，

还具有能够配置在所述基板的周边部附近且与所述基板表面平行的盘，

所述液膜具有基板侧液膜区域和外侧液膜区域，其中，所述基板侧液膜区域通过向所述基板表面供给所述第一清洗液而形成在所述基板表面上，所述外侧液膜区域通过从所述基板表面向所述盘的表面流入所述第一清洗液而形成在所述盘表面上，

所述第一位置和所述第二位置都位于所述外侧液膜区域内，

所述第一位置相对于所述第二位置位于所述基板侧液膜区域的相反侧。

9.根据权利要求1所述的基板清洗装置，其特征在于，

具有能够配置在所述基板的周边部附近且与所述基板表面平行的盘，

所述液膜具有基板侧液膜区域和外侧液膜区域，其中，所述基板侧液膜区域通过向所述基板表面供给所述第一清洗液而形成在所述基板表面上，所述外侧液膜区域通过从所述基板表面向所述盘的表面流入所述第一清洗液而形成在所述盘表面上，

所述第一位置位于所述外侧液膜区域内，与此相对，所述第二位置位于所述基板侧液膜区域内。

10.根据权利要求8或9所述的基板清洗装置，其特征在于，所述超声波施加单元固定配置在所述盘上。

11.根据权利要求8或9所述的基板清洗装置，其特征在于，

还具有基板旋转单元，所述基板旋转单元使所述基板旋转，

所述基板的旋转中心、所述第二位置以及所述第一位置以所述基板的旋转中心、所述第二位置以及所述第一位置的顺序配置在一条直线上。

12.根据权利要求1、2、6、7、8及9中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述供给单元具有喷出所述第二清洗液的喷嘴，使从所述喷嘴喷出的所述第二清洗液以液滴状态着液在所述液膜上，从而施加附加振动。

13.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其特征在于，所述供给单元从所述喷嘴向所述基板表面供给所述第一清洗液，从而形成所述液膜。

14.根据权利要求12所述的基板清洗装置，其特征在于，所述供给单元从与所述喷嘴不同的喷嘴向所述基板表面供给所述第一清洗液，从而形成所述液膜。

15.一种基板清洗装置，在基板表面上形成有第一清洗液的基板侧液膜区域的状态下，清洗所述基板表面，其特征在于，具有：

导入部，其配置在所述基板的周边部附近，并且从所述基板侧液膜区域向所述基板的外侧导入第一清洗液，从而形成与所述基板侧液膜区域相连的外侧液膜区域；

超声波施加单元，其向所述外侧液膜区域施加超声波振动；

供给单元，其在比施加所述超声波振动的位置更靠近基板侧的位置，向所述外侧液膜区域供给第二清洗液；

控制单元，其使所述超声波施加单元动作，对所述外侧液膜区域施加超声波振动，并通过所述供给单元供给第二清洗液，由此对所述外侧液膜区域施加不同于所述超声波振动的附加振动。

16.根据权利要求15所述的基板清洗装置，其特征在于，所述导入部具有能够配置在所述基板的周边部附近且与所述基板表面平行的盘，从所述基板侧液膜区域向所述盘上导入第一清洗液，从而形成所述外侧液膜区域。

17.根据权利要求16所述的基板清洗装置，其特征在于，所述供给单元具有喷出所述第二清洗液的喷嘴，使从所述喷嘴喷出的所述第二清洗液以液滴状态着液在所述外侧液膜区域上，从而施加附加振动。

18.根据权利要求1、2、6～9、15、16及17中任一项所述的基板清洗装置，其特征在于，所述第一清洗液和所述第二清洗液是同一种处理液。

19.一种基板清洗方法，其特征在于，包括：

第一工序，使超声波振子与覆盖基板表面的第一清洗液的液膜在第一位置接触；

第二工序，使所述超声波振子动作，对所述液膜施加超声波振动，并且在不同于所述第一位置的第二位置向所述液膜供给第二清洗液，由此对所述液膜施加不同于所述超声波振动的附加振动。

20.根据权利要求19所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述第二工序中，向所述液膜滴下所述第二清洗液。

21.根据权利要求19所述的基板清洗方法，其特征在于，所述第一工序是在旋转所述基板的同时进行的。

22.根据权利要求19至21中任一项所述的基板清洗方法，其特征在于，所述第一及第二清洗液是同一种处理液。

Images