CN101367772A - 缬沙坦杂质的控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及缬沙坦杂质的控制方法,对有关物质做出了如下的限定:VLSI-A不超过1.0%;VLSI-B和VLSI-D分别不得超过0.2%和0.1%,其它单个未知杂质不得超过0.1%,总杂质不超过0.3%。

Description

缬沙坦杂质的控制方法
技术领域:
本发明涉及抗高血压药物缬沙坦的杂质研究及控制方法,该方法通过对缬沙坦合成工艺和原料质量的控制,制备出符合美国药典要求的高质量的缬沙坦产品。
背景技术:
缬沙坦(valsartan,化学式见结构I),化学名:N-(1-氧戊基)-N-[4-[2-(1H-四唑-5-基)苯基]苄基]-L-缬氨酸,是一种血管紧张素II的1型(AT1)受体拮抗剂,具有全新的降压机制,降压平稳、疗效强、作用时间长、患者耐受性好。
Figure A200810223659D00041
关于缬沙坦的文献相当丰富,主要集中在合成路线和晶型上,例如关于缬沙坦合成路线的专利有EP443983、US5399578、US7199144、WO2006067216、WO2008007391、WO2004026847、CN00115355等;关于缬沙坦晶型的专利有US7105557、WO2003089417、WO2004087681、US20060270723等。文献中尚未见到关于缬沙坦杂质的控制方法的报道。
发明内容:
本发明提供缬沙坦合成过程中杂质的控制方法,其中所述合成采用以下路线1方法:
Figure A200810223659D00051
该方法属于现有技术,见EP443983文(缬沙坦原研)。其中,未对杂质控制进行研究,产品通过制备色谱得到后,再用乙酸乙酯重结晶精制。
本发明采用的合成路线根据专利EP443983,并结合实际生产的状况做了相应的调整,具体合成方法如实施例1所示。
根据这条路线,结合美国药典的要求,对有关物质做出了如下的限定:VLSI-A不超过1.0%;VLSI-B和VLSI-D分别不得超过0.2%和0.1%,其它单个未知杂质不得超过0.1%,总杂质(不包括VLSI-A)不超过0.3%。其中:VLSI-A、VLSI-B和VLSI-D的结构式如下所示:
Figure A200810223659D00061
我们选取合成缬沙坦的这一步反应作为监控关键点,通过考察缬沙坦粗品、一次结晶产品和二次结晶产品中的杂质分布情况的变化,从而得出后处理方法的实际纯化效果,为原料和反应中间体的质控标准提供了依据。
我们定向合成出了VLSI-A、VLSI-B和VLSI-D,并进行了结构确证。按照USP标准要求的色谱条件,在HPLC图谱中VLSI-B、VLSI-D的相对保留时间分别为:0.77、1.82。缬沙坦粗品精制数据见表1所示,
表1 缬沙坦杂质分布数据
 
项目 粗品 一次结晶 二次结晶
VLSI-A 3.2% 0.9% 0.2%
VLSI-B 0.08% 0.07% 0.06%
VLSI-D 0.8% 0.1% 0.02%
VLS(缬沙坦) 92.4% 98.5% 99.7%
从表1中的数据可以看出,VLSI-A、VLSI-D通过乙酸乙酯的重结晶可以有效除去,VLSI-B通过乙酸乙酯的重结晶难以除去。
VLSI-A是缬沙坦的对映异构体。通过对缬沙坦工艺各步骤的手性异构体的检测,可以发现引起对映异构体的主要步骤是环合和水解。详细的异构体数据见表2所示,
表2 缬沙坦中间体各步骤手性异构体含量
 
烷基化 酰化 环合 水解
0.08% 0.12% 2.6% 3.2%
VLSI-B是由于酰化步骤中,原料正戊酰氯中杂质正丁酰氯引起的,所以控制杂质VLSI-B的关键是控制正戊酰氯的质量。
VLSI-D是由于水解不完全所致,但是过分水解会引起杂质VLSI-A的增加,因此控制水解进程是控制杂质VLSI-D的关键。
通过以上的论述,可以确定正戊酰氯是影响缬沙坦产品质量的关键原料,环合和水解是影响缬沙坦产品质量的关键步骤。因此,我们通过控制正戊酰氯的质量和环合、水解的反应中间体来保证缬沙坦的质量。具体的,正戊酰氯的质量标准为色谱纯度大于95.0%,正丁酰氯的含量(面积归一化法)小于0.15%,最优小于0.1%;环合步骤中,控制VLSM-02小于2%,环合时间小于35小时,最优小于30小时;水解步骤中,控制VLSI-D小于1%,最优小于0.5%,水解时间小于16小时,最优小于12小时。
以上含量测定的方法采用现有常规技术,如HPLC法。
具体实施方式:
以下通过实施例进一步说明本发明,但不作为本发明的限制。
实施例1.缬沙坦的制备
在2000ml三口烧瓶中加入三丁基氯化锡135ml、叠氮化钠40g、二甲苯400ml和N-[(2’-氰基联苯-4-基)甲基]-N-戊酰基-(L)-缬氨酸甲酯(VLSM-02),升温至140℃反应24~30小时,VLSM-02小于2%。冷却室温,加入560g10%的氢氧化钾溶液30~35℃下搅拌8~16小时,反应完成后(VLSI-D小于0.5%),分走二甲苯层,加入200ml二甲苯和200ml异丙醚洗涤。水层加入42g亚硝酸钠,用浓盐酸缓慢调PH为2~2.5,搅拌。用500ml×2乙酸乙酯萃取,合并乙酸乙酯层,用盐水洗,无水硫酸钠干燥后减压回收溶剂,得到115g黄色粘稠油状物即为缬沙坦粗品。
实施例2.缬沙坦的精制
将得到的缬沙坦粗品加到460ml乙酸乙酯中,加热至完全溶解。冷却至室温后,继续冷却至0℃保存2小时,过滤,滤饼用少量冷的乙酸乙酯洗涤。烘干,得到80g缬沙坦一次结晶产品。将缬沙坦一次结晶产品加到400ml乙酸乙酯中,加热至溶解,搅拌冷却至室温,过滤,滤饼用少量乙酸乙酯洗涤,晾干,得到60g缬沙坦二次结晶产品,HPLC纯度>99.7%。
实施例3.VLSI-A的制备
在250ml三口烧瓶中加入12.5g碳酸钾和85mL乙腈,加入D-缬氨酸甲酯盐酸盐5.1g,加入VLS-02 16.7g,加热至50~55℃。反应7.5h,过滤,滤液减压旋蒸。油状物溶于70mL甲苯中,加入4.1g碳酸氢钠,滴加4.6ml戊酰氯。加完后室温搅拌3~4h。甲苯层用30ml×2盐水洗,无水硫酸钠干燥后,旋干得到21g油。将上述油状物溶于90ml甲醇中,滴加1ml盐酸。加完后室温搅拌3~4h。过滤,滤液减压旋干得到14.4g油。上述油状物中加入60ml甲苯,加入5.6g氢氧化钾溶于90ml水的溶液。加完后控制温度30~35℃搅拌5.5h,分去甲苯层;水层用盐酸(约7ml)调节pH至2~3,过滤。固体用乙酸乙酯重结晶得到白色固体约4.3g,即为VLSI-A。
实施例4.VLSI-B的制备
1.47molN-[(2’-氰基联苯-4-基)甲基]-(L)-缬氨酸甲酯的甲苯溶液,加入173g碳酸氢钠,滴加丁酰氯,室温下反应10h。抽滤,减压蒸干滤液,得到淡黄色油状物。将得到的淡黄色油状物分别加入1200mL二甲苯、191g叠氮化钠和600mL三丁基氯化锡,搅拌下加热升温至回流,反应24h~30h。加入330g氢氧化钾的10%水溶液,30℃~40℃下搅拌反应7h。分离有机相,水相依次用甲苯400mL×2和异丙醚400mL洗涤。收集水相,加入152g亚硝酸钠,加入500mL适量乙酸乙酯,搅拌下滴加盐酸,调节溶液ph=2。分离水相,有机相用水洗涤数次,加入无水硫酸钠干燥。减压蒸干溶剂,用乙酸乙酯重结晶后得到白色固体即为VLSI-B。
实施例5.VLSI-D的制备
在5000mL三口瓶中加入200mL甲醇,搅拌下降温至0℃以下,滴加12mL氯化亚砜,保温小于5℃。滴毕加入VLS,油浴升温至40℃,搅拌反应约3h(至HPLC检测反应完毕)。停止反应,冷却至室温,加入20g无水碳酸钠,调节溶液ph=4~5。抽滤,减压蒸干滤液,加入二氯甲烷700ml,用10%盐水100ml×2洗涤。干燥后蒸干,得到泡沫状白色固体即为VLSI-D。
有关含量测定的方法采用现有常规技术,如HPLC法。
附1.缬沙坦的有关物质(杂质)色谱条件
色谱柱:(L1)Nucleosil 100-10 C18,25cm×4.6mm,10μm;
流动相:水-乙腈-冰醋酸(500:500:1);
检测波长:225nm;
流速:每分钟1.0ml;
柱温30℃;
进样量10μl。
附2.缬沙坦的手性异构体色谱条件
色谱柱:(L40)正相色谱柱,25cm×4.6mm,5μm;
流动相:正己烷-异丙醇-三氟乙酸(85:15:0.1);
检测波长:230nm;
流速:每分钟0.8ml;
柱温30℃;
进样量10μl。

Claims (7)

1.一种缬沙坦合成过程中杂质的控制方法,其中所述合成采用以下方法:
Figure A200810223659C00021
其特征在于,其中所述杂质的控制方法如下:
(1)将正戊酰氯的纯度控制在大于95.0%,并控制其中的杂质正丁酰氯的含量小于0.15%;
(2)环合步骤中,控制VLSM-02的含量小于2%,环合时间小于35小时;
(3)水解步骤中,控制VLSI-D的含量小于1%,水解时间小于16小时。
2.根据权利要求书1所述的方法,其特征在于,正戊酰氯的纯度大于97.0%。
3.根据权利要求书1所述的方法,其特征在于,正丁酰氯的含量小于0.1%。
4.根据权利要求书1所述的方法,其特征在于,环合步骤中,环合时间小于30小时。
5.根据权利要求书1所述的方法,其特征在于,水解步骤中,控制VLSI-D小于0.5%。
6.根据权利要求书1所述的方法,其特征在于,水解步骤中,水解时间小于12小时。
7.根据权利要求书1所述的方法,得到的缬沙坦中VLSI-A不超过1.0%;VLSI-B和VLSI-D分别不得超过0.2%和0.1%,其它单个未知杂质不得超过0.1%,总杂质不超过0.3%。
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