CN101336453A - 信息记录介质及其制造方法以及其制造装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种信息记录介质，包含：能够使用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层(19、26)、与记录层(19、26)相接的作为氧化物层的界面层(18、20、25、27)。记录层(19)含有以式子：GeαBiβTeγM100－α－β－γ(原子％)(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge－Bi－Te－M系材料。界面层(18、20、25、27)含有至少一种记录层(19、26)中所含的元素M的氧化物。

Description

信息记录介质及其制造方法以及其制造装置
技术领域
本发明涉及高速并且高密度地记录、再现信息的信息记录介质及其制造方法以及其制造装置。
背景技术
发明人作为可以用作数据文件或图像文件的大容量相变光盘，开发了4.7GB/DVD-RAM或单面单层25GB(1倍速)/Blu-ray盘，从进一步增加光盘的记录容量的观点出发，首先开发出了在盘的单面侧具有2层信息层的单面2层50GB(1倍速)/Blu-ray盘。此外，它们已经被商品化。
这些作为DVD-RAM或Blu-ray盘的记录方式的所谓相变记录方式利用了如下的现象，即，记录层因激光射线的照射会在非晶体与晶体之间(或者在晶体与更为不同的结构的晶体之间)引起可逆地状态变化。这是因为，利用激光的照射，将薄膜的折射率及消光系数中的至少一个改变而进行记录，在该部分中透过光或反射光的振幅改变，其结果是，检测出到达检测系统的透过光量或者反射光量改变而再现信号。一般来说，将记录层材料为晶体状态的情况设为未记录状态，通过照射激光，将记录层材料熔融、骤冷而变为非晶体状态来记录信号。另外，在清除信号的情况下，照射比记录时更低的激光功率，将记录层变为晶体状态。另外，在相变光盘中一般来说是在基板上具有电介质层、记录层、反射层的构成的盘。作为该盘构成的一个例子，可以举出在基板上依次层叠了第一电介质层、记录层、第二电介质层以及反射层的例子。
这里，对各层的作用进行叙述。电介质层具有以下作用：保护记录层免受来自外部的机械的损伤的作用、利用由多重反射造成的干涉效应来加强光学的变化的作用、阻断来自外部大气的影响而防止化学的变化的作用、减少在信号的重复记录时引起的基板表面的粗糙或记录层的热损伤的作用等(有时也被称作保护层。)。另外，与记录层相接的电介质层(也被称作界面层)在记录层于晶体-非晶体之间发生状态变化之时，主要利用电介质层的组成来改变其状态变化的速度。由此，还具有控制结晶化速度这样的重要的作用。记录层如前所述地吸收激光，引起晶体-非晶体之间的状态变化，记录信息。反射层由于在将信息清除记录之时记录层吸收激光而变为高温，因此具有释放该热量的作用。
发明人在Blu-ray盘中开发了单面2层盘，以单面2层盘为代表的单面多层盘如图2所示，在相互临近的信息层之间(信息层与其他的信息层之间)，夹设使用紫外线固化树脂等形成的透明的光学分离层3、5、7的同时，在基板1上具有多个信息层(第一信息层2、第二信息层4、第三信息层6、...、第n信息层8(n为4以上的整数))。继而在其上(图2所示的结构的情况下为第n信息层8之上)，设有例如使用了紫外线固化树脂等的覆盖层9(光透过层)。在各信息层中记录再现信息之时，从覆盖层9侧向各信息层射入激光10。
现在，对于信息记录介质所要求的是大容量化和高速化(将信息高速地记录、再现)。在Blu-ray盘中，也在相对于已经商品化的1X(线速度4.9m/S)记录，以在1X～2X(线速度9.8m/S)或者～4X(线速度19.7m/S)的线速度范围中进行记录再现为目标而加速开发，发明人现在正在进行对应1X～2X的盘的开发。
相变记录中，与规格的线速度匹配地改变记录层的组成而调整结晶化速度。在线速度快的情况下，虽然会加快结晶化速度而容易清除，但是会有记录标记(非晶态相)的稳定性受到损害的倾向。在线速度慢的情况下，虽然因减慢结晶化速度而容易记录，但是非晶态相过度稳定化，从而产生难以清除这样的可靠性上的问题。为了解决此种伴随着高速化盘产生的问题，发明人等发现了作为记录层组成的Ge-Bi-Te-M(M为选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素)。
另外，当线速度变快时，则用于记录信息的激光器功率(记录灵敏度)就需要增大，然而作为为了解决该问题和反复改写性能而迄今所报告的电介质层(包括界面层)，记载有包含Zr与Hf的混合物或Hf与选自由La、Ce、Al、Ga、In、Mg及Y的至少一种元素、和氧的氧化物系材料层(例如参照日本特开2005-56545号公报)。
与像这样进行高速化不同，为了确保其记录再现特性及可靠性(重复记录)，研究过记录层的材料或电介质层(包括界面层)的材料的组成。
在发明人进行开发的Blu-ray盘的高速化(对应1X～2X)研究中有以下的问题。
在记录层中使用了Ge-Bi-Te-M系材料(M是选自Al、Ga、In、Mn中的至少一种元素)，另外在与该记录层相接的层(电介质层(界面层))中使用了以Zr氧化物作为主成分的材料的盘中，进行了作为寿命试验之一的高温高湿试验(耐湿试验)，然而出现了在记录层与该层(电介质层(界面层))之间产生膜剥离的问题。针对该问题，对记录层或电介质层(界面层)的成膜条件(溅射功率、溅射气体压力、添加气体)进行了各种研究，然而仍然无法抑制膜剥离。
发明内容
所以，本发明的主要目的在于，提供一种抑制了在记录层和与该记录层相接的层之间所产生的膜剥离的、可靠性高的信息记录介质。本发明的目的还在于，提供该信息记录介质的制造方法和制造装置。
本发明的信息记录介质是包含：能够利用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层、与所述记录层相接的氧化物层的信息记录介质，所述记录层含有以下述式子：
GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)
(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料，所述氧化物层含有至少一种所述记录层中所含的元素M的氧化物。
而且，本说明书中所说的“原子％”是指，将合计了“Ge”原子、“Bi”原子、“Te”原子及“M”原子的数设为基准(100％)而表示的组成式。
本发明的信息记录介质具备：含有伴随着高速化开发的Ge-Bi-Te-M系材料的记录层、含有与记录层中所含的元素M相同的元素的氧化物的氧化物层。像这样，由于通过使与记录层相接的氧化物层含有与记录层中所含的元素共同的元素(本发明中为元素M)的氧化物，就可以有效地抑制记录层与氧化物层的膜剥离，因此就可以实现耐湿性优良的可靠性高的信息记录介质。
本发明的信息记录介质的制造方法是含有能够利用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层、与所述记录层相接的氧化物层的信息记录介质的制造方法，包括：
(i)使用含有Ge、Bi、Te及元素M(M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素。)的第一溅射靶，利用溅射法制作含有以下述式子：
GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)
(α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的Ge-Bi-Te-M系材料的所述记录层的工序；
(ii)使用含有元素M及元素M的氧化物的至少任一方的第二溅射靶，利用溅射法制作含有至少一种所述记录层中所含的元素M的氧化物的所述氧化物层的工序。
本发明的信息记录介质的制造装置是上述的本发明的制造方法中所用的装置，具备如下的溅射装置，所述溅射装置包括：电极、所述第一溅射靶或所述第二溅射靶、与所述第一溅射靶或所述第二溅射靶对置配置的基板夹具。
根据本发明的信息记录介质的制造方法及制造装置，可以提供如上所述的可靠性高的本发明的信息记录介质。
附图说明
图1是作为本发明的信息记录介质的一个例子的光盘的剖面图。
图2是作为本发明的信息记录介质的另一个例子的光盘的剖面图。
图3是表示本发明的信息记录介质的制造装置中所用的溅射装置的一个例子的概略图。
具体实施方式
(实施方式一)
下面，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。
使用图1，对本实施方式中所用的盘状的信息记录介质的构造进行说明。图1中，在进行信息的记录、再现之时所用的激光29从覆盖层15侧射入。基板11使用圆盘状、透明且表面平滑的材料。例如可以使用聚碳酸酯、PMMA(polymethylmethacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)等树脂板、玻璃板等。也可以在基板表面形成螺旋或同心圆状的连续槽等。
在基板11上，设置第一信息层12。第一信息层12至少具有反射层16、电介质层17、记录层19及电介质层21。
在第一信息层12之上，形成有光学分离层13。光学分离层13只要是对为了在第一信息层12中记录再现信号而照射的激光29的波长是透明的材料即可，具备将第一信息层12与第二信息层14光学地分离的功能。光学分离层13例如可以利用如下等方法来制作，即，利用旋转涂覆形成由紫外线固化树脂等构成的层的方法；利用粘接胶带或紫外线固化树脂等将透明薄膜粘接的方法。在光学分离层13的表面，形成有螺旋或同心圆状的连续槽等。
在光学分离层13上，形成有第二信息层14。第二信息层14至少具有反射层23、电介质层24、记录层26及电介质层28。在第二信息层14上，形成覆盖层15。覆盖层15例如可以利用如下等方法来制作，即，利用旋转涂覆法形成由紫外线固化树脂等构成的层的方法；利用粘接胶带或紫外线固化树脂等将透明薄膜粘接的方法。
电介质层17、24的材料可以使用Al、Cr、Dy、Ga、Hf、In、Nb、Sn、Y、Zn、Si、Ta、Mo、W及Zr等的氧化物；ZnS等硫化物；Al、B、Cr、Ge、Si、Ti、Zr及Ta等的氮化物；Bi、Ce、Dy、Er、Eu及La等的氟化物等。也可以作为混合物，使用ZnS-SiO2、ZrO2-SiO2、ZrO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF3、SnO2-Ga2O3、SnO2-In2O3、ZrO2-In2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、HfO2-Cr2O3、HfO2-SiO2、HfO2-SiO2-Cr2O3、SnO2-Nb2O3、SnO2-Si3N4等。对于电介质层17的膜厚，从盘反射率或记录灵敏度的方面考虑，优选为10～40nm，更优选为15～30nm。对于电介质层24的膜厚，从盘反射率或记录灵敏度的方面考虑，优选为5～30nm，更优选为10～22nm。而且，作为ZrO2，也可以使用相对于ZrO2含有3mol％的Y2O3的局部稳定化ZrO2(ZrO2：97mol％、Y2O3：3mol％)或含有8mol％的Y2O3的稳定化ZrO2(ZrO2：92mol％、Y2O3：8mol％)。
电介质层21、28的材料可以使用Al、Cr、Dy、Ga、Hf、In、Nb、Sn、Y、Zn、Si、Ta、Mo、W及Zr等的氧化物；ZnS等硫化物；Al、B、Cr、Ge、Si、Ti、Zr及Ta等的氮化物；Bi、Ce、Dy、Er、Eu及La等的氟化物等。也可以作为混合物，使用ZnS-SiO2、ZrO2-SiO2、ZrO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3-LaF、SnO2-Ga2O3、SnO2-In2O3、ZrO2-In2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、HfO2-Cr2O3、HfO2-SiO2、HfO2-SiO2-Cr2O3、SnO2-Nb2O3、SnO2-Si3N4等。对于电介质层21的膜厚，从盘反射率或记录灵敏度的方面考虑，优选为40～80nm，更优选为55～75nm。对于电介质层28的膜厚，从盘反射率或记录灵敏度的方面考虑，优选为25～50nm，更优选为30～45nm。而且，作为ZrO2，也可以使用相对于ZrO2含有3mol％的Y2O3的局部稳定化ZrO2或含有8mol％的Y2O3的稳定化ZrO2。
本实施方式中，在第一信息层12中，在电介质层21与记录层19之间设有界面层20，在记录层19与电介质层17之间设有界面层18。另外，在第二信息层14中，在电介质层28与记录层26之间设有界面层27，在记录层26与电介质层24之间设有界面层25。与记录层相接地设置的这些界面层(氧化物层)含有至少一种记录层中所含的元素M的氧化物。而且，所谓元素M是选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，以下所示的元素M也相同。通过使用此种材料来形成界面层，就可以抑制记录层与界面层之间的膜剥离，可以形成可靠性高的信息记录介质。界面层中的元素M的氧化物的含量优选超过10mol％(例如在12mol％以上或15mol％以上)，更优选在20mol％以上。另外，界面层中的元素M的氧化物的含量优选在90mol％以下，更优选在80mol％以下。界面层既可以仅由元素M的氧化物形成，也可以由元素M的氧化物和其他元素的氧化物的混合物形成。作为其他元素的氧化物，例如优选使用选自Zr氧化物、Si氧化物、Cr氧化物、Hf氧化物及Y氧化物中的至少一种氧化物。另外，在记录层中所含的元素M存在多种的情况下，与该记录层相接的界面层只要含有该记录层中所含的元素M中的至少一种元素的氧化物即可。作为混合物，例如也可以使用ZrO2-In2O3、ZrO2-Mn3O4、ZrO2-Al2O3、ZrO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Mn3O4、ZrO2-SiO2-Al2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3-In2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3-Al2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3-Mn3O4、ZrO2-SiO2-Cr2O3-Ga2O3、ZrO2-Y2O3-In2O3、ZrO2-Y2O3-Al2O3、ZrO2-Y2O3-Mn3O4、ZrO2-Y2O3-Ga2O3、ZrO2-SiO2-HfO2-In2O3、ZrO2-SiO2-HfO2-Al2O3、ZrO2-SiO2-HfO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-HfO2-Mn3O4、ZrO2-Y2O3-SiO2-Ga2O3、ZrO2-Y2O3-SiO2-Mn3O4、ZrO2-Y2O3-SiO2-Al2O3、ZrO2-Y2O3-SiO2-In2O3、ZrO2-Y2O3-In2O3-Cr2O3、ZrO2-Y2O3-Al2O3-Cr2O3、ZrO2-Y2O3-Mn3O4-Cr2O3、ZrO2-Y2O3-Ga2O3-Cr2O3等。界面层18、20、25、27的膜厚优选为1～10nm，更优选为3～7nm。而且，作为ZrO2，也可以使用相对于ZrO2含有3mol％的Y2O3的局部稳定化ZrO2或含有8mol％的Y2O3的局部稳定化ZrO2。
而且，本实施方式中，虽然在记录层的两面分别设有界面层，然而并不限定于此，例如在第一信息层12的情况下，也可以仅设于电介质层21与记录层19之间或者记录层19与电介质层17之间的一方。对于第二信息层14也相同。
本发明的记录层19、26是使用含有以Te、Ge、Bi及元素M作为主成分的相变材料(Ge-Bi-Te-M系材料)的材料形成的。元素M如上说明所示。对于记录层19、26的材料，例如可以举出Ge-Te-Bi-In、Ge-Te-Bi-Al、Ge-Te-Bi-Ga、Ge-Te-Bi-Mn、Ge-Te-Bi-In-Sn、Ge-Te-Bi-Al-Sn、Ge-Te-Bi-Ga-Sn、Ge-Te-Bi-Mn-Sn、Ge-Te-Bi-In-Ag、Ge-Te-Bi-Al-Ag、Ge-Te-Bi-Ga-Ag、Ge-Te-Bi-Mn-Ag、Ge-Te-Bi-In-Au、Ge-Te-Bi-Al-Au、Ge-Te-Bi-Ga-Au、Ge-Te-Bi-Mn-Au等。具体来说，可以使用其组成以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)(25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。)表示的材料。而且，以下所示的α、β及γ的数值范围也相同。记录层19的膜厚从反射率的方面考虑优选为8～18nm。另外，记录层26的膜厚从透过率的方面考虑优选为5～12nm。
在反射层16、23中，可以使用以Ag、Au、Al等金属元素为主成分的材料。另外，也可以使用在这些元素中添加了Mg、Ca、Cr、Nd、Pd、Cu、Ni、Co、Pt、Ga、Dy、In、Nb、V、Ti、La、Bi、Ce、Pr、Sm、Gd、Tb、Y、Zn、Mo、W、Ta、Nb、Fe等元素的Ag合金、Al合金。反射层16的膜厚从反射率的方面考虑优选为50～160nm，更优选为60～100nm。反射层23的膜厚从透过率的方面考虑优选为6～15nm，更优选为7～12nm。
在高折射率层22中，可以使用以Ti、Nb的氧化物、氮化物或其混合物作为主成分的材料。这些材料的特征是，在进行信息的记录再现的激光的波长400nm下的折射率大于电介质层17、21、24、28及界面层18、20、25、27，这样就可以实现高透过率。例如对于TiO2，波长400nm下的折射率为2.7，然而在电介质层中所用的ZnS-20mol％SiO2的折射率为2.3，界面层中所用的ZrO2-50mol％In2O3的折射率为2.2。高折射率层22从透过率的方面考虑优选为10～30nm，更优选为15～25nm。而且，“ZnS-20mol％SiO2”表示80mol％的ZnS和20mol％的SiO2的混合物，“ZrO2-50mol％In2O3”表示50mol％的ZrO2和50mol％In2O3的混合物。即，本说明书中，有时将(100-X)mol％的A化合物与Xmol％的B化合物的混合物表述为“A-Xmol％B”或“(A)(100-X)(B)X”。
作为电介质层、记录层、反射层、界面层、高折射率层的形成方法，通常来说应用电子束蒸镀法、溅射法、CVD法、激光溅射法等。根据所要溅射的材料，使用DC、RF溅射等最佳的方法。虽然根据靶材料而不同，然而一般来说，电介质层及界面层利用RF溅射来进行成膜，记录层及反射层利用DC溅射来进行成膜，发明人所用的高折射率层利用DC溅射来进行成膜。虽然在被溅射的膜的组成与溅射靶的组成之间，有时会因溅射装置或溅射条件而产生组成偏差，但是由于在发明人所研究的溅射装置或溅射条件下难以产生组成偏差，因此为了获得所需的组成的溅射膜，可以使用与所需的膜的组成相同组成的溅射靶。所以，为了利用溅射来形成记录层19、26，可以使用作为所需的膜的组成的以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)表示的组成的溅射靶(第一溅射靶)。具体来说，例如可以使用Ge44Bi4Te51Ga1(原子％)、Ge44Bi4Te51Mn1(原子％)、Ge44Bi4Te51In1(原子％)、Ge44Bi4Te51Al1(原子％)等组成的溅射靶来制作记录层19、26。另外，为了溅射界面层18、20、25、27，例如可以使用将记录层19、26中所含的元素M的氧化物与选自Zr氧化物、Si氧化物、Cr氧化物、Hf氧化物及Y氧化物中的至少一种氧化物混合了的组成的溅射靶(第二溅射靶)。具体来说，例如可以使用ZrO2-50mol％In2O3、ZrO2-50mol％Al2O3、ZrO2-50mol％Mn3O4、ZrO2-50mol％Ga2O3等组成的溅射靶。作为溅射中所必需的溅射气体，可以使用以Ar为代表的惰性气体，另外也可以将氧气、氮气等作为添加气体使用。
而且，作为本发明的信息记录介质的制造装置，例如可以使用具备了包括电极、第一溅射靶或第二溅射靶、与这些溅射靶对置配置的基板夹具的溅射装置的制造装置。通过使用此种装置，就可以在配置于基板夹具上的基板上，形成构成本发明的信息记录介质的记录层或界面层。图3中表示溅射装置的一个例子。而且，为了制作本发明的信息记录介质而使用的溅射装置并不限定于此。如图3所示，该溅射装置中，在真空容器31上穿过排气口32连接有真空泵(未图示)，从而可以将真空容器31内保持为高真空。可以从气体供给口33，供给一定流量的气体。基板35(这里的所谓基板是指用于堆积膜的基材。)放置于阳极(电极、基板夹具)34上。通过将真空容器31接地，而将真空容器31及基板35保持为阳极。溅射靶36与阴极(电极)37连接，经由开关(未图示)与电源连接。通过向阳极34与阴极37之间施加规定的电压，就可以利用从溅射靶36中发射的粒子在基板35上形成薄膜。
另外，本实施方式中，虽然对夹隔着光学分离层13层叠了2个信息层12、14的构成的信息记录介质进行了叙述，但是在信息层为1个的情况下(图1中，仅为基板1、第一信息层2、覆盖层9的构成的情况；或仅为基板1、第二信息层4、覆盖层9的构成的情况)，也可以通过在记录层及界面层中使用与本实施方式中所说明的材料相同的材料，来获得相同的效果。另外，对于如图2所示的具备了3层以上的信息层的信息记录介质，也可以通过在至少一个信息层中，在记录层及界面层中使用与本实施方式中所说明的材料相同的材料，来获得相同的效果。
实施例
下面，使用实施例对本发明进行进一步详细说明。
(比较例1)
使用图1和表1对比较例1的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以100nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以25nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。该情况下，未设置图1所示的界面层18。接下来，在第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合在表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而将紫外线固化树脂固化后，将聚碳酸酯基板剥离，从而，形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以24nm的厚度形成作为高折射率层22的TiO2膜，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层的反射层16为相同的材料组成的Ag合金膜，以18nm的厚度形成作为电介质层24的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以7nm的厚度形成作为记录层26的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层27的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以35nm的厚度形成作为电介质层28的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，比较例1的信息记录介质表示了在相当于本发明的氧化物层的界面层中不含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况。
[表1]
(比较例2)
使用图1和表2对比较例2的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以80nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以20nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层18的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51Al1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。接下来，在第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而将紫外线固化树脂固化后，通过将聚碳酸酯基板剥离，形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以23nm的厚度形成作为高折射率层22的TiO2膜，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层12的反射层24是相同的材料组成的Ag合金膜，以13nm的厚度形成作为电介质层24的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层25的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以7nm的厚度形成作为记录层26的Ge44Bi4Te51Al1膜，以5nm的厚度形成作为界面层27的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以35nm的厚度形成作为电介质层28的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，比较例2的信息记录介质表示了在界面层中不含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况。
[表2]
Figure A20068005209500141
(实施例1)
使用图1和表3对实施例1的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成有间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以80nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以20nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层18的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。接下来，在第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而将紫外线固化树脂固化后，将聚碳酸酯基板剥离，从而形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以23nm的厚度形成作为高折射率层22的TiO2膜，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层12的反射层24是相同的材料组成的Ag合金膜，以13nm的厚度形成作为电介质层25的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层26的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以7nm的厚度形成作为记录层27的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层28的ZrO2-25mol％SiO2-50mol％Ga2O3膜，以35nm的厚度形成作为电介质层29的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，实施例1的信息记录介质表示了在界面层中含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况(记录层中的Ga和界面层中的Ga2O3)。
[表3]
Figure A20068005209500161
(实施例2)
使用图1和表4对实施例2的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成有间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以80nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以20nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层18的ZrO2-Xmol％Ga2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的ZrO2-Xmol％Ga2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。接下来，在第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而将紫外线固化树脂固化后，将聚碳酸酯基板剥离，从而形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以23nm的厚度形成作为高折射率层22的TiO2膜，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层12的反射层16是相同的材料组成的Ag合金膜，以13nm的厚度形成作为电介质层24的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层25的ZrO2-Xmol％Ga2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以7nm的厚度形成作为记录层26的Ge44Bi4Te51Ga1膜，以5nm的厚度形成作为界面层27的ZrO2-Xmol％Ga2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以35nm的厚度形成作为电介质层28的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，实施例2的信息记录介质表示了在界面层中含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况(记录层中的Ga和界面层中的Ga2O3)。本实施例中，使界面层18、20、25、27中的Ga2O3的含量(X的值)变化为0、10、12、15、20、30、40、50、60、70、80、90mol％，制作了研究界面层的组成依赖性的12种样品(样品2-1～2-12)。
[表4]
Figure A20068005209500171
(实施例3)
使用图1和表5对实施例3的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以80nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以20nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层18的ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51In1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。接下来，在第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而将紫外线固化树脂固化后，将聚碳酸酯基板剥离，从而形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以23nm的厚度形成作为高折射率层22的TiO2，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层12的反射层16是相同的材料组成的Ag合金膜，以13nm的厚度形成作为电介质层24的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层25的ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以7nm的厚度形成作为记录层26的Ge44Bi4Te51In1膜，以5nm的厚度形成作为界面层27的ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以35nm的厚度形成作为电介质层28的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，实施例3的信息记录介质表示了在界面层中含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况(记录层中的In和界面层中的In2O3)。本实施例中，使界面层18、20、25、27中的In2O3的含量(X的值)变化为0、10、12、15、20、30、40、50、60、70、80、90mol％，制作了研究界面层的组成依赖性的12种样品(样品3-1～3-12)。
[表5]
Figure A20068005209500181
(实施例4)
使用图1和表6对实施例4的盘状的信息记录介质的构造进行详细说明。作为基板11，使用了在表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的直径120mm、厚1.1mm的聚碳酸酯基板。在该基板上，分别利用磁控溅射法以80nm的厚度形成作为反射层16的Ag合金膜，以20nm的厚度形成作为电介质层17的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层18的[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以12nm的厚度形成作为记录层19的Ge44Bi4Te51In1膜，以5nm的厚度形成作为界面层20的[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以65nm的厚度形成作为电介质层21的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第一信息层12。接下来，在刚才的第一信息层12上涂布紫外线固化树脂，在其上贴合表面形成了间距0.3μm、槽深20nm的凹凸的导引槽的半径120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线而固化后，将聚碳酸酯基板剥离，从而形成了在表面转印了槽的厚25μm的光学分离层13。接下来，在光学分离层13上，分别利用磁控溅射法以23nm的厚度形成作为第二信息层14的高折射率层22的TiO2膜，以10nm的厚度形成作为反射层23的与第一信息层12的反射层16是相同的材料组成的Ag合金膜，以13nm的厚度形成作为电介质层24的ZrO2-20mol％Cr2O3膜，以5nm的厚度形成作为界面层25的[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以7nm的厚度形成作为记录层26的Ge44Bi4Te51In1膜，以5nm的厚度形成作为界面层27的[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(在0≤X≤90的范围中进行各种变化)膜，以35nm的厚度形成作为电介质层28的ZnS-20mol％SiO2膜，形成了第二信息层14。接下来，利用旋转涂覆法形成了厚0.1mm的覆盖层15。即，实施例4的信息记录介质表示了在界面层中含有记录层中所含的元素中的至少一种元素的氧化物的情况(记录层中的In和界面层中的In2O3)。本实施例中，使界面层18、20、25、27中的In2O3的含量(X的值)变化为0、10、12、15、20、30、40、50、60、70、80、90mol％，制作了研究界面层的组成依赖性的12种样品(样品4-1～4-12)。
[表6]
Figure A20068005209500201
对实施例1及比较例1、2的盘，进行了在90℃、相对湿度80％环境下放置后的膜腐蚀(剥离)状态的光学显微镜观察。该判定是在90℃、相对湿度80％的环境下放置了100小时(h)后，通过计数光学显微镜的每一个视野中的腐蚀数进行的。为了满足作为商品的寿命在室温条件下为30年的条件，腐蚀数的数目越少越好，目标是达到0个。针对膜腐蚀，还继续进行了50h后、200h后的膜腐蚀状态的观察，比较了耐久性的差别。不用说在更长时间的试验中腐蚀少的一方可靠性更高，发明人也以此为目标。所以，不仅要考虑经过100h后的腐蚀数，还要考虑经过200h后的腐蚀数，例如对于虽然经过100h后可以看到腐蚀但是经过200h后则看不到腐蚀数的大幅度的增加的情况，也可以判断为能够获得膜剥离抑制效果。
将实施例1与比较例1、2的盘的膜腐蚀试验结果表示于表7(第一信息层的结果)、表8(第二信息层的结果)中。
[表7]
  第一信息层   比较例1   比较例2   实施例1
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数   10   5   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数   ＞50   30   0
[表8]
  第一信息层   比较例1   比较例2   实施例1
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数   5   1   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数   30   5   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数   ＞50   20   0
根据表7、表8，在像比较例1那样使用了以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)表示的Ge-Bi-Te-M系材料(本比较例中作为M选择Ga)，并且作为界面层未使用含有元素M的氧化物的氧化物层的情况下，在膜腐蚀试验中，在第一信息层中从100h后起可以观察到腐蚀(剥离)，在第二信息层中从50h后起可以观察到腐蚀(剥离)。另外，在像比较例2那样使用了以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)表示的Ge-Bi-Te-M系材料(本比较例中作为M选择Al)，并且作为界面层使用了含有记录层中所不含有的元素M的氧化物的氧化物层(本比较例中作为M选择Ga)的情况下，由于记录层中所含的元素M与界面层中所含的元素M相互不同，因此在膜腐蚀试验中，也是在第一信息层中从100h后起可以观察到腐蚀(剥离)，在第二信息层中从50h后起可以观察到腐蚀(剥离)。另外，还可以看到200h后的腐蚀数相对于100h后的腐蚀数的大幅度的增加。
另一方面，在像实施例1那样使用了以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)表示的Ge-Bi-Te-M系材料(本比较例中作为M选择Ga)，并且作为界面层使用了含有元素M的氧化物的氧化物层(本实施例中作为M选择Ga)的情况下，即，在界面层中存在与记录层中所含的元素M相同的元素的氧化物的情况下，在膜腐蚀试验中，直到200h也未产生腐蚀(剥离)，可以得到可靠性高的信息记录介质。
这里，是由于如下的理由，即，在记录层中所含的元素M与界面层中所含的元素M的氧化物是相同元素的情况下，对于耐腐蚀性能来说是具有效果的，虽然尚不清楚明确的理由，但是发明人是如下考虑的。可以认为也许是因为，因在记录层和界面层中含有相同元素，该元素在记录层、界面层之间就会发生混合，即使是很少量的，从而产生记录层-界面层之间在元素水平下的相连，提高了记录层-界面层之间的密接性。另外，可以推测，因界面层中所含的元素M与记录层中所含的元素M相同，因而即使在使用时界面层中所含的元素M向记录层中移动了的情况下，由于元素M是预先包含于记录层中的元素，因此很难产生记录层的急剧的特性劣化。即，可以推测，如果利用本发明的信息记录介质，则可以抑制长时间使用后的特性劣化。
下面，将研究了实施例2的界面层中的元素M的氧化物的比例与可靠性的关系的结果表示于表9(第一信息层的结果)、表10(第二信息层的结果)中。
[表9]
(第一信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   20   10   5   2   0   0   0   0   0   0   0   1
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   20   10   5   5   0   0   0   0   0   3   5
[表10]
(第二信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   20   5   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   ＞50   25   5   0   0   0   0   0   0   0   0   10
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   20   0   0   0   5   10   20
另外，将研究了实施例3的界面层中的元素M的氧化物的比例与可靠性的关系的结果表示于表11(第一信息层的结果)、表12(第二信息层的结果)中。
[表11]
(第一信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   20   10   5   2   0   0   0   0   0   0   0   3
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   20   10   5   7   0   0   0   0   0   5   10
[表12]
(第二信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   20   5   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   ＞50   25   5   0   0   0   0   0   0   0   0   10
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   25   0   0   0   7   15   20
另外，将研究了实施例4的界面层中的元素M的氧化物的比例与可靠性的关系的结果表示于表13(第一信息层的结果)、表14(第二信息层的结果)中。
[表13]
(第一信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   20   15   5   3   0   0   0   0   0   0   0   3
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   20   15   7   10   0   0   0   0   0   5   10
[表14]
(第二信息层)
  元素M的氧化物比例(mol％)   0   10   12   15   20   30   40   50   60   70   80   90
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)50h后的腐蚀数(个)   20   10   0   0   0   0   0   0   0   0   0   0
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后的腐蚀数(个)   ＞50   30   10   5   0   0   0   0   0   0   0   15
  腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后的腐蚀数(个)   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   ＞50   25   0   0   0   7   10   20
根据表9可以确认，在实施例2的第一信息层中，因在界面层中含有元素M的氧化物(Ga2O3)，腐蚀数被减少，即使经过长时间后，腐蚀数也未大幅度增加，另外，通过超过10mol％地含有Ga2O3，可以更为可靠地减少腐蚀数。另外确认，在界面层的组成为ZrO2-Xmol％Ga2O3(20≤X≤80mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，未产生腐蚀(剥离)，另外，在为ZrO2-Xmol％Ga2O3(30≤X≤70mol％)的范围中，在膜腐蚀试验90℃、相对湿度80％、200h后，也没有腐蚀(剥离)。
根据表10，在实施例2的第二信息层中，在界面层的组成为ZrO2-Xmol％Ga2O3(20≤X≤80mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，没有腐蚀(剥离)。另外，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后，在ZrO2-Xmol％Ga2O3(40≤X≤60mol％)的范围中，没有腐蚀(剥离)。
根据表11可以确认，在实施例3的第一信息层中，因在界面层中含有元素M的氧化物(In2O3)，腐蚀数被减少，即使经过长时间，腐蚀数也未大幅度增加，另外，通过超过10mol％地含有In2O3，可以更为可靠地减少腐蚀数。另外，在界面层的组成为ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(20≤X≤80mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，没有腐蚀(剥离)。另外，在为ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(30≤X≤70mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后，也没有腐蚀(剥离)。
根据表12，在实施例3的第二信息层中，在界面层的组成为ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(20≤X≤80)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，没有腐蚀(剥离)。在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后，在ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(40≤X≤60mol％)的范围中，没有腐蚀(剥离)。
根据表13可以确认，在实施例4的第一信息层中，因在界面层中含有元素M的氧化物(In2O3)，腐蚀数被减少，即使经过长时间，腐蚀数也未大幅度增加，另外，通过超过10mol％地含有In2O3，可以更为可靠地减少腐蚀数。另外，在界面层的组成为[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(20≤X≤80mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，没有腐蚀(剥离)。另外，在为[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(30≤X≤70mol％)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后，也没有腐蚀(剥离)。
根据表14，在实施例4的第二信息层中，在界面层的组成为[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(20≤X≤80)的范围中，在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)100h后，也没有腐蚀(剥离)。在膜腐蚀试验(90℃、相对湿度80％)200h后，在[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3(40≤X≤60)的范围中，没有腐蚀(剥离)。
如上所述，根据实施例2～4的结果可以确认，通过使界面层含有记录层中所含的元素M的氧化物，就可以减少腐蚀数，特别是可以有效地抑制经过长时间后的腐蚀数的增加。另外，通过使界面层超过10mol％地含有元素M的氧化物，可以实现更为有效的腐蚀数的减少。在ZrO2-Xmol％Ga2O3、ZrO2-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3、[46(ZrO2)-4(Y2O3)]-[(100-X)/2]mol％SiO2-Xmol％In2O3中，第一信息层、第二信息层都可以在20≤X≤80的范围中获得良好的可靠性，另外，对于第一信息层，在30≤X≤70mol％中还可以看到可靠性的进一步的提高。另外，对于第二信息层，在40≤X≤60mol％中还可以看到可靠性的进一步的提高。这里，对于第二信息层，虽然在30≤X≤70mol％中得到未与第一信息层相同地看到可靠性的进一步的提高的结果，但是由于即使是在该组成范围中考虑作为商品的寿命的情况下，也可以在室温下保证30年，因此可以判断为充分。第一信息层与第二信息层的膜腐蚀试验的差别可以如下考虑，即，第二信息层一方的各层膜厚与第一信息层相比较薄，这也许会减弱耐湿试验中的水分向记录层-界面层中的侵入阻止效果。根据该结果可知，在界面层中的元素M的氧化物的混合量中有最佳值，该值为20≤X≤80mol％，更为最佳的混合量是30≤X≤70mol％。
本实施例1、2、3、4中，虽然对记录层中的元素M及界面层中的元素M的氧化物分别为Ga、Ga氧化物、In、In氧化物的情况进行了叙述，但是如技术方案1中所述，在元素M为Al、Mn时也可以获得相同的结果。
另外，虽然在实施例1、2中对作为构成界面层的氧化物的在Zr氧化物中混合了元素M的氧化物的情况进行了叙述，在实施例3中对作为构成界面层的氧化物混合了Zr氧化物、SiO2氧化物的情况进行了叙述，在实施例4中对混合了Y氧化物的情况进行了叙述，但是界面层中所用的氧化物并不限定于此，在将选自Zr氧化物、Si氧化物、Cr氧化物、Hf氧化物及Y氧化物中的至少一种氧化物与元素M的氧化物混合使用的情况下，也可以得到相同的结果。
另外，本实施例1、2、3、4中，虽然对在图1的界面层18、20、25、27的全部中都混合有元素M的氧化物的情况进行了叙述，然而对于在界面层18、20中的只是某一方中混合有元素M的氧化物的情况、在界面层25、27中的只是某一方中混合有元素M的氧化物的情况来说，也可以同样地在膜腐蚀试验中获得良好的结果。另外，即使界面层18、20、25、27全是相互不同的组成，也可以同样地在膜腐蚀试验中获得良好的结果。例如为界面层18/记录层19/界面层20依次为(ZrO2)25(SiO2)25(In2O3)50/Ge-Bi-Te-In/(ZrO2)25(In2O3)50，界面层25/记录层26/界面层27依次为(ZrO2)40(SiO2)10(In2O3)50/Ge-Bi-Te-In/(ZrO2)60(In2O3)30的情况等。
另外，如果是本发明的信息记录介质的记录层组成范围(以GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)表示的Ge-Bi-Te-M系材料)，则在高速记录中作为寿命试验前的信号特性来说是良好的，另外与实施例1、2、3、4相同，膜腐蚀试验可以得到良好的结果。
而且，本实施例1、2、3、4中，虽然对于电介质层21、28为ZnS-SiO2的情况进行了说明，但是在电介质层21、28是含有选自作为本实施例以外的组成的Al2O3、SiO2、Ta2O5、Mo-O、WO3、ZrO2、HfO2、Al-N、B-N、Ge-N、Si-N、Ti-N、Zr-N、DyF3、EuF3、CeF3、BiF3、LaF3、ZnS中的至少一种的材料，具体来说，在含有Ta2O5-50mol％SiO2、HfO2-30mol％SiO2-40mol％Cr2O3、AlN-50mol％SnO2、ZrO2-20mol％SiO2-30mol％Cr2O3-20mol％LaF3、CeF3-80mol％In2O3等的情况下也可以得到相同的结果。
而且，本实施例1、2、3、4中，虽然对反射层16和反射层23由Ag合金形成的情况进行了说明，但是反射层16、23作为主成分(90原子％以上)含有选自本实施例以外的组成的Ag、Al及Au中的至少一种材料的情况下，具体来说，是Al-Cr、Ag-Ga-Cu、Ag-Pd-Cu等，也可以得到相同的结果。
而且，本实施例1、2、3、4中，虽然对高折射率层22由Ti的氧化物形成的情况进行了说明，然而在高折射率层22作为主成分含有选自本实施例以外组成的TiO2、Nb2O5的氧化物中的至少一种材料的情况下，具体来说，是TiO2-10mol％SiO2、TiO2-50mol％Nb2O5等，也可以得到相同的结果。另外，根据盘构成不同，即使是没有该高折射率层的构成，也可以得到相同的结果。
而且，本实施例1、2、3、4中，虽然对夹隔着光学分离层层叠了2个信息层的构成的信息记录介质进行了叙述，但是在信息层为1个的情况下(图2中，仅为基板1、第一信息层2和覆盖层9的构成的情况；或者仅为基板1、第二信息层4和覆盖层9的构成的情况)，也可以得到相同的结果。
工业上的利用可能性
本发明的信息记录介质及其制造方法以及其制造装置由于可以实现耐湿性优良的可靠性高的信息记录介质，因此例如在Blu-ray盘等高速化记录中，从其可靠性提高的观点考虑是有用的。

Claims (9)

1.一种信息记录介质，它是包含：能够利用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层、与所述记录层相接的氧化物层的信息记录介质，其特征在于，
所述记录层含有以下述式子：
GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)
表示的Ge-Bi-Te-M系材料，
所述氧化物层含有至少一种所述记录层中所含的元素M的氧化物，
所述M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，所述α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，所述氧化物层中的元素M的氧化物的含有比例超过10mol％。
3.根据权利要求2所述的信息记录介质，其特征在于，所述氧化物层中的元素M的氧化物的含有比例在20mol％以上、80mol％以下。
4.根据权利要求3所述的信息记录介质，其特征在于，所述氧化物层中的元素M的氧化物的含有比例在30mol％以上、70mol％以下。
5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，所述氧化物还含有选自Zr氧化物、Si氧化物、Cr氧化物、Hf氧化物及Y氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
包含多个信息层，
所述多个信息层的至少一个信息层包含所述记录层及所述氧化物层。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其特征在于，
从激光入射侧开始，至少依次设有电介质层、所述记录层及反射层，
所述氧化物层被设于所述电介质层与所述记录层之间、或所述记录层与所述反射层之间，或者，所述电介质层与所述记录层之间、和所述记录层与所述反射层之间。
8.一种信息记录介质的制造方法，它是包含：能够利用光学的途径或电气的途径引起可以检测的相变的记录层、与所述记录层相接的氧化物层的信息记录介质的制造方法，包括：
(i)使用含有Ge、Bi、Te及元素M的第一溅射靶，利用溅射法制作含有以下述式子：
GeαBiβTeγM100-α-β-γ(原子％)
表示的Ge-Bi-Te-M系材料的所述记录层的工序，
所述M表示选自Al、Ga、In及Mn中的至少一种元素，所述α、β及γ满足25≤α≤60、0＜β≤18、35≤γ≤55、82≤α+β+γ＜100；
(ii)使用含有元素M及元素M的氧化物的至少任一方的第二溅射靶，利用溅射法制作含有至少一种所述记录层中所含的元素M的氧化物的所述氧化物层的工序。
9.一种信息记录介质的制造装置，它是权利要求8所述的制造方法中所用的信息记录介质的制造装置，其特征在于，
具备如下的溅射装置，所述溅射装置包括：电极、所述第一溅射靶或所述第二溅射靶、与所述第一溅射靶或所述第二溅射靶对置配置的基板夹具。
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