CN101323451A - 一种三硅化五钨粉末的制备方法 - Google Patents

一种三硅化五钨粉末的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101323451A
CN101323451A CNA2008100230027A CN200810023002A CN101323451A CN 101323451 A CN101323451 A CN 101323451A CN A2008100230027 A CNA2008100230027 A CN A2008100230027A CN 200810023002 A CN200810023002 A CN 200810023002A CN 101323451 A CN101323451 A CN 101323451A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
producing
ball milling
time
argon gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2008100230027A
Other languages
English (en)
Inventor
冯培忠
王晓虹
强颖怀
王振中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
China University of Mining and Technology CUMT
Original Assignee
China University of Mining and Technology CUMT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by China University of Mining and Technology CUMT filed Critical China University of Mining and Technology CUMT
Priority to CNA2008100230027A priority Critical patent/CN101323451A/zh
Publication of CN101323451A publication Critical patent/CN101323451A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

一种三硅化五钨粉末的制备方法,将钨粉和硅粉按照摩尔比5∶3混合均匀,然后装入密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.1~-0.001MPa,然后充入氩气,进行50~150min的球磨处理;将球磨后的粉末在室温氩气气氛中进行6~12h的静置;然后在500~600℃,或为1000~1200℃保护气氛,或-0.1~-0.001MPa真空中进行30~60min退火处理,得到三硅化五钨粉末。利用机械合金化结合热处理的方法,不仅缩短了球磨时间,退火温度低,避免了非晶转变,而且方法简单、省时、节能。

Description

一种三硅化五钨粉末的制备方法
技术领域
本发明涉及一种制取化合物粉末的方法,尤其是涉及一种三硅化五钨粉末的制备方法。
背景技术
W5Si3是一种非常有前景的高温结构材料和电极材料。W5Si3的熔点高达2320℃,W5Si3的绝热温度只有966K,不能通过常温自蔓延点火的方法合成。
机械合金化的机理为:通过磨球与磨球之间、磨球与料罐之间的碰撞,使粉末产生塑性变形和加工硬化而被破碎,这些被破碎的粉末在随后的球磨过程中又发生冷焊,然后再次被破碎,如此反复的破碎和混合,不同组元的原子相互渗入,从而达到合金化的目的。机械合金化最大的不足是球磨时间长,Fei GT,et al,Journal of Alloysand Compounds,1995,229:280-282公开的通过单纯的机械合金化制备WSi2方法,其球磨时间长达到300小时,并且发生了非晶转变,需要对机械合金化之后的粉末进行真空高温退火处理才能获得最终的材料。
单纯的粉末反应烧结合成工艺温度高,元素粉末难以发生完全反应。
中国专利CN1557724A公布了一种制备二硅化钨粉末的方法,但是需要通过高放热体系TiC作为辅助,浪费资源。《中国钨业》,2005,20(4):39-41中公开了通过高放热体系辅助三硅化五钨自蔓延合成的方法得到W5Si3,同样存在浪费资源的现象。
发明内容
本发明的目的是针对已有技术中存在的问题,提供一种方法简单,效果好,节省资源,获得产品速度快的三硅化五钨粉末的制备方法。
本发明的制取三硅化五钨粉末的方法:
a、取钨粉和硅粉按照摩尔比5∶3混合均匀;
b、将钨硅混合粉末装入一个密封的球磨罐中,抽真空后充入氩气,进行一段时间的球磨;
c、对球磨后的粉末在室温下氩气气氛中进行一段时间的静置;
d、对在氩气气氛中静置后的粉末在一定范围内加温一段时间保护气氛、或在一定压力的真空中进行退火处理,获得三硅化五钨粉末。
所述的钨粉纯度大于98%、粒度小于10微米;所述的硅粉纯度大于98%、粒度小于74微米;所述抽真空的压力为-0.1~-0.001MPa;所述进行一段球磨的时间为50~150min;所述室温下氩气气氛中进行一段时间的静置时间为6-12h;所述对氩气气氛处理后的粉末一定范围内加温的温度为500~600℃,或为1000~1200℃。所述在真空中进行退火处理,其真空为-0.1~-0.001MPa,时间为30~60min。
本发明与已有技术相比的有益效果是:以钨粉和硅粉为原料,利用机械合金化结合热处理的方法快速制备三硅化五钨粉末,不仅缩短了球磨时间,退火温度低,避免了非晶转变,而且方法简单、省时、节能。
具体实施方式
实施例一、首先将纯度为99%、粒度为3.3微米的钨粉和纯度为99%、粒度为20微米的硅粉按照摩尔比5∶3配料并混合均匀,然后装入一个密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.1MPa后充入氩气,进行30min球磨活化处理,在室温下氩气气氛中静置6h,然后在-0.1MPa真空中进行1200℃保温30min的退火处理,得到了三硅化五钨粉末。
实施例二、首先将纯度为99%、粒度为5微米的钨粉和纯度为98%、粒度为38微米的硅粉按照摩尔比5∶3配料并混合均匀,然后装入一个密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.01MPa后充入氩气,进行40min球磨活化处理,在室温下氩气气氛中静置8h,然后在-0.01MPa真空中进行1100℃保温40min的退火处理,得到了三硅化五钨粉末。
实施例三、首先将纯度为98%、粒度为8微米的钨粉和纯度为98%、粒度为44微米的硅粉按照摩尔比5∶3配料并混合均匀,然后装入一个密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.1MPa后充入氩气,进行50min球磨活化处理,在室温下氩气气氛中静置10h,然后在-0.001MPa真空中进行1000℃保温50min的退火处理,得到了三硅化五钨粉末。
实施例四、首先将纯度为99%、粒度为10微米的钨粉和纯度为98%、粒度为74微米的硅粉按照摩尔比5∶3配料并混合均匀,然后装入一个密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.1MPa后充入氩气,进行60min球磨活化处理,在室温下氩气气氛中静置12h,然后在-0.001MPa真空中进行600℃保温60min的退火处理,得到了三硅化五钨粉末。
实施例五、首先将纯度为99%、粒度为10微米的钨粉和纯度为98%、粒度为74微米的硅粉按照摩尔比5∶3配料并混合均匀,然后装入一个密封的球磨罐中,将球磨罐抽真空到-0.001MPa后充入氩气,进行60min球磨活化处理,在室温下氩气气氛中静置10h,然后在氩气气氛中进行500℃保温60min的退火处理,得到了三硅化五钨粉末。

Claims (8)

1、一种制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:
a、取钨粉和硅粉按照摩尔比5∶3混合均匀;
b、将钨硅混合粉末装入一个密封的球磨罐中,抽一定压力的真空后充入氩气,进行一段时间的球磨;
c、对球磨后的粉末在室温下氩气气氛中静置一段时间;
d、对在氩气气氛中静置后的粉末在一定范围内加温一段时间保护气氛、或在一定压力的真空中进行退火处理,获得三硅化五钨粉末。
2.根据权利要求1所述的制取二硅化钨粉末的方法,其特征在于:所述的钨粉纯度大于98%、粒度小于10微米。
3.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述的硅粉纯度大于98%、粒度小于74微米。
4.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述一定压力的真空为-0.1~-0.001MPa。
5.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述进行一段球磨的时间为50~150min。
6.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述对球磨后的粉末进行室温氩气气氛的静置时间为6~12h。
7.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述对氩气气氛处理后的粉末一定范围内加温的温度为500~600℃,或为1000~1200℃。
8.根据权利要求1所述的制取三硅化五钨粉末的方法,其特征在于:所述在真空中进行退火处理的一段时间为30~60min。
CNA2008100230027A 2008-07-05 2008-07-05 一种三硅化五钨粉末的制备方法 Pending CN101323451A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100230027A CN101323451A (zh) 2008-07-05 2008-07-05 一种三硅化五钨粉末的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2008100230027A CN101323451A (zh) 2008-07-05 2008-07-05 一种三硅化五钨粉末的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101323451A true CN101323451A (zh) 2008-12-17

Family

ID=40187182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2008100230027A Pending CN101323451A (zh) 2008-07-05 2008-07-05 一种三硅化五钨粉末的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101323451A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103269815A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 昭和电工株式会社 钨粉、电容器的阳极体和电解电容器
EP2770517A4 (en) * 2011-10-18 2015-09-30 Showa Denko Kk METHOD FOR MANUFACTURING ANODE OF A CAPACITOR
CN105541337A (zh) * 2015-12-25 2016-05-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种多金属硅化物粉体及其制备方法
CN105861914A (zh) * 2016-04-12 2016-08-17 陈雪琴 一种耐热抗疲劳的玻璃模具材料及其制备方法
CN114538450A (zh) * 2020-11-27 2022-05-27 有研工程技术研究院有限公司 一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103269815A (zh) * 2010-12-24 2013-08-28 昭和电工株式会社 钨粉、电容器的阳极体和电解电容器
US20130277626A1 (en) * 2010-12-24 2013-10-24 Showa Denko K.K. Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor
CN103269815B (zh) * 2010-12-24 2015-04-01 昭和电工株式会社 钨粉、电容器的阳极体和电解电容器
US9053860B2 (en) * 2010-12-24 2015-06-09 Showa Denko K.K. Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor
EP2656947A4 (en) * 2010-12-24 2016-05-04 Showa Denko Kk TOLERAMPULVER, POSITIVE ELECTRODE BODY FOR CAPACITORS AND ELECTROLYTIC CONDENSER
EP2770517A4 (en) * 2011-10-18 2015-09-30 Showa Denko Kk METHOD FOR MANUFACTURING ANODE OF A CAPACITOR
CN105541337A (zh) * 2015-12-25 2016-05-04 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种多金属硅化物粉体及其制备方法
CN105541337B (zh) * 2015-12-25 2017-12-08 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种多金属硅化物粉体及其制备方法
CN105861914A (zh) * 2016-04-12 2016-08-17 陈雪琴 一种耐热抗疲劳的玻璃模具材料及其制备方法
CN114538450A (zh) * 2020-11-27 2022-05-27 有研工程技术研究院有限公司 一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法
CN114538450B (zh) * 2020-11-27 2023-08-15 有研工程技术研究院有限公司 一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101734630B (zh) 一种高纯碲化镉的制备方法
CN101323451A (zh) 一种三硅化五钨粉末的制备方法
CN102674270A (zh) 一种低温固相反应制备Cu2Se热电材料的方法
CN101264890B (zh) 用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法
CN102344281A (zh) 一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法
CN107828384A (zh) 一种用于高温相变储热材料抗熔盐挥发的芯‑壳结构
CN105493205A (zh) 硫化物固体电解质的制造方法
GB2581903A (en) Uranium carbide pellet, preparation method thereof, and fuel rod
CN103265048A (zh) 一种TiB2超细粉体材料的制备方法
CN107555998A (zh) 高纯度Fe2AlB2陶瓷粉体及致密块体的制备方法
CN100586901C (zh) 氧化镧掺杂氧化钇坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
CN107176589B (zh) 一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法
CN102173395A (zh) 一种简易的氮化钒生产方法
CN102115080A (zh) 一种10b碳化硼及其制备方法
CN101983806A (zh) 一种钨基高比重合金薄板的制备方法
CN100357179C (zh) 一种钛铝碳化物粉料及其以锡为反应助剂的合成方法
CN101693973A (zh) 一种微波烧结制备Nd-Mg-Ni储氢合金的方法及其装置
CN101956110A (zh) 一种低温固相反应制备Mg2BIV基热电材料的方法
CN100465090C (zh) 一种制备钼的硅化物粉末的方法
CN106744969A (zh) 多步热处理法制备碳化硼粉体
CN113480318A (zh) 一种高热导氮化硅陶瓷及其制备方法
CN101798634B (zh) 熔融还原炼镁工艺
CN100577609C (zh) 氧化钇掺杂氟化锂坩埚及其采用热压烧结制坩埚的方法
CN101723700B (zh) 一种用于陶瓷与金属封接的釉料及其制备方法
CN102351222A (zh) 一种低温碳热还原合成氧氮化铝粉末的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20081217