CN102241513A - 碲化铥靶材的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

一种碲化铥靶材的生产工艺的方法,其特征在于包括如下步骤:把原料4N的高纯金属Tm经压制,4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内;软化点1400℃;石英管用王水清洗,再用去离子水洗涤,然后用红外线烘干,石英管内抽至真空,然后加热石英管抽气口,达到熔化后密封石英管;把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热,双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压,密管的一端在加热炉的高温区,使管内温度达到500~650℃,另一端用水冷保持在80~120℃,这样密管内形成两个温区,完成Tm和Te合成化合物TmTe;在密管内合成的化合物TmTe磨成粉末作为压成靶材的原料,本发明碲化铥靶材的生产工艺,可以使TmTe粉末靶材的生产简单安全。

Description

碲化铥靶材的生产工艺
技术领域
本发明涉及碲化铥靶材的生产工艺。
背景技术
碲化铥(TmTe)为Ⅱ-Ⅶ族化合物。铥(Tm)为稀土元素,熔点1595 ℃,沸点1700 ℃。熔点和沸点的差异很小。具有强的金属性,一定的挥发性,在中温500~800 ℃蒸发速率较大。碲(Te)为半金属,熔点449.53 ℃,沸点990 ℃,在高中温的蒸汽压很大,在800 ℃以上,蒸汽压成几何级数增加,具有金属和非金属性能。
Tm和Te的元素反应,至今世界研究较少,连Tm-Te相图还未建立,更缺乏物性结构研究。Tm和Te反应可生成TmTe,TmTe3,Tm2Te5,TmTe2,Tm2Te3五种化合物。
现有的碲化铥靶材的生产工艺有如以下几个难点。
1)Tm为高熔点稀土金属,而Te的熔点很低,蒸汽压很大,只能在中温500~650 ℃下进行气-固、液-固或气-气反应生成TmTe,要保证TmTe成均相,无氧化,必须采用双温区反应密管合成。始终保持管内压力在一个大气压左右,必须制定科学合理的时-温曲线。封管真空度在10-3托以上。并采用冷端消压控制管内蒸发压,TmTe分解压,TmTe生成能之间的关系。
2)Tm在Te熔体内的溶解度是很小的,800 ℃时0.15%,而生成的TmTe熔点极高,阻碍Te与Tm之间的反应。从动力学的观点来看,合成时间很长,而且很难成均相。
3)TmTe在粉末制作、热等静压成型、热处理、切、磨、抛、加工过程极易着火燃烧,必须采取特殊的冷却措施。
发明内容
本发明的目的在于:提供简单安全的一种碲化铥靶材的生产工艺的方法。
    本发明碲化铥靶材的生产工艺包括如下步骤:
1)原料装入密封的石英管
把原料4N(表示纯度为99.99%)的高纯金属Tm经压制,破碎成小块状或粉末,4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内。
石英玻璃管壁厚度为2.5~3.5 mm,直径为Φ35 mm,长度为450 mm,装料量200~350 g,软化点1400 ℃。石英管需用王水清洗,再用去离子水洗涤,然后用红外线烘干,石英管内抽至真空度10-2托,然后加热石英管抽气口,达到熔化后密封石英管(简称密管)。
(2)双温区密管合成
把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热。双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压左右。密管的一端在加热炉的高温区,使管内温度达到500~650 ℃,另一端用水冷保持在80~120 ℃,这样密管内形成两个温区,目的是保持管内的压力维持一个大气压左右。密管分成双温区后,高温区的因金属蒸发气压升高,部分高压蒸汽自然流向低温区,蒸汽凝结,使管内气压下降。保持炉内的压力平稳并完成Tm和Te合成化合物TmTe。
(3)制粉
在密管内合成的化合物TmTe是块状的,磨成粒度为80~180目粉末作为压成靶材的原料。
(4)成形
溅射靶材按不同溅射仪要求不同的形状,一般是圆盘状,所以要把粉末制成规定形状的靶材。最好用真空热等静压工艺,在真空热等静压设备上压制成形,施压60~65 t,热压时间4~6 min,采用有机脱模剂,压模为不锈钢。
(5)热处理
为了使靶材内的晶粒度达到规定的等级,能形成均相等组织上的要求需要热处理。热处理的加热温度取0.4×T熔点,处理时间2~3 h。
(6)切、磨、抛
经压制和热处理后的是坯料,靶材有严格的形状,所以还要经线切割,圆磨、平抛加工,由于这种化合物容易燃烧,加工时要很好冷却或用惰性气氛保护。
(7)TmTe溅射靶材产品规格
1)物理规格:Φ60 mm-0.1×5 mm-0.1
2)相对密度:93%
3)纯度:99.0%,其中杂质Fe、Co、Ni、Zn、Se、S、Al、Mg、Ca、Cu、Ce、La 的含量都要<10 ppm。
本发明碲化铥靶材的生产工艺,可以使TmTe粉末靶材的生产简单安全,在科学技术,光电产业有着重要意义,也具有一定的经济社会意义。
具体实施方式
本发明碲化铥靶材的生产工艺包括如下步骤:
1)原料装入密封的石英管
把第一种原料4N(表示纯度为99.99%)的高纯金属Tm经压制,破碎成小块状或粉末,第二种原料4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内。
石英玻璃管壁厚度为2.5~3.5 mm,直径和长度为Φ35 mm×450 mm,装料量200~350 g,软化点1400 ℃。石英管需用王水清洗,再用去离子水洗涤,然后用红外线烘干,管内只要有一粒灰尘就会降低原料的纯度。用2X-8旋转机械泵和Φ200 mm的油扩散泵组成的真空机组把石英管内抽至真空度10-2托,然后用火加热石英管抽气口,达到熔化后密封石英管(简称密管)。
(2)双温区密管合成
把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热。双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压左右。密管的一端在加热炉的高温区,使管内温度达到500~650 ℃,另一端用水冷保持在80~120 ℃,这样密管内形成两个温区,目的是保持管内的压力维持一个大气压左右。因为在加热过程中,随着温度升高,管内的金属不断蒸发,因为是密管,管内压力不断升高,会使密管炸裂,无法完成两种金属的合成。密管分成双温区后,高温区的因金属蒸发气压升高,部分高压蒸汽自然流向低温区,蒸汽凝结,使管内气压下降。只要按每台炉子的时-温特性曲线,控制管内的反应,保持保持密管内的压力平稳,就能在72 h内顺利完成Tm和Te合成化合物TmTe。
(3)制粉
在密管内合成的化合物TmTe是块状的,用玛瑙球磨管研磨机磨成粒度为80~180目粉末作为压成靶材的原料。
(4)成形
溅射靶材按不同溅射仪要求不同的形状,一般是圆盘状,所以要把粉末制成规定形状的靶材。最好用真空热等静压工艺,在真空热等静压设备上压制成形,施压60~65 t,热压时间4~6 min,采用有机脱模剂,压模为不锈钢。
(5)热处理
为了使靶材内的晶粒度达到规定的等级,能形成均相等组织上的要求需要热处理。热处理的加热温度取0.4×T熔点,处理时间2~3 h。
(6)切、磨、抛
经压制和热处理后的是坯料,靶材有严格的形状,所以还要经线切割,圆磨、平抛加工,由于这种化合物容易燃烧,加工时要很好冷却或用惰性气氛保护。
(7)TmTe溅射靶材产品规格
1)物理规格:Φ60 mm-0.1×5 mm-0.1
2)相对密度:93%
3)纯度:99.0%,其中杂质Fe、Co、Ni、Zn、Se、S、Al、Mg、Ca、Cu、Ce、La 的含量都要<10 ppm。

Claims (2)

1.一种碲化铥靶材的生产工艺的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)原料装入密封的石英管
把原料4N的高纯金属Tm经压制,破碎成小块状或粉末,4N的高纯金属Te也破碎成小块一起装入石英管内;石英玻璃管壁厚度为2.5~3.5 mm,直径为Φ35 mm,长度为450 mm,装料量200~350 g,软化点1400 ℃;石英管用王水清洗,再用去离子水洗涤,然后用红外线烘干,石英管内抽至真空度10-2托,然后加热石英管抽气口,达到熔化后密封石英管;
(2)双温区密管合成
把装好原料的密管放入高温箱式炉内加热,双温区密管合成法是密管内保持在一个大气压,密管的一端在加热炉的高温区,使管内温度达到500~650 ℃,另一端用水冷保持在80~120 ℃,这样密管内形成两个温区,完成Tm和Te合成化合物TmTe;
(3)制粉
在密管内合成的化合物TmTe是块状的,磨成粒度为80~180目粉末作为压成靶材的原料;
(4)成形
溅射靶材按不同溅射仪要求不同的形状,一般是圆盘状,所以要把粉末制成规定形状的靶材;
用真空热等静压工艺,在真空热等静压设备上压制成形,施压60~65 t,热压时间4~6 min,采用有机脱模剂,压模为不锈钢。
2.如权利要求1所述一种碲化铥靶材的生产工艺的方法,其特征在于还包括如下步骤:
成形后溅射靶材再经热处理,热处理的加热温度取0.4×T熔点,处理时间2~3 h;经压制和热处理后的是坯料,还要经线切割,圆磨、平抛加工,由于这种化合物容易燃烧,加工时要冷却或用惰性气氛保护,TmTe溅射靶材产品规格:
1)物理规格:Φ60 mm-0.1×5 mm-0.1;
2)相对密度:93%;
   3)纯度:99.0%,其中杂质Fe、Co、Ni、Zn、Se、S、Al、Mg、Ca、Cu、Ce、La 的含量都要<10 ppm。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637105A (zh) * 2016-12-27 2017-05-10 江西科泰新材料有限公司 硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺
CN109704766A (zh) * 2019-01-21 2019-05-03 江西科泰新材料有限公司 碲化锌掺碲化亚铜靶材的生产工艺
CN113461014A (zh) * 2021-07-30 2021-10-01 江西科泰新材料有限公司 一种二硫化硅的双温区气固合成工艺
CN114105157A (zh) * 2021-12-09 2022-03-01 江西科泰新材料有限公司 砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101671847A (zh) * 2009-10-20 2010-03-17 山东大学 硫族化合物多晶原料的两步合成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101671847A (zh) * 2009-10-20 2010-03-17 山东大学 硫族化合物多晶原料的两步合成方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈玉清等: "电沉积法制备碲靶", 《原子能科学技术》, no. 3, 31 December 1996 (1996-12-31) *
高德友: "碲锌镉单晶体的生长及其性能测定", 《四川大学硕士学位论文》, 31 December 2003 (2003-12-31) *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637105A (zh) * 2016-12-27 2017-05-10 江西科泰新材料有限公司 硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺
CN106637105B (zh) * 2016-12-27 2019-05-24 江西科泰新材料有限公司 硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺
CN109704766A (zh) * 2019-01-21 2019-05-03 江西科泰新材料有限公司 碲化锌掺碲化亚铜靶材的生产工艺
CN113461014A (zh) * 2021-07-30 2021-10-01 江西科泰新材料有限公司 一种二硫化硅的双温区气固合成工艺
CN114105157A (zh) * 2021-12-09 2022-03-01 江西科泰新材料有限公司 砷化硼粉体材料的双温区密管合成技术

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