CN101312904B - 制造微机电元件的方法以及该微机电元件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及微机电元件，例如用于测量例如加速度、角加速度、角速度或其它物理量的微机电测量仪。本发明的微机电元件包括由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)以及至少一个电子电路部件(63、78、83)，它们彼此合适地结合。本发明的目的是提供一种改进的制造微机电元件的方法，并提供一种具体适用于小型微机电传感器方案的微机电元件。

Description

制造微机电元件的方法以及该微机电元件
技术领域
本发明涉及微机电元件，诸如用于测量例如加速度、角加速度、角速度或其它物理量的微机电测量仪，用于稳定振荡频率或过滤电信号的微机电谐振器和滤波器，以及需要将封装的微机电部件与微电路合成的其它微机电装置等。本发明的目的是提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及具体适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电阻抗匹配方案、电信号切换方案或者电信号过滤方案的微机电元件。 
背景技术
微机电元件(MEMS，Microelectromechanical systems)在例如测量如加速度、角速度或压力等各种物理量的传感技术中的应用已经证实是一种原理简单的可靠方法。在微机电传感器中，测量例如是基于电容原理实现的，其中，传感器运动状态的改变引起由弹簧悬挂的震动质量块的位移。质量块的位置可以通过一对电极之间的电容探测，表面之间的电容取决于它们的表面积以及表面之间的距离。即使在各个物理量的非常小的测量范围内，也可以基于微机电传感器进行测量。 
在用于数据通信和数据处理的装置中，大部分功能元件已被集成于一个或最多几个硅芯片中来实现。然而，由于它们在技术上的不兼容，因此将实现数据处理同步、射频稳定、电信号过滤、电抗匹配，电信号切换的功能集成往往是不太可能的。在基于硅技术的MEMS谐振器和MEMS滤波器中，硅元件例如通过静电作用力被设置为机械式振荡运动方式，并且硅元件的形状和尺寸被用于控制由连接件间的电声耦合或信号传播所引起的阻抗。在MEMS开关中，信号通道借助于采用MEMS技术制造的可移动元件打开或关闭，所述元件例如受静电作用力控制。对于阻抗匹配装置，诸如线圈或电容器等细小的无源元件采用MEMS技术制造。电容器可以是可调且隔离空气的MEMS结构。 
传统上，集成电路例如采用安装在金属引线框架上的技术密封。在电路的连接点上结合连接导线，连接导线的其它端连接至引线框架的结合区。然后，引线框架和电路用塑料浇铸，最后，外部连接区和连接导线通过切割、弯曲或其它诸如此类的方法形成，其中，所述微机电元件通过所述外部连接区和连接导线连接至电路板上。 
在电子元件的制造中，晶片级封装(WLP)是一种用于硅芯片和类似电子元件的新型封装方法，其中，所有的封装步骤在切片之前在硅片的表面上完成。因此，极大地节省了尺寸和成本。这些现有技术的方法的例子是Amkor公司的超CSP(Chip Scale Packing，芯片级封装)技术，其中，将较厚的聚合物层散布在硅片的表面上，布置铜引线，并且安装或布置焊接突起，通过所述焊接突起芯片可以直接连接至电路板上。 
微机电元件和如集成电路等电子元件的区别在于，取代借助于例如氮化物钝化的固体材料的钝化，元件需要机械保护，即需要在下方留有开放空间的盖子，所述机电结构可以在所述空间中运动。对微机电元件实施晶片级封装特别有利，原因是它们具有大尺寸的特征，尤其是厚度大，从而采用传统方式封装，它们可能大于，尤其是厚于以相应方式封装的微电路。另一方面，由于必需盖子，微机电元件的封装存在问题。 
微机电元件必须气密性密封，从而运动的部件处于与外界环境隔绝的腔中。这种密封可以通过将微机电晶片结合至另一个称为“覆盖晶片”的晶片上实现。覆盖晶片在微机电元件中的应用是众所周知的。 
微机电传感器元件中的另一个主要问题是电气功能与微机电元件的集成。这个问题可以借助于已知的封壳级集成方式解决，所述封壳级集成具有包括介电和导电部件的外部封壳。在封壳级集成中，部件之间的导线连接将各部件集成为一个单元。 
下面示例性地参照附图对现有技术进行描述，其中： 
图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法。 
图2示出了根据现有技术在塑铸封壳中实施集成制造微机电元件的方法。 
图3示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法。 
图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法中，在相同的硅片3上制造微机电芯片部件1和电子电路部件2，并且它们之间的电连接通过金属薄膜建立。微机电芯片部件1和电子电路部件2受到共用覆盖部件4保护，它们由导线连接5连接，并且被进一步铸造在塑铸封壳6中。现有技术的微机电元件还包括金属引线框架7。 
图2示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中实施集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过在塑铸封壳中的集成制造微机电元件的方法中，在相同的硅片元件10上制造分离的微机电芯片部件8和电子电路部件9。微机电芯片部件8受单独的覆盖部件11保护。微机电芯片部件8和电子电路部件9之间的电连接通过导线连接12实现。电子电路部件9通过导线连接13连接。然后，包含微机电芯片部件8和电子电路部件9的整体被铸在塑铸封壳14中。现有技术的微机电元件还包括金属引线框架15。 
图3示出了根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法。在根据现有技术通过在塑铸封壳中堆叠实施集成制造微机电元件的方法中，在硅片17上制造微机电芯片部件16。微机电芯片部件16受单独的覆盖部件18保护。在覆盖部件的顶上制造电子电路部件19。微机电芯片部件16和电子电路部件19之间的电连接通过导线连接20实现。微机电芯片部件16通过导线连接21连接。然后，包含微机电芯片部件16和电子电路部件19的整体被铸在塑铸封壳22中。现有技术的微机电元件还包括金属引线框架23。 
在现有技术的方案中，将微机电元件的电气功能和微机电元件集成的主要问题在于由覆盖晶片以及微机电芯片部件和电子电路部件两个部件带来较大的尺寸。当将元件铸在本领域惯用的塑料封壳中时，这种方案的尺寸变得较大。 
此外，在现有技术的方案中，将微机电元件的电气功能和微机电元件集成的问题还有用于结合区的电路方案表面积的浪费。 
因此，在专业类和消费类电子产品的制造中，对小型微机电元件的需要明显增加，其中，已经解决了电气功能和微机电元件集成的问题，并且具体适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。 
发明内容
本发明的目的是提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及改进的微机电元件。通过本发明获得了一种微机电元件方案，其中电气功能与微机电元件以优选的方式集成，并且还具体适用于小型微机电运动传感器方案、压力传感器方案、IMU(Inertia Measuring Unit，惯性测量元件)运动测量设备方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。 
本发明涉及微机电元件，例如用于测量例如加速度、角加速度、角速度、压力或其它物理量的微机电测量仪，或者用于稳定振荡频率、过滤电信号、切换电信号或匹配电阻抗的微机电装置。本发明的目的还在于提供一种改进的制造微机电元件的方法，以及具体适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案或者电阻抗匹配方案的微机电元件。 
根据本发明的第一特征，提供了一种制造微机电元件的方法，在所述方法中，微机电芯片部件由覆盖部件密封，所述覆盖部件设置有用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在所述方法中，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述所述电子电路部件的所述介电层中制造引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造第一介电层，在将所述覆盖部件附着于所述微机电芯片部件之前或之后，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
优选地，在所述方法中，所述覆盖部件主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件中延伸的提供电连接的引入结构由硅制成。可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而，在所述覆盖部件中，穿过所述玻璃绝缘体延伸的提供电连接的引入结构由硅制成。另外可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件被分为带状的提供电连接的引入结构。另外可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件被分为孤立的提供电连接的引入结构。优选地，所述覆盖部件以及/或者所述玻璃绝缘体由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。优选地，所述覆盖部件以及/或者所述提供电连接的引入结构由其它一些已知的导电材料替代硅制成。 
优选地，在所述方法中，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过直接结合实现。可选择地，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过布置在表面上的金属层实现。另外可选择地，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与微机电芯片部件之间的电连接的形成通过焊接突起实现。 
优选地，在所述方法中，实现位于所述覆盖部件的顶面上的密封所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的引入部，从而所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。 
优选地，在所述方法中，在包括所述覆盖部件的外部连接区的重分布层和所述覆盖部件之间制造隔离所述覆盖部件的层。优选地，所述电子电路部件附着于所述第一介电层的顶上。另外优选地，所述第一介电层用作附着所述电子电路部件的粘接层。可选择地，采用单独的粘接层附着所述电子电路部件。 
优选地，在所述方法中，在所述电子电路部件的顶上制造覆盖所述电路晶片的介电层。另外优选地，在覆盖所述电路晶片的介电层中，制造延伸至所述覆盖部件的外部连接区以及延伸至所述电子电路部件的引入部。另外优选地，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构和将首先附着于所述微机电芯片部件上的电子电路部件之间建立电连接。另外优选地，对所述引入部实施布线层，通过布线 建立用于连接将首先附着于所述微机电芯片部件上的电子电路部件的电连接。 
优选地，在所述方法中，通过执行下列操作至少一次，将至少一个所述电子电路部件附着于由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件上： 
-在覆盖所述电子电路部件的第二介电层的顶上制造第三介电层， 
-在所述第三介电层的顶上附着所述电子电路部件， 
-在所述电子电路部件的顶上制造覆盖所述电子电路部件的第四介电层，以及 
-在覆盖所述电子电路部件的所述第四介电层中，制造延伸至对所述引入部实施的所述布线层以及延伸至所述电子电路部件的引入部。 
优选地，在所述方法中，所述第三介电层用作附着所述电子电路部件的粘接层。可选择地，采用单独的粘接层附着所述电子电路部件的粘接层。 
优选地，在所述方法中，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件和将要附着于所述第三介电层上的所述电子电路部件之间建立导电连接。另外优选地，对所述引入部实施布线层，通过布线建立用于连接将要附着于所述第三介电层上的所述电子电路部件的导电连接。 
优选地，在所述方法中，在对引入部实施的布线层的顶上制造保护层。另外优选地，在所述保护层中，制造用于结合部件的开口，所述开口合适地延伸至对引入部实施的布线层的接触表面，将要制造的所述结合部件用于所述微机电元件的外部连接。 
优选地，在所述方法中，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过突起连接件实现。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过粘结接头实现。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过直接焊接的接头实现。另外优选地，所述结合部件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。另外优选地，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。 
优选地，在所述方法中，所述微机电元件的电子电路部件具有电信号处理功能。优选地，将不同类型的电气功能分配给单独的所述电子电路部件。优选地，将引起干扰的元件和对干扰敏感的元件布置于单独的所述电子电路部件上。优选地，在所述电子电路部件之间添加单独的电磁干扰(EMI)屏蔽层。 
优选地，在所述方法中，将天线元件布置于单独的所述电子电路部件上。另外优选地，将发射天线元件和接收天线元件布置于单独的所述电子电路部件上。另外优选地，在包含所述天线元件的所述电子电路部件之间布置天线接地层。 
优选地，在所述方法中，用于测量物理量的传感器功能位于所述微机电元件的电子电路部件中。另外优选地，用于检测磁场的电路结构位于所述电子电路部件中。优选地，用于检测温度的电路结构位于所述电子电路部件中。 
优选地，包含由所述覆盖部件密封的成套的所述微机电芯片部件的盘状基底用作安装所述电子电路部件的基体。另外优选地，在包含由所述覆盖部件密封的成套的所述微机电芯片部件的盘状基底的表面上，逐一安装成套的所述电子电路部件。另外优选地，只有那些已通过检测的所述电子电路部件才可以安装于那些已通过检测的由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的表面上。 
优选地，包含由所述覆盖部件密封的成套的所述微机电芯片部件的盘状基底只在完成安装阶段后才被切片。优选地，包含由所述覆盖部件密封的成套的所述微机电芯片部件的盘状基底只在完成最终检测以后才被切片。 
根据本发明的第二特征，提供了一种微机电元件，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件设置有用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶 面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
优选地，所述覆盖部件主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件中延伸的提供电连接的引入结构由硅制成。可选择地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造有玻璃绝缘体，从而，在所述覆盖部件中，穿过所述玻璃绝缘体延伸的提供电连接的引入结构由硅制成。另外优选地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造有玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件被分为带状的提供电连接的引入结构。另外优选地，所述覆盖部件主要由硅制成，并且在所述覆盖部件中制造有玻璃绝缘体，从而，所述覆盖部件被分为孤立的提供电连接的引入结构。优选地，所述覆盖部件以及/或者所述玻璃绝缘体由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。优选地，所述覆盖部件以及/或者所述提供电连接的引入结构由其它一些已知的导电材料替代硅制成。 
优选地，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过直接结合实现。可选择地，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。另外可选择地，所述覆盖部件的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件之间的电连接的形成通过焊接突起实现。 
优选地，在所述覆盖部件的顶面上实施密封所述微机电芯片部件的所述覆盖部件的引入部，从而，所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。优选地，在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层覆盖所述覆盖部件的整个表面。 
优选地，在包括所述覆盖部件的外部连接区的重分布层和所述覆盖部件之间制造有隔离所述覆盖部件的层。优选地，所述电子电路部件附着于所述第一介电层的顶上。 
优选地，在所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电路晶片的介电层。另外优选地，在覆盖所述电路晶片的介电层中制造有延伸至所述覆盖部件的外部接触区以及延伸至所述电子电路部件的引入部。另外优选地，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构和将首先附着于所述微机电芯片部件上的所述电子电路部件 之间建立电连接。另外优选地，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将首先附着于所述微机电芯片部件上的所述电子电路部件的电连接。 
优选地，执行下列操作至少一次，将至少一个所述电子电路部件附着于由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件上： 
-在覆盖所述电子电路部件的第二介电层的顶上制造第三介电层， 
-在所述第三介电层的顶上附着所述电子电路部件， 
-在所述电子电路部件的顶上制造覆盖所述电子电路部件的第四介电层，以及 
-在覆盖所述电子电路部件的所述第四介电层中，制造延伸至对所述引入部实施的所述布线层以及延伸至所述电子电路部件的引入部。 
优选地，所述第三介电层覆盖所述覆盖部件的整个表面。优选地，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件和将要附着于所述第三介电层上的所述电子电路部件之间建立导电连接。优选地，对所述引入部实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层上的所述电子电路部件的导电连接。 
优选地，在对引入部实施的布线层的顶上制造有保护层。另外优选地，在所述保护层中，制造有用于结合部件的开口，所述开口合适地延伸至对引入部实施的布线层的接触表面，将要制造的所述结合部件用于所述微机电元件的外部连接。 
优选地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过导线连接实现。另外优选地，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过突起连接件实现。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过粘结接头实现。可选择地，用于所述微机电元件的外部连接的将要制造的结合部件通过直接焊接的接头实现。另外优选地，所述结合部件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构具有导电涂层。另外优选地，所述微机电元件的封壳结构相应地设计成与所述微机电元件相配。 
优选地，所述微机电元件的电子电路部件具有电信号处理功能。优选地，在单独的所述电子电路部件上分配有不同类型的电气功能。优选地，在单独 的所述电子电路部件上布置有引起干扰的元件和对干扰敏感的元件。优选地，在所述电子电路部件之间添加有单独的EMI屏蔽层。 
优选地，在单独的所述电子电路部件上布置有天线元件。另外优选地，在单独的所述电子电路部件上布置有发射天线元件和接收天线元件。另外优选地，在所述包含所述天线元件的所述电子电路部件之间布置有天线接地层。 
优选地，用于测量物理量的传感器功能位于所述微机电元件的电子电路部件中。另外优选地，用于检测磁场的电路结构位于所述电子电路部件中。优选地，用于检测温度的电路结构位于所述电子电路部件中。 
根据本发明的第三特征，提供了一种微机电加速度传感器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第四特征，提供了一种微机电角加速度传感器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部 件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第五特征，提供了一种微机电角速度传感器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第六特征，提供了一种微机电压力传感器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第七特征，提供了一种微机电IMU(IMU，惯性测量元件)运动测量设备单元，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延 伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第八特征，提供了一种微机电振荡频率稳定器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第九特征，提供了一种微机电电信号滤波器，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第十特征，提供了一种微电子电信号切换元件，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部 件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第十一特征，提供了一种微机电电阻抗匹配元件，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个所述电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第十二特征，提供了一种微机电倾角补偿罗盘，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，在由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件，在每个至少一个电子电路部件的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有第一介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
根据本发明的第十二特征，提供了一种微机电倾角补偿罗盘，其包括由覆盖部件密封的微机电芯片部件，所述覆盖部件包含用于穿过所述覆盖部件提供电连接的引入结构，从而，至少一个电子电路部件逐层附着于由所述覆盖部件密封的所述微机电芯片部件的顶上，在每个至少一个电子电路部件的顶上制造有覆盖电路晶片的介电层，在覆盖所述电路晶片的所述介电层中制造有引入部，所述引入部延伸至所述覆盖部件或者先前附着的电子电路部件的外部接触区，并且延伸至所述电子电路部件，并且，在最顶层的所述电子电路部件的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件，其中，在所述覆盖部件的顶面上制造有介电层，在所述覆盖部件的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述介电层之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区的重分布层。 
附图说明
下面示例性地参照附图对本发明及其优选实施例作详细描述。在附图中： 
图1示出了根据现有技术通过单片集成制造微机电元件的方法， 
图2示出了根据现有技术在塑铸封壳中通过实施集成制造微机电元件的方法， 
图3示出了根据现有技术在塑铸封壳中通过堆叠实施集成制造微机电元件的方法， 
图4示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的截面图和投影图， 
图5示出了本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件的截面图和投影图， 
图6示出了本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件的截面图和投影图， 
图7示出了本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件的截面图和投影图， 
图8示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件与微机电芯片部件连接的截面图， 
图9示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的投影图， 
图10示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的截面图， 
图11示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的可选择的重分布层方案的截面图， 
图12示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第二可选择的重分布层方案的截面图， 
图13示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第三可选择的重分布层方案的截面图， 
图14示出了将本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件附着于微机电芯片部件上的截面图， 
图15示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的介电层方案的截面图， 
图16示出了实施本发明微机电元件方案的截面图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上， 
图17示出了实现本发明微机电元件方案的晶片级的投影图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上， 
图18示出了通过介电层实现对本发明微机电元件方案的电子电路部件的保护的截面图， 
图19示出了实现对本发明微机电元件方案的电子电路部件的布线的截面图， 
图20示出了实现对本发明微机电元件方案的电子电路部件的布线的保护的截面图， 
图21示出了实现本发明微机电元件方案的电子电路部件的连接开口的截面图， 
图22示出了示例性地实现本发明微机电元件方案的结构的截面图， 
图23示出了示例性地实现本发明微机电元件方案的可选择的结构的截面图。 
已在上面介绍了图1-3。下面参照图4-23描述本发明和其优选实施例。 
具体实施方式
图4示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区25-27，导电区25-27通常由硅制成。导电区25-27可以是窄且高状的。 
图5示出了本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件用数字28表示，并且主要由硅制成。可选择的覆盖部件28包括穿过元件延伸的导电区29-31，导电区29-31 通常由硅制成。可选择的覆盖部件28的导电区29-31通过玻璃绝缘体32与覆盖部件28的本体隔离，玻璃绝缘体32还隔离覆盖部件28的底部。导电区29-31可以是窄且高状的。 
图6示出了本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的第二可选择的覆盖部件用数字33表示，并且主要由硅制成。第二可选择的覆盖部件33由窄的玻璃绝缘体37-40分为带状的导电区34-36。导电区34-36通常由硅制成。第二可选择的覆盖部件33的玻璃绝缘体37-40还隔离覆盖部件33的底部。 
图7示出了本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件的截面图和投影图。本发明微机电元件方案的第三可选择的覆盖部件用数字41表示，并且主要由硅制成。第三可选择的覆盖部件41由窄的玻璃绝缘体45分为孤立的导电区42-44。导电区42-44通常由硅制成。第三可选择的覆盖部件41的玻璃绝缘体45还隔离覆盖部件41的底部。 
在本发明的方案中，还可以使用其它类型的覆盖部件，其中，相互隔离的电连接基本上垂直穿过覆盖部件从一个平面至另一个平面形成。 
图8示出了将本发明微机电元件方案的覆盖部件附着至微机电芯片部件的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件46由覆盖部件47密封，覆盖部件47具有穿过覆盖部件47提供电连接的引入结构。在本发明的方案中，通过硅引入部提供从底部的微机电芯片部件46至玻璃覆盖部件47的平面的电连接。 
微机电元件方案的覆盖部件47的导电引入部和微机电芯片部件46之间的接头可以通过表面的金属层、焊接突起或其它一些结合装置，或者其它装置直接形成。 
图9示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的投影图。在本发明微机电元件方案的覆盖部件48的表面上通过重分布层49-52制造导电接触区49-52，所述导电接触区提供引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。这些接触区49-52是用于电子电路部件的接触区，也是用于微机电元件方案的外部连接的接触区。 
在将微机电元件方案的覆盖部件48附着至微机电芯片部件之前或者之后制造重分布层49-52。本发明的导电重分布层49-52使引入部和稍后在所述表面上制造的布线层的位置尽可能优选地彼此独立。通过导电重分布层49-52，除了在覆盖部件的引入部和布线层的引入部之间，还可以在用于其它目的的布线层引入部之间建立连接。 
图10示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的示例性重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的示例性覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区25-27，导电区25-27通常由硅制成。 
在本发明微机电元件方案的示例性覆盖部件24的表面上制造导电重分布层53，导电重分布层53提供覆盖部件的引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。由于示例性覆盖部件24主要由介电材料制成，因此导电重分布层53可以直接布置在覆盖部件24的表面上。 
图11示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字24表示，并且通常主要由玻璃制成。覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电区，所述导电区通常由硅制成。 
首先，在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的表面上制造介电层54。通过本发明覆盖部件24的介电层54，例如可以获得优化强度的覆盖部件24的表面。接着，在本发明覆盖部件24的表面上制造导电重分布层55，导电重分布层55提供覆盖部件的引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。包括覆盖部件的外部接触区55的重分布层的结构以及其各个区域的功能与那些在图9的投影图中所描述的直接在引入部晶片的表面上制造的重分布层相同。 
图12示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第二可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字28表示，并且主要由硅制成。覆盖部件28包括穿过硅元件延伸的导电区，所述导电区通常由硅制成。覆盖部件28的导电区通过玻璃绝缘体与覆盖部件28的本体隔离，还与覆盖部件28的底部隔离。 
首先，在本发明微机电元件方案的覆盖部件28的表面上制造介电层56。通过本发明覆盖部件28的介电层56，例如可以获得优化强度的覆盖部件28的表面。所述介电层在选择用于覆盖部件的材料时也是必要的。接着，在本发明的覆盖部件28的表面上制造导电重分布层57，导电重分布层57提供覆盖部件的引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。 
图13示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的第三可选择的重分布层方案的截面图。本发明微机电元件方案的覆盖部件用数字33表示，并且主要由硅制成。覆盖部件33由窄的玻璃绝缘体分为带状的导电区。所述导电区通常由硅制成。第二可选择的覆盖部件33的玻璃绝缘体还隔离覆盖部件33的底部。 
首先，在本发明的微机电元件方案的覆盖部件33的表面上制造介电层58。通过本发明覆盖部件33的介电层58，例如可以获得优化强度的覆盖部件33的表面。所述介电层在选择用于覆盖部件的材料时也是必要的。接着，在本发明的覆盖部件33的表面上制造导电重分布层59，导电重分布层59提供覆盖部件的引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。 
图14示出了将微机电芯片部件附着于本发明微机电元件方案上的可选择的覆盖部件上的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60通过通常主要由玻璃制成的覆盖部件24密封。 
覆盖部件24包括穿过玻璃元件延伸的导电引入结构，所述导电引入结构通常由硅制成并用于穿过覆盖部件24提供电连接。在本发明的方案中，通过硅引入部从底部的微机电芯片部件60至玻璃覆盖部件24的平面提供电连接。 
通过表面的金属层、焊接突起或其它结合装置，或者以其它方式，微机电元件方案的覆盖部件24的导电引入部与微机电芯片部件60之间能够直接形成连接。 
在本发明微机电元件方案的可选择的覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61，所述重分布层提供覆盖部件的引入部和稍后在所述表面上制造的布线层之间的导电连接。隔离覆盖部件的层可以位于包含覆盖部件的外部接触区61的重分布层与覆盖部件24之间。可选择地，由于覆盖部件24主要由介电材料制成，因此重分布层61可以直接位于覆盖部件24的表面上。 
图15示出了本发明微机电元件方案的覆盖部件的隔离层结构的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封，在覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61。 
另外，在包括本发明微机电元件方案的覆盖部件的外部接触区61的重分布层的顶上制造介电层62。介电层62通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。微机电元件方案的介电层62也可以用作附着电子电路部件的粘接层。 
在覆盖部件24、28、33、41、47、48的顶面上可以实现密封本发明电子机械芯片部件46、60的覆盖部件24、28、33、41、47、48的引入结构，从而，覆盖部件的外部接触区一直向微机电元件的边缘延伸。于是，无需重分布层，并且介电层62可以直接在覆盖部件24、28、33、41、47、48的顶面上制造。 
可选择地，在覆盖部件24、28、33、41、47、48的顶面与和介电层62之间，可以制造包含覆盖部件的外部接触区49-52、53、55、57、59、61的重分布层。可以在微机电元件方案的覆盖部件24、28、33、41、47、48附着于微机电芯片部件之前或之后，制造包含覆盖部件的外部接触区49-52、53、55、57、59、61的重分布层。 
图16示出了实施本发明微机电元件方案的截面图，其中电子电路部件附着于微机电芯片部件的顶上。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封，覆盖部件24包含穿过覆盖部件24提供电连接的引入结构。在覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61，然后制造介电层62。 
在本发明的微机电元件方案中，电子电路部件63附着于保护微机电芯片部件60的覆盖部件24的表面上，从而，电子电路部件63被固定于介电层62上。在本发明的微机电元件方案中，介电层62隔离电子电路部件63。介电层62还可以用作附着电子电路部件63的粘接层。可选择地，单独的粘接层可以用于附着电子电路部件63。 
图17示出了通过将电子电路部件附着于微机电芯片部件上实现本发明微机电元件方案的晶片级的截面图。在本发明的微机电元件方案中，位于晶片上的微机电芯片部件60由覆盖部件晶片密封，从而形成单个晶片元件64。 
每个电子电路部件63以晶片级附着于保护微机电芯片部件60的覆盖部件24的表面上，从而，电子电路部件63固定于晶片元件64的介电层62上。在本发明的微机电元件方案中，将被附着的电子电路部件63非常薄，厚度约为20微米。然后，微机电元件方案的电子电路部件63可以以晶片级受介电层的保护。 
图18示出了通过介电层实现对本发明微机电元件方案的电子电路部件的保护的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封。在覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61和介电层62，然后将电子电路部件63附着于隔离覆盖部件24的介电层62的表面上。 
另外，在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的电子电路部件63的顶上制造覆盖电路晶片的介电层65。邻近电子电路部件的介电层65通常覆盖微机电元件方案的整个表面。 
图19示出了实现对本发明微机电元件方案的电子电路部件的布线的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封。在覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61和介电层62，然后将电子电路部件63附着于覆盖部件24的介电层62的表面上，然后由覆盖电路晶片的介电层65覆盖。 
在本发明的微机电元件方案中，在介电层65中制造用于布线的引入部66、67，所述引入部合适地延伸至覆盖部件的外部接触区以及电子电路部件63。然后，在介电层65的顶上并对引入部66、67上制造布线层。借助于对引入部66实施的布线层中的布线，在覆盖部件的导电区25-27、29-31、34-36、42-44与首先附着于微机电芯片部件46、60的顶上的电子电路部件63之间建立导电连接。借助于对引入部67实施的布线层中的布线，还建立了用于连接首先附着于微机电芯片部件46、60的顶上的电子电路部件63的导电连接。 
图20示出了对本发明微机电元件方案的电子电路部件的布线实现保护的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封。在覆盖部件24的表面上制造导电重分布层61和介电层62。电子电路部件63附着于覆盖部件24的介电层62的顶上并由介电层65覆盖。在介电层65中制造引入部66、67，另外，在介电层65的顶上并对引入部66和67制造布线层。 
在本发明微机电元件方案的覆盖部件24的电子电路部件63的顶上，另外制造用于保护引入部66和67以及布线层的保护层68。所述保护层通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。 
图21示出了实现用于本发明微机电元件方案的电子电路部件的连接开口的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封。电子电路部件63附着于覆盖部件24的表面上并由介电层覆盖。在介电层中制造引入部66和67、布线层以及保护层68。 
在本发明的微机电元件方案中，在保护层68中制造用于诸如突起连接件的结合部件的开口69-72，所述开口合适地延伸至布线层的接触表面。 
图22示出了示例性地实现本发明微机电元件方案的结构的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封。电子电路部件63附着于覆盖部件24的表面上并由介电层覆盖。在介电层中制造引入部66、67、布线层以及保护层68。在保护层68中制造用于突起连接件的开口69-72，所述开口延伸至布线层的接触表面。 
在本发明的微机电元件方案中，在保护层68的开口69-72中制造用于微机电元件的外部连接的突起连接件73-77。附图中未示出对应于突起连接件77的保护层68的开口。在本发明的微机电元件的突起连接件方案中，包含微机电芯片部件60和电子电路部件63的微机电元件的外部连接通过突起连接件73-77实现。 
当在本发明的微机电元件方案中制造突起连接件73-77时，无须任何单独的封装就可以获得适合于焊接加工的微机电元件。 
图23示出了示例性地实现本发明微机电元件方案的可选择的结构的截面图。在本发明的方案中，微机电芯片部件60由覆盖部件24密封，覆盖部件24包含穿过覆盖部件24提供电连接的引入结构。在覆盖部件24的表面上制造重分布层61，然后制造介电层62。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，第一电子电路部件78附着于保护微机电芯片部件60的覆盖部件24的表面上，从而，第一电子电路部件78固定于介电层62上。在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，介电层 62隔离第一电子电路部件78。介电层62还可以用作附着第一电子电路部件78的粘接层。可选择地，单独的粘接层可以用于附着第一电子电路部件78。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，在覆盖部件24的第一电子电路部件78的顶上制造介电层79。介电层79通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。在介电层79中，制造合适地延伸至覆盖部件的外部接触区以及第一电子电路部件78的引入部80、81以用于布线。然后，在介电层79的顶上并对引入部80、81制造布线层。借助于对引入部80实施的布线层中的布线，在覆盖部件的导电区25-27、29-31、34-36、42-44与首先附着于微机电芯片部件46、60上的电子电路部件78之间建立导电连接。借助于对引入部81实施的布线层中的布线，还可以建立用于连接首先附着于微机电芯片部件46、60上的电子电路部件78的导电连接。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，在引入部80、81以及布线层的顶上另外制造夹在电路部件之间的介电层82。夹在电路部件之间的介电层82通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，第二电子电路部件83也附着于保护微机电芯片部件60的覆盖部件24的表面上，从而，第二电子电路部件83固定于介电层82上。在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，夹在电路部件之间的介电层82隔离第二电子电路部件83。夹在电路部件之间的介电层82还可以用作附着第二电子电路部件83的粘接层。可选择地，单独的粘接层可以用于附着第二电子电路部件83。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，在第二电子电路部件83的顶上制造介电层84。介电层84通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。在介电层84中制造用于新布线的引入部85、86，引入部85、86合适地延伸至布线层的引入部81以及第二电子电路部件83。然后，在介电层84的顶上并对引入部85和86制造布线层。借助于对引入部85实施的布线层中的布线，可以建立先前被附着的电子电路部件78和将要附着于介电层82上的电子电路部件83之间的导电连接。用于连接将要附着于介电层82上的电子电路部件83的导电连接还可以借助于对引入部86实施的布线层中的布线建立。 
另外，在第二电子电路部件83的顶上制造引入部85和86以及保护布线层的保护层87。保护层87通常覆盖微机电元件方案的覆盖部件的整个表面。在本发明微机电元件方案的结构中，还可以使用三个或者更多的电子电路部件替代一个电子电路部件63或者两个电子电路部件78和83。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，在位于第二电子电路部件83上的保护层87中制造用于诸如突起连接件等结合部件的开口88-91，所述开口合适地延伸至布线层的接触表面。 
在本发明微机电元件方案的可选择的结构中，在保护层的开口88-91中制造用于微机电元件的外部连接的突起连接件92-96。附图中未示出对应于突起连接件96的保护层68中的开口。在本发明微机电元件的突起连接件方案中，包含微机电芯片部件60以及两个电子电路部件78和83的微机电元件的外部连接通过突起连接件92-96实现。 
在本发明的微机电元件方案中，当在微机电元件中制造突起连接件92-96时，无须任何单独的封装就可以获得适合于焊接加工的微机电元件。在本发明的微机电元件方案中，还可以使用三个或者更多的电子电路部件替代一个电子电路部件63或者两个电子电路部件78、83。 
在本发明的微机电元件方案中，介电层和保护层62、65、68、79、82、84、87很好地用于保护不受诸如潮湿等各种来自外界的有害物质的损害。电子电路部件63、78、83与微机电芯片部件46、60的电敏感区受介电层和保护层62、65、68、79、82、84、87保护，因此如果需要，无须塑铸封壳就可以使用微机电元件。然而，如果非常需要，则可以在包括本发明微机电元件方案的单元上方铸造塑铸封壳。微机电元件的封壳结构适合于设计成与包含微机电芯片部件46、60以及电子电路部件63、78、83的微机电元件相配。 
在本发明的微机电元件方案中，包含微机电芯片部件46、60以及电子电路部件63、78、83的微机电元件可以通过任何已知的连接方案与外界连接。这些连接方案可以是导线连接、突起连接、粘接连接、导电粘接连接、各向异性粘接连接或者直接焊接接头方案。 
通过本发明的方法制造的微机电元件还具有电信号处理功能。通过本发明，提供了一种微机电元件方案，其中电气功能与微机电元件以有利的方式 集成，并且还具体很适用于小型微机电运动传感器方案、压力传感器方案、其它传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。 
本发明很适用于诸如用于测量或检测例如加速度、角加速度、角速度、压力、磁场、温度或其它物理量的各种微机电元件。通过本发明的方案，可以在微机电传感器自身中对传感器的测量活动进行分析。 
通过使用多个电子电路部件63、78、83的本发明微机电元件方案，可以容易地实现将不同类型的电气功能分配给单独的电子电路部件63、78、83。例如，模拟元件、处理器元件、存储元件或射频元件可以各自布置于它们的电子电路部件63、78、83中。在本发明的微机电元件方案中，可以在一个或多个电子电路部件63、78、83上以单片集成的方式布置传感器功能。在本发明的微机电元件方案中，通过在单独的电子电路部件63、78、83上布置引起干扰的元件和对干扰敏感的元件，还可以容易地实现对电磁干扰(EMI)的屏蔽。因此，如果需要，可以在电子电路部件63、78、83之间添加单独的EMI屏蔽层。 
在本发明的微机电元件方案中，传感器的天线元件还可以容易地布置于电子电路部件或它们自己的电子电路部件63、78、83上。同样，发射天线元件和接收天线元件可以布置于单独的电子电路部件63、78、83上。因此，如果需要，例如可以在包含发射天线元件和接收天线元件的电子电路部件63、78、83之间设置天线接地层。 
通过本发明的微机电元件方案，例如可以实现压力传感器，或者在三个方向测量角加速度、角速度或线性运动的传感器。因而，本发明的在三个方向测量角加速度、角速度或线性运动的传感器可以包括几个微机电元件，每个微机电元件在不同的方向上测量。 
通过本发明的微机电元件方案，还可以实现IMU(惯性测量元件)运动测量设备单元。本发明的微机电IMU运动测量设备单元可以包括多种微机电元件，例如，角速度传感器元件、加速度传感器元件以及测量或检测磁场强度的传感器元件。 
通过本发明的微机电元件方案，还可以实现倾角补偿罗盘。本发明的倾角补偿罗盘可以包括涉及两个或三个轴向测量的加速度传感器，以及测量或检测磁场的传感器，这些传感器要结合电子电路部件实现，所述传感器可以基于磁阻、磁感、磁通门、霍尔(Hall)或者其它一些已知的磁场测量原理。 
通过本发明的微机电元件方案，还可以实现遥控的微机电传感元件。本发明的遥控微机电传感元件除包括传感器单元以外，还可以包括例如用于发送测量数据以及接收指令和校准数据的发送装置和接收装置。 
本发明还很好地适用于以下装置：用于产生和稳定振荡频率的振荡器和频率合成器；期望添加由电路实现的功能的元件，例如无线电装置的高频或中频部件；诸如谐振器、滤波器、开关或阻抗匹配元件等的微机电部件；以及期望使位于密封空间的微机电部件和通过微电路实现的部件结合的其它微机电装置。通过本发明，提供了一种改进的制造微机电元件的方法，还提供了一种微机电元件，所述微机电元件具体很适用于小型微机电传感器方案、振荡频率稳定方案、电信号过滤方案、电信号切换方案以及电阻抗匹配方案。 
在通过本发明的方法制造的微机电元件中，微机电芯片部件和电子电路部件相互的机械和电结合可以通过使用特定类型的覆盖晶片以优选的方式实现，从而，在制造中，微机电晶片用作安装电子电路部件的基底使用，并且部件之间的连接保持受到保护而不受外界影响。 
在本发明的方法中，电子电路部件例如可以逐一安装于设置有盖子的微机电晶片的表面上。因此可以确保只有通过检测的电子电路部件才可以仅安装在包含通过检测的微机电芯片的位置上。在本发明的方法中，微机电晶片只在安装阶段和最终检测以后才被切片。 

Claims (130)

1.一种制造微机电元件的方法，在所述方法中，微机电芯片部件(46、60)由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上，附着一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中制造引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造第一介电层(62)，在将所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)附着于所述微机电芯片部件(46、60)之前或之后，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
2.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24)主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件(24)中延伸的提供电连接的引入结构(25-27)由硅制成。
3.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(28)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(28)中制造玻璃绝缘体(32)，从而，在所述覆盖部件(28)中，穿过所述玻璃绝缘体(32)延伸的提供电连接的引入结构(29-31)由硅制成。
4.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(33)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(33)中制造玻璃绝缘体(37-40)，从而，所述覆盖部件(33)被分为带状的提供电连接的引入结构(34-36)。
5.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(41)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(41)中制造玻璃绝缘体(45)，从而，所述覆盖部件(41)被分为孤立的提供电连接的引入结构(42-44)。
6.根据前述权利要求2-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，如权利要求2所述的覆盖部件(24)或者如权利要求3-5中任一项所述的玻璃绝缘体(32、37-40、45)由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。
7.根据前述权利要求2-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，如权利要求3-5中任一项所述的覆盖部件(28、33、41)或者如权利要求2所述的提供电连接的引入结构(25-27)由其它一些已知的导电材料替代硅制成。
8.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
9.根据前述权利要求6所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
10.根据前述权利要求7所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
11.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
12.根据前述权利要求6所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
13.根据前述权利要求7所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
14.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
15.根据前述权利要求6所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
16.根据前述权利要求7所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
17.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在密封所述微机电芯片部件(46、60)的所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上实施另一引入部，从而，所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。
18.根据前述权利要求6所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在密封所述微机电芯片部件(46、60)的所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上实施另一引入部，从而，所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。
19.根据前述权利要求7所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在密封所述微机电芯片部件(46、60)的所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上实施另一引入部，从而，所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。
20.根据权利要求1所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层与所述覆盖部件(24)之间制造隔离所述覆盖部件的介电层。
21.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述电子电路部件(63、78)附着于所述第一介电层(62)的顶上。
22.根据权利要求21所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述第一介电层(62)用作附着所述电子电路部件(63、78)的粘接层。
23.根据权利要求21所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，采用单独的粘接层附着所述电子电路部件(63、78)。
24.根据前述权利要求17所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对实现电子电路部件与覆盖部件中的引入结构的连接的引入部(66、80)实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构(25-27、29-31、34-36、42-44)与首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)之间建立导电连接。
25.根据前述权利要求18所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对实现电子电路部件与覆盖部件中的引入结构的连接的引入部(66、80)实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构(25-27、29-31、34-36、42-44)与首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)之间建立导电连接。
26.根据前述权利要求19所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对实现电子电路部件与覆盖部件中的引入结构的连接的引入部(66、80)实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构(25-27、29-31、34-36、42-44)与首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)之间建立导电连接。
27.根据前述权利要求17所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对用于电子电路部件之间的连接的引入部(67、81)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)的导电连接。
28.根据前述权利要求18所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对用于电子电路部件之间的连接的引入部(67、81)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)的导电连接。
29.根据前述权利要求19所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对用于电子电路部件之间的连接的引入部(67、81)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)顶上的所述电子电路部件(63、78)的导电连接。
30.根据权利要求27所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，通过执行下列操作至少一次，将至少又一个电子电路部件(83)附着于由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上：
-在覆盖最底层电子电路部件的第二介电层(79)上制造第三介电层(82)，
-在所述第三介电层(82)上的顶上附着所述又一个电子电路部件(83)，
-在所述又一个电子电路部件(83)的顶上制造覆盖所述又一个电子电路部件的第四介电层(84)，以及
-在覆盖所述又一个电子电路部件的所述第四介电层(84)中制造引入部(85、86)，所述第四介电层中制造的引入部延伸至对所述第三介电层中制造的引入部(81)实施的所述布线层并延伸至所述又一个电子电路部件(83)。
31.根据权利要求30所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述第三介电层(82)用作附着所述又一个电子电路部件(83)的粘接层。
32.根据权利要求30所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，采用单独的粘接层附着所述又一个电子电路部件(83)。
33.根据前述权利要求30所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述用于电子电路部件之间的连接的引入部(85)实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件(78)和将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)之间建立导电连接。
34.根据前述权利要求31所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述用于电子电路部件之间的连接的引入部(85)实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件(78)和将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)之间建立导电连接。
35.根据前述权利要求32所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述用于电子电路部件之间的连接的引入部(85)实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件(78)和将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)之间建立导电连接。
36.根据前述权利要求30所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
37.根据前述权利要求31所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
38.根据前述权利要求32所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
39.根据前述权利要求33所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
40.根据权利要求27所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在对所述引入部(66、67、80、81、85、86)实施的布线层的顶上制造保护层(68、87)。
41.根据权利要求36所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在对所述引入部(66、67、80、81、85、86)实施的布线层的顶上制造保护层(68、87)。
42.根据权利要求40所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在保护层(68、87)中，制造用于结合部件(73-77、92-96)的开口(69-72、88-91)，所述开口合适地延伸至对引入部(66、67、80、81、85、86)实施的布线层的接触表面，将要制造的所述结合部件用于所述微机电元件的外部连接。
43.根据权利要求42所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将要制造的用于所述微机电元件的外部连接的所述结合部件通过导线连接实现。
44.根据权利要求43所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。
45.根据权利要求42所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将要制造的用于所述微机电元件的外部连接的所述结合部件通过突起连接件实现。
46.根据权利要求42所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将要制造的用于所述微机电元件的外部连接的所述结合部件通过粘结接头实现。
47.根据权利要求42所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将要制造的用于所述微机电元件的外部连接的所述结合部件通过直接焊接的接头实现。
48.根据权利要求47所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述结合部件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。
49.根据前述权利要求46所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
50.根据前述权利要求47所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
51.根据前述权利要求48所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计成与所述微机电元件相配。
52.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电元件的电子电路部件(63、78、83)具有电信号处理功能。
53.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将不同类型的电气功能分配给单独的所述电子电路部件(63、78、83)。
54.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将引起干扰的元件和对干扰敏感的元件布置于单独的所述电子电路部件(63、78、83)上。
55.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在所述电子电路部件(63、78、83)之间添加单独的电磁干扰(EMI)屏蔽层。
56.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将天线元件布置于单独的所述电子电路部件(63、78、83)上。
57.根据权利要求56所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将发射天线元件和接收天线元件布置于单独的所述电子电路部件(63、78、83)上。
58.根据权利要求56所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在包含所述天线元件的所述电子电路部件(63、78、83)之间布置天线接地层。
59.根据权利要求57所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，在包含所述天线元件的所述电子电路部件(63、78、83)之间布置天线接地层。
60.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述微机电元件的电子电路部件(63、78、83)含有用于测量物理量的传感器功能。
61.根据权利要求60所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述电子电路部件(63、78、83)含有用于检测磁场的电路结构。
62.根据权利要求60所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，所述电子电路部件(63、78、83)含有用于检测温度的电路结构。
63.根据前述权利要求1-5中任一项所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底用作安装所述电子电路部件(63、78、83)的基体。
64.根据权利要求63所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，将成套的所述电子电路部件(63、78、83)逐一安装于所述晶片状基底的表面上，所述晶片状基底包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)。
65.根据权利要求64所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，只有通过检测的所述电子电路部件(63、78、83)才可以仅安装于通过检测的由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的表面上。
66.根据前述权利要求63所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成安装阶段以后才被切片。
67.根据前述权利要求64所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成安装阶段以后才被切片。
68.根据前述权利要求65所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成安装阶段以后才被切片。
69.根据前述权利要求63所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成最终检测以后才被切片。
70.根据前述权利要求64所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成最终检测以后才被切片。
71.根据前述权利要求65所述的制造微机电元件的方法，其特征在于，包含由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的成套的所述微机电芯片部件(46、60)的晶片状基底只在完成最终检测以后才被切片。
72.一种微机电元件包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
73.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24)主要由玻璃制成，从而，在所述覆盖部件(24)中延伸的提供电连接的引入结构(25-27)由硅制成。
74.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(28)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(28)中制造玻璃绝缘体(32)，从而，在所述覆盖部件(28)中，穿过所述玻璃绝缘体(32)延伸的提供电连接的引入结构(29-31)由硅制成。
75.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(33)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(33)中制造玻璃绝缘体(37-40)，从而，所述覆盖部件(33)被分为带状的提供电连接的引入结构(34-36)。
76.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(41)主要由硅制成，并且在所述覆盖部件(41)中制造玻璃绝缘体(45)，从而，所述覆盖部件(41)被分为孤立的提供电连接的引入结构(42-44)。
77.根据前述权利要求73-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，如权利要求73所述的覆盖部件(24)或者如权利要求74-76中任一项所述的玻璃绝缘体(32、37-40、45)由其它一些已知的介电材料替代玻璃制成。
78.根据前述权利要求73-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，如权利要求74-76中任一项所述的覆盖部件(28、33、41)或者如权利要求73所述的提供电连接的引入结构(25-27)由其它一些已知的导电材料替代硅制成。
79.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
80.根据前述权利要求77所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
81.根据前述权利要求78所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过直接结合实现。
82.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
83.根据前述权利要求77所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
84.根据前述权利要求78所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过位于表面上的金属层实现。
85.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的提供电连接的引入结构与所述微机电芯片部件(46、60)之间的电连接的形成通过焊接突起实现。
86.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上实现密封所述微机电芯片部件(46、60)的所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的另一引入部结构，从而，所述覆盖部件的外部接触区一直向所述微机电元件的边缘延伸。
87.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，所述第一介电层(62)覆盖所述覆盖部件(24)的整个表面。
88.根据权利要求72所述的微机电元件，其特征在于，在包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层与所述覆盖部件(24)之间制造有隔离所述覆盖部件的层。
89.根据权利要求72或87所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(63、78)附着于所述第一介电层(62)的顶上。
90.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，对实现电子电路部件与覆盖部件中的引入结构的连接的引入部(66、80)实施布线层，通过所述布线层的布线，在所述覆盖部件的提供电连接的引入结构(25-27、29-31、34-36、42-44)与将首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)上的所述电子电路部件(63、78)之间建立导电连接。
91.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，对实现电子电路部件与覆盖部件中的引入结构的连接的引入部(67、81)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将首先附着于所述微机电芯片部件(46、60)上的所述电子电路部件(63、78)的导电连接。
92.根据权利要求91所述的微机电元件，其特征在于，通过执行下列操作至少一次，将至少又一个电子电路部件(83)附着于由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)上：
-在覆盖最底层电子电路部件的第二介电层(79)的顶上制造第三介电层(82)，
-在所述第三介电层(82)的顶上附着所述又一个电子电路部件(83)，
-在所述又一个电子电路部件(83)的顶上制造覆盖所述又一个电子电路部件的第四介电层(84)，以及
-在覆盖所述又一个电子电路部件的所述第四介电层(84)中制造引入部(85、86)，所述第四介电层中制造的引入部延伸至对所述第三介电层中制造的引入部(81)实施的布线层并延伸至所述又一个电子电路部件(83)。
93.根据权利要求92所述的微机电元件，其特征在于，所述第三介电层(82)覆盖所述覆盖部件(24)的整个表面。
94.根据权利要求92所述的微机电元件，其特征在于，对用于电子电路部件之间的连接的引入部(85)实施布线层，通过所述布线层的布线，在先前附着的所述电子电路部件(78)和将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)之间建立导电连接。
95.根据前述权利要求92所述的微机电元件，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
96.根据前述权利要求93所述的微机电元件，其特征在于，对所述引入部(86)实施布线层，通过所述布线层的布线，建立用于连接将要附着于所述第三介电层(82)上的所述又一个电子电路部件(83)的导电连接。
97.根据权利要求91所述的微机电元件，其特征在于，在对所述引入部(66、67、80、81、85、86)实施的布线层的顶上制造有保护层(68、87)。
98.根据权利要求97所述的微机电元件，其特征在于，在所述保护层(68、87)中制造有用于结合部件(73-77、92-96)的开口(69-72、88-91)，所述开口合适地延伸至对所述引入部(66、67、80、81、85、86)实施的布线层的接触表面，将要制造的所述结合部件用于所述微机电元件的外部连接。
99.根据权利要求98所述的微机电元件，其特征在于，用于所述微机电元件的外部连接的结合部件通过导线连接实现。
100.根据权利要求99所述的微机电元件，其特征在于，在所述微机电元件上方铸造塑铸封壳。
101.根据权利要求98所述的微机电元件，其特征在于，用于所述微机电元件的外部连接的结合部件通过突起连接件实现。
102.根据权利要求98所述的微机电元件，其特征在于，用于所述微机电元件的外部连接的结合部件通过粘结接头实现。
103.根据权利要求98所述的微机电元件，其特征在于，用于所述微机电元件的外部连接的结合部件通过直接焊接的接头实现。
104.根据权利要求102所述的微机电元件，其特征在于，所述结合部件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。
105.根据权利要求103所述的微机电元件，其特征在于，所述结合部件形成与所述微机电元件的封壳结构的导电连接，所述封壳结构设置有导电涂层。
106.根据前述权利要求102所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计为与所述微机电元件相配。
107.根据前述权利要求103所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计为与所述微机电元件相配。
108.根据前述权利要求104所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的封壳结构相称地设计为与所述微机电元件相配。
109.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的电子电路部件(63、78、83)具有电信号处理功能。
110.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，在单独的所述电子电路部件(63、78、83)上分配有不同类型的电气功能。
111.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，在单独的所述电子电路部件(63、78、83)上布置有引起干扰的元件和对干扰敏感的元件。
112.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，在所述电子电路部件(63、78、83)之间添加有单独的电磁干扰(EMI)屏蔽层。
113.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，在单独的所述电子电路部件(63、78、83)上布置有天线元件。
114.根据权利要求113所述的微机电元件，其特征在于，在单独的所述电子电路部件(63、78、83)上布置有发射天线元件和接收天线元件。
115.根据权利要求113所述的微机电元件，其特征在于，在包含所述天线元件的所述电子电路部件(63、78、83)之间布置有天线接地层。
116.根据权利要求114所述的微机电元件，其特征在于，在包含所述天线元件的所述电子电路部件(63、78、83)之间布置有天线接地层。
117.根据前述权利要求72-76中任一项所述的微机电元件，其特征在于，所述微机电元件的所述电子电路部件(63、78、83)含有用于测量物理量的传感器功能。
118.根据权利要求117所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(63、78、83)含有用于检测磁场的电路结构。
119.根据权利要求117所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(63、78、83)含有用于检测温度的电路结构。
120.根据权利要求118所述的微机电元件，其特征在于，所述电子电路部件(63、78、83)含有用于检测温度的电路结构。
121.一种微机电加速度传感器包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
122.一种微机电角加速度传感器，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
123.一种微机电角速度传感器，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
124.一种微机电压力传感器，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
125.一种微机电IMU运动测量设备单元，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着有多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
126.一种微机电振荡频率稳定器，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
127.一种微机电电信号滤波器，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
128.一种微机电电信号切换元件，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
129.一种微机电电阻抗匹配单元，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
130.一种微机电倾角补偿罗盘，包括：
-由覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的微机电芯片部件(46、60)，所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)包含用于穿过所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)提供电连接的引入结构，其特征在于，
-在由所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)密封的所述微机电芯片部件(46、60)的顶上附着有一个或逐层附着多个电子电路部件(63、78、83)，
-在每个所述电子电路部件(63、78、83)的顶上制造有覆盖所述电子电路部件的介电层(65、79、84)，在覆盖所述电子电路部件的所述介电层(65、79、84)中，制造有引入部(66、67、80、81、85、86)，所述引入部延伸至所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)以及所述电子电路部件(63、78、83)，
-在最顶层的所述电子电路部件(63、83)的表面上制造有用于所述微机电元件的外部连接的结合部件(73-77、92-96)，
其中，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面上制造有第一介电层(62)，在所述覆盖部件(24、28、33、41、47、48)的顶面与在所述覆盖部件的顶面上制造的所述第一介电层(62)之间制造有包括所述覆盖部件的外部接触区(49-52、53、55、57、59、61)的重分布层。
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