JP2014111308A - 微小機械素子を作成する方法及び微小機械素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による微小電気機械素子には、互いに適当に接合した、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した微小電気機械チップ部(46)、(60)と少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を備える。本発明の目的は、微小電気機械素子を作製する改良した方法を提供すること、及び、特に小型の微小電気機械センサ・ソリューションでの使用に適用可能な微小電気機械素子を提供することである。
【選択図】図23
Description
−誘電体層を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層の上に作製すること、
−上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着すること、
−該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製すること、及び
−該回路ウエハを被覆する該誘電体層に、導線を、該導線まで及び該電子回路部まで実装した該配線層にまで延在させて作製すること、
を少なくとも1回行うことによって、固着させる。
−誘電体層を、該回路ウエハを被覆する該誘電体層の上に作製しておくこと、
−上記電子回路部を、該誘電体層の上に固着しておくこと、
−該回路ウエハを被覆する誘電体層を、該電子回路部の上に作製しておくこと、及び
−該回路ウエハを被覆する該誘電体層に、導線を、該導線まで及び該電子回路部まで実装した該配線層にまで延在させて作製しておくこと、
を少なくとも1回行うことによって、固着しておく。
2 電子回路部
3 シリコンウエハ
4 カバー部
5 ワイヤ接続体
6 プラスチック成型カプセル
7 リードフレーム
8 微小電気機械チップ部
9 電子回路部
10 シリコンウエハ
11 カバー部
12 ワイヤ接続体
13 ワイヤ接続体
14 プラスチック成型カプセル
15 リードフレーム
16 微小電気機械チップ部
17 シリコンウエハ
18 カバー部
19 電子回路部
20 ワイヤ接続体
21 ワイヤ接続体
22 プラスチック成型カプセル
23 リードフレーム
24 カバー部
25 導電性領域
26 導電性領域
27 導電性領域
28 カバー部
29 導電性領域
30 導電性領域
31 導電性領域
32 ガラス絶縁体
33 カバー部
34 導電性領域
35 導電性領域
36 導電性領域
37 ガラス絶縁体
38 ガラス絶縁体
39 ガラス絶縁体
40 ガラス絶縁体
41 カバー部
42 導電性領域
43 導電性領域
44 導電性領域
45 ガラス絶縁体
46 微小電気機械チップ部
47 カバー部
48 カバー部
49 再配線層
50 再配線層
51 再配線層
52 再配線層
53 再配線層
54 誘電体層
55 再配線層
56 誘電体層
57 再配線層
58 誘電体層
59 再配線層
60 微小電気機械チップ部
61 再配線層
62 誘電体層
63 電子回路部
64 ウエハ要素
65 誘電体層
66 導線
67 導線
68 保護層
69 開口部
70 開口部
71 開口部
72 開口部
73 バンプ接続部
74 バンプ接続部
75 バンプ接続部
76 バンプ接続部
77 バンプ接続部
78 電子回路部
79 誘電体層
80 導線
81 導線
82 誘電体層
83 電子回路部
84 誘電体層
85 導線
86 導線
87 保護層
88 開口部
89 開口部
90 開口部
91 開口部
92 接続用バンプ
93 接続用バンプ
94 接続用バンプ
95 接続用バンプ
96 接続用バンプ
Claims (100)
- 微小電気機械チップ部(46)、(60)の表面を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止し、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械素子を作製する方法であって、該方法は、
−前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止された前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させること、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、前記微小電気機械素子を外部接続させるために、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に作製することを含むことを特徴とする方法。 - 前記カバー部(24)を主にガラス製にして、該カバー部(24)内に、該ガラス要素を通り延在する導電性領域(25〜27)を、シリコンから作製するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記カバー部(28)を主にシリコン製にし、該カバー部(28)内にガラス絶縁体(32)を作製して、前記カバー部(28)内に、前記ガラス絶縁体(32)を通り延在する導電性領域(29〜31)を、シリコンから作製するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記カバー部(33)を主にシリコン製にし、該カバー部(33)内に、ガラス絶縁体(37〜40)を作製して、前記カバー部(33)を細片状の導電性領域(34〜36)に分割するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記カバー部(41)を主にシリコン製にし、該カバー部(41)内に、ガラス絶縁体(45)を作製して、前記カバー部(41)を島状の導電性領域(42〜44)に分割するようにすること、を特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記カバー部(24)と前記ガラス絶縁体(32)、(37〜40)、(45)の両方または一方を、ガラスの代わりにガラス以外の誘電材料製とすること、を特徴とする請求項3〜5の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(28)、(33)、(41)と導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)の両方または一方を、シリコンの代わりにシリコン以外の導電材料製とすること、を特徴とする請求項2〜6の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)とは直接接合されて、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)との間に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の表面に配置された金属層によって、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)との間に、半田バンプによって、電気的接続を形成すること、を特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
- 前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を封止する前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)上面の導線を、前記カバー部の外部接触領域が、前記微小電気機械素子全体に亘り縁部まで延在するように、実装すること、を特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の方法。
- 誘電体層(62)を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)上面上に作製すること、を特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を前記微小電気機械チップ部(46)、(60)に固着する前に、前記カバー部の前記外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)を備える再配線層を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記上面と前記誘電体層(62)との間に作製すること、を特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を前記微小電気機械チップ部(46)、(60)に固着した後に、前記カバー部の前記外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)を備える再配線層を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記上面と前記誘電体層(62)との間に作製すること、を特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記カバー部を絶縁する誘電体層を、前記カバー部の前記外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)を備える前記再配線層と、前記カバー部(24)との間に作製すること、を特徴とする請求項13又は請求項14に記載の方法。
- 前記電子回路部(63)、(78)を、前記誘電体層(62)の上に固着すること、を特徴とする請求項12〜15の何れか1項に記載の方法。
- 前記誘電体層(62)は、前記電子回路部(63)、(78)を固着する接着層として機能すること、を特徴とする請求項16に記載の方法。
- 別の接着層を、前記電子回路部(63)、(78)を固着する際に使用すること、を特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記導線(66)、(80)まで配線層を実装し、該配線層の配線によって、導電接続を前記カバー部の導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)と、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に最初に固着する電子回路部(63)、(78)との間に生成すること、を特徴とする請求項11〜18の何れか1項に記載の方法。
- 前記導線(67)、(81)まで配線層を実装し、該配線層の配線によって、導電接続を前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に最初に固着する前記電子回路部(63)、(78)と接続するために、生成すること、を特徴とする請求項11〜19の何れか1項に記載の方法。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止する前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、少なくとも1つの電子回路部(83)を、少なくとも1回は以下の連続した処理:
−誘電体層(82)を、前記回路ウエハを被覆する前記誘電体層(79)の上に作製すること、
−前記電子回路部(83)を、前記誘電体層(82)の上に固着すること、
−前記回路ウエハを被覆する誘電体層(84)を、前記電子回路部(82)の上に作製すること、及び、
−前記導線(81)まで実装した前記配線層、及び前記電子回路部(83)まで延在する導線(85)、(86)を、前記回路ウエハを被覆する前記誘電体(84)に作製すること、
を行うことによって固着すること、を特徴とする請求項20に記載の方法。 - 前記誘電体層(82)は、前記電子回路部(83)を固着する接着層として機能すること、を特徴とする請求項21に記載の方法。
- 別の接着層を、前記電子回路部(83)を固着する際に使用すること、を特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記導線(85)まで配線層を実装し、該配線層の配線によって、導電接続を、前記既に固着した電子回路部(78)と、前記誘電体層(82)に固着する前記電子回路部(83)との間で生成すること、を特徴とする請求項21〜23の何れか1項に記載の方法。
- 前記導線(86)まで配線層を実装し、該配線層の配線によって、導電接続を、前記誘電体層(82)に固着する前記電子回路部(83)と接続するために生成すること、を特徴とする請求項21〜24の何れか1項に記載の方法。
- 保護層(68)、(87)を、前記導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)まで実装する配線層の上に、作製すること、を特徴とする請求項20又は25に記載の方法。
- 前記保護層(68)、(87)に、前記導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)まで実装する前記配線層の前記接触面にまで適切に延在する開口部(69〜72)、(88〜91)を、前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材(73〜77)、(92〜96)用に作製すること、を特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材を、ワイヤ接続体によって実装すること、を特徴とする請求項27に記載の方法。
- プラスチック成型カプセルを、前記微小電気機械素子を被い、成型すること、を特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、バンプ接続体によって実装すること、を特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、接着結合体によって実装すること、を特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、半田接合によって実装すること、を特徴とする請求項27に記載の方法。
- 前記接合部材により、前記微小電気機械素子のカプセル構造まで導電接続を形成し、前記カプセル構造には導電性コーティングを施すこと、を特徴とする請求項31又は32に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子のカプセル構造を、前記微小電気機械素子に適合するよう適切に設計すること、を特徴とする請求項31、32又は33の何れか1項に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子の電子回路部(63)、(78)、(83)には、電気信号処理能力を備えること、を特徴とする請求項1〜34の何れか1項に記載の方法。
- 異なる種類の電気的機能を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に分配しておくこと、を特徴とする請求項1〜35の何れか1項に記載の方法。
- 干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)上に配設しておくこと、を特徴とする請求項1〜36の何れか1項に記載の方法。
- 電磁干渉(EMI)シールド層を、前記電子回路部(63)、(78)、(83)間に加えておくこと、を特徴とする請求項1〜37の何れか1項に記載の方法。
- アンテナ素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に配設しておくこと、を特徴とする請求項1〜38の何れか1項に記載の方法。
- 送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に配設しておくこと、を特徴とする請求項39に記載の方法。
- アンテナグランド層を、前記アンテナ素子を備える電子回路部(63)、(78)、(83)間に配設しておくこと、を特徴とする請求項39又は40に記載の方法。
- 前記微小電気機械素子の前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、物理量を測定するセンサ機能を含むこと、を特徴とする請求項1〜41の何れか1項に記載の方法。
- 前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、磁場を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項42に記載の方法。
- 前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、温度を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項42又は43に記載の方法。
- カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止する前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を備えるウエハ状基板は、電子回路部(63)、(78)、(83)を載置する基台として機能すること、を特徴とする請求項1〜44の何れか1項に記載の方法。
- 1組の電子回路部(63)、(78)、(83)を、1つずつ、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止する前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を備えるウエハ状基板の表面上に載置すること、を特徴とする請求項45に記載の方法。
- テストに合格した電子回路部(63)、(78)、(83)のみを、テストに合格したカバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)のみの表面上に載置すること、を特徴とする請求項46に記載の方法。
- カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を備える前記ウエハ状基板を、載置段階後にのみダイシングすること、を特徴とする請求項45〜47の何れか1項に記載の方法。
- カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を備えるウエハ状基板を、最終テスト後のみにダイシングすること、を特徴とする請求項45〜48の何れか1項の何れか1項に記載の方法。
- 微小電気機械素子は、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械素子は、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械素子を外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械素子。 - 前記カバー部(24)を、主にガラス製にして、前記カバー部(24)内に、前記ガラス要素を通り延在する導電性領域(25〜27)を、シリコンから作製しておくこと、を特徴とする請求項50に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(28)を、主にシリコン製にし、該カバー部(28)内に、ガラス絶縁体(32)を作製しておき、前記カバー部(28)内に、前記ガラス絶縁体(32)を通り延在する導電性領域(29〜31)をシリコンから作製しておくようにすること、を特徴とする請求項50に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(33)を主にシリコン製にし、該カバー部(33)内に、ガラス絶縁体(37〜40)を作製しておき、前記カバー部(33)を細片状の導電性領域(34〜36)に分割するようにすること、を特徴とする請求項50に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(41)を主にシリコン製にし、該カバー部(41)内に、ガラス絶縁体(45)を作製しておき、前記カバー部(41)を島状の導電性領域(42〜44)に分割するようにすること、を特徴とする請求項50に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(24)と前記ガラス絶縁体(32)、(37〜40)、(45)の両方または一方を、ガラスの代わりにガラス以外の誘電材料製とすること、を特徴とする請求項51〜54の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(28)、(33)、(41)と導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)の両方または一方を、シリコンの代わりにシリコン以外の導電材料製とすること、を特徴とする請求項51〜55の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)とは直接接合しておくこと、を特徴とする請求項50〜56の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)との間の電気的接続を、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の表面に配置した金属層によって、形成しておくこと、を特徴とする請求項50〜56の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記導電性導線と前記微小電気機械チップ部(46)、(60)との間の電気的接続を、半田バンプによって、形成しておくこと、を特徴とする請求項50〜56の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械チップ部(46)、(60)を封止する前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の導線構造を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の上面に、前記カバー部の外部接触領域が、前記微小電気機械素子全体に亘り縁部にまで延在するように、実装しておくこと、を特徴とする請求項50〜59の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 誘電体層(62)を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の上面に作製しておくこと、を特徴とする請求項50〜60の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記誘電体層(62)により、前記カバー部(24)の全表面を被覆すること、を特徴とする請求項61に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部の前記外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)を備える再配線層を、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)の前記上面と前記誘電体層(62)との間に作製しておくこと、を特徴とする請求項60、61又は62に記載の微小電気機械素子。
- 前記カバー部を絶縁する層を、前記カバー部の前記外部接続領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)を備える再配線層と、前記カバー部(24)との間に作製しておくこと、を特徴とする請求項63に記載の微小電気機械素子。
- 前記電子回路部(63)、(78)を、前記誘電体層(62)の上に固着すること、を特徴とする請求項61又は62に記載の微小電気機械素子。
- 前記導線(66)、(80)まで配線層を実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、前記カバー部の前記導電性領域(25〜27)、(29〜31)、(34〜36)、(42〜44)と、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)上に最初に固着する前記電子回路部(63)、(78)との間に生成しておくこと、を特徴とする請求項61〜65の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記導線(67)、(81)まで配線層を実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)上に最初に固着する前記電子回路部(63)、(78)と接続するために、生成しておくこと、を特徴とする請求項61〜66の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 少なくとも1つの電子回路部(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)上に、以下の連続した工程:
−誘電体層(82)を、前記回路ウエハを被覆する前記誘電体層(79)の上に作製しておくこと、
−前記電子回路部(83)を、前記誘電体層(82)の上に固着しておくこと、
−前記回路ウエハを被覆する誘電体層(84)を、前記電子回路部(83)の上に作製しておくこと、及び
−前記導線(81)まで実装した前記配線層、及び前記電子回路部(83)まで延在する導線(85)、(86)を、前記回路ウエハを被覆する前記誘電体(84)に作製しておくこと、
を少なくとも1回行うことによって、固着しておくこと、を特徴とする請求項67に記載の微小電気機械素子。 - 前記誘電体層(82)により、前記カバー部(24)の全表面を被覆すること、を特徴とする請求項68に記載の微小電気機械素子。
- 前記導線(85)まで配線層を実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、前記既に固着した電子回路部(78)と前記誘電体層(82)に固着する前記電子回路部(83)との間に生成しておくこと、を特徴とする請求項68又は69に記載の微小電気機械素子。
- 前記導線(86)まで配線層を実装しておき、該配線層の配線によって、導電接続を、前記誘電体層(82)に固着する前記電子回路部(83)と接続するために、生成しておくこと、を特徴とする請求項68〜70の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 保護層(68)、(87)を、前記導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)まで実装する配線層の上に、作製しておくこと、を特徴とする請求項67又は71に記載の微小電気機械素子。
- 前記保護層(68)、(87)に、前記導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)まで実装する前記配線層の前記接触面にまで適切に延在する開口部(69〜72)、(88〜91)を、前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材(73〜77)、(92〜96)用に作製しておくこと、を特徴とする請求項72に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する接合部材を、ワイヤ接続体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項73に記載の微小電気機械素子。
- プラスチック成型カプセルを、前記微小電気機械素子を被い成型しておくこと、を特徴とする請求項74に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、バンプ接続体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項73に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、接着結合体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項73に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子を外部接続させるために作製する前記接合部材を、直接半田付結合体によって実装しておくこと、を特徴とする請求項73に記載の微小電気機械素子。
- 前記接合部材により、前記微小電気機械素子のカプセル構造まで導電接続を形成し、前カプセル構造には導電性コーティングを施すこと、を特徴とする請求項77又は78に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子のカプセル構造を、前記微小電気機械素子に適合するよう適切に設計しておくこと、を特徴とする請求項77、78又は79の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子の前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、電気信号処理能力を備えること、を特徴とする請求項50〜80の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 異なる種類の電気的機能を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に分配しておくこと、を特徴とする請求項50〜81の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 干渉の原因となる素子及び干渉され易い素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)上に配設すること、を特徴とする請求項50〜82の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 電磁干渉(EMI)シールド層を、前記電子回路部(63)、(78)、(83)間に加えておくこと、を特徴とする請求項50〜83の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- アンテナ素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に配設しておくこと、を特徴とする請求項50〜84の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 送信用アンテナ素子及び受信用アンテナ素子を、別々の電子回路部(63)、(78)、(83)に配設しておくこと、を特徴とする請求項85に記載の微小電気機械素子。
- アンテナグランド層を、前記アンテナ素子を備える電子回路部(63)、(78)、(83)間に配設しておくこと、を特徴とする請求項85又は86に記載の微小電気機械素子。
- 前記微小電気機械素子の前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、物理量を測定するセンサ機能を含むこと、を特徴とする請求項50〜87の何れか1項に記載の微小電気機械素子。
- 前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、磁場を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項88に記載の微小電気機械素子。
- 前記電子回路部(63)、(78)、(83)には、温度を検出する回路構造を含むこと、を特徴とする請求項88又は89に記載の微小電気機械素子。
- 微小電気機械加速度センサは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械加速度センサは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械加速度センサを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械加速度センサ。 - 微小電気機械角加速度センサは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械角加速度センサは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械角加速度センサを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械角加速度センサ。 - 微小電気機械角速度センサは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械角速度センサは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械角速度センサを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械角速度センサ。 - 微小電気機械圧力センサは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械圧力センサは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械圧力センサを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械圧力センサ。 - 微小電気機械IMU(慣性測定ユニット)運動測定装置ユニットは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械IMU運動測定装置ユニットは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械IMU運動測定装置ユニットを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械IMU運動測定装置ユニット。 - 微小電気機械発振周波数安定化装置は、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械発振周波数安定化装置は、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械発振周波数安定化装置を外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械発振周波数安定化装置。 - 微小電気機械電気信号フィルタは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械電気信号フィルタは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械電気信号フィルタを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械電気信号フィルタ。 - 微小電気機械電気信号切換素子は、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械信号切換素子は、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械信号切換素子を外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械電気信号切換素子。 - 微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニットを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械電気的インピーダンス整合ユニット。 - 微小電気機械傾斜補正付コンパスは、
−カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止され、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)には、該カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械チップ部(46)、(60)を備え、前記微小電気機械傾斜補正付コンパスは、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)を、カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)で封止した前記微小電気機械チップ部(46)、(60)の上に、前記微小電気機械チップ部(46)、(60)、前記カバー部(24)、(28)、(33)、(41)、(47)、(48)、少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)が層状となるように配置すること、
−少なくとも1つの電子回路部(63)、(78)、(83)夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)を作製し、回路ウエハを被覆する誘電体層(65)、(79)、(84)内に、少なくとも2つの導線(66)、(67)、(80)、(81)、(85)、(86)を作成し、
1つの導線は、前記カバー部の外部接触領域(49〜52)、(53)、(55)、(57)、(59)、(61)、(81)まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させる、または、
1つの導線は、既に固着した電子回路部(78)の外部接触領域まで延在させ、残りの導線は、前記電子回路部(63)、(78)、(83)まで延在させておくこと、及び
−接合部材(73〜77)、(92〜96)を、最も上側の電子回路部(63)、(83)の表面上に、前記微小電気機械傾斜補正付コンパスを外部接続させるために、作製しておくことを含むことを特徴とする微小電気機械傾斜補正付コンパス。
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CN102092352B (zh) * | 2010-12-16 | 2013-03-27 | 芜湖伯特利电子控制系统有限公司 | 一种应用于机动车的惯量测量单元的控制方法 |
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FR3005648B1 (fr) | 2013-05-15 | 2016-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble |
US10081535B2 (en) * | 2013-06-25 | 2018-09-25 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry |
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CN105174203B (zh) * | 2014-05-28 | 2016-09-28 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 基于mems的传感器的制作方法 |
US9611137B2 (en) * | 2014-08-26 | 2017-04-04 | Invensense, Inc. | MEMS sensor integrated with a flip chip |
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JP6488640B2 (ja) * | 2014-10-28 | 2019-03-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、電子機器および移動体 |
US9604841B2 (en) | 2014-11-06 | 2017-03-28 | Analog Devices, Inc. | MEMS sensor cap with multiple isolated electrodes |
US10451646B2 (en) | 2015-01-28 | 2019-10-22 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Sensor with symmetrically embedded sensor elements |
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US9969614B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS packages and methods of manufacture thereof |
US10649000B2 (en) * | 2015-12-17 | 2020-05-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Connection assembly |
US11444048B2 (en) | 2017-10-05 | 2022-09-13 | Texas Instruments Incorporated | Shaped interconnect bumps in semiconductor devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030020173A1 (en) * | 2001-05-18 | 2003-01-30 | Huff Michael A. | Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates |
US6522015B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-02-18 | Amkor Technology, Inc. | Micromachine stacked wirebonded package |
JP2003531475A (ja) * | 2000-02-02 | 2003-10-21 | レイセオン・カンパニー | 集積回路コンポーネントを備えたマイクロ電気機械システムデバイスの真空パッケージの製造 |
JP2004039868A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | モジュール基板装置、高周波モジュール及びこれらの製造方法 |
JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5448014A (en) * | 1993-01-27 | 1995-09-05 | Trw Inc. | Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices |
US6140707A (en) * | 1998-05-07 | 2000-10-31 | 3M Innovative Properties Co. | Laminated integrated circuit package |
US6159385A (en) | 1998-05-08 | 2000-12-12 | Rockwell Technologies, Llc | Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation |
CN1242602A (zh) * | 1998-07-16 | 2000-01-26 | 日东电工株式会社 | 晶片规模封装结构及其内使用的电路板 |
DE10017976A1 (de) * | 2000-04-11 | 2001-10-18 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
US6512300B2 (en) * | 2001-01-10 | 2003-01-28 | Raytheon Company | Water level interconnection |
DE10123039A1 (de) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Bosch Gmbh Robert | Sensoranordnung, insbesondere mikromechanische Sensoranordnung |
JP4173652B2 (ja) * | 2001-07-02 | 2008-10-29 | 富士通株式会社 | 金融取引装置 |
FR2833106B1 (fr) * | 2001-12-03 | 2005-02-25 | St Microelectronics Sa | Circuit integre comportant un composant auxiliaire, par exemple un composant passif ou un microsysteme electromecanique, dispose au-dessus d'une puce electronique, et procede de fabrication correspondant |
TW517361B (en) * | 2001-12-31 | 2003-01-11 | Megic Corp | Chip package structure and its manufacture process |
WO2004015764A2 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-19 | Leedy Glenn J | Vertical system integration |
WO2004037711A2 (en) * | 2002-10-23 | 2004-05-06 | Rutgers, The State University Of New Jersey | Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures |
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FR2856844B1 (fr) * | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
JP4269806B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2009-05-27 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US20050054133A1 (en) * | 2003-09-08 | 2005-03-10 | Felton Lawrence E. | Wafer level capped sensor |
JP4539155B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2010-09-08 | パナソニック電工株式会社 | センサシステムの製造方法 |
JP3875240B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 電子部品の製造方法 |
US7642611B2 (en) * | 2004-04-22 | 2010-01-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them |
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US6522015B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-02-18 | Amkor Technology, Inc. | Micromachine stacked wirebonded package |
US20030020173A1 (en) * | 2001-05-18 | 2003-01-30 | Huff Michael A. | Radio frequency microelectromechanical systems (MEMS) devices on low-temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates |
JP2004039868A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Sony Corp | モジュール基板装置、高周波モジュール及びこれらの製造方法 |
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