KR20080078823A - 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트 - Google Patents

마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트 Download PDF

Info

Publication number
KR20080078823A
KR20080078823A KR1020087013838A KR20087013838A KR20080078823A KR 20080078823 A KR20080078823 A KR 20080078823A KR 1020087013838 A KR1020087013838 A KR 1020087013838A KR 20087013838 A KR20087013838 A KR 20087013838A KR 20080078823 A KR20080078823 A KR 20080078823A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microelectromechanical
cover
electronic circuit
lead
component
Prior art date
Application number
KR1020087013838A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101388946B1 (ko
Inventor
헤이키 쿠이스마
지리 니에미스토
Original Assignee
브이티아이 테크놀로지스 오와이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FI20055618A external-priority patent/FI119728B/fi
Application filed by 브이티아이 테크놀로지스 오와이 filed Critical 브이티아이 테크놀로지스 오와이
Publication of KR20080078823A publication Critical patent/KR20080078823A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101388946B1 publication Critical patent/KR101388946B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/008—Aspects related to assembling from individually processed components, not covered by groups B81C3/001 - B81C3/002
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C17/00—Compasses; Devices for ascertaining true or magnetic north for navigation or surveying purposes
    • G01C17/38—Testing, calibrating, or compensating of compasses
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/015—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • B81C2203/0792—Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

본 발명은 예로서, 가속도, 각가속도, 각속도 또는 기타 물리적 양을 측정하는데 사용되는 마이크로전기기계 게이지와 같은 마이크로전기기계 컴포넌트에 관한 것이다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의하여 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)와, 이에 적합하게 접합된 적어도 하나의 전자회로부(63, 78, 83)을 포함한다. 본 발명의 목적은 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하는 개선된 방법을 제공하는 것과, 작은 마이크로전기기계 센서 해결책에 특별히 사용하는데 적용가능한 마이크로전기기계 컴포넌트를 제공하는 것이다.
Figure P1020087013838
마이크로전기기계, 센서, 게이지, 전자회로, 컴포넌트, 칩, 안정장치.

Description

마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및 마이크로전기기계 컴포넌트{Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component}
본 발명은 예를 들어 가속도, 각가속도, 각속도 또는 기타 물리적 양을 측정하는데 사용되는 마이크로전기기계 게이지와, 진동주파수를 안정화하거나 또는 전기신호들을 필터링하기 위해 사용되는 마이크로전기기계 공진기 및 필터, 그리고 봉입된 마이크로전기기계 부품(parts) 및 마이크로회로의 조합을 필요로 하는 기타 마이크로전기기계 디바이스와 같은 마이크로전기기계 컴포넌트(component)에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 개량된 방법과, 특히 작은 마이크로전기기계 센서의 해결책(solution), 진동주파수를 안정화하기 위한 해결책, 전기 임피던스 매칭(matching)의 해결책, 전기신호 스위칭의 해결책 또는 전기신호를 필터링하기 위한 해결책에 사용하기 위해 적용가능한 마이크로전기기계 컴포넌트를 제공하는데 있다.
예로서 가속도, 각속도 또는 압력과 같은 다양한 물리적 양을 측정하기 위한 센서 기술에서 마이크로전기기계 컴포넌트(MEMS, 마이크로전기기계 시스템)의 사용은 단순한 원리의 신뢰성 있는 방법인 것으로 입증되었다. 마이크로전기기계 센서 에서의 측정은 예를 들어 용량성 원리에 기초하고 있는데, 센서의 운동상태의 변화는 스프링 부착된 지진질량(spring suspended seismic mass)의 변위를 일으킨다. 상기 질량의 위치는 한 쌍의 전극 사이의 용량, 전극들의 표면적에 의존하는 표면들 사이의 용량, 및 표면들 사이의 거리에 의하여 검출될 수 있다. 마이크로전기기계 센서에 기초한 측정은 다양한 물리적 양의 측정 범위가 더 작은 경우에도 사용될 수 있다.
데이터 통신 및 데이터 처리를 위한 디바이스들에서, 대부분의 기능들의 통합은 하나의 실리콘 칩으로 달성되거나 또는 최대한 소수의 실리콘 칩으로 달성된다. 그들의 기술적 비양립성(incompatibility) 때문에, 데이터 처리의 동기화, 무선주파수의 안정화, 전기신호의 필터링, 전기 임피던스들의 매칭(matching), 및 전기신호들의 스위칭에 책임있는 기능들의 통합이 항상 가능한 것은 아니었다. 실리콘 기술에 기초한 MEMS 공진기 및 MEMS 필터에서, 실리콘 컴포넌트는 예를 들어 정전기력에 의하여, 기계적 발진운동이 일어나고, 상기 실리콘 컴포넌트의 형상 및 치수들은 전기음향적 커플링으로 인하여 커넥터들 사이의 임피던스, 또는 커넥터들 사이의 신호 전파를 제어하기 위해 주어져 있다. MEMS 스위치에서, 신호 경로는 MEMS 기술로 제작된 가동컴포넌트들에 의하여 개폐되며, 상기 컴포넌트들은 예를 들어 정전기력에 의하여 제어된다. 임피던스 매칭 디바이스에서는, 코일 또는 커패시터와 같은 소형 수동 컴포넌트들은 MEMS 기술로 제작된다. 커패시터는 조정가능한 공기차단 MEMS 구조물이 될 수 있다.
종래 집적회로는 예를 들어 금속 리드프레임에 실장되는 기술에 의하여 밀봉 된다. 회로의 접속점에서 연결 와이어들이 접합되고, 와이어의 다른 단부들은 리드프레임(leadframe)의 접합영역에 연결된다. 다음에 리드프레임 및 회로는 플라스틱으로 주형되고, 최종적으로 외부 접속 영역 또는 연결 와이어가 절단, 절곡 또는 기타 그런 종류의 방법에 의하여 형성되고, 외부 접속 영역 또는 연결 와이어에 의하여 컴포넌트를 회로판에 연결하게 된다.
전자컴포넌트의 제조시에, 실리콘 칩 및 유사한 전자컴포넌트를 위한 새로운 봉입(encapsulation) 방법은 웨이퍼 레벨 패키징(WLP)으로서, 모든 봉입 단계들이 다이싱(dicing)하기 전에 실리콘 웨이퍼의 표면에서 수행된다. 이에 의하여, 치수 및 비용이 크게 절감된다. 그러한 종래 방법의 실례를 들면 암코르 코포레이션사의 울트라 CSP-기술(CSP, 칩 스케일 패키징)이 있고, 여기서 폴리머의 두꺼운 층이 실리콘 웨이퍼의 표면에 퍼져 있으며, 구리 도선들이 증착되고, 납땜 범프(bump)에 의하여 칩이 직접 회로판에 연결되어 실장되거나 증착된다.
마이크로전기기계 컴포넌트는, 고체 재료에 의한 패시베이션 예로서 질화물 패시베이션(passivation) 대신에 컴포넌트가 기계적 보호 즉 커버를 필요로 하며, 커버 아래에 개방공간이 유지되어 있으며 상기 개방공간에서 전자기계적 구조물이 이동할 수 있다는 점에서, 집적회로와 같은 전자컴포넌트와는 다르다. 웨이퍼 레벨 패키징을 마이크로전기기계 컴포넌트에 적용하는 것이 특별히 시도되고 있는데, 왜냐하면, 컴포넌트들이 큰 치수 및 특히 큰 두께를 특징으로 하며 따라서 컴포넌트들이 대응하는 방법으로 봉입된 마이크로회로보다 더 커지며 특히 더 두꺼워지는 종래 방법으로 봉입되기 때문이다. 한편, 마이크로전기기계 컴포넌트의 봉입은 커 버를 필요로 하므로 문제를 일으킨다.
마이크로전기기계 컴포넌트는 가동부들이 주변환경으로부터 폐쇄된 챔버 안에서 유지되도록 허메틱(hermetic) 밀봉되어야 한다. 상기 밀봉은 마이크로전기기계 웨이퍼를 다른 웨이퍼 소위 커버 웨이퍼에 접합함으로써 만들어질 수 있다. 마이크로전기기계 컴포넌트와 함께 커버 웨이퍼를 이용하는 것은 잘 알려져 있다.
마이크로전기기계 센서 컴포넌트에서의 다른 필수적인 문제는 마이크로전기기계 컴포넌트와 관련된 전기적 기능들의 통합이다. 이것은 절연부품 및 전도부품을 포함하는 외부 캡슐을 갖는 캡슐 레벨 통합에 의하여 공지된 방법으로 달성될 수 있다. 캡슐 레벨 통합에서 상기 부품들 사이의 전도성 와이어 접속은 부품들을 하나의 유닛으로 통합한다.
아래에 첨부 도면을 참고하여 예를 들어 종래 기술을 설명한다.
도 1은 모놀리딕(monolithic) 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 의한 방법을 도시하고 있다.
도 2는 플라스틱 주조 캡슐에서 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다.
도 3은 플라스틱 주조 캡슐에서 적층(stacking)에 의해 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다.
도 1은 모놀리딕 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 의한 방법을 도시하고 있다. 모놀리딕 통합에 의하여 마이크로전기기 계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 의한 방법에서, 마이크로전기기계 칩부(1) 및 전자회로부(2)는 동일한 실리콘 웨이퍼(3)에 제조되고, 상기 칩부와 전자회로부 사이의 전기 접속은 금속 박막에 의하여 만들어진다. 마이크로전기기계 칩부(1) 및 전자회로부(2)는 공통의 커버부(4)에 의하여 보호되고, 와이어 접속(5)에 의하여 연결되며, 또한 플라스틱 주조 캡슐(6)에서 주형된다. 또한 종래 기술의 마이크로전기기계 컴포넌트가 금속 리드프레임(7)을 포함한다.
도 2는 플라스틱 주조 캡슐에서 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다. 플라스틱 주조 캡슐에서 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법에서, 마이크로전기기계 칩부(8) 및 전자회로부(9)는 동일한 실리콘 웨이퍼 소자(10)에 개별적으로 제조된다. 마이크로전기기계 칩부(8)는 별개의 커버부(11)에 의해 보호된다. 마이크로전기기계 칩부(8) 및 전자회로부(9) 사이의 전기 접속은 와이어 접속(12)에 의하여 실시된다. 전자회로부(9)는 와이어 접속(13)에 의하여 연결된다. 이어서, 마이크로전기기계 칩부(8) 및 전자회로부(9)로서 구성된 전체는 플라스틱 주조 캡슐(14)에 주형된다. 또한 종래 기술의 마이크로전기기계 컴포넌트가 금속 리드프레임(15)을 포함한다.
도 3은 플라스틱 주조 캡슐에서 적층에 의해 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다. 플라스틱 주조 캡슐에서 적층에 의해 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법에서, 마이크로전기기계 칩부(16)는 실리콘 웨이 퍼(17)에 제조된다. 마이크로전기기계 칩부(16)는 별개의 커버부(18)에 의해 보호된다. 전자회로부(19)는 커버부의 상단에 제조된다. 마이크로전기기계 칩부(16) 및 전자회로부(19) 사이의 전기 접속은 와이어 접속(20)에 의하여 실시된다. 마이크로전기기계 칩부(16)는 와이어 접속(21)에 의하여 연결된다. 그후 마이크로전기기계 칩부(16) 및 전자회로부(19)로서 구성된 전체는 플라스틱 주조 캡슐(22)에 주형된다. 또한 종래 기술의 마이크로전기기계 컴포넌트가 금속 리드프레임(23)을 포함한다.
마이크로전기기계 컴포넌트의 전기 기능들을 마이크로전기기계 컴포넌트와 통합하기 위해 종래 기술에 의한 해결책에서의 주요한 문제는 커버 웨이퍼 및 두 부품에 의해 초래된 큰 치수와, 마이크로전기기계 칩부 및 전자회로부에 있다. 해결책의 치수는, 컴포넌트가 통상적으로 당해 분야에서 사용된 플라스틱 캡슐 종류에서 주형될 때 커지게 된다.
또한, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전기 기능들을 마이크로전기기계 컴포넌트와 통합하기 위해 종래 기술에 의한 해결책에서의 문제는 접합 영역을 위한 회로 솔루션 표면적의 낭비에 있다.
따라서, 전문적 전자공학부품 및 소비자 전자공학부품의 제조시에, 작은 마이크로전기기계 컴포넌트를 위한 필요조건, 즉, 전기 기능들을 마이크로전기기계 컴포넌트로 통합하는 것을 해결하는 것과, 특히 작은 마이크로전기기계 센서 해결책, 진동주파수 안정화 해결책, 전기신호 필터링 해결책, 전기신호 스위칭 해결책, 및 전기 임피던스 매칭 해결책에 사용하기에 적합한 필요조건이 명백히 증가하고 있다.
본 발명의 목적은 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 개선된 방법 및 개선된 마이크로전기기계 컴포넌트를 제공하는데 있다. 이러한 발명에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책이 달성되는데, 즉 전기 기능들이 양호한 방법으로 마이크로전기기계 컴포넌트로서 통합되고, 또한 마이크로전기기계 컴포넌트가 특히 마이크로전기기계 운동센서 해결책, 압력 센서 해결책, IMU(관성 측정 유닛) 운동 측정기 해결책, 진동주파수 안정화 해결책, 전기신호 필터링 해결책, 전기신호 스위칭 해결책, 및 전기 임피던스 매칭 해결책에 사용하기에 적합하다.
본 발명은 예를 들어 가속도, 각가속도, 각속도, 압력 또는 기타 물리적 양을 측정하는데 사용되는 마이크로전기기계 게이지와, 진동주파수를 안정화와 전기신호 스위칭 또는 전기 임피던스 매칭을 하기 위해 사용되는 마이크로전기기계 디바이스에 관한 것이다. 또한 본 발명의 목적은 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 개량된 방법과, 특히 작은 마이크로전기기계 센서의 해결책, 진동주파수 안정화 해결책, 전기신호 필터링 해결책, 전기신호 스위칭의 해결책, 전기 임피던스 매칭의 해결책에 사용하기 위해 적용가능한 마이크로전기기계 컴포넌트를 제공하는데 있다.
본 발명의 제1특성에 따라, 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법에서 마이크로전기기계 칩부는 커버부에 의해 밀봉되고, 상기 커버부에는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인(lead-in) 구조물이 제공되고, 따라서 이 방법에서 적어도 하나의 전자회로부가 층층이 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부의 상단에 부착되고, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위한 접합부재가 최상단 전자회로부의 표면에 제작된다.
양호하게 상기 방법에서, 커버부는 주로 유리로서 제조되며, 따라서 커버부에는 유리 소자를 통해 연장하는 전도성 영역들이 실리콘으로 제조된다. 대안으로서, 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부 안에 유리 절연부(insulation)가 제작되며, 따라서 상기 커버부에는 유리 절연부를 통과하여 연장하는 전도성 영역이 실리콘으로 제조된다. 또한 대안으로서 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부 안에 유리 절연체(insulator)가 제작되며, 따라서 커버부는 스트립형 전도성 영역으로 분할된다. 또한, 대안으로서 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부 안에 유리 절연부가 제작되며, 따라서 커버부는 섬형(insular) 전도성 영역으로 분할된다. 양호하게 커버부 및/또는 유리 절연체는 유리 대신에 다른 공지된 유전체로서 제작된다. 양호하게 커버부 및/또는 전도성 영역은 실리콘 대신에 다른 공지된 전도체로서 제작된다.
양호하게, 상기 방법에서, 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 직접 접합에 의하여 실시된다. 대안으로서 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 표면에 배치된 금속층에 의하여 실시된다. 또한 대안으로서 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의하여 실시된다.
양호하게 상기 방법에서, 커버부의 상단면에 배치된, 마이크로전기기계 칩부를 밀봉하는 커버부의 리드인 구조물들은 커버부의 외부 접촉 영역이 마이크로전기기계 컴포넌트의 모서리의 범위까지 연장하도록 실시된다. 양호하게 유전층은 커버부의 상단면에 제작된다.
양호하게 상기 방법에서, 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착하기 전에 커버부의 외부 접속 영역을 포함하는 재분배층이 커버부의 상단면과 유전층 사이에 제작된다. 대안으로서, 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착한 후에 커버부의 외부 접속 영역을 포함하는 재분배층이 커버부의 상단면과 유전층 사이에 제작된다.
양호하게 상기 방법에서, 커버부를 절연하는 층은 커버부의 외부 접속 영역을 포함하는 재분배층과 커버부 사이에 제작된다. 양호하게 상기 전자회로부는 유전층의 상단에 부착된다. 또한 양호하게, 유전층은 전자회로부를 부착하기 위한 접착제 층으로서 사용된다. 대안으로서 별개의 접착제 층이 전자회로부를 부착하는데 사용된다.
양호하게 상기 방법에서, 회로 웨이퍼를 덮는 유전층은 전자회로부의 상단에 제작된다. 또한 양호하게 커버부의 외부 접속영역 및 전자회로부로 연장하는 리드인은 회로 웨이퍼를 덮는 유전층 안에 제작된다. 또한 양호하게도, 배선층이 리드인에 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 커버부의 전도성 영역과 상기 마이크로전기기계 칩부에 먼저 부착되는 전자회로부 사이에 전도성 접속이 만들어진다. 또한 양호하게도, 리드인에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 마이크로전기기계 칩부에 먼저 부착되는 전자회로부를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어진다.
양호하게, 상기 방법에서, 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부에 적어도 하나의 전자회로부를 부착하는 것은 적어도 한번 다음의 일련의 작업:
- 유전층이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층의 상단에 제작되고,
- 상기 전자회로부가 유전층의 상단에 부착되고,
- 회로 웨이퍼를 덮는 유전층이 전자회로부의 상단에 제작되고,
- 리드인에 실시된 배선층과 전자회로부까지 연장하는 리드인이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층 안에 제작되는 작업을 수행함으로써 실시된다.
바람직하게 상기 방법에서, 유전층은 전자회로부에 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 한다. 대안으로서 전자회로부를 부착할 때 별개의 접착제층이 사용된다.
양호하게도, 상기 방법에서, 배선층이 리드인에 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 이전에 부착된 전자회로부와 유전층에 부착되는 전자회로부 사이에 전도성 접속이 만들어진다. 또한, 양호하게도 배선층이 리드인에 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 유전층에 부착되는 전자회로부를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어진다.
바람직하게도 상기 방법에서, 보호층이 리드인에 실시된 배선층의 상단에 제작된다. 또한 양호하게 상기 보호층에는, 리드인에 실시된 배선층의 접촉표면까지 적절하게 연장하는 개구부(opening)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되는 접합부재를 위해 제작된다.
양호하게 상기 방법에서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 와이어 접속에 의하여 실행된다. 또한 바람직하게도, 플라스틱 주조 캡슐(plastic cast capsule)이 마이크로전기기계 컴포넌트 위에 주형된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 범프 커넥터에 의하여 실행된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 접착제 조인트에 의하여 실행된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 직접 납땜 조인트에 의하여 실행된다. 또한 양호하게도, 접합부재는 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체에 대해 전도성 접속을 형성하고, 상기 캡슐 구조체에는 전도성 코팅이 제공된다. 또한 양호하게 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체는 마이크로전기기계 컴포넌트와 일치하도록 적절하게 디자인된다.
양호하게 상기 방법에서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부는 전기신호 처리 능력을 가진다. 양호하게, 다른 유형의 전기 기능들이 별개의 전자회로부에 분포된다. 양호하게, 간섭을 일으키는 컴포넌트들 및 간섭에 민감한 컴포넌트들은 별개의 전자회로부에 배치된다. 양호하게 별개의 EMI 차폐층이 전자회로부들 사이에 첨가된다.
바람직하게도 상기 방법에서, 안테나 컴포넌트들이 별개의 전자회로부에 배치된다. 또한 양호하게, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트가 별개의 전자회로부에 배치된다. 또한 바람직하게도, 안테나 접지층은 안테나 컴포넌트들을 포함하는 전자회로부들 사이에 배치된다.
양호하게 상기 방법에서, 물리적 양을 측정하기 위한 센서 기능들은 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부에 배치된다. 또한 양호하게, 자기장을 검출하기 위한 회로 구조는 전자회로부에 배치된다. 양호하게, 온도를 검출하기 위한 회로 구조는 전자회로부에 배치된다.
양호하게, 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 세트를 포함하는 평판형 기판은 전자회로부를 실장하기 위한 베이스로서 사용된다. 또한 양호하게, 한 세트의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 세트를 포함하는 평판형 기판의 표면에 하나씩 설치된다. 또한 양호하게, 오직 시험에 통과한 전자회로부가 시험에 통과한 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 표면에 설치된다.
양호하게, 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 세트를 포함하는 평판형 기판은 다만 실장 단계 이후에 다이싱된다. 양호하게, 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 세트를 포함하는 평판형 기판은 다만 최종 시험 이후에 다이싱된다.
본 발명의 제2특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 컴포넌트는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부에는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물이 제공되고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
양호하게도, 커버부는 주로 유리로 제조되며, 따라서 상기 커버부에는 유리소자를 통과하여 연장하는 실리콘의 전도성 영역이 제조된다. 대안으로서, 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부에 유리 절연부가 제작되며, 따라서 상기 커버부에는 유리 절연부를 통과하여 연장하는 전도성 영역이 제조된다. 또한 양호하게, 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부 안에 유리 절연체가 제작되며, 따라서 커버부는 스트립형(strip-like) 전도성 영역으로 분할된다. 또한 양호하게도, 커버부는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부 안에 유리 절연부가 제작되며, 따라서 커버부는 섬형 전도성 영역으로 분할된다. 양호하게, 커버부 및/또는 유리 절연체는 유리 대신에 다른 공지된 유전체로 제조된다. 양호하게, 커버부 및/또는 전도성 영역은 실리콘 대신에 다른 공지된 전도체로 제조된다.
양호하게, 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 직접 접합에 의하여 실시된다. 대안으로서, 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 표면에 배치된 금속층들에 의하여 실시된다. 또한 대안으로서, 커버부의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의하여 실시된다.
양호하게도, 마이크로전기기계 칩부를 밀봉하는 커버부의 리드인 구조물들은 커버부의 상단면에 실시되어 있으므로 커버부의 외부 접촉 영역이 마이크로전기기계 컴포넌트의 모서리의 범위까지 연장한다. 양호하게, 유전층은 커버부의 상단면에 제작된다. 또한 양호하게, 상기 유전층은 커버부의 표면 전체를 덮는다.
바람직하게도, 커버부의 외부 접촉 영역을 포함하는 재분배층이 커버부의 상단면과 유전층 사이에 제작된다. 또한 양호하게, 커버부를 절연하는 층은 커버부의 외부 접속 영역을 포함하는 재분배층과 커버부 사이에 제작된다. 양호하게, 상기 전자회로부는 유전층의 상단에 부착된다.
양호하게, 회로 웨이퍼를 덮는 유전층은 전자회로부의 상단에 제작된다. 또한 양호하게 커버부의 외부 접촉영역 및 전자회로부로 연장하는 리드인은 회로 웨이퍼를 덮는 유전층 안에 제작된다. 또한 양호하게도, 배선층이 리드인에 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 커버부의 전도성 영역과 상기 마이크로전기기계 칩부에 먼저 부착되는 전자회로부 사이에 전도성 접속이 만들어진다. 또한 양호하게도, 리드인에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 마이크로전기기계 칩부에 먼저 부착되는 전자회로부를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어진다.
양호하게도, 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부에 적어도 하나의 전자회로부를 부착하는 것은 적어도 한번 다음의 일련의 작업:
- 유전층이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층의 상단에 제작되고,
- 상기 전자회로부가 유전층의 상단에 부착되고,
- 회로 웨이퍼를 덮는 유전층이 전자회로부의 상단에 제작되고,
- 리드인에 실시된 배선층과 전자회로부까지 연장하는 리드인이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층 안에 제작되는 작업을 수행함으로써 실시된다.
양호하게, 상기 유전층은 커버부의 표면 전체를 덮는다. 양호하게도, 리드인에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 이전에 부착된 전자회로부와 유전층에 부착되는 전자회로부 사이에 전도성 접속이 만들어진다. 양호하게, 리드인에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 유전층에 부착되는 전자회로부를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어진다.
바람직하게도, 보호층이 리드인에 실시된 배선층의 상단에 제작된다. 또한 양호하게, 상기 보호층에는, 리드인에 실시된 배선층의 접촉표면까지 적절하게 연장하는 개구부가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되는 접합부재를 위해 제작된다.
양호하게, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 와이어 접속에 의하여 실행된다. 또한 바람직하게도, 플라스틱 주조 캡슐(plastic cast capsule)이 마이크로전기기계 컴포넌트 위에 주형된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 범프 커넥터에 의하여 실행된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 접착제 조인트에 의하여 실행된다. 대안으로서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 직접 납땜 조인트에 의하여 실행된다. 또한 양호하게도, 접합부재는 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체에 대해 전도성 접속을 형성하고, 상기 캡슐 구조체는 전도성 코팅을 구비한다. 또한 양호하게 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체는 마이크로전기기계 컴포넌트와 일치하도록 적절하게 디자인된다.
양호하게, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부는 전기신호 처리 능력을 가진다. 양호하게, 다른 유형의 전기 기능들이 별개의 전자회로부에 분포된다. 양호하게, 간섭을 일으키는 컴포넌트들 및 간섭에 민감한 컴포넌트들은 별개의 전자회로부에 배치된다. 양호하게 별개의 EMI 차폐층이 전자회로부들 사이에 첨가된다.
바람직하게도, 안테나 컴포넌트들이 별개의 전자회로부에 배치된다. 또한 양호하게, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트가 별개의 전자회로부에 배치된다. 또한 바람직하게도, 안테나 접지층은 안테나 컴포넌트들을 포함하는 전자회로부들 사이에 배치된다.
양호하게, 물리적 양을 측정하기 위한 센서 기능들은 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부에 배치된다. 또한 양호하게, 자기장을 검출하기 위한 회로 구조는 전자회로부에 배치된다. 양호하게, 온도를 검출하기 위한 회로 구조는 전자회로부에 배치된다.
본 발명의 제3특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 가속도 센서는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부에는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물이 제공되고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제4특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 각가속도 센서는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제5특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 각속도 센서는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제6특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 압력 센서는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제7특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 IMU(관성 측정 유닛) 운동 측정기 유닛은 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제8특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 진동주파수 안정장치는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제9특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 전기신호 필터는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제10특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 전기신호 스위칭 컴포넌트는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제11특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 전기 임피던스 매칭 디바이스는 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
본 발명의 제12특성에 따라 제공되는 마이크로전기기계 경사보정(inclination compensated) 나침반은 커버부에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부를 포함하고, 상기 커버부는 전기 접속을 커버부를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하고, 적어도 하나의 전자회로부가 커버부에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부의 상단에 층을 이루며 부착되고, 최상단 전자회로부의 표면에 접합부재가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작된다.
아래에 본 발명 및 양호한 실시예가 첨부도면을 참고하여 상세히 설명되어 있다.
도 1은 모놀리딕 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술에 의한 방법을 도시하고 있다.
도 2는 플라스틱 주조 캡슐에서 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다.
도 3은 플라스틱 주조 캡슐에서 적층에 의해 실행된 통합에 의하여 마이크로전기기계 컴포넌트를 제조하기 위한 종래 기술의 방법을 도시하고 있다.
도 4는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다.
도 5는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다.
도 6은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제2대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다.
도 7은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제3대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다.
도 8은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착하는 단면도를 도시하고 있다.
도 9는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 재분배층 해결책을 예증하는 평면도를 도시하고 있다.
도 10은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 재분배층 해결책을 예증하는 단면도를 도시하고 있다.
도 11은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 대안 재분배층 해결책을 예증하는 단면도를 도시하고 있다.
도 12는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 제2대안 재분배층 해결책을 예증하는 단면도를 도시하고 있다.
도 13은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 제3대안 재분배층 해결책을 예증하는 단면도를 도시하고 있다.
도 14는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착하는 단면도를 도시하고 있다.
도 15는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 유전층 해결책의 단면도를 도시하고 있다.
도 16은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책을 실행하는 단면도로서, 전자제어부가 마이크로전기기계 칩부의 상단에 부착되는 것을 도시하고 있다.
도 17은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 웨이퍼 레벨 실시에 대한 단면도로서, 전자제어부가 마이크로전기기계 칩부의 상단에 부착되는 것을 도시하고 있다.
도 18은 유전층에 의해 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 보호를 실행하는 단면도를 도시하고 있다.
도 19는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 배선을 실행하는 단면도를 도시하고 있다.
도 20은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 배선을 보호하는 실행 단면도를 도시하고 있다.
도 21은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부에서 접속 개구의 실행 단면도를 도시하고 있다.
도 22는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 구조에 대한 실시를 예증하는 평면도를 도시하고 있다.
도 23은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에 대한 실시를 예증하는 평면도를 도시하고 있다.
도 1 내지 도 3은 위에서 설명되었다. 아래에 본 발명 및 양호한 실시예가 도 4 내지 도 23을 참고하여 설명되어 있다.
도 4는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부는 도면부호 24로 지칭되어 있으며, 통상적으로 주로 유리로 제조된다. 커버부(24)는 유리 소자를 통해 연장하는 전도성 영역(25-27)을 포함하고, 상기 전도성 영역(25-27)은 통상적으로 실리콘으로 제조된다. 전도성 영역(25-27)은 좁은 폭과 높이를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부는 도면부호 28로 지칭되어 있으며, 주로 실리콘으로 제조된다. 대안 커버부(28)는 소자를 통해 연장하는 전도성 영역(29-31)을 포함하고, 상기 전도성 영역(29-31)은 통상적으로 실리콘으로 제조된다. 대안 커버부(28)의 전도성 영역(29-31)은 유리 절연부(32)에 의해 커버부(28)의 몸체로부터 절연되며, 상기 유리 절연부(32)도 역시 커버부(28)의 바닥을 절연한다. 전도성 영역(29-31)은 좁은 폭과 높이를 가질 수 있다.
도 6은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제2대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제2대안 커버부는 도면부호 33으로 지칭되어 있으며, 주로 실리콘으로 제 조된다. 제2대안 커버부(33)는 좁은 유리 절연체(37-40)에 의하여 스트립형 전도성 영역(34-36)으로 분할된다. 전도성 영역(34-36)은 통상 실리콘으로 제조된다. 제2대안 커버부(33)의 유리 절연체(37-40)도 역시 커버부(33)의 바닥을 절연한다.
도 7은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제3대안 커버부를 단면도 및 평면도로 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 제3대안 커버부는 도면부호 41로 지칭되어 있으며, 주로 실리콘으로 제조된다. 제3대안 커버부(41)는 좁은 유리 절연체(45)에 의하여 섬형 전도성 영역(42-44)으로 분할된다. 전도성 영역(42-44)은 통상 실리콘으로 제조된다. 제3대안 커버부(41)의 유리 절연체(45)도 역시 커버부(41)의 바닥을 절연한다.
본 발명에 의한 해결책에서, 다른 종류의 커버부도 사용될 수 있는데, 즉 상호 절연된 전기 접속이 커버부를 통해 하나의 평면에서 다른 평면으로 실질적으로 커버부를 통해 직각으로 형성된다.
도 8은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착하는 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(46)는 커버부(47)를 통해 전기 접속을 만들기 위한 리드인 구조물을 갖는 커버부(47)에 의하여 밀봉된다. 본 발명에 의한 해결책에서, 전기 접속은 바닥에 있는 마이크로전기기계 칩부(46)에서부터 유리 커버부(47)까지 실리콘 리드인에 의하여 이루어진다.
마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(47)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46) 사이의 조인트 형성은, 표면에서의 금속층에 의해, 납땜 범프 에 의해, 또는 기타 접합수단에 의하여 또는 다른 수단에 의하여 직접적으로 이루어질 수 있다.
도 9는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 재분배층 해결책을 예증하는 평면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(48)의 표면에는, 전도성 접촉영역(49-52)이 재분배층(49-52)에 의하여 제조되며, 상기 전도성 영역은, 나중에 표면에 제작되어야 할 배선층과 리드인 사이에 전기전도성 접속을 제공한다. 그러한 상기 접촉영역(49-52)은 전자제어부를 위한 접촉영역이며 또한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 외부 접속을 위한 접촉영역이다.
커버부의 외부 접촉영역(49-52)을 포함하는 재분배층은 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(48)를 마이크로전기기계 칩부에 부착하기 전이나 후에 제작된다. 전도성 재분배층(49-52)은 본 발명에 따라 커버부의 리드인과 나중에 제작하게 될 배선층의 리드인을 위한 배치를 가능하게 하며, 다른 것의 위치에 관계없이 양쪽 모두의 배치를 가능하게 하는 것이 바람직하다. 전도성 재분배층(49-52)에 의하여 커버부의 리드인과 배선층의 리드인 사이에, 또한 기타 다른 목적에 사용되는 배선층의 리드인들 사이에 접속이 이루어질 수 있다.
도 10은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 재분배층 해결책을 예증하는 단면도를 도시하고 있다. 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책을 예증하는 커버부는 본 발명에 따라 도면부호 24로서 지칭되어 있으며 통상적으로 주로 유리로 제조된다. 커버부(24)는 유리 소자를 통해 연장하는 전도성 영 역(25-27)을 포함하고, 상기 전도성 영역(25-27)은 통상적으로 실리콘으로 제조된다.
마이크로전기기계 컴포넌트 해결책을 예증하는 커버부(24)의 표면에는, 본 발명에 따라, 나중에 표면에 제작될 배선층과 커버부의 리드인들 사이에 전기전도성 접속을 제공하는 전도성 재분배층(53)이 제조된다. 예증하는 커버부(24)는 주로 유전체로 제조되기 때문에 전도성 재분배층(53)이 커버부(24)의 표면에 직접 배치될 수 있다.
도 11은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 대안 재분배층 해결책의 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부는 도면부호 24로 지칭되어 있으며, 통상적으로 주로 유리로 제조된다. 커버부(24)는 유리 소자를 통해 연장하는 전도성 영역을 포함하고, 상기 전도성 영역은 통상적으로 실리콘으로 제조된다.
먼저, 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(24)의 표면에는, 유전층(54)이 제조된다. 커버부(24)의 유전층(54)에 의하여 본 발명에 따라, 예를 들어 커버부(24)의 표면의 최적 강도가 달성될 수 있다. 다음에 커버부(24)의 표면에는, 본 발명에 따라, 전도성 재분배층(55)이 제조되고, 상기 재분배층이 커버부의 리드인과 표면에 나중에 제조될 배선층 사이에 전기전도성 접속을 제공한다. 커버부의 외부 접촉영역(55)을 포함하는 재분배층의 구조물과 여러 영역의 기능들은 리드인 웨이퍼의 표면에 직접 제조된 재분배층에 대한 도 9의 평면도에 도시된 것과 같다.
도 12는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 제2대안 재분배층 해결책의 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부는 도면부호 28로 지칭되어 있으며, 주로 실리콘으로 제조된다. 커버부(28)는 실리콘 소자를 통해 연장하는 전도성 영역을 포함하고, 상기 전도성 영역은 통상적으로 실리콘으로 제조된다. 커버부(28)의 전도성 영역은 유리 절연체에 의해 커버부(28)의 몸체로부터 절연되며, 상기 유리 절연체도 역시 커버부(28)의 바닥을 절연한다.
먼저, 유전층(56)이 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(28)의 표면에 제조된다. 본 발명에 따라 커버부(28)의 유전층(56)에 의하여, 예를 들어 커버부(28)의 표면의 최적 강도가 달성될 수 있다. 유전층(56)은 또한 커버부를 위한 재료의 선택에 의해 필요하게 된다. 다음에 커버부(28)의 표면에는, 본 발명에 따라, 전도성 재분배층(57)이 제조되고, 상기 재분배층이 커버부의 리드인과 표면에 나중에 제조될 배선층 사이에 전기전도성 접속을 제공한다.
도 13은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 제3대안 재분배층 해결책의 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부는 도면부호 33으로 지칭되어 있으며, 주로 실리콘으로 제조된다. 커버부(33)는 좁은 유리 절연체에 의하여 스트립형 전도성 영역으로 분할된다. 전도성 영역은 통상 실리콘으로 제조된다. 제3대안 커버부(33)의 유리 절연체도 역시 커버부(33)의 바닥을 절연한다.
먼저, 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(33)의 표 면에는, 유전층(58)이 제조된다. 커버부(33)의 유전층(58)에 의하여 본 발명에 따라, 예를 들어 커버부(33)의 표면의 최적 강도가 달성될 수 있다. 유전층은 또한 커버부를 위한 재료의 선택에 의해 필요하게 된다. 다음에 커버부(33)의 표면에는, 본 발명에 따라, 전도성 재분배층(59)이 제조되고, 상기 재분배층이 커버부의 리드인과 표면에 나중에 제조될 배선층 사이에 전기전도성 접속을 제공한다.
도 14는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부를 마이크로전기기계 칩부에 부착하는 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의해 밀봉되며, 상기 커버부는 통상 주로 유리로 제조된다.
커버부(24)는 유리 소자를 통해 연장하며, 커버부(47)를 통해 전기 접속을 만들기 위해 통상 실리콘으로 제조된 전도성 리드인 구조물을 포함한다. 본 발명에 의한 해결책에서, 전기 접속은 바닥에 있는 마이크로전기기계 칩부(60)에서부터 유리 커버부(24)의 평평한 표면까지 실리콘 리드인에 의하여 이루어진다.
마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(24)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(60) 사이의 접속은, 표면에서의 금속층에 의해, 납땜 범프에 의해, 또는 기타 접합수단에 의하여 또는 다른 수단에 의하여 직접적으로 이루어질 수 있다.
전도성 재분배층(61)이 본 발명에 따른 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 커버부(24)의 표면에 제조되고, 상기 재분배층은 나중에 표면에 제작될 배선층과 커버부의 리드인 사이에 전기전도성 접속을 제공한다. 커버부를 절연하는 층 은 커버부의 외부 접촉영역(61)을 포함하는 재분배층과 커버부(24) 사이에 배치될 수 있다. 대안으로서, 커버부(24)는 주로 유전체로 제조되기 때문에 전도성 재분배층(61)이 커버부(24)의 표면에 직접 배치될 수 있다.
도 15는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 유전층 구조물의 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의해 밀봉되며, 상기 커버부(24)의 표면에 전도성 재분배층(61)이 제조된다.
또한, 유전층(62)은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 외부 접촉영역(61)을 포함하는 재분배층의 상단에 제작된다. 유전층(62)은 통상적으로 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 표면 전체를 덮는다. 또한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 유전층(62)은 전자회로부를 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 한다.
본 발명에 의하여 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 밀봉하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)의 리드인 구조물은 상기 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)의 상단면에 실시될 수 있으며, 따라서 커버부의 외부 접촉영역이 마이크로전기기계 컴포넌트의 모서리 범위까지 연장한다. 따라서, 재분배층을 필요로 하지 않으며, 유전층(62)이 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)의 상단면에 직접 제조될 수 있다.
대안으로서, 커버부의 외부 접촉영역(49-52, 53, 55, 57, 59, 61)을 포함하는 재분배층은 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)의 상단면과 유전층(62) 사이에 제작될 수 있다. 커버부의 외부 접촉영역(49-52, 53, 55, 57, 59, 61)을 포함하는 재 분배층은 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)가 마이크로전기기계 칩부에 부착되기 전 또는 부착된 후에 제조된다.
도 16은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책을 실행하는 단면도로서, 전자제어부가 마이크로전기기계 칩부의 상단에 부착되는 것을 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(46)는 커버부(24)를 통해 전기 접속을 만들기 위한 리드인 구조물을 포함하는 커버부(24)에 의해 밀봉된다. 전도성 재분배층(62)은 커버부(24)의 표면에 제조되고 그후 유전층(62)에 제조된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 전자회로부(63)가 마이크로전기기계 칩부(60)를 보호하는 커버부(24)의 표면에 부착되며, 따라서 전자회로부(63)가 유전층(62)에 부착된다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 유전층(62)은 전자회로부(63)를 절연한다. 또한 유전층(62)은 전자회로부(63)를 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 한다. 대안으로서 별개의 접착제층이 전자회로부(63)를 부착하는데 사용될 수 있다.
도 17은 마이크로전기기계 칩부의 상단에 전자제어부를 부착함으로써 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 웨이퍼 레벨 실시에 대한 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 웨이퍼에 배치된 마이크로전기기계 칩부(60)는 단일 웨이퍼 소자(64)를 형성하도록 커버부 웨이퍼에 의해 밀봉된다.
각각의 전자회로부(63)는 마이크로전기기계 칩부(60)를 보호하는 커버부(24) 에 웨이퍼 레벨로 부착되므로, 전자회로부(63)가 웨이퍼 소자(64)의 유전층(62)에 부착된다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 부착되어야 할 전자회로부(63)는 대단히 얇아서 약 20 ㎛ 의 두께를 가진다. 이어서 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자회로부(63)는 유전층에 의하여 웨이퍼 레벨에서 보호될 수 있다.
도 18은 유전층에 의해 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 보호를 실행하는 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의해 밀봉된다. 커버부(24)의 표면에 전도성 재분배층(61) 및 유전층(62)이 제조되고, 이어서 전자회로부(63)가 커버부(24)를 절연하는 유전층(62)의 표면에 부착된다.
또한, 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(24)의 전자회로부(63)의 상단에, 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65)이 제작된다. 전자회로부에 인접한 유전층(65)은 통상적으로 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 표면 전체를 덮는다.
도 19는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 배선을 실행하는 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의해 밀봉된다. 커버부(24)의 표면에 전도성 재분배층(61) 및 유전층(62)이 제조되고, 이어서 전자회로부(63)가 커버부(24)의 유전층(62)의 표면에 부착되고 다음에 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65)에 의해 덮인다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 유전층(65)에는 배 선을 위한 리드인(66, 67)이 제작되고, 상기 리드인은 커버부의 외부 접촉영역과 전자회로부(63)까지 적절하게 연장된다. 이어서, 배선층은 유전층(65)의 상단에서 리드인(66, 67)까지 이르도록 제작된다. 리드인(66)에 실시되는 배선층의 배선에 의하여, 전도성 접속이 커버부의 전도성 영역(25-27, 29-31, 34-36, 42-44)과 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 먼저 부착되어야 할 전자회로부(63) 사이에 만들어진다. 리드인(67)에 실시되는 배선층의 배선에 의하여, 또한 전도성 접속이 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 먼저 부착되어야 할 전자회로부(63)를 연결하기 위해 만들어진다.
도 20은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부의 배선을 보호하는 실행 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의하여 밀봉된다. 커버부(24)의 표면에는 전도성 재분배층(61) 및 유전층(62)이 제작된다. 커버부(24)의 유전층(62)의 상단에 전자회로부(63)가 부착되고 유전층(65)에 의해 덮인다. 유전층(65)에는 리드인(66, 67)이 제작되고, 또한 유전층(65)의 상단에서 리드인(66, 67)까지 배선층이 제작된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부(24)의 전자회로부(63)의 상단에, 리드인(66, 67)과 배선층을 보호하는 보호층(68)이 제작된다. 보호층은 통상 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 표면 전체를 덮는다.
도 21은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 전자제어부를 위한 접속 개구의 실행 단면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이 크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의하여 밀봉된다. 전자회로부(63)는 커버부(24)의 표면에 부착되고 유전층에 의해 덮인다. 유전층에는, 리드인(66, 67)과 배선층 및 보호층(68)이 제작된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 보호층(68)에는, 개구(69-72)가 커넥터 범프와 같은 접합부재를 위해 제작되고, 상기 개구들은 배선층의 접촉표면까지 적절하게 연장된다.
도 22는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 구조에 대한 실시를 예증하는 평면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)에 의하여 밀봉된다. 전자회로부(63)는 커버부(24)의 표면에 부착되고 유전층에 의해 덮인다. 유전층에는, 리드인(66, 67)과 배선층 및 보호층(68)이 제작된다. 보호층(68)에는, 개구(69-72)가 커넥터 범프를 위해 제작되고, 상기 개구들은 배선층의 접촉표면까지 연장된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위한 커넥터 범프(73-77)는 보호층(68)의 개구(69-72)에 제작된다. 도면에서, 커넥터 범프(77)에 대응하는 보호층(68)의 개구는 도시되어 있지 않다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트의 범프 커넥터 표면에는, 마이크로전기기계 칩부(60) 및 전자회로부(63)를 포함하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속이 범프 커넥터(73-77)에 의하여 실시되었다.
범프 커넥터(73-77)가 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책으로 제작될 때, 납땜 공정에 적합한 마이크로전기기계 컴포넌트가 어떤 별도의 봉입 이 없이 얻어진다.
도 23은 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에 대한 실시를 예증하는 평면도를 도시하고 있다. 본 발명에 의한 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60)는 커버부(24)를 통해 외부 접속을 하기 위한 리드인 구조물을 포함하는 커버부(24)에 의하여 밀봉된다. 커버부(24)의 표면에 재분배층(61)이 제작되고 그후 유전층(62)이 제작된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 제1전자회로부(78)는 마이크로전기기계 칩부(60)를 보호하는 커버부(24)의 표면에 부착되며, 따라서 제1전자회로부(78)가 유전층(62)에 부착된다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 유전층(62)은 제1전자회로부(78)를 절연한다. 또한 유전층(62)은 제1전자회로부(78)를 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 할 수 있다. 대안으로서, 별개의 접착제층이 제1전자회로부(78)를 부착하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 유전층(79)은 커버부(24)의 제1전자회로부(78)의 상단에 제작된다. 유전층(79)은 통상 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 표면 전체를 덮는다. 유전층(79)에는, 커버부의 외부 접촉 영역과 제1전자회로부(78)까지 적절하게 연장하는 리드인(80, 81)이 배선을 위해 제작된다. 그후, 유전층(79)의 상단과 리드인(80, 81)에, 배선층이 제작된다. 리드인(80)에 실시된 배선층의 배선에 의하여, 전도성 접속이 커버부의 전도성 영역(25-27, 29-31, 34-36, 42-44)과 마이크로전기기계 칩 부(46, 60)에 먼저 부착되어야 할 전자회로부(78) 사이에 만들어진다. 리드인(81)에 실시되는 배선층의 배선에 의하여, 또한 전도성 접속이 마이크로전기기계 칩부(46, 60)에 먼저 부착되어야 할 전자회로부(78)를 연결하기 위해 만들어진다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 회로부들 사이에 삽입된 유전층(82)이 리드인(80, 81)과 배선층의 상단에 추가로 제작된다. 회로부들 사이에 삽입된 유전층(82)은 통상 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 표면 전체를 덮는다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 또한 제2전자회로부(83)가 마이크로전기기계 칩부(60)를 보호하는 커버부(24)의 표면에 부착되므로, 제2전자회로부(83)가 유전층(82)에 부착된다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 회로부들 사이에 삽입된 유전층(82)은 제2전자회로부(83)를 절연한다. 또한 유전층(82)은 제2전자회로부(83)를 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 할 수 있다. 대안으로서, 별개의 접착제층이 제2전자회로부(83)를 부착하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 유전층(84)은 제2전자회로부(83)의 상단에 제작된다. 유전층(84)은 통상 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 표면 전체를 덮는다. 유전층(84)에는, 배선층의 리드인(81)과 제2전자회로부(83)까지 적절하게 연장하는 리드인(85, 86)이 새로운 배선을 위해 제작된다. 그후, 유전층(84)의 상단과 리드인(85, 86)에, 배선층이 제작된다. 앞서 부착된 전자회로부(78)와 유전층(82)에 부착될 전자회로부(83)사이의 전도성 접속이 리드인(85)에 실시될 배선층의 배선에 의하여 만들어진다. 또한 유전층(82)에 부착될 전자회로부(83)를 연결하기 위한 전도성 접속이 리드인(85)에 실시될 배선층의 배선에 의하여 만들어진다.
더 나아가서, 리드인(85, 86)과 배선층을 보호하는 보호층(87)은 제2전자회로부(83)의 상단에 제작된다. 보호층(87)은 통상 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 커버부의 전체 표면을 덮는다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 구조에서, 또한 3개 이상의 전자회로부가 하나의 전자회로부(63) 또는 2개의 전자회로부(78, 83) 대신에 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 커넥터 범프와 같은 접합부재를 위한 개구(88-91)가 배선층의 접촉면까지 적절히 연장하며, 제2전자회로부(83)에 배치된 보호층(87) 내로 제작된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책의 대안 구조에서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위한 커넥터 범프(92-96)가 보호층에서 개구(88-91) 안에 제작된다. 커넥터 범프(96)에 대응하는 보호층(68)의 개구는 도면에 도시되어 있지 않다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트의 범프 커넥터의 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(60) 및 2개의 전자회로부(78, 83)를 포함하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속은 범프 커넥터(92-96)에 의하여 실시된다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 범프 커넥터(92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트에 제작될 때, 납땜 공정에 적절한 마이크로전기기계 컴포넌트가 어떤 별개의 봉입이 없이 얻어진다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 또한 3개 이상의 전자회로부가 하나의 전자회로부(63) 또는 2개의 전자회로부(78, 83) 대신에 사용될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 유전층 및 보호층(62, 65, 68, 79, 82, 84, 87)은 주위환경으로부터 초래되는 다양한 해로운 작용제 즉 습기 등을 양호하게 막는 역할을 한다. 전자회로부(63, 78, 83) 및 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 전기 민감성 영역들이 유전층 및 보호층(62, 65, 68, 79, 82, 84, 87)에 의하여 보호되기 때문에, 마이크로전기기계 컴포넌트가 필요하면 플라스틱 주조 캡슐이 없이 사용될 수 있다. 그러나, 플라스틱 주조 캡슐은 필요한 경우에 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책으로 이루어지는 유닛 위에 주형될 수 있다. 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체는 마이크로전기기계 칩부(46, 60) 및 전자회로부(63, 78, 83)를 포함하는 마이크로전기기계 컴포넌트에 호환하도록 적절하게 설계될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 마이크로전기기계 칩부(46, 60) 및 전자회로부(63, 78, 83)를 포함하는 마이크로전기기계 컴포넌트는 어떤 공지된 접속 해결책에 의하여 외부에 연결될 수 있다. 그러한 접속 해결책은 와이어 접속, 범프 접속, 접착제 접속, 전도성 접착제 접속, 이방성 접착제 접속, 또는 직접 납땜 조인트 해결책이다.
또한 본 발명의 방법에 의해 제작된 마이크로전기기계 컴포넌트는 전기신호 처리 능력을 포함한다. 본 발명에 의하여, 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책이 제 공되는데, 여기서 전기 기능들은 유리한 방법으로 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책과 연결되어 통합되어 있고, 또한 특히 소형 마이크로전기기계 운동센서 해결책, 압력 센서 해결책, 기타 센서 해결책, 진동주파수 안정장치 해결책, 전기신호 필터링 해결책, 전기신호 스위칭 해결책, 및 전기 임피던스 매칭 해결책에 사용하기에 적합하다.
본 발명은 예를 들어 가속도, 각가속도, 각속도, 압력, 자기장, 온도 또는 기타 물리적 양을 측정하거나 검출하는데 사용되는 마이크로전기기계 측량 기구와 같은 다양한 마이크로전기기계 컴포넌트에 사용하기에 적합하다. 본 발명에 의한 해결책에 의하여, 센서의 측량 활동의 분석을 마이크로전기기계 센서가 스스로 실시할 수 있다.
여러 개의 전자회로부(63, 78, 83)를 사용하는 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에 의하여, 다른 유형의 전기 기능들을 별개의 전자회로부(63, 78, 83)에 분배하는 것은 편리하게 실행될 수 있다. 예를 들어, 아날로그 컴포넌트, 프로세서 컴포넌트, 메모리 컴포넌트, 또는 무선주파수 컴포넌트가 그들 자신의 전자회로부(63, 78, 83)에 배치될 수 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 센서 기능들은 모놀리딕으로 통합되는 방법으로 하나 이상의 전자회로부(63, 78, 83)에 배치될 수 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 전자기 간섭(EMI)에 대한 차폐는 또한 간섭을 일으키는 컴포넌트와 간섭에 민감한 컴포넌트를 별개의 전자회로부(63, 78, 83)에 배치함으로써 편리하게 실시될 수 있다. 따라서, 별개의 EMI 차폐층이 필요하면 전자회로부(63, 78, 83)들 사이에 추가될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에서, 센서의 안테나 컴포넌트가 또한 전자회로부 또는 그들 자신의 전자회로부(63, 78, 83)에 편리하게 배치될 수 있다. 또한, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트가 별개의 전자회로부(63, 78, 83)에 배치될 수 있다. 따라서, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트를 포함하는 전자회로부(63, 78, 83)들 사이에 필요하면 예를 들어 안테나 접지층이 제공될 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에 의하여, 예를 들어 압력 센서, 또는 3방향에서 측정하는 각가속도, 각속도 또는 직선형 운동 센서가 실시될 수 있다. 따라서 3방향에서 각가속도, 각속도 또는 직선형 운동을 측정하는 본 발명에 의한 센서가 다른 방향에서 각각 측정하는 여러 개의 마이크로전기기계 컴포넌트를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에 의하여, 또한 IMU 운동 측정기 유닛(관성측정유닛)이 실시될 수 있다. 본 발명에 의한 마이크로전기기계 IMU 운동 측정기 유닛은 예를 들어 각속도 센서 컴포넌트, 가속도 센서 컴포넌트, 및 자기장의 강도를 측정 또는 검출하는 센서 컴포넌트와 같은 다수의 마이크로전기기계 컴포넌트를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에 의하여, 또한 경사보정 나침반이 실시될 수 있다. 본 발명에 의한 경사보정 나침반은 2축 또는 3축에 관하여 측정하는 가속도 센서, 및 전자회로부와 관련하여 실시된, 자기장을 측정 또는 검출하는 센서를 포함할 수 있으며, 상기 센서는 자기저항성, 자기유도성, 플럭스게이트(flux-gate), 홀(Hall), 또는 기타 다른 자기장 측정 원리에 근거한다.
본 발명에 의한 마이크로전기기계 컴포넌트 해결책에 의하여, 또한 원격제어식 마이크로전기기계 센서 컴포넌트가 실시될 수 있다. 본 발명에 의한 원격제어식 마이크로전기기계 센서 컴포넌트는 또한 센서 유닛에 추가하여, 예를 들어 송신용 측정 데이터 및 수신용 지령 및 교정 데이터를 위한 송신수단 및 수신수단을 포함할 수 있다.
본 발명은 진동주파수를 발생하여 안정화하는데 사용되는 발진기 및 주파수 합성장치에도 사용하기에 적합하며, 그리고 무선장치의 고주파 또는 중간주파수 부품과 같은 전기회로와, 공진기, 필터, 스위치 또는 임피던스 매칭 소자와 같은 마이크로전기기계 부품들에 의하여 실시되는 기능을 사람이 추가하기를 원하는 컴포넌트들에 사용하기에 적합하며, 또한 밀봉된 공간내에 배치되어서 마이크로회로에 의하여 실시되는 부품과 마이크로전기기계 부품들을 조합하기를 원하는 기타 마이크로전기기계 디바이스에 사용하기에 적합하다. 본 발명에 의하여, 마이크로전기기계 컴포넌트 뿐만 아니라, 소형 마이크로전기기계 센서 해결책, 진동 주파수를 안정화하기 위한 해결책, 전기신호 필터링 해결책, 전기신호 스위칭 해결책, 및 전기 임피던스 매칭 해결책에 사용하기에 특히 적합한 마이크로전기기계 컴포넌트를 제작하기 위한 개선된 방법이 제공될 수 있다.
본 발명에 의한 방법에 의하여 제작된 마이크로전기기계 컴포넌트에서, 마이크로전기기계 칩부와 전자회로부를 서로 접합하기 위한 기계적 및 전기적 접합은, 제작시에 마이크로전기기계 웨이퍼가 전자회로부를 실장하기 위한 기판으로서의 역할을 하고 또 부품들 사이의 접속이 주위환경으로부터 보호되는 상태로 유지되도록 하는 규정된 종류의 커버 웨이퍼를 사용함으로써 양호한 방법으로 실시될 수 있다.
본 발명에 의한 방법에서, 전자회로부는 예를 들어, 커버를 구비한 마이크로전기기계 웨이퍼의 표면에 하나씩 실장될 수 있다. 따라서, 사람은, 시험을 통과한 전자회로부만이 시험을 통과한 마이크로전기기계 칩을 포함하는 장소에만 실장된다는 것을 확신할 수 있다. 본 발명에 의한 방법에서, 마이크로전기기계 웨이퍼는 실장 단계와 최종 시험한 이후에만 다이싱된다.

Claims (100)

  1. 마이크로전기기계 칩부(46), (60)가 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의하여 밀봉되고, 상기 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)가 전기 접속을 상기 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법에 있어서,
    상기 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 상단에 적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 커버부(24)는 주로 유리로 제조되며, 따라서 상기 커버부(24)에는 유리소자를 통과하여 연장하는 전도성 영역(25-27)이 실리콘으로 제조 되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 커버부(28)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(28) 안에 유리 절연부(32)가 제작되며, 따라서 상기 커버부(28)에는 유리 절연부(32)를 통과하여 연장하는 전도성 영역(29-31)이 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 커버부(33)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(33) 안에 유리 절연체(37-40)가 제작되며, 따라서 커버부(33)는 스트립형 전도성 영역(34-36)으로 분할되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 커버부(41)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(41) 안에 유리 절연체(45)가 제작되며, 따라서 커버부(41)는 섬형(insular) 전도성 영역(42-44)으로 분할되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24) 및/또는 유리 절연체(32), (37-40), (45)는 유리 대신에 다른 공지된 유전체로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  7. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(28), (33), (41) 및/또는 전도성 영역(25-27), (29-31), (34-36), (42-44)은 실리콘 대신에 다른 공지된 전도체로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 직접 접합에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 표면에 배치된 금속층들에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 칩부(46), (60)를 밀봉하는 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면의 리드인들은 커버부의 외부 접촉 영역이 마이크로전기기계 컴포넌트의 모서리의 범위까지 연장하도록 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 유전층(62)은 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)를 마이크로전기기계 칩부(46), (60)에 부착하기 전에 커버부의 외부 접촉 영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61)을 포함하는 재분배층이 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면과 유전층(62) 사이에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)를 마이크로전기기계 칩부(46), (60)에 부착한 후에 커버부의 외부 접촉 영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61)을 포함하는 재분배층이 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면과 유전층(62) 사이에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 커버부를 절연하는 유전층은 커버부의 외부 접촉 영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61)을 포함하는 재분배층과 커버부(24) 사이에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자회로부(63), (78)는 유전층(62)의 상단에 부착되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 유전층(62)은 전자회로부(63), (78)를 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  18. 제16항에 있어서, 전자회로부(63), (78)를 부착할 때 별개의 접착제층이 사용되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  19. 제11항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(66), (80)에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 커버부의 전도성 영역(25-27), (29-31), (34-36), (42-44)과 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 상단에 먼저 부착되 는 전자회로부(63), (78) 사이에 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  20. 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(66), (80)에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 상단에 먼저 부착되는 전자회로부(63), (78)를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 상단에 적어도 하나의 전자회로부(83)를 부착하는 것은 적어도 한번 다음의 일련의 작업:
    - 유전층(82)이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(79)의 상단에 제작되고,
    - 상기 전자회로부(83)가 유전층(82)의 상단에 부착되고,
    - 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(84)이 전자회로부(82)의 상단에 제작되고,
    - 리드인(81)에 실시된 배선층과 전자회로부(83)까지 연장하는 리드인(85,86)이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(84) 안에 제작되는 작업을 수행함으로써 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 유전층(82)은 전자회로부(83)에 부착하기 위한 접착제층으로서 역할을 하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  23. 제21항에 있어서, 전자회로부(83)를 부착할 때 별개의 접착제층이 사용되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  24. 제21항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(85)에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 이전에 부착된 전자회로부(78)와 유전층(82)에 부착되는 전자회로부(83) 사이에 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  25. 제21항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(86)에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 유전층(82)에 부착되는 전자회로부(83)를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  26. 제20항 또는 제25항에 있어서, 보호층(68), (87)이 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)에 실시된 배선층의 상단에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  27. 제26항에 있어서, 상기 보호층(68), (87)에는, 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)에 실시된 배선층의 접촉표면까지 적절하게 연장하는 개구부(69- 72), (88-91)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되는 접합부재(73-77), (92-96)를 위해 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 와이어 접속에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  29. 제28항에 있어서, 플라스틱 주조 캡슐이 마이크로전기기계 컴포넌트 위에 주형되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  30. 제27항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 범프 커넥터에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  31. 제27항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 접착제 조인트에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  32. 제27항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어 야 할 접합부재가 직접 납땜 조인트에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  33. 제31항 또는 제32항에 있어서, 접합부재는 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체에 대해 전도성 접속을 형성하고, 상기 캡슐 구조체에는 전도성 코팅이 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  34. 제31항 내지 제33항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체는 마이크로전기기계 컴포넌트와 일치하도록 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  35. 제1항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부(63), (78), (83)는 전기신호 처리 능력을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  36. 제1항 내지 제35항 중 어느 한 항에 있어서, 다른 유형의 전기 기능들이 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 분포되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  37. 제1항 내지 제36항 중 어느 한 항에 있어서, 간섭을 일으키는 컴포넌트들 및 간섭에 민감한 컴포넌트들은 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  38. 제1항 내지 제37항 중 어느 한 항에 있어서, 별개의 EMI 차폐층이 전자회로부(63), (78), (83)들 사이에 첨가되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  39. 제1항 내지 제38항 중 어느 한 항에 있어서, 안테나 컴포넌트들이 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  40. 제39항에 있어서, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트가 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  41. 제39항 또는 제40항에 있어서, 안테나 접지층은 안테나 컴포넌트들을 포함하는 전자회로부(63), (78), (83)들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  42. 제1항 내지 제41항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부(63), (78), (83)는 물리적 양을 측정하기 위한 센서 기능들을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  43. 제42항에 있어서, 전자회로부(63), (78), (83)는 자기장을 검출하기 위한 회로 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  44. 제42항 또는 제43항에 있어서, 전자회로부(63), (78), (83)는 온도를 검출하기 위한 회로 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  45. 제1항 내지 제44항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)를 포함하는 웨이퍼형 기판은 전자회로부(63), (78), (83)를 실장하기 위한 베이스로서 사용되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  46. 제45항에 있어서, 한 세트의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)를 포함하는 웨이퍼형 기판의 표면에 하나씩 실장되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  47. 제46항에 있어서, 오직 시험에 통과한 전자회로부(63), (78), (83)가 오직 시험에 통과한 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 표면에 실장되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  48. 제45항 내지 제47항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 한 세트를 포함하는 웨이퍼형 기판은 다만 실장 단계 이후에 다이싱되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  49. 제45항 내지 제48항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)의 한 세트를 포함하는 웨이퍼형 기판은 다만 최종 시험 이후에 다이싱되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법.
  50. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 컴포넌트에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부 착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  51. 제50항에 있어서, 커버부(24)는 주로 유리로 제조되며, 따라서 상기 커버부(24)에는 유리소자를 통과하여 연장하는 전도성 영역(25-27)이 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  52. 제50항에 있어서, 커버부(28)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(28) 안에 유리 절연부(32)가 제작되며, 따라서 상기 커버부(28)에는 유리 절연부(32)를 통과하여 연장하는 전도성 영역(29-31)이 실리콘으로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  53. 제50항에 있어서, 커버부(33)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(33) 안 에 유리 절연체(37-40)가 제작되며, 따라서 커버부(33)는 스트립형 전도성 영역(34-36)으로 분할되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  54. 제50항에 있어서, 커버부(41)는 주로 실리콘으로 제조되며 이 커버부(41) 안에 유리 절연부(45)가 제작되며, 따라서 커버부(41)는 섬형(insular) 전도성 영역(42-44)으로 분할되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  55. 제51항 내지 제54항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24) 및/또는 유리 절연체(32), (37-40), (45)는 유리 대신에 다른 공지된 유전체로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  56. 제51항 내지 제55항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(28), (33), (41) 및/또는 전도성 영역(25-27), (29-31), (34-36), (42-44)은 실리콘 대신에 다른 공지된 전도체로 제조되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  57. 제50항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 직접 접합에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  58. 제50항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 표면에 배치된 금속층들에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  59. 제50항 내지 제56항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 전도성 리드인과 마이크로전기기계 칩부(46), (60) 사이의 전기 접속의 형성은 납땜 범프에 의하여 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  60. 제50항 내지 제59항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 칩부(46), (60)를 밀봉하는 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 리드인 구조물들은 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면에 실시되어 있으므로 커버부의 외부 접촉 영역이 마이크로전기기계 컴포넌트의 모서리의 범위까지 연장하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  61. 제50항 내지 제60항 중 어느 한 항에 있어서, 유전층(62)은 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  62. 제61항에 있어서, 상기 유전층(62)은 커버부(24)의 표면 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  63. 제60항 내지 제62항 중 어느 한 항에 있어서, 커버부의 외부 접촉 영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61)을 포함하는 재분배층이 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)의 상단면과 유전층(62) 사이에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  64. 제63항에 있어서, 커버부를 절연하는 층은 커버부의 외부 접촉 영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61)을 포함하는 재분배층과 커버부(24) 사이에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  65. 제61항 또는 제62항에 있어서, 상기 전자회로부(63), (78)는 유전층(62)의 상단에 부착되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  66. 제61항 내지 제65항 중 어느 한 항에 있어서, 배선층이 리드인(66), (80)에 실시되고, 상기 배선에 의하여 커버부의 전도성 영역(25-27), (29-31), (34-36), (42-44)과 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)에 먼저 부착되는 전자회로부(63), (78) 사이에 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  67. 제61항 내지 제66항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(66), (80)에 배선층이 실시되고, 상기 배선에 의하여 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)에 먼저 부착되는 전자회로부(63), (78)를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  68. 제67항에 있어서, 커버부(24), (28), (33), (41), (47), (48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46), (60)에 적어도 하나의 전자회로부(83)를 부착하는 것은 적어도 한번 다음의 일련의 작업:
    - 유전층(82)이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(79)의 상단에 제작되고,
    - 상기 전자회로부(83)가 유전층(82)의 상단에 부착되고,
    - 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(84)이 전자회로부(82)의 상단에 제작되고,
    - 리드인(81)에 실시된 배선층과 전자회로부(83)까지 연장하는 리드인(85,86)이 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(84) 안에 제작되는 작업을 수행함으로써 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  69. 제68항에 있어서, 상기 유전층(62)은 커버부(24)의 표면 전체를 덮는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  70. 제68항 또는 제69항에 있어서, 리드인(85)에 배선층이 실시되고, 상기 배선 층의 배선에 의하여 이전에 부착된 전자회로부(78)와 유전층(82)에 부착되는 전자회로부(83) 사이에 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  71. 제68항 내지 제70항 중 어느 한 항에 있어서, 리드인(86)에 배선층이 실시되고, 상기 배선층의 배선에 의하여 유전층(82)에 부착되는 전자회로부(83)를 연결하기 위한 전도성 접속이 만들어지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  72. 제67항 또는 제71항에 있어서, 보호층(68), (87)이 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)에 실시된 배선층의 상단에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  73. 제72항에 있어서, 상기 보호층(68), (87)에는, 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)에 실시된 배선층의 접촉표면까지 적절하게 연장하는 개구부(69-72), (88-91)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되는 접합부재(73-77), (92-96)를 위해 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  74. 제73항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어 야 할 접합부재가 와이어 접속에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  75. 제74항에 있어서, 플라스틱 주조 캡슐이 마이크로전기기계 컴포넌트 위에 주형되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  76. 제73항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 범프 커넥터에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  77. 제73항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 접착제 조인트에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  78. 제73항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 제작되어야 할 접합부재가 직접 납땜 조인트에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  79. 제77항 또는 제78항에 있어서, 접합부재는 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체에 대해 전도성 접속을 형성하고, 상기 캡슐 구조체에는 전도성 코팅이 제공되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  80. 제77항 내지 제79항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 캡슐 구조체는 마이크로전기기계 컴포넌트와 일치하도록 적절하게 디자인되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  81. 제50항 내지 제80항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부(63), (78), (83)는 전기신호 처리 능력을 가지는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  82. 제50항 내지 제81항 중 어느 한 항에 있어서, 다른 유형의 전기 기능들이 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 분포되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  83. 제50항 내지 제82항 중 어느 한 항에 있어서, 간섭을 일으키는 컴포넌트들 및 간섭에 민감한 컴포넌트들은 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  84. 제50항 내지 제83항 중 어느 한 항에 있어서, 별개의 EMI 차폐층이 전자회로부(63), (78), (83)들 사이에 첨가되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포 넌트.
  85. 제50항 내지 제84항 중 어느 한 항에 있어서, 안테나 컴포넌트들이 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  86. 제85항에 있어서, 송신용 안테나 컴포넌트 및 수신용 안테나 컴포넌트가 별개의 전자회로부(63), (78), (83)에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  87. 제85항 또는 제86항에 있어서, 안테나 접지층은 안테나 컴포넌트들을 포함하는 전자회로부(63), (78), (83)들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  88. 제50항 내지 제87항 중 어느 한 항에 있어서, 마이크로전기기계 컴포넌트의 전자회로부(63), (78), (83)는 물리적 양을 측정하기 위한 센서 기능들을 포함하는것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  89. 제88항에 있어서, 전자회로부(63), (78), (83)는 자기장을 검출하기 위한 회로 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  90. 제88항 또는 제89항에 있어서, 전자회로부(63), (78), (83)는 온도를 검출하기 위한 회로 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 컴포넌트.
  91. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 가속도 센서에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부(78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 가속도 센서.
  92. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구 조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 각가속도 센서에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 각가속도 센서.
  93. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 각속도 센서에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 각속도 센서.
  94. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 압력 센서에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부(78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 압력 센서.
  95. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 IMU 운동 측정기 유닛에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 IMU 운동 측정기 유닛.
  96. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구 조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 진동주파수 안정장치에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 진동주파수 안정장치.
  97. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 전기신호 필터에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 전기신호 필터.
  98. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 전기신호 스위칭 컴포넌트에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 전기신호 스위칭 컴포넌트.
  99. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 전기 임피던스 매칭유닛에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부(78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 전기 임피던스 매칭유닛.
  100. 전기 접속을 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)를 통해 만들기 위한 리드인 구 조물을 수용하는 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 마이크로전기기계 칩부(46, 60)를 포함하는 마이크로전기기계 경사보정 나침반에 있어서,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83)가 커버부(24, 28, 33, 41, 47, 48)에 의해 밀봉된 상기 마이크로전기기계 칩부(46, 60)의 상단에 층을 이루며 부착되고,
    적어도 하나의 전자회로부(63), (78), (83) 각각의 상단에는 회로 웨이퍼를 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고, 커버부 또는 이전에 부착된 전자회로부 (78)의 외부 접촉영역(49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81)과 전자회로부(63), (78), (83)로 연장하는 상기 회로 웨이퍼 리드인(66), (67), (80), (81), (85), (86)을 덮는 유전층(65), (79), (84)이 제작되고,
    접합부재(73-77), (92-96)가 마이크로전기기계 컴포넌트의 외부 접속을 위해 최상단 전자회로부(63), (83)의 표면에 제작되는 것을 특징으로 하는 마이크로전기기계 경사보정 나침반.
KR1020087013838A 2005-11-23 2006-11-21 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트 KR101388946B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055618 2005-11-23
FI20055618A FI119728B (fi) 2005-11-23 2005-11-23 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
US11/430,035 2006-05-09
US11/430,035 US7982291B2 (en) 2005-11-23 2006-05-09 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
FI20065484 2006-07-07
FI20065484A FI119729B (fi) 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
PCT/FI2006/050507 WO2007060289A1 (en) 2005-11-23 2006-11-21 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080078823A true KR20080078823A (ko) 2008-08-28
KR101388946B1 KR101388946B1 (ko) 2014-05-27

Family

ID=36758331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087013838A KR101388946B1 (ko) 2005-11-23 2006-11-21 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7932568B2 (ko)
EP (1) EP1951611B1 (ko)
JP (2) JP2009516597A (ko)
KR (1) KR101388946B1 (ko)
CN (1) CN101312904B (ko)
FI (1) FI119729B (ko)
MY (1) MY153013A (ko)
WO (1) WO2007060289A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140320A (ko) * 2015-05-29 2016-12-07 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Ｍｅｍｓ 패키지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2011762B1 (en) * 2007-07-02 2015-09-30 Denso Corporation Semiconductor device with a sensor connected to an external element
US9588081B2 (en) * 2007-09-25 2017-03-07 Ownstone Medical Limited Interdigitated electrode configuration for ion filter
US7782522B2 (en) * 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
DE102009002376A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Robert Bosch Gmbh Multichip-Sensormodul und Verfahren dessen Herstellung
US8315793B2 (en) * 2009-06-03 2012-11-20 Honeywell International Inc. Integrated micro-electro-mechanical systems (MEMS) sensor device
US8043891B2 (en) * 2009-06-05 2011-10-25 Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. Method of encapsulating a wafer level microdevice
CN102092352B (zh) * 2010-12-16 2013-03-27 芜湖伯特利电子控制系统有限公司 一种应用于机动车的惯量测量单元的控制方法
EP2727146B1 (en) 2011-06-30 2020-04-01 Murata Electronics Oy A system-in-package device
FR3005648B1 (fr) 2013-05-15 2016-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble
US10081535B2 (en) * 2013-06-25 2018-09-25 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry
CN104944359B (zh) * 2014-03-25 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mems器件及其形成方法
CN105174203B (zh) 2014-05-28 2016-09-28 无锡华润上华半导体有限公司 基于mems的传感器的制作方法
US9611137B2 (en) * 2014-08-26 2017-04-04 Invensense, Inc. MEMS sensor integrated with a flip chip
JP6488639B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6488640B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
US9604841B2 (en) 2014-11-06 2017-03-28 Analog Devices, Inc. MEMS sensor cap with multiple isolated electrodes
CN107209034B (zh) 2015-01-28 2020-03-24 大陆-特韦斯股份有限公司 具有用于传感器的嵌入式过滤器部件的适配器
EP3250893B1 (de) 2015-01-28 2018-11-21 Continental Teves AG & Co. OHG Sensor mit symmetrisch eingebetteten sensorelementen
US10649000B2 (en) * 2015-12-17 2020-05-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Connection assembly
US11444048B2 (en) 2017-10-05 2022-09-13 Texas Instruments Incorporated Shaped interconnect bumps in semiconductor devices

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448014A (en) * 1993-01-27 1995-09-05 Trw Inc. Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices
US6140707A (en) * 1998-05-07 2000-10-31 3M Innovative Properties Co. Laminated integrated circuit package
US6159385A (en) 1998-05-08 2000-12-12 Rockwell Technologies, Llc Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation
CN1242602A (zh) * 1998-07-16 2000-01-26 日东电工株式会社 晶片规模封装结构及其内使用的电路板
AU2001234750A1 (en) * 2000-02-02 2001-08-14 Raytheon Company Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components
DE10017976A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
US6522015B1 (en) * 2000-09-26 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked wirebonded package
US6512300B2 (en) * 2001-01-10 2003-01-28 Raytheon Company Water level interconnection
DE10123039A1 (de) * 2001-05-11 2002-11-21 Bosch Gmbh Robert Sensoranordnung, insbesondere mikromechanische Sensoranordnung
WO2002096166A1 (en) * 2001-05-18 2002-11-28 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (mems) devices on low-temperature co-fired ceramic (ltcc) substrates
JP4173652B2 (ja) * 2001-07-02 2008-10-29 富士通株式会社 金融取引装置
FR2833106B1 (fr) * 2001-12-03 2005-02-25 St Microelectronics Sa Circuit integre comportant un composant auxiliaire, par exemple un composant passif ou un microsysteme electromecanique, dispose au-dessus d'une puce electronique, et procede de fabrication correspondant
TW517361B (en) * 2001-12-31 2003-01-11 Megic Corp Chip package structure and its manufacture process
JP3575478B2 (ja) * 2002-07-03 2004-10-13 ソニー株式会社 モジュール基板装置の製造方法、高周波モジュール及びその製造方法
AU2003255254A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-25 Glenn J. Leedy Vertical system integration
AU2003286572A1 (en) * 2002-10-23 2004-05-13 Rutgers, The State University Of New Jersey Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
JP4342174B2 (ja) * 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP4489411B2 (ja) * 2003-01-23 2010-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
JP4269806B2 (ja) * 2003-06-30 2009-05-27 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20050054133A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Felton Lawrence E. Wafer level capped sensor
JP4539155B2 (ja) * 2003-10-03 2010-09-08 パナソニック電工株式会社 センサシステムの製造方法
JP3875240B2 (ja) * 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
EP1738411A4 (en) * 2004-04-22 2012-06-27 Panasonic Corp SENSOR DEVICE, SENSOR SYSTEM, AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF
KR100733242B1 (ko) 2004-05-19 2007-06-27 삼성전기주식회사 측면 밀봉부재가 형성된 ｍｅｍｓ 패키지 및 그 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160140320A (ko) * 2015-05-29 2016-12-07 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Ｍｅｍｓ 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014111308A (ja) 2014-06-19
FI20065484A0 (fi) 2006-07-07
KR101388946B1 (ko) 2014-05-27
US20070132047A1 (en) 2007-06-14
US7932568B2 (en) 2011-04-26
EP1951611B1 (en) 2016-08-17
CN101312904A (zh) 2008-11-26
FI20065484A (fi) 2007-09-06
CN101312904B (zh) 2012-09-05
MY153013A (en) 2014-12-31
WO2007060289A1 (en) 2007-05-31
FI119729B (fi) 2009-02-27
JP5919310B2 (ja) 2016-05-18
EP1951611A4 (en) 2014-01-22
JP2009516597A (ja) 2009-04-23
EP1951611A1 (en) 2008-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101388946B1 (ko) 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트
US7982291B2 (en) Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
US9227841B2 (en) Apparatus integrating microelectromechanical system device with circuit chip and methods for fabricating the same
US9056760B2 (en) Miniaturized electrical component comprising an MEMS and an ASIC and production method
JP4838732B2 (ja) 電気的構成素子および製造方法
US8080925B2 (en) Inertial sensor with dual cavity package and method of fabrication
US11287486B2 (en) 3D MEMS magnetometer and associated methods
US20070188054A1 (en) Surface acoustic wave packages and methods of forming same
CN107265393B (zh) 包含mems管芯的半导体设备
WO2016069691A1 (en) Microphone package with molded spacer
KR101753087B1 (ko) 미소 전자 기계 디바이스 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180323

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190328

Year of fee payment: 6