FI119729B - Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti - Google Patents

Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti Download PDF

Info

Publication number
FI119729B
FI119729B FI20065484A FI20065484A FI119729B FI 119729 B FI119729 B FI 119729B FI 20065484 A FI20065484 A FI 20065484A FI 20065484 A FI20065484 A FI 20065484A FI 119729 B FI119729 B FI 119729B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
microelectromechanical
electronic circuit
lid
microelectromechanical component
insulating layer
Prior art date
Application number
FI20065484A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20065484A (fi
FI20065484A0 (fi
Inventor
Heikki Kuisma
Jiri Niemistoe
Original Assignee
Vti Technologies Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FI20055618A external-priority patent/FI119728B/fi
Application filed by Vti Technologies Oy filed Critical Vti Technologies Oy
Priority to FI20065484A priority Critical patent/FI119729B/fi
Publication of FI20065484A0 publication Critical patent/FI20065484A0/fi
Priority to KR1020087013838A priority patent/KR101388946B1/ko
Priority to PCT/FI2006/050507 priority patent/WO2007060289A1/en
Priority to JP2008541775A priority patent/JP2009516597A/ja
Priority to EP06808048.0A priority patent/EP1951611B1/en
Priority to CN2006800440202A priority patent/CN101312904B/zh
Priority to US11/603,070 priority patent/US7932568B2/en
Publication of FI20065484A publication Critical patent/FI20065484A/fi
Priority to MYPI20081535 priority patent/MY153013A/en
Publication of FI119729B publication Critical patent/FI119729B/fi
Application granted granted Critical
Priority to JP2014005037A priority patent/JP5919310B2/ja

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B81C3/008—Aspects related to assembling from individually processed components, not covered by groups B81C3/001 - B81C3/002
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C17/00—Compasses; Devices for ascertaining true or magnetic north for navigation or surveying purposes
    • G01C17/38—Testing, calibrating, or compensating of compasses
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/012—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being separate parts in the same package
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/015—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/07—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
    • B81C2203/0785—Transfer and j oin technology, i.e. forming the electronic processing unit and the micromechanical structure on separate substrates and joining the substrates
    • B81C2203/0792—Forming interconnections between the electronic processing unit and the micromechanical structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1701—Structure
    • H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/146—Mixed devices
    • H01L2924/1461—MEMS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Description

MENETELMÄ MIKROELEKTROMEKAANISEN KOMPONENTIN VALMISTAMISEKSI JA MIKROELEKTROMEKAANINEN KOMPONENTTI
5 Keksinnön ala
Keksintö liittyy mikroelektromekaanisiin komponentteihin, kuten esimerkiksi kiihtyvyyden, kulmakiihtyvyyden, kulmanopeuden tai muiden fysikaalisten suureiden mittauksessa käy-10 tettäviin mikroelektromekaanisiin mittalaitteisiin, värähtelytaajuuden stabilointiin tai sähköisen signaalin suodatukseen käytettäviin mikroelektromekaanisiin resonaattorei-hin ja suodattamiin sekä muihin mikroelektromekaanisiin laitteisiin, joissa halutaan yhdistää suljettuun tilaan 15 sijoitettuja mikroelektromekaanisia osia ja mikropiirejä toisiinsa. Keksinnön avulla pyritään tarjoamaan parannettu menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi sekä mikroelektromekaaninen komponentti, joka soveltuu käytettäväksi erityisesti pienikokoisissa mikroelektrome-20 kaanisissa anturiratkaisuissa, värähtelytaajuuden vakavoin-tiratkaisuissa, sähköisen impedanssin sovitusratkaisuissa, .·· sähköisen signaalin kytkentäratkaisuissa tai sähköisen sig- • · · · naalin suodatusratkaisuissa.
• · · • · ·· · • · · · : .·. 25 Keksinnön taustaa • · · • · · · • · · • · · • · · ,···. Mikroelektromekaanisten komponenttien (MEMS, Microelectro- • · • · · mechanical Systems) käyttö esimerkiksi anturitekniikassa eri fysikaalisten suureiden kuten kiihtyvyyden, kulmano- • · · #··*# 30 peuden tai paineen mittaukseen on osoittautunut periaat- *·* teeltaan yksinkertaiseksi ja luotettavaksi tavaksi. Mikro- • · • · · ’· ” elektromekaanisessa anturissa mittaus perustuu esimerkiksi * * kapasitiiviseen periaatteeseen, missä anturin liiketilan : muutos aiheuttaa jousituetun seismisen massan poikkeaman.
• · · *:♦·; 35 Massan sijainti voidaan ilmaista elektrodiparin välisestä kapasitanssista, pintojen välisen kapasitanssin riippuessa 2 niiden pinta-alasta sekä pintojen välisestä etäisyydestä. Mikroelektromekaaniseen anturiin perustuvaa mittausta voidaan käyttää jo varsin pienillä eri fysikaalisten suureiden mittausalueilla.
5
Tietoliikenteeseen ja tiedonkäsittelyyn tarkoitetuissa laitteissa suurin osa toiminnoista on voitu integroida yhdelle tai korkeintaan muutamalle piisirulle. Kuitenkaan tietojen käsittelyn synkronoinnista, radiotaajuuksien 10 vakavoinnista, sähköisen signaalin suodatuksesta, sähköisten impedanssien sovituksesta ja sähköisten signaalien kytkennästä vastaavia toimintoja ei aina ole voitu integroida teknologisen yhteensopimattomuuden vuoksi. Piitekno-logiaan perustuvissa MEMS-resonaattoreissa ja MEMS-suodat-15 timissa piiosa saatetaan esimerkiksi sähköstaattisten voimien avulla mekaaniseen värähtelyliikkeeseen ja annetaan piiosan muodon ja mittojen kontrolloida napojen välistä, elektroakustisesta kytkeytymisestä johtuvaa impedanssia tai signaalin etenemistä liitäntänapojen välillä. MEMS-20 kytkimessä avataan tai suljetaan signaalitie liikkuvien MEMS-tekniikalla valmistettujen osien avulla, joita ohja-taan esim. sähköstaattisilla voimilla. Impedanssin sovi- #·#·φ tuselimessä MEMS-tekniikoilla valmistetaan pienikokoisia • · · '1 passiivisia elimiä kuten keloja ja kondensaattoreita. Kon- 1**1 25 densaattorit voivat olla säädettäviä ilmaeristeisiä MEMS- • · · • · · “*.* rakenteita.
• ♦ · • · · ··· • · · • · • « *** Integroituja piirejä on perinteisesti koteloitu tekniikal- . . la, jossa ne asennetaan esim. metalliselle johdinkehyksel- • · · 30 le. Piirien liitäntäpisteisiin liitetään liitoslangat, • ♦ *···* joiden toiset päät liitetään johdinkehyksen liitosalueil- • « ·.*·· le. Sitten johdinkehys ja piiri valetaan muoviin ja lopuk- *ϊ**ί si leikkaamalla, taivuttamalla tai muulla vastaavalla . .·. tavalla muotoillaan komponentin ulkoiset liitosalueet tai • · · • · · 35 liitosjalat, joiden avulla komponentti liitetään piirile- vylle.
• · 3
Elektroniikkakomponenttien valmistuksessa kiekkotason ko-telointi (WLP, Wafer-Level Packaging) on piisirujen ja muiden vastaavien elektroniikkakomponenttien uusi kote-lointitapa, jossa kaikki koteloinnin vaiheet tehdään pii-5 kiekon pinnalle ennen kiekon paloittelua. Tällä saavutetaan merkittävä koon ja kustannusten säästö. Esimerkkinä tällaisesta tunnetusta menetelmästä voidaan mainita Amkor-nimisen yrityksen Ultra CSP-tekniikka (CSP, Chip Scale Packaging), jossa piikiekon pinnalle levitetään paksuja 10 polymeerikerroksia, kasvatetaan kuparijohtimia ja asennetaan tai kasvatetaan juotenystyt, joilla siru voidaan suoraan liittää piirilevylle.
Mikroelektromekaaniset komponentit eroavat elektroniikka-15 komponenteista, kuten integroiduista piireistä siinä, että kiinteää ainetta olevan passivoinnin, esimerkiksi nitridi-passivoinnin sijasta komponentti tarvitsee mekaanisen suojan, kannen, jonka alle jää avoin tila, jossa mikroelektromekaaniset rakenteet voivat liikkua. Kiekkotason kote-20 loinnin soveltaminen mikroelektromekaanisille komponenteille on erityisen houkuttelevaa, koska suuri koko ja varsinkin paksuus on niille ominainen, jolloin perintei- • · · · sillä tavoilla koteloituina ne ovat isompia ja varsinkin • · · paksumpia kuin vastaavalla tavalla koteloidut mikropiirit.
Y’l' 25 Toisaalta mikroelektromekaanisten komponenttien kotelointi • · · on ongelmallista tarvittavan kannen vuoksi.
• · · • · · • · · • t · • · • ·
Mikroelektromekaaniset komponentit on suljettava hermeet- . . tisesti niin, että liikkuvat osat jäävät ulkomaailmasta • · · *.* 30 suljettuun kammioon. Suljenta voidaan tehdä liittämällä • · **·* mikroelektromekaaninen kiekko toiseen kiekkoon, niin kut- • · :.*·· suttuun kansikiekkoon. Kansikiekkojen käyttö on tunnettua mikroelektromekaanisilla komponenteilla.
« • · ♦ • · · ··· 35 Toinen mikroelektromekaanisten komponenttien keskeinen ongelma on sähköisten funktioiden integroiminen mikroelektromekaanisen komponentin yhteyteen. Tämä voidaan 4 toteuttaa tunnetulla tavalla kotelotason integroinnilla, jossa on ulkoinen kotelo, joka käsittää eristäviä ja johtavia osia. Kotelotason integroinnissa osien väliset johtavat lankayhteydet integroivat osat kokonaisuudeksi.
5
Tunnettua tekniikkaa selostetaan seuraavassa viitaten esimerkinomaisesti oheisiin kuviin, joista: kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää mikroelektromekaanisen komponentin valmistamisek-10 si monoliittisen integroinnin avulla, kuva 2 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi muovivalukotelossa toteutetun integroinnin avulla, 15 kuva 3 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi muovivalukotelossa pinoamalla toteutetun integroinnin avulla.
20 Kuvassa 1 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi monoliittisen integroinnin avulla. Tunnetun tekniikan • ··· mukaisessa menetelmässä mikroelektromekaanisen komponentin • · · • · valmistamiseksi monoliittisen integroinnin avulla mikro- . *1 25 elektromekaaninen siruosa 1 ja elektroninen piiriosa 2 • · · x • · · ’**.* valmistetaan samalle piikiekolle 3 ja niiden välinen säh- • · · • · · III köinen yhteys syntyy ohuilla metallikalvoilla. Mikroelekt- • · • · romekaaninen siruosa 1 ja elektroninen piiriosa 2 suoja- . . taan yhteisellä kansiosalla 4, liitetään lankaliitoksen 5 • · · • · · *,* 30 avulla ja edelleen valetaan muovivalukoteloon 6. Tunnetun * · ”·* tekniikan mukainen mikroelektromekaaninen komponentti • · ·.*·· käsittää myös metallisen johdinkehyksen 7.
• · . Kuvassa 2 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen menetel- • · · ··· 35 mä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi muo- vivalukotelossa toteutetun integroinnin avulla. Tunnetun tekniikan mukaisessa menetelmässä mikroelektromekaanisen • · 5 komponentin valmistamiseksi muovivalukotelossa toteutetun integroinnin avulla mikroelektromekaaninen siruosa 8 ja elektroninen piiriosa 9 valmistetaan erillisinä samalle piikiekkoelementille 10. Mikroelektromekaaninen siruosa 8 5 suojataan erillisellä kansiosalla 11. Mikroelektromekaanisen siruosan 8 ja elektronisen piiriosan 9 välinen sähköinen yhteys toteutetaan lankaliitoksen 12 avulla. Elektroninen piiriosa 9 liitetään lankaliitoksen 13 avulla. Tämän jälkeen mikroelektromekaanisen siruosan 8 ja elektronisen 10 piiriosan 9 muodostama kokonaisuus valetaan muovivalukote-loon 14. Tunnetun tekniikan mukainen mikroelektromekaaninen komponentti käsittää myös metallisen johdinkehyksen 15.
15 Kuvassa 3 on esitetty tunnetun tekniikan mukainen menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi muovivalukotelossa pinoamalla toteutetun integroinnin avulla. Tunnetun tekniikan mukaisessa menetelmässä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi muovivalukotelossa 20 pinoamalla toteutetun integroinnin avulla mikroelektromekaaninen siruosa 16 valmistetaan piikiekolle 17. Mikro-elektromekaaninen siruosa 16 suojataan erillisellä kansi- ···· osalla 18. Kansiosan päälle valmistetaan elektroninen pii- • · · • · riosa 19. Mikroelektromekaanisen siruosan 16 ja elektroni- . 25 sen piiriosan 19 välinen sähköinen yhteys toteutetaan lan- • · · ***.* kaliitoksen 20 avulla. Mikroelektromekaaninen siruosa 16 • · · • · ♦ liitetään lankaliitoksen 21 avulla. Tämän jälkeen mikro- • · • · elektromekaanisen siruosan 16 ja elektronisen piiriosan 19 . . muodostama kokonaisuus valetaan muovivalukoteloon 22. Tun- • · · • · · 30 netun tekniikan mukainen mikroelektromekaaninen komponent- I · ·** ti käsittää myös metallisen johdinkehyksen 23.
• « • · · • · · • ·
Keskeisenä ongelmana tunnetun tekniikan mukaisissa ratkai- . suissa mikroelektromekaanisten komponenttien sähköisten • · · 35 funktioiden integroimisessa mikroelektromekaanisen komponentin yhteyteen on kansikiekon ja kahden osan, mikroelektromekaanisen siruosan ja elektronisen piiriosan, 6 aiheuttama suuri koko. Ratkaisun koko kasvaa suureksi, kun komponentit valetaan alalla käytettyyn tyypilliseen muovi-koteloon .
5 Lisäksi ongelmana tunnetun tekniikan mukaisissa ratkaisuissa mikroelektromekaanisten komponenttien sähköisten funktioiden integroimisessa mikroelektromekaanisen komponentin yhteyteen on myös piiriratkaisun pinta-alan tuhlaus liitosalueisiin.
10
Ammatti- ja kulutuselektroniikan valmistuksessa onkin selkeästi kasvava tarve pienikokoisille mikroelektromekaanisille komponenteille, joissa on ratkaistu sähköisten funktioiden integroiminen mikroelektromekaanisen komponentin 15 yhteyteen, ja jotka soveltuvat käytettäviksi erityisesti pienikokoisissa mikroelektromekaanisissa anturiratkaisuissa, värähtelytaajuuden vakavointiratkaisuissa, sähköisen signaalin suodatusratkaisuissa, sähköisen signaalin kytken-täratkaisuissa ja sähköisen impedanssin sovitusratkaisuissa.
20
Keksinnön yhteenveto ··· ····
Keksinnön päämääränä on parannettu menetelmä mikroelektro- • i » • · mekaanisen komponentin valmistamiseksi sekä parannettu mik- t··· • ,·. 25 roelektromekaaninen komponentti. Tämän keksinnön avulla ··· * . S' saadaan aikaan mikroelektromekaaninen komponenttiratkaisu, • · · jossa on edullisella tavalla integroitu sähköiset funktiot • · mikroelektromekaanisen komponentin yhteyteen, ja joka myös .. soveltuu hyvin käytettäväksi erityisesti pienikokoisissa • · # • · · *.* 30 mikromekaanisissa liikeanturiratkaisuissa, paineanturirat- • · • ♦ *** kaisuissa, IMU-liikemittalaiteyksikköratkaisuissa (IMU, • « ·.**: Inertia Measurement Unit), värähtelytaajuuden vakavointi- *·**· ratkaisuissa, sähköisen signaalin suodatusratkaisuissa, • sähköisen signaalin kytkentäratkaisuissa ja sähköisen impe- ··· 35 danssin sovitusratkaisuissa.
• · 7
Keksintö liittyy mikroelektromekaanisiin komponentteihin, kuten esimerkiksi kiihtyvyyden, kulmakiihtyvyyden, kulmanopeuden, paineen tai muiden fysikaalisten suureiden mittauksessa käytettäviin mikroelektromekaanisiin mittalaitteisiin 5 tai värähtelytaajuuden vakavointiin, sähköisen signaalin suodatukseen, sähköisen signaalin kytkemiseen tai sähköisen impedanssin sovittamiseen käytettäviin mikroelektromekaanisiin laitteisiin. Keksinnön avulla pyritään tarjoamaan parannettu menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin 10 valmistamiseksi sekä mikroelektromekaaninen komponentti, joka soveltuu käytettäväksi erityisesti pienikokoisissa mikroelektromekaanisissa anturiratkaisuissa, värähtelytaajuuden vakavointiratkaisuissa, sähköisen signaalin suoda-tusratkaisuissa, sähköisen signaalin kytkentäratkaisuissa ja 15 sähköisen impedanssin sovitusratkaisuissa.
Keksinnön ensimmäisen piirteen mukaan tarjotaan menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi, jossa menetelmässä mikroelektromekaaninen siruosa suljetaan kan-20 siosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi siten, että menetelmässä mainitun kansiosalla suljetun mikroelektro-mekaanisen siruosan päälle liitetään kerroksittain ainakin • · · *#I yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden I"! 25 elektronisen piiriosan päälle valmistetaan piirilevyn • · · *”.* päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen • · · • · · eristävään kerrokseen valmistetaan kansiosan tai edellisen • · • · *** liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialuei- siin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, • · · *·[·* 30 ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle vai- • · *·;·* mistetaan liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin • · ί *·ί ulkoisia liitoksia varten.
• · • · . .·. Edullisesti, menetelmässä kansiosa valmistetaan pääosin • · · • · · 35 lasista siten, että kansiosaan valmistetaan piistä lasi- elementin läpi kulkevia johtavia alueita. Vaihtoehtoisesti, kansiosa valmistetaan pääosin piistä ja johon kansi- • · 8 osaan valmistetaan lasieriste siten, että kansiosaan valmistetaan piistä lasieristeen läpi kulkevia johtavia alueita. Edelleen vaihtoehtoisesti, kansiosa valmistetaan pääosin piistä ja johon kansiosaan valmistetaan lasieris-5 teet siten, että kansiosa jakaantuu liuskamaisiin johtaviin alueisiin. Edelleen vaihtoehtoisesti, kansiosa valmistetaan pääosin piistä ja johon kansiosaan valmistetaan lasieriste siten, että kansiosa jakaantuu saarekemaisiin johtaviin alueisiin. Edullisesti, kansiosa ja/tai lasi-10 eristeet valmistetaan lasin sijaan muusta tunnetusta eristävästä aineesta. Edullisesti, kansiosa ja/tai johtavat alueet valmistetaan piin sijaan muusta tunnetusta johtavasta aineesta.
15 Edullisesti, menetelmässä sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan välille toteutetaan suoran liitoksen avulla. Vaihtoehtoisesti, sähköisen liitoksen muodostuminen kansi-osan johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siru-20 osan välille toteutetaan pinnalla olevien metallikerrosten avulla. Edelleen vaihtoehtoisesti, sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan johtavan läpiviennin ja mikro- • · · · elektromekaanisen siruosan välille toteutetaan juotenystyn • · · • · • avu 11a.
• · · :··: 25 • · · • · · *’*.* Edullisesti, menetelmässä mikroelektromekaanisen siruosan # · · • · · sulkevan kansiosan läpivientirakenteet kansiosan yläpin- • · • · *** nalla toteutetaan siten, että kansiosan ulkoiset kontakti- . . alueet ulottuvat mikroelektromekaanisen komponentin reu- • · · *,· 30 noihin asti. Edullisesti, kansiosan yläpinnan päälle vai- • · *·;·* mistetaan eristävä kerros.
• · • · · • · · • ·
Edullisesti, menetelmässä ennen kansiosan liittämistä mik- . roelektromekaaniseen siruosaan, kansiosan yläpinnan ja • · · 35 eristävän kerroksen väliin valmistetaan kansiosan ulkoiset kontaktialueet käsittävä uudelleensijoittelukerros. Vaihtoehtoisesti, kansiosan mikroelektromekaaniseen siruosaan • · 9 liittämisen jälkeen, kansiosan yläpinnan ja eristävän kerroksen väliin valmistetaan kansiosan ulkoiset kontakti-alueet käsittävä uudelleensijoittelukerros.
5 Edullisesti, menetelmässä kansiosan ulkoiset kontakti-alueet käsittävän uudelleensijoittelukerroksen ja kansi-osan väliin valmistetaan kansiosaa eristävä kerros. Edullisesti, mainittu elektroninen piiriosa liitetään eristävän kerroksen päälle. Edelleen edullisesti, eristävä ker-10 ros toimii liimakerroksena elektronisen piiriosan liittämistä varten. Vaihtoehtoisesti, elektronisen piiriosan liittämisessä käytetään erillistä liimakerrosta.
Edullisesti, menetelmässä läpivienteihin toteutetaan joh-15 dotuskerros, jonka johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys kansiosan johtavien alueiden ja mainitun mikroelektromekaanisen siruosan päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan välille. Edelleen edullisesti, läpivienteihin toteutetaan johdotuskerros, jonka johdo-20 tuksen avulla luodaan johtava yhteys mainitun mikroelektromekaanisen siruosan päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan kytkentää varten.
• · · · • · • · · • · · '•m Edullisesti, menetelmässä ainakin yhden elektronisen φ . I 25 piiriosan liittäminen mainitun kansiosalla suljetun mikro- • · · ^ -* • · · *“.* elektromekaanisen siruosan päälle toteutetaan suorittamalla • · · • · · III seuraava toimenpiteiden sarja ainakin kerran: • · • · piirilevyn päällisen eristävän kerroksen päälle valmis- , . tetaan eristävä kerros, • · « 30 - mainittu elektroninen piiriosa liitetään eristävän ker- • · *·;·* roksen päälle, • · :.**i - elektronisen piiriosan päälle valmistetaan piirilevyn *!*” päällinen eristävä kerros, ja m . - piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen valmiste- • · · • · · 35 taan läpivienteihin toteutettuun johdotuskerrokseen sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit.
• · 10
Edullisesti, menetelmässä eristävä kerros toimii liimaker-roksena elektronisen piiriosan liittämistä varten. Vaihtoehtoisesti, elektronisen piiriosan liittämisessä käytetään erillistä liimakerrosta.
5
Edullisesti, menetelmässä läpivienteihin toteutetaan johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ja eristävään kerrokseen liitettävän elektronisen piiriosan 10 välille. Edelleen edullisesti, läpivienteihin toteutetaan johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys eristävään kerrokseen liitettävän elektronisen piiriosan kytkentää varten.
15 Edullisesti, menetelmässä läpivienteihin toteutetun johdo-tuskerroksen päälle valmistetaan suojauskerros. Edelleen edullisesti, suojauskerrokseen valmistetaan sopivasti läpivienteihin toteutetun johdotuskerroksen kontaktipinnoille ulottuvat aukot mikroelektromekaanisen komponentin 20 ulkoisia liitoksia varten valmistettavia liitoselimiä varten .
• · · ····
Edullisesti, menetelmässä mikroelektromekaanisen komponen- • · · . tin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet ·· · 25 toteutetaan lankaliitosten avulla. Edelleen edullisesti, * · · ' • · · **’.* mikroelektromekaanisen komponentin päälle valetaan muovi- • · · III valukotelo. Vaihtoehtoisesti, mikroelektromekaanisen kom- • · • · ponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitos- .. elimet toteutetaan nystyliitosten avulla. Vaihtoehtoises- • ♦ · ♦ · · *.* 30 ti, mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia • · • · ··· varten valmistettavat liitoselimet toteutetaan liimalii- • · ·.**: tosten avulla. Vaihtoehtoisesti, mikroelektromekaanisen "**! komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat lii- . .·, toselimet toteutetaan suorajuotosten avulla. Edelleen • · · ··· 35 edullisesti, liitoselimet muodostavat johtavan liitoksen mikroelektromekaanisen komponentin kotelorakenteeseen, jossa kotelorakenteessa on johtavia pinnoitteita. Edelleen • · 11 edullisesti, mikroelektromekaanisen komponentin kotelora-kenne on sopivasti muotoiltu yhteensopivaksi mikroelektromekaanisen komponentin kanssa.
5 Edullisesti, menetelmässä mikroelektromekaanisen komponentin elektronisissa piiriosissa on sähköistä signaalinmuok-kauskapasiteettia. Edullisesti, erityyppiset sähköiset toiminnot on jaettu eri elektronisille piiriosille. Edullisesti, häiriöitä aiheuttavat komponentit ja häiriöherkät 10 komponentit on sijoitettu eri elektronisille piiriosille. Edullisesti, elektronisten piiriosien väliin on lisätty erillinen EMI-suojauskerros.
Edullisesti, menetelmässä antennikomponentit on sijoitettu 15 eri elektronisille piiriosille. Edelleen edullisesti, lähetysantennikomponentit ja vastaanottoantennikomponentit on sijoitettu eri elektronisille piiriosille. Edelleen edullisesti, antennikomponentit käsittävien elektronisten piiriosien väliin on sijoitettu antennimaatasokerros.
20
Edullisesti, menetelmässä mikroelektromekaanisen komponen- .:. tin elektronisissa piiriosissa on anturitoimintoja fysi- • · · · kaalisten suureitten mittaamista varten. Edelleen edulli- • · · • · .j# sesti, elektronisissa piiriosissa on piirirakenteita mag- • I 25 neettikentän havaitsemista varten. Edullisesti, elektroni- • · · ' • · · sissa piiriosissa on piirirakenteita lämpötilan havaitse- • · · III mistä varten.
• · • · ··· . . Edullisesti, menetelmässä joukon mainittuja kansiosalla • · · • · · l.l 30 suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia käsittävä levy- • · • · *;* mäinen alusta toimii alustana elektronisen piiriosan asen- • · ·.*·· nukselle. Edelleen edullisesti, joukko elektronisia piiri- *“*: osia asennetaan yksitellen joukon mainittuja kansiosalla . suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia käsittävän • · · ··· 35 levymäisen alustan pinnalle. Edelleen edullisesti, vain testauksessa hyväksytyt elektroniset piiriosat asennetaan • · 12 vain testauksessa hyväksyttyjen mainittujen kansiosalla suljettujen mikroelektromekaanisten siruosien pinnalle.
Edullisesti, joukon mainittuja kansiosalla suljettuja mik-5 roelektromekaanisia siruosia käsittävä levymäinen alusta paloitellaan vasta asennusvaiheiden jälkeen. Edullisesti, joukon mainittuja kansiosalla suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia käsittävä levymäinen alusta paloitellaan vasta lopullisen testauksen jälkeen.
10
Keksinnön toisen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen komponentti, joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi 15 kansiosan läpi siten, että mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn 20 päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat • · · · läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan • · · • · pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelektromekaanisen |*[*# 25 komponentin ulkoisia liitoksia varten.
• · · • · · · • · · • · ·
Edullisesti, kansiosa on valmistettu pääosin lasista • « • · siten, että kansiosaan on valmistettu piistä lasielementin . . läpi kulkevia johtavia alueita. Vaihtoehtoisesti, kansiosa • · · • · · *.* 30 on valmistettu pääosin piistä ja johon kansiosaan on vai- • · *·· mistettu lasieriste siten, että kansiosaan on valmistettu • · ·.*·· piistä lasieristeen läpi kulkevia johtavia alueita. Edel- *·**ί leen vaihtoehtoisesti, kansiosa on valmistettu pääosin . piistä ja johon kansiosaan on valmistettu lasieristeet • · · 35 siten, että kansiosa jakaantuu liuskamaisiin johtaviin alueisiin. Edelleen vaihtoehtoisesti, kansiosa on valmistettu pääosin piistä ja johon kansiosaan on valmistettu • · 13 lasieriste siten, että kansiosa jakaantuu saarekemaisiin johtaviin alueisiin. Edullisesti, kansiosa ja/tai lasi-eristeet on valmistettu lasin sijaan muusta tunnetusta eristävästä aineesta. Edullisesti, kansiosa ja/tai johta-5 vat alueet on valmistettu piin sijaan muusta tunnetusta johtavasta aineesta.
Edullisesti, sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan 10 välille on toteutettu suoran liitoksen avulla. Vaihtoehtoisesti, sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan välille on toteutettu pinnalla olevien metallikerrosten avulla. Edelleen vaihtoehtoisesti, sähköisen liitoksen 15 muodostuminen kansiosan johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan välille on toteutettu juotenys-tyn avulla.
Edullisesti, mikroelektromekaanisen siruosan sulkevan 20 kansiosan läpivientirakenteet on kansiosan yläpinnalla toteutettu siten, että kansiosan ulkoiset kontaktialueet ulottuvat mikroelektromekaanisen komponentin reunoihin asti. Edullisesti, kansiosan yläpinnan päälle on valmis- • · · .·. tettu eristävä kerros. Edelleen edullisesti, eristävä ker- • . 25 ros peittää koko kansiosan pinnan.
• · · ··· · • · · • · · III Edullisesti, kansiosan yläpinnan ja eristävän kerroksen • · • · väliin on valmistettu kansiosan ulkoiset kontaktialueet .. käsittävä uudelleensijoittelukerros. Edelleen edullisesti, • · · *.* 30 kansiosan ulkoiset kontaktialueet käsittävän uudelleen- • · *·;** sijoittelukerroksen ja kansiosan väliin on valmistettu • · kansiossa eristävä kerros. Edullisesti, mainittu elektro- *”*! ninen piiriosa liitetään eristävän kerroksen päälle.
• · · • · · • · · 35 Edullisesti, lapivienteihin on toteutettu johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava yhteys kansiosan johtavien alueiden ja mainitun mikroelektrome- • · 14 kaanisen siruosan päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan välille. Edelleen edullisesti, läpivien-teihin on toteutettu johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava yhteys mainitun mikroelekt-5 romekaanisen siruosan päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan kytkentää varten.
Edullisesti, ainakin yhden elektronisen piiriosan liittäminen mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen 10 siruosan päälle on toteutettu suorittamalla seuraava toimenpiteiden sarja ainakin kerran: piirilevyn päällisen eristävän kerroksen päälle on valmistettu eristävä kerros, mainittu elektroninen piiriosa on liitetty eristävän 15 kerroksen päälle, elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, ja piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu läpivienteihin toteutettuun johdotuskerrokseen sekä 20 elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit.
Edullisesti, eristävä kerros peittää koko kansiosan pin- ···· nan. Edullisesti, läpivienteihin on toteutettu johdotus- • · · • · .j. kerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava ; 25 yhteys edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ja eris- • · · tävään kerrokseen liitettävän elektronisen piiriosan • · · L • · · välille. Edullisesti, läpivienteihin on toteutettu johdo- f · • · tuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johta- . . va yhteys eristävään kerrokseen liitettävän elektronisen • · · • · · *.* 30 piiriosan kytkentää varten.
• · • · • · · ·.*·· Edullisesti, läpivienteihin toteutetun johdotuskerroksen *:**ί päälle on valmistettu suo j auskerros . Edelleen edullisesti, . suojauskerrokseen on valmistettu sopivasti läpivienteihin ··· 35 toteutetun j ohdotuskerroksen kontaktipinnoille ulottuvat aukot mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavia liitoselimiä varten.
15
Edullisesti, mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet on toteutettu lankaliitosten avulla. Edelleen edullisesti, mikroelektro-5 mekaanisen komponentin päälle on valettu muovivalukotelo. Vaihtoehtoisesti, mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet on toteutettu nystyliitosten avulla. Vaihtoehtoisesti, mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten 10 valmistettavat liitoselimet on toteutettu liimaliitosten avulla. Vaihtoehtoisesti, mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet on toteutettu suorajuotosten avulla. Edelleen edullisesti, liitoselimet muodostavat johtavan liitoksen mikroelektro-15 mekaanisen komponentin kotelorakenteeseen, jossa kotelora-kenteessa on johtavia pinnoitteita. Edelleen edullisesti, mikroelektromekaanisen komponentin kotelorakenne on sopivasti muotoiltu yhteensopivaksi mikroelektromekaanisen komponentin kanssa.
20
Edullisesti, mikroelektromekaanisen komponentin elektroni-sissa piiriosissa on sähköistä signaalinmuokkauskapasi-teettia. Edullisesti, erityyppiset sähköiset toiminnot on • · · *1 jaettu eri elektronisille piiriosille. Edullisesti, häi- ··· ' !**! 25 riöitä aiheuttavat komponentit ja häiriöherkät komponentit • · · **V on sijoitettu eri elektronisille piiriosille. Edullisesti, • · · • · · *** elektronisten piiriosien väliin on lisätty erillinen EMI- • · • « *** suo j auskerros .
• · • · · ·#· 30 Edullisesti, antennikomponentit on sijoitettu eri elektro- • · *·”’ nisille piiriosille. Edelleen edullisesti, lähetysantenni- • · ϊ/·ϊ komponentit ja vastaanottoantennikomponentit on sijoitettu *:**: eri elektronisille piiriosille. Edelleen edullisesti, . .·. antennikomponentit käsittävien elektronisten piiriosien • ♦ · ··· 35 väliin on sijoitettu antennimaatasokerros.
• · 16
Edullisesti, mikroelektromekaanisen komponentin elektronisissa piiriosissa on anturitoimintoja fysikaalisten suu-reitten mittaamista varten. Edelleen edullisesti, elektronisissa piiriosissa on piirirakenteita magneettikentän 5 havaitsemista varten. Edullisesti, elektronisissa piiri-osissa on piirirakenteita lämpötilan havaitsemista varten.
Keksinnön kolmannen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen kiihtyvyysanturi, joka käsittää mikroelektro-10 mekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että 15 kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan 20 ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelekt-romekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
···· • · • · · • · · ♦ ·
Keksinnön neljännen piirteen mukaan tarjotaan mikroelekt- ···· j 25 romekaaninen kulmakiihtyvyysanturi, joka käsittää mikro- • · · , elektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, • · · • •I jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten lii-• · tyntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun . . kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle • · · • · i 30 on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen • · • · *1* piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan · · ·.**! päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä ker- ***** ros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on j valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen • •••j 35 piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet 17 mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
Keksinnön viidennen piirteen mukaan tarjotaan mikroelekt-5 romekaaninen kulmanopeusanturi, joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty 10 kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan 15 ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
20 Keksinnön kuudennen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen paineanturi, joka käsittää mikroelektromekaa-nisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansi-osassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuo- • · · miseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla 25 suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty • · · ”*.* kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että • · · • · · *" kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on vai- • · • · '** mistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon pii rilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu • · · ·[·* 30 kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan • · *···* ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan • · ί/·· ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen “··: piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelekt- . .·. romekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
• · · • · ·
Keksinnön seitsemännen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen IMU-liikemittalaiteyksikko (IMU, Inertia 35 • · 18
Measurement Unit), joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla suljetun 5 mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan 10 tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
15
Keksinnön kahdeksannen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen värähtelytaajuuden vakavoija, joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet säh-20 köisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siru-osan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elekt- • ·· · roninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen • · · • · .j, piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eris- • · · · ; 25 tävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään ker- • · · ]‘V rokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn « · « III elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä • · • · elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että . . päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmis- ♦ · » • ♦ · *.* 30 tettu liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin • » *·· ulkoisia liitoksia varten.
• · • · · • · · • · *1**: Keksinnön yhdeksännen piirteen mukaan tarjotaan mikro- . .·. elektromekaaninen sähköisen signaalin suodatin, joka käsit- • · · • · · 35 tää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kan- siosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että • · 19 mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siru-osan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eris-5 tävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmis-10 tettu liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
Keksinnön kymmenennen piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen sähköisen signaalin kytkentäkomponentti, 15 joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansiosalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mainitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi 20 elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen • · · · • · eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edelli- • · · • · · sen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontakti- T** 25 alueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpi- • · · • · · ***.’ viennit, ja että päällimmäiset! elektronisen piiriosan pin- • · · • · · *** nalle on valmistettu liitoselimet mikroelektromekaanisen • · • · *** komponentin ulkoisia liitoksia varten.
• · 20 piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä 5 elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
10 Keksinnön kahdennentoista piirteen mukaan tarjotaan mikroelektromekaaninen kallistuskorjattu kompassi, joka käsittää mikroelektromekaanisen siruosan, joka on suljettu kansi-osalla, jossa kansiosassa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan läpi, siten että mai-15 nitun kansiosalla suljetun mikroelektromekaanisen siruosan päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa, että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros, johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen on 20 valmistettu kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroniseen piiriosaan ulottuvat läpiviennit, ja että päällimmäisen • · · * elektronisen piiriosan pinnalle on valmistettu liitoselimet • · · • · mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia • · · · • · 25 varten.
• · · • · · • ·· · • · · • · ·
Piirustusten lyhyt selitys • · ·· · .. Seuraavassa keksintöä ja sen edullisia toteutustapoja • · · 30 selostetaan yksityiskohtaisesti viitaten esimerkinomaises- • · • · 'V ti oheisiin kuviin, joista: • · *. *: kuva 1 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää ***** mikroelektromekaanisen komponentin valmistamisek- ; j'· si monoliittisen integroinnin avulla, ··· ···.: 35 kuva 2 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää • » mikroelektromekaanisen komponentin valmistami- 21 seksi muovivalukotelossa toteutetun integroinnin avulla, kuva 3 esittää tunnetun tekniikan mukaista menetelmää mikroelektromekaanisen komponentin valmistami-5 seksi muovivalukotelossa pinoamalla toteutetun integroinnin avulla, kuva 4 esittää keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosaa poikkileikkaus- ja projektiokuvana, 10 kuva 5 esittää keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoista kansiosaa poikkileikkaus- ja projektiokuvana, kuva 6 esittää keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun toista vaihtoehtoista kansi-15 osaa poikkileikkaus- ja projektiokuvana, kuva 7 esittää keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kolmatta vaihtoehtoista kansiosaa poikkileikkaus- ja projektiokuvana, kuva 8 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen 20 mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kan- siosan liittämisestä mikroelektromekaaniseen siruosaan, *··· kuva 9 esittää projektiokuvaa keksinnön mukaisen mikro- • · · • · elektromekaanisen komponenttiratkaisun esimerkin- ···· • · 25 omaisesta kansiosan uudelleensijoittelukerrosrat- • · ♦ *V kaisusta, • · · ' • · · VV. kuva 10 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen • · • · mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun esi- . . merkinomaisesta kansiosan uudelleensijoitteluker- ♦ ♦ ♦ • · · M 30 rosratkaisusta, • · *1* kuva 11 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen • · ·.*·· mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kan- ’·**· siosan vaihtoehtoisesta uudelleensi j oitteluker- • ·*. rosratkaisusta, • · · ' ··· .;..j 35 kuva 12 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kan- 22 siosan toisesta vaihtoehtoisesta uudelleensijoit-telukerrosratkaisusta, kuva 13 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kan-5 siosan kolmannesta vaihtoehtoisesta uudelleensi- j oittelukerrosratkaisusta, kuva 14 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoisen kansiosan liittämisestä mikroelektro-10 mekaaniseen siruosaan, kuva 15 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan eristekerrosratkaisusta, kuva 16 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen 15 mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun toteutuksesta liittämällä elektroninen piiriosa mikroelektromekaanisen siruosan päälle, kuva 17 esittää projektiokuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kiekkota-20 son toteutuksesta liittämällä elektroninen piiri- osa mikroelektromekaanisen siruosan päälle, kuva 18 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen ···· mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun • · · • · elektronisen piiriosan suojauksen toteutuksesta ···· ; 25 eristävän kerroksen avulla, • · · .* kuva 19 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen • · · ~ • · · mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun • · elektronisen piiriosan johdotuksen toteutuksesta, . . kuva 20 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen i t · • · · *.' 30 mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun • · • · *1* elektronisen piiriosan johdotuksen suojauksen • · ·. ·· toteutuksesta, ***** kuva 21 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen • mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun ··· sesta, 35 elektronisen piiriosan liitosaukkojen toteutuk 23 kuva 22 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun rakenteen esimerkinomaisesta toteutuksesta, kuva 23 esittää poikkileikkauskuvaa keksinnön mukaisen 5 mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaih toehtoisen rakenteen esimerkinomaisesta toteutuksesta .
Kuvat 1-3 on esitetty edellä. Seuraavassa keksintöä ja sen 10 edullisia toteutustapoja selostetaan viitaten kuviin 4-23.
Keksinnön yksityiskohtainen selitys
Kuvassa 4 on esitetty keksinnön mukaisen mikroelektrome-15 kaanisen komponenttiratkaisun kansiosa poikkileikkaus- ja projektiokuvana. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosa on merkitty numerolla 24 ja se on tyypillisesti valmistettu pääosin lasista. Kansiosa 24 käsittää lasielementin läpi kulkevia johtavia alueita 20 25-27, jotka johtavat alueet 25-27 on tyypillisesti val mistettu piistä. Johtavat alueet 25-27 voivat olla kapeita ja korkeita.
···· • · • · · • · · • ·
Kuvassa 5 on esitetty keksinnön mukaisen mikroelektrome- ···· : .·. 25 kaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoinen kansiosa • · · ··· · . poikkileikkaus- ja projektiokuvana. Keksinnön mukainen • · · y.'. mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoinen • · kansiosa on merkitty numerolla 28 ja se on valmistettu .. pääosin piistä. Vaihtoehtoinen kansiosa 28 käsittää ele- • · · • · · I.* 30 mentin läpi kulkevia johtavia alueita 29-31, jotka joh- • · • · *l* tavat alueet 29-31 on tyypillisesti valmistettu piistä.
• · ’.**: Vaihtoehtoisen kansiosan 28 johtavat alueet 29-31 on eris- ***** tetty lasieristeellä 32 kansiosan 28 rungosta, joka lasi- . eriste 32 eristää myös kansiosan 28 pohjan. Johtavat ··· 35 alueet 29-31 voivat olla kapeita ja korkeita.
24
Kuvassa 6 on esitetty keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun toinen vaihtoehtoinen kansi-osa poikkileikkaus- ja projektiokuvana. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun toinen vaihto-5 ehtoinen kansiosa on merkitty numerolla 33 ja se on valmistettu pääosin piistä. Toinen vaihtoehtoinen kansiosa 33 on jaettu liuskamaisiin johtaviin alueisiin 34-36 kapeiden lasieristeiden 37-40 avulla. Johtavat alueet 34-36 on tyypillisesti valmistettu piistä. Toisen vaihtoehtoisen kan-10 siosan 33 lasieristeet 37-40 eristävät myös kansiosan 33 pohjan.
Kuvassa 7 on esitetty keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kolmas vaihtoehtoinen kansi-15 osa poikkileikkaus- ja projektiokuvana. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kolmas vaihtoehtoinen kansiosa on merkitty numerolla 41 ja se on valmistettu pääosin piistä. Kolmas vaihtoehtoinen kansiosa 41 jaettu saarekemaisiin johtaviin alueisiin 42-44 kapeiden 20 lasieristeiden 45 avulla. Johtavat alueet 42-44 on tyypillisesti valmistettu piistä. Kolmannen vaihtoehtoisen kan-siosan 41 lasieriste 45 eristää myös kansiosan 41 pohjan.
• · · · • « • · · • · · • ·
Keksinnön mukaisessa ratkaisussa voidaan käyttää myös ···· ; 25 muunlaisia kansiosia, joissa kansiosan läpi tasopinnalta • · · #/ toiselle muodostuu toisistaan eristettyjä sähköisiä • · · yhteyksiä oleellisesti kohtisuoraan kansiosan läpi.
t · ··· . . Kuvassa 8 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukai- • · · • · · 30 sen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan • · • · liittämisestä mikroelektromekaaniseen siruosaan. Keksinnön • · *.*·: mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 46 *·**· suljetaan kansiosalla 47, jossa on läpivientirakenteet . sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan 47 läpi. Kek- • · · 35 sinnön mukaisessa ratkaisussa tuodaan piilapivienneillä sähköisiä yhteyksiä alinna olevasta mikroelektromekaani- 25 sesta siruosasta 46 lasisen kansiosan 47 tasomaiselle pinnalle .
Liitoksen muodostuminen mikroelektromekaanisen komponent-5 tiratkaisun kansiosan 47 johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan 46 välille voi tulla suoraan, pinnalla olevien metallikerrosten, juotenystyn, tai muun liitäntävälineen välityksellä tai muilla tavoilla.
10 Kuvassa 9 on esitetty projektiokuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun esimerkinomaisesta kansiosan uudelleensijoittelukerrosratkaisusta. Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan 48 pinnalle valmistetaan uudelleensijoitte-15 lukerroksen 49-52 avulla johtavia kontaktialueita 49-52, jotka aikaansaavat sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pinnalle myöhemmin valmistettavien johdo-tuskerrosten välille. Tällaisia mainittuja kontaktialueita 49-52 ovat sekä kontaktialueet elektroniselle piiriosalle 20 että kontaktialueet mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun ulkoisille liitynnöille.
• · · • ·· ·
Kansiosan ulkoiset kontaktialueet 49-52 käsittävä uudel- • · · • · leensijoittelukerros valmistetaan joko ennen mikroelektro- • · · · : .·. 25 mekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan 48 liittämistä • · · ··· · , mikroelektromekaaniseen siruosaan tai sen jälkeen. Keksin- • · · ·.. non mukainen johtava uudelleensijoittelukerros 49-52 mah- • · dollistaa sekä kansiosan läpiviennin että myöhemmin val- .. mistettavan johdotuskerroksen läpiviennin sijainnin kum- • · · I.I 30 mallekin mahdollisimman edullisessa paikassa ilman riippu- • · • · *Γ* vuutta toisen sijainnista. Paitsi kansiosan läpiviennin ja • · ·. *: johdotuskerroksen läpiviennin välille voidaan johtavalla ***** uudelleensijoittelukerroksella 49-52 luoda yhteys myös eri ; ;*· tarkoitusta palvelevien johdotuskerroksen läpivientien ··· 35 välille.
• · 26
Kuvassa 10 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun esimerkinomaisesta kansiosan uudelleensijoittelukerrosratkaisusta. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen komponenttirat-5 kaisun esimerkinomainen kansiosa on merkitty numerolla 24 ja se on tyypillisesti valmistettu pääosin lasista. Kansi-osa 24 käsittää lasielementin läpi kulkevia johtavia alueita 25-27, jotka johtavat alueet 25-27 on tyypillisesti valmistettu piistä.
10
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun esimerkinomaisen kansiosan 24 pinnalle valmistetaan johtava uudelleensijoittelukerros 53, joka aikaansaa sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pinnal-15 le myöhemmin valmistettavien johdotuskerrosten välille.
Koska esimerkinomainen kansiosa 24 on pääasiassa eristävää materiaalia, voi johtava uudelleensijoittelukerros 53 sijaita suoraan kansiosan 24 pinnalla.
20 Kuvassa 11 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan vaihtoehtoisesta uudelleensijoittelukerrosratkaisusta.
• ·· ·
Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen komponenttirat- • · · • · kaisun kansiosa on merkitty numerolla 24 ja se on tyypil- ···· j .·, 25 lisesti valmistettu pääosin lasista. Kansiosa 24 käsittää • · · ··· · . lasielementin läpi kulkevia johtavia alueita, jotka johta- • · · S··' vat alueet on tyypillisesti valmistettu piistä.
• · • · · . . Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- • · · • · ♦ I.* 30 kaisun kansiosan 24 pinnalle valmistetaan ensin eristävä • · • · *1* kerros 54. Keksinnön mukaisen kansiosan 24 eristävän ker- • · ·.**: roksen 54 avulla voidaan esimerkiksi kansiosan 24 pinnan ***** lujuus saadaan optimaaliseksi. Seuraavaksi keksinnön • ·*· mukaisen kansiosan 24 pinnalle valmistetaan johtava uudel- • · · L -* ··· 35 leensijoittelukerros 55, joka aikaansaa sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pinnalle myöhemmin valmistettavien johdotuskerrosten välille. Kansiosan ulkoiset 27 kontaktialueet 55 käsittävän uudelleensijoittelukerroksen rakenne ja sen eri alueiden toiminnot ovat samat kuin pro-jektiokuvassa 9 on esitetty suoraan läpivientikiekon pinnalle valmistetulle uudelleensijoittelukerrokselle.
5
Kuvassa 12 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan toisesta vaihtoehtoisesta uudelleensijoittelukerrosratkai-susta. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen kompo-10 nenttiratkaisun kansiosa on merkitty numerolla 28 ja se on valmistettu pääosin piistä. Kansiosa 28 käsittää piiele-mentin läpi kulkevia johtavia alueita, jotka johtavat alueet on tyypillisesti valmistettu piistä. Kansiosan 28 johtavat alueet on eristetty lasieristeellä kansiosan 28 15 rungosta, joka lasieriste eristää myös kansiosan 28 poh-j an.
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan 28 pinnalle valmistetaan ensin eristävä 20 kerros 56. Keksinnön mukaisen kansiosan 28 eristävän kerroksen 56 avulla voidaan esimerkiksi kansiosan 28 pinnan • lujuus saadaan optimaaliseksi. Eristävä kerros on myös • ·· · tarpeellinen kansiosan materiaalivalinnan vuoksi. Seuraa- • · vaksi keksinnön mukaisen kansiosan 28 pinnalle valmiste- • · · · : 25 taan johtava uudelleensi j oittelukerros 57, joka aikaansaa • · · • ·· t . sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pin- • · · ··· .···. nalle myöhemmin valmistettavien j ohdotuskerrosten välille.
• · ··· . Kuvassa 13 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukai- • · · I.! 30 sen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan • · *1* kolmannesta vaihtoehtoisesta uudelleensijoittelukerrosrat- • · • · · *. *: kaisusta. Keksinnön mukainen mikroelektromekaanisen kompo- * · nenttiratkaisun kansiosa on merkitty numerolla 33 ja se on : valmistettu pääosin piistä. Kansiosa 33 on jaettu liuska- ··· *:*·· 35 maisiin johtaviin alueisiin kapeiden lasieristeiden avul la. Johtavat alueet on tyypillisesti valmistettu piistä.
28
Kolmannen vaihtoehtoisen kansiosan 33 lasieristeet eristävät myös kansiosan 33 pohjan.
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat-5 kaisun kansiosan 33 pinnalle valmistetaan ensin eristävä kerros 58. Keksinnön mukaisen kansiosan 33 eristävän kerroksen 58 avulla voidaan esimerkiksi kansiosan 33 pinnan lujuus saadaan optimaaliseksi. Eristävä kerros on myös tarpeellinen kansiosan materiaalivalinnan vuoksi. Seuraa-10 vaksi keksinnön mukaisen kansiosan 33 pinnalle valmistetaan johtava uudelleensijoittelukerros 59, joka aikaansaa sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pinnalle myöhemmin valmistettavien johdotuskerrosten välille.
15 Kuvassa 14 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoisen kansiosan liittämisestä mikroelektromekaaniseen siruosaan. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 suljetaan kansiosalla 24, joka on 20 tyypillisesti valmistettu pääosin lasista.
··· Kansiosa 24 käsittää lasielementin läpi kulkevat, tyypil- • ·· · lisesti piistä valmistetut, johtavat läpivientirakenteet • · sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan 24 läpi. Kek- :.·. 25 sinnön mukaisessa ratkaisussa tuodaan piiläpivienneillä ··· · . .·. sähköisiä yhteyksiä alinna olevasta mikroelektromekaani- • · ♦ ··♦ ,···. sesta siruosasta 60 lasisen kansiosan 24 tasomaiselle pin- • · ·1 2 3♦ nalle.
· • · · ♦ ♦ ♦ φ·..# 30 Liitoksen muodostuminen mikroelektromekaanisen komponent- • · *·1 tiratkaisun kansiosan 24 johtavan läpiviennin ja mikro- • · • · ♦ 2 1J elektromekaanisen siruosan 60 välille voi tulla suoraan, * 1 pinnalla olevien metallikerrosten, juotenystyn, tai muun : j1: liitäntävälineen välityksellä tai muilla tavoilla.
3 ·:··: 35
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoisen kansiosan 24 pinnalle valmistetaan 29 johtava uudelleensijoittelukerros 61, joka aikaansaa sähköisen johtavan yhteyden kansiosan läpivientien ja pinnalle myöhemmin valmistettavien johdotuskerrosten välille. Kansiosan ulkoiset kontaktialueet 61 käsittävän uudelleen-5 sijoittelukerroksen ja kansiosan 24 välissä voi olla kan-siosaa eristävä kerros. Vaihtoehtoisesti, koska kansiosa 24 on pääasiassa eristävää materiaalia, voi johtava uudelleensi joittelukerros 61 sijaita suoraan kansiosan 24 pinnalla .
10
Kuvassa 15 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan eristekerrosratkaisusta. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 on suljettu kansiosalla 15 24, jonka kansiosan 24 pinnalle on valmistettu johtava uudelleensijoittelukerros 61.
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan ulkoiset kontaktialueet 61 käsittävän 20 uudelleensijoittelukerroksen päälle valmistetaan vielä eristävä kerros 62. Eristävä kerros 62 peittää tyypilli- •j. sesti koko mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun ···· kansiosan pinnan. Mikroelektromekaanisen komponenttirat- • « kaisun eristävä kerros 62 voi toimia myös liimakerroksena ···· : 25 elektronisen piiriosan liittämistä varten.
• · · ·1 2 3· · • · · • · · ··♦ .···, Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen siruosan 4 6, 60 • # sulkevan kansiosan 24, 28, 33, 41, 47, 48 läpivientiraken-teet voidaan kansiosan 24, 28, 33, 41, 47, 48 yläpinnalla • · · 30 toteuttaa siten, että kansiosan ulkoiset kontaktialueet • « • · 11 ulottuvat mikroelektromekaanisen komponentin reunoihin 2 • · • · ♦ *. 1i asti. Tällöin uudelleensijoittelukerrosta ei tarvita ja * 1 eristävä kerros 62 voidaan valmistaa suoraan kansiosan 24, : 28, 33, 41, 47, 48 yläpinnan päälle.
3 ·:··: 35
Vaihtoehtoisesti, kansiosan ulkoiset kontaktialueet 49-52, 53, 55, 57, 59, 61 käsittävä uudelleensijoittelukerros 30 voidaan valmistaa kansiosan 24, 28, 33, 41, 47, 48 yläpinnan ja eristävän kerroksen 62 väliin. Kansiosan ulkoiset kontaktialueet 49-52, 53, 55, 57, 59, 61 käsittävä uudel-leensijoittelukerros valmistetaan joko ennen mikroelektro-5 mekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan 24, 28, 33, 41, 47, 48 liittämistä mikroelektromekaaniseen siruosaan tai sen jälkeen.
Kuvassa 16 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukai-10 sen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun toteutuksesta liittämällä elektroninen piiriosa mikroelektromekaanisen siruosan päälle. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 on suljettu kansiosalla 24, jossa on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen 15 tuomiseksi kansiosan 24 läpi. Kansiosan 24 pinnalle on valmistettu johtava uudelleensijoittelukerros 61, ja tämän jälkeen eristävä kerros 62.
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti-20 ratkaisussa elektroninen piiriosa 63 liitetään mikroelektromekaanista siruosaa 60 suojaavan kansiosan 24 pinnalle siten, että elektroninen piiriosa 63 kiinnittyy eristävään • · · 9 kerrokseen 62. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaani- • · · sessa komponenttiratkaisussa eristävä kerros 62 eristää Γ” 25 elektronisen piiriosan 63. Eristävä kerros 62 voi myös • · · *’*.* toimia liimakerroksena elektronisen piiriosan 63 liittä- • · · • · · III mistä varten. Vaihtoehtoisesti elektronisen piiriosan 63 • · • · *** liittämisessä voidaan käyttää erillistä liimakerrosta.
• · • · · • · · *.* 30 Kuvassa 17 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukai- • · ···’ sen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kiekkota- • · ϊ.*·· son toteutuksesta liittämällä elektroninen piiriosa mikro- *!*'ϊ elektromekaanisen siruosan päälle. Keksinnön mukaisessa . .·. mikroelektromekaanisessa komponenttiratkaisussa kiekolla • · · • · · 35 olevat mikroelektromekaaninen siruosat 60 ovat suljettu kansiosakiekolla yhdeksi kiekkoelementiksi 64.
• · 31
Kukin elektroninen piiriosa 63 liitetään kiekkotasolla mikroelektromekaanisia siruosia 60 suojaavan kansiosan 24 pinnalle siten, että elektroninen piiriosa 63 kiinnittyy kiekkoelementin 64 eristävään kerrokseen 62. Keksinnön 5 mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponenttiratkaisussa liitetävät elektroniset piiriosat 63 ovat erittäin ohuita, paksuudeltaan luokkaa 20 ym. Tämän jälkeen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun elektroniset piiriosat 63 voidaan suojata kiekkotasolla eristävällä kerroksella.
10
Kuvassa 18 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun elektronisen piiriosan suojauksen toteutuksesta eristävän kerroksen avulla. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektrome-15 kaaninen siruosa 60 on suljettu kansiosalla 24. Kansiosan 24 pinnalle on valmistettu johtava uudelleensijoitteluker-ros 61 sekä eristävä kerros 62, ja tämän jälkeen elektroninen piiriosa 63 on liitetty kansiosan 24 eristävä kerroksen 62 pinnalle.
20
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- . kaisun kansiosan 24 elektronisen piiriosan 63 päälle vai- • · · mistetaan vielä piirilevyn päällinen eristävä kerros 65.
• · · • · · * * Piirilevyn päällinen eristävä kerros 65 peittää tyypilli- • · · ·**· 25 sesti koko mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun • · · ··*· kansiosan pinnan.
• · · • · · • · · • · · • · ’···* Kuvassa 19 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukai sen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun elektroni- • · *.·.* 30 sen piiriosan johdotuksen toteutuksesta. Keksinnön mukai- ··· sessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 on j\; suljettu kansiosalla 24. Kansiosan 24 pinnalle on valmis- • · ···*· tettu johtava uudelleensijoittelukerros 61 sekä eristävä *, kerros 62, ja tämän jälkeen elektroninen piiriosa 63 on • · · • · · ***. 35 liitetty kansiosan 24 eristävä kerroksen 62 pinnalle ja • · peitetty piirilevyn päällisellä eristävällä kerroksella 65.
32
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti-ratkaisussa eristävään kerrokseen 65 valmistetaan sopivasti kansiosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä elektroni-5 seen piiriosaan 63 ulottuvat läpiviennit 66, 67 johdotuk-sia varten. Tämän jälkeen eristävän kerroksen 65 päälle ja läpivienteihin 66, 67 valmistetaan johdotuskerros. Läpi-vienteihin 66 toteutettavan johdotuskerroksen johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys kansiosan johtavien alueiden 10 25-27, 29-31, 34-36, 42-44 ja mikroelektromekaanisen siru- osan 46, 60 päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan 63 välille. Läpivienteihin 67 toteutettavan joh-dotuskerroksen johdotuksen avulla luodaan myös johtava yhteys mikroelektromekaanisen siruosan 46, 60 päälle 15 ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan 63 kytkentää varten.
Kuvassa 20 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun elektroni-20 sen piiriosan johdotuksen suojauksen toteutuksesta. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siru-osa 60 on suljettu kansiosalla 24. Kansiosan 24 pinnalle • · · · on valmistettu johtava uudelleensijoittelukerros 61 sekä • · · • · .·. eristävä kerros 62. Elektroninen piiriosa 63 on liitetty
• ••I
: 25 kansiosan 24 eristävän kerroksen 62 pinnalle ja peitetty • · · *”.* eristävällä kerroksella 65. Eristävään kerrokseen 65 on • · · • · · valmistettu läpiviennit 66, 67, ja edelleen eristävän • · kerroksen 65 päälle ja läpivienteihin 66, 67 on valmis- .. tettu johdotuskerros.
• · · • · · 30 • · • · *** Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- • · ·.*·· kaisun kansiosan 24 elektronisen piiriosan 63 päälle vai- *·**· mistetaan vielä läpivientejä 66, 67 ja johdotuskerrosta ; suojaava suo j auskerros 68. Suo j auskerros 68 peittää tyy- • · · 35 pillisesti koko mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan pinnan.
33
Kuvassa 21 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun elektronisen piiriosan liitosaukkojen toteutuksesta. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 5 on suljettu kansiosalla 24. Elektroninen piiriosa 63 on liitetty kansiosan 24 pinnalle ja peitetty eristävällä kerroksella. Eristävään kerrokseen on valmistettu läpiviennit 66, 67, johdotuskerros ja suojauskerros 68.
10 Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti-ratkaisussa suojakerrokseen 68 valmistetaan sopivasti joh-dotuskerroksen kontaktipinnoille ulottuvat aukot 69-72 liitoselimiä, kuten liitosnystyjä varten.
15 Kuvassa 22 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun rakenteen esimerkinomaisesta toteutuksesta. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 60 on suljettu kansiosalla 24. Elektroninen piiriosa 63 on liitetty kan-20 siosan 24 pinnalle ja peitetty eristävällä kerroksella. Eristävään kerrokseen on valmistettu läpiviennit 66, 67, j ohdotuskerros ja suo j auskerros 68. Suojakerrokseen 68 on • · · · valmistettu johdotuskerroksen kontaktipinnoille ulottuvat • · · aukot 69-72 liitosnystyj ä varten.
···· . . 25 • · · • · · "V Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti- • · · II* ratkaisussa suojauskerroksen 68 aukkoihin 69-72 valmiste- • · • · taan liitosnystyt 73-77 mikroelektromekaanisen komponentin .. ulkoisia liitoksia varten. Liitosnystyä 77 vastaava suo- • · · • · · *.* 30 j auskerroksen 68 aukko ei näy kuvassa. Keksinnön mukaises- • · **· sa mikroelektromekaanisen komponentin nystyliitosratkai- • · ·.*·· sussa mikroelektromekaanisen siruosan 60 ja elektronisen ’·**· piiriosan 63 sisältävän mikroelektromekaanisen komponentin . ulkoiset liitokset on toteutettu nystyliitosten 73-77 • · · 35 avulla.
• · 34
Kun keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaniseen komponenttiin valmistetaan nystyliitokset 73-77, saadaan ilman erillistä kotelointia juotosprosessiin sopiva mikroelektromekaaninen komponentti.
5
Kuvassa 23 on esitetty poikkileikkauskuva keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun vaihtoehtoisen rakenteen esimerkinomaisesta toteutuksesta. Keksinnön mukaisessa ratkaisussa mikroelektromekaaninen siruosa 10 60 on suljettu kansiosalla 24, jossa on läpivientiraken- teet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan 24 läpi. Kansiosan 24 pinnalle on valmistettu johtava uudelleen-sijoittelukerros 61, ja tämän jälkeen eristävä kerros 62.
15 Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa ensimmäinen elektroninen piiriosa 78 liitetään mikroelektromekaanista siruosaa 60 suojaavan kansiosan 24 pinnalle siten, että ensimmäinen elektroninen piiriosa 78 kiinnittyy eristävään kerrokseen 20 62. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponen tin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa eristävä kerros 62 eristää ensimmäisen elektronisen piiriosan 78. Eristävä • ·· · kerros 62 voi myös toimia liimakerroksena ensimmäisen • · · • · elektronisen piiriosan 78 liittämistä varten. Vaihtoehtoi- • . 25 sesti ensimmäisen elektronisen piiriosan 78 liittämisessä • · » L • · · **’.* voidaan käyttää erillistä liimakerrosta.
• · ♦ ··· ··· • · • ·
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponentin . . vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa kansiosan 24 ensimmäi- • · · • · · 1,1 30 sen elektronisen piiriosan 78 päälle valmistetaan eristävä • · *·* kerros 79. Eristävä kerros 79 peittää tyypillisesti koko • * ·.*·· mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan pin- *ί*'· nan. Eristävään kerrokseen 7 9 valmistetaan sopivasti kan- . siosan ulkoisiin kontaktialueisiin sekä ensimmäiseen • · · 35 elektroniseen piiriosaan 78 ulottuvat läpiviennit 80, 81 ♦ · johdotuksia varten. Tämän jälkeen eristävän kerroksen 79 päälle ja läpivienteihin 80, 81 valmistetaan johdotusker- 35 ros. Läpivienteihin 80 toteutettavan johdotuskerroksen johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys kansiosan johtavien alueiden 25-27, 29-31, 34-36, 42-44 ja mikroelektromekaanisen siruosan 46, 60 päälle ensimmäiseksi liitettävän 5 elektronisen piiriosan 78 välille. Läpivienteihin 81 toteutettavan johdotuskerroksen johdotuksen avulla luodaan myös johtava yhteys mikroelektromekaanisen siruosan 46, 60 päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan 78 kytkentää varten.
10
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponentin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa läpivientien 80, 81 ja johdotuskerroksen päälle valmistetaan vielä piiriosien välinen eristävä kerros 82, Piiriosien välinen eristävä 15 kerros 82 peittää tyypillisesti koko mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan pinnan.
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa toinen elektroninen 20 piiriosa 83 liitetään myös mikroelektromekaanista siruosaa 60 suojaavan kansiosan 24 pinnalle siten, että toinen elektroninen piiriosa 83 kiinnittyy eristävään kerrokseen ···· 82. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponen- • · · • · tin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa piiriosien välinen m • · · · : .·. 25 eristävä kerros 82 eristää toisen elektronisen piiriosan ♦ · · • · · · . 83. Piiriosien välinen eristävä kerros 82 voi myös toimia • · · s'··' liimakerroksena toisen elektronisen piiriosan 83 liittä- • · mistä varten. Vaihtoehtoisesti toisen elektronisen piiri- . . osan 83 liittämisessä voidaan käyttää erillistä liimaker- • · ♦ • · · l.l 30 rosta.
• « • · ··· *.**: Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin * **’*· vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa toisen elektronisen ; piiriosan 83 päälle valmistetaan eristävä kerros 84. Eris- »·· •j**j 35 tävä kerros 84 peittää tyypillisesti koko mikroelektrome kaanisen komponenttiratkaisun kansiosan pinnan. Eristävään kerrokseen 84 valmistetaan sopivasti johdotuskerroksen 36 läpivientiin 81 sekä toiseen elektroniseen piiriosaan 83 ulottuvat läpiviennit 85, 86 uusia johdotuksia varten. Tämän jälkeen eristävän kerroksen 84 päälle ja läpivien-teihin valmistetaan 85, 86 johdotuskerros. Läpivienteihin 5 85 toteutettavan johdotuskerroksen johdotuksen avulla luo daan johtava yhteys edellisen liitetyn elektronisen piiri-osan 78 ja eristävään kerrokseen 82 liitettävän elektronisen piiriosan 83 välille. Läpivienteihin 86 toteutettavan johdotuskerroksen johdotuksen avulla luodaan myös johtava 10 yhteys eristävään kerrokseen 82 liitettävän elektronisen piiriosan 83 kytkentää varten.
Toisen elektronisen piiriosan 83 päälle valmistetaan vielä läpivientejä 85, 86 ja johdotuskerrosta suojaava suojaus-15 kerros 87. Suojauskerros 87 peittää tyypillisesti koko mikroelektromekaanisen komponenttiratkaisun kansiosan pinnan. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin rakenneratkaisussa voidaan yhden elektronisen piiri-osan 63 tai kahden elektronisen piiriosan 78, 83 sijasta 20 käyttää myös kolmea tai useampaa elektronista piiriosaa.
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin • · · · vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa toisen elektronisen • · · • · piiriosan 83 päällä olevaan suojauskerrokseen 87 valmiste- ·♦·· : .·. 25 taan sopivasti johdotuskerroksen kontaktipinnoille ulottu- • ♦ · • · # · . .·. vat aukot 88-91 liitoselimiä, kuten liitosnystyjä varten.
• · ♦ ··· ··· • · • *
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen komponentin vaihtoehtoisessa rakenneratkaisussa suojauskerroksen 87 • ♦ · !.! 30 aukkoihin 88-91 valmistetaan liitosnystyt 92-96 mikro- • · *1* elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
• · *. *: Liitosnystyä 96 vastaava suojauskerroksen 68 aukko ei näy * * kuvassa. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisen kom- ; ;*; ponentin nystyliitosratkaisussa mikroelektromekaanisen ··· •j··· 35 siruosan 60 ja kahden elektronisen piiriosan 78, 83 sisäl tävän mikroelektromekaanisen komponentin ulkoiset liitokset on toteutettu nystyliitosten 92-96 avulla.
37
Kun keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa kompo-nenttiratkaisussa mikroelektromekaaniseen komponenttiin valmistetaan nystyliitokset 92-96, saadaan ilman erillistä 5 kotelointia juotosprosessiin sopiva mikroelektromekaaninen komponentti. Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponenttiratkaisussa voidaan yhden elektronisen piiri-osan 63 tai kahden elektronisen piiriosan 78, 83 sijasta käyttää myös kolmea tai useampaa elektronista piiriosaa.
10
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti-ratkaisussa eriste- ja suojauskerrokset 62, 65, 68, 79, 82, 84, 87 toimivat hyvin suojana erilaisia ympäristöstä tulevia haitallisia aineita, kuten kosteutta vastaan. Kos-15 ka elektronisen piiriosan 63, 78, 83 ja mikroelektromekaanisen siruosan 46, 60 sähköisesti herkät alueet ovn suojattu eriste- ja suojauskerrosten 62, 65, 68, 79, 82, 84, 87 avulla, voidaan mikroelektromekaanista komponenttia haluttaessa käyttää ilman muovivalukoteloa. Keksinnön 20 mukaisen mikroelektromekaanisen komponentin muodostaman kokonaisuuden päälle voidaan haluttaessa kuitenkin valaa muovivalukotelo. Mikroelektromekaanisen komponentin kote- • · · · lorakenne voidaan sopivasti muotoilla yhteensopivaksi mik- • · · • · roelektromekaanisen siruosan 46, 60 ja elektronisen piiri- ···« ; 25 osan 63, 78, 83 sisältävän mikroelektromekaanisen kompo- • · · ***.* nentin kanssa.
• · · • · · ··· ··· • · • ·
Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti- . . ratkaisussa mikroelektromekaanisen siruosan 46, 60 ja • · · • · ♦ *.* 30 elektronisen piiriosan 63, 78, 83 sisältävä mikroelektro- • · '** mekaaninen komponentti voidaan liittää ulkomaailmaan millä • · ·.*·· tahansa tunnetulla liitosratkaisulla. Tällaisia liitosrat- *·*" kaisuja ovat lankaliitokset, nystyliitokset, liimaliitok- . set, johtavat liimaliitokset, anisotrooppiset liimaliitok- ··· 35 set tai suorajuotosratkaisu.
• · 38
Keksinnön mukaisen menetelmän avulla valmistetussa mikroelektromekaanisessa komponentissa on mukana myös sähköistä signaalinmuokkauskapasiteettia. Keksinnön avulla on saatu aikaan mikroelektromekaaninen komponenttiratkaisu, jossa on 5 edullisella tavalla integroitu sähköiset funktiot mikroelektromekaanisen komponentin yhteyteen, ja joka myös soveltuu hyvin käytettäväksi erityisesti pienikokoisissa mikromekaanisissa liikeanturiratkaisuissa, paineanturirat-kaisuissa, muissa anturiratkaisuissa, värähtelytaajuuden 10 vakavointiratkaisuissa, sähköisen signaalin suodatusrat- kaisuissa, sähköisen signaalin kytkentäratkaisuissa ja sähköisen impedanssin sovitusratkaisuissa.
Keksintö soveltuu hyvin käytettäväksi erilaisissa mikro-15 elektromekaanisissa komponenteissa, kuten esimerkiksi kiihtyvyyden, kulmakiihtyvyyden, kulmanopeuden, paineen, magneettikentän, lämpötilan tai muiden fysikaalisten suureiden mittauksessa tai havaitsemiseen käytettävissä mikroelektromekaanisissa mittalaitteissa. Keksinnön mukaisen ratkaisun 20 avulla anturin mittaustoiminnan analysointi voidaan toteuttaa itse mikroelektromekaanisessa anturissa.
»· · ····
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- • · kaisun avulla useampia elektronisia piiriosia 63, 78, 83 ···· : .·. 25 käytettäessä voidaan kätevästi myös toteuttaa erityyppisten • · · . .·. sähköisten toimintojen jakaminen eri elektronisille piiri- • · · .···. osille 63, 78, 83. Omalle elektroniselle piiriosalle 63, • · 78, 83 voidaan sijoittaa esimerkiksi analogiset komponen- . tit, prosessorikomponentit, muistikomponentit tai radio- • · · l.l 30 taajuuskomponentit. Keksinnön mukaisessa mikroelektrome- • · *1* kaanisessa komponenttiratkaisussa voi anturitoimintoja olla • · ♦ · · ...
*.*: sijoitettu yhdelle tai useamalle elektroniselle piiriosalle * · 63, 78 tai 83 monoliittisesti integroituna. Keksinnön ;;*j mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponenttiratkaisussa ··· ·;··· 35 suojautuminen elektromagneettisilta häiriöiltä (EMI,
Electromagnetic Interferences) voidaan myös kätevästi toteuttaa sijoittamalla häiriöitä aiheuttavat komponentit ja 39 häiriöherkät komponentit eri elektronisille piiriosille 63, 78, 83. Tällöin elektronisten piiriosien 63, 78, 83 väliin voidaan halutessa lisätä erillinen EMI-suojauskerros.
5 Keksinnön mukaisessa mikroelektromekaanisessa komponentti-ratkaisussa anturin antennikomponentit voidaan myös kätevästi sijoittaa omalle tai omille elektronisille piiri-osilleen 63, 78, 83. Myös lähetysantennikomponentit ja vastaanottoantennikomponentit voidaan sijoittaa eri elekt-10 ronisille piiriosille 63, 78, 83. Tällöin esimerkiksi lähetysantennikomponentit ja vastaanottoantennikomponentit käsittävien elektronisten piiriosien 63, 78, 83 väliin voidaan halutessa sijoittaa antennimaatasokerros.
15 Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat-kaisun avulla voidaan toteuttaa esimerkiksi paineanturi, kolmeen suuntaan mittaava kulmakiihtyvyysanturi, kulmano-peusanturi tai lineaariliikeanturi. Keksinnön mukainen kolmeen suuntaan mittaava kulmakiihtyvyysanturi, kulmanopeus-20 anturi tai lineaariliikeanturi voi näin ollen käsittää useampia eri suuntaan mittaavia mikroelektromekaanisia kom-ponentteja.
···· • · • · · • ♦ · • ·
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- j 25 kaisun avulla voidaan toteuttaa myös IMU-liikemittalaite- • · · ***.* yksikkö (IMU, Inertia Measurement Unit) . Keksinnön mukainen • · · u • · · II! mikroelektromekaaninen IMU-liikemittalaiteyksikkö voi • · • · käsittää useamman mikroelektromekaanisen komponentin, kuten . . esimerkiksi kulmanopeusanturikomponentin, kiihtyvyysanturi- • · « • · · *.* 30 komponentin ja magneettikentän voimakkuutta mittaavan tai • · • · *** havaitsevan anturikomponentin.
• ♦ • ♦ · • ·· • ·
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat- . kaisun avulla voidaan toteuttaa myös kallistuskorjattu kom- ··* 35 passi. Keksinnön mukainen mikroelektromekaaninen kallistus- korjattu kompassi voi käsittää mikroelektromekaanisen kahden tai kolmen akselin suuntaan mittaavan kiihtyvyysanturin ja • · 40 elektronisen piiriosan yhteyteen toteutetun magneettikenttää mittaavan tai havaitsevan anturin, joka voi perustua magnetoresistiiviseen, magnetoinduktiiviseeen, flux-gate-, Hall- tai muuhun tunnettuun magneettikentän mittaus-5 periaatteeseen.
Keksinnön mukaisen mikroelektromekaanisen komponenttirat-kaisun avulla voidaan toteuttaa myös kauko-ohjattava mikroelektromekaaninen anturikomponentti. Keksinnön mukainen 10 kauko-ohjattava mikroelektromekaaninen anturikomponentti voi käsittää anturiyksikön lisäksi myös lähetysvälineet ja vastaanottovälineet esimerkiksi mittaustietojen lähettämistä ja ohjeiden sekä kalibrointitietojen vastaanottamista varten.
15
Keksintö soveltuu hyvin käytettäväksi myös värähtelytaajuuden synnyttämiseen ja stabilointiin käytettävissä oskillaattoreissa ja taajuussyntetisaattoreissa sekä komponenteissa, joissa sähköisellä piirillä toteutettuun toimintoon 20 kuten radiolaitteen suur- tai välitaajuusosaan halutaan lisätä mikroelektromekaanisia osia kuten resonaattoreita, .·. suodattimia, kytkimiä tai impedanssinsovituselimiä sekä ··1· #·#·β muissa mikroelektromekaanisissa laitteissa, joissa halutaan • · · yhdistää suljettuun tilaan sijoitettuja mikroelektromekaa- .**Γ 25 nisiä osia ja mikropiirillä toteutettuja osia toisiinsa.
• · · **V Keksinnön avulla voidaan tarjota parannettu menetelmä • · · ”1 mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi sekä • · • · *** mikroelektromekaaninen komponentti, joka soveltuu erityisen . . hyvin käytettäväksi pienikokoisissa mikroelektromekaanisissa • · · • · · •#1 30 anturiratkaisuissa, värähtelytaajuuden vakavointiratkai- • ♦ *·1· suissa, sähköisen signaalin suodatusratkaisuissa, sähköisen • Φ !.1·· signaalin kytkentäratkaisuissa ja sähköisen impedanssin *!’1J sovitusratkaisuissa.
• · · • · · *·· 35 Keksinnön mukaisen menetelmän avulla valmistetussa mikro- • · elektromekaanisessa komponentissa, tietynlaista kansikiek-koa käyttäen saadaan edullisesti toteutettua mikroelektro- 41 mekaanisen siruosan ja elektronisten piiriosien mekaaninen ja sähköinen liittäminen toisiinsa, niin että valmistuksessa mikroelektromekaaninen kiekko toimii alustana elektronisten piiriosien asennukselle ja osien väliset liitok-5 set jäävät ulkomaailmalta suojatuiksi.
Keksinnön mukaisessa menetelmässä voidaan esimerkiksi asentaa elektroniset piiriosat yksitellen kannella varustetun mikroelektromekaanisen kiekon pinnalle. Näin voidaan 10 varmistaa, että vain testauksessa hyväksytyt elektroniset piiriosat asennetaan vain testauksessa hyväksyttyjen mikroelektromekaanisten sirujen kohdalle. Keksinnön mukaisessa menetelmässä mikroelektromekaaninen kiekko paloitellaan vasta asennusvaiheiden ja lopullisen testauksen jälkeen.
15 • · · ···· • · • · · • · · • · ··· ···· • · • · · • · · ··· · • · · • · · ··· ·«· • · • · ·· · • · • ♦ · • · · • ♦ ··· • · • · • · · • · • · · • ·· • · • · • · · • · · ··· 1 »

Claims (100)

1. Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi, jossa menetelmässä mikroelektromekaaninen siru- 5 osa (46), (60) suljetaan kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47) , (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpivientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että 10. mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46) , (60) päälle liitetään kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), 15 (83) päälle valmistetaan piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) valmistetaan kansiosan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), 20 (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että ···· - päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83) pin- • · nalle valmistetaan liitoselimet (73-77), (92-96) mikro- ···· : .·. 25 elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. • · · ··· · * • · · • · ·
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, t u n - • · n e t t u siitä, että kansiosa (24) valmistetaan pääosin . . lasista siten, että kansiosaan (24) valmistetaan piistä • · · * • · · I.I 30 lasielementin läpi kulkevia johtavia alueita (25-27) . • · • · ··· • · *. *: 3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, t u n - • ** n e t t u siitä, että kansiosa (28) valmistetaan pääosin ; ;*j piistä ja johon kansiosaan (28) valmistetaan lasieriste ··· ·;··; 35 (32) siten, että kansiosaan (28) valmistetaan piistä lasi- eristeen (32) läpi kulkevia johtavia alueita (29-31).
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosa (33) valmistetaan pääosin piistä ja johon kansiosaan (33) valmistetaan lasieristeet (37-40) siten, että kansiosa (33) jakaantuu liuskamaisiin 5 johtaviin alueisiin (34-36).
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosa (41) valmistetaan pääosin piistä ja johon kansiosaan (41) valmistetaan lasieriste 10 (45) siten, että kansiosa (41) jakaantuu saarekemaisiin johtaviin alueisiin (42-44).
6. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 2-5 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosa (24) 15 ja/tai lasieristeet (32), (37-40), (45) valmistetaan lasin sijaan muusta tunnetusta eristävästä aineesta.
7. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 2-6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosa (28), 20 (33), (41) ja/tai johtavat alueet (25-27), (29-31), (34— 36), (42-44) valmistetaan piin sijaan muusta tunnetusta johtavasta aineesta. 9 ·· 9 • « • · · • · · • · .·. 8. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-7 mukainen • · · · • 25 menetelmä, tunnettu siitä, että sähköisen liitok- • · · |’V sen muodostuminen kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), • · · «I (48) johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siru- • · osan (46), (60) välille toteutetaan suoran liitoksen avul- . . la. • · · • · · 30 • · • · ‘l* 9. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-7 mukainen • · ·.*·· menetelmä, tunnettu siitä, että sähköisen liitok- *·**· sen muodostuminen kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), » .*. (48) johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siru- ··· 35 osan (46) , (60) välille toteutetaan pinnalla olevien metallikerrosten avulla.
10. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siru- 5 osan (46), (60) välille toteutetaan juotenystyn avulla.
11. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-10 mukai nen menetelmä, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) sulkevan kansiosan (24), 10 (28), (33), (41), (47), (48) läpivientirakenteet kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) yläpinnalla toteutetaan siten, että kansiosan ulkoiset kontaktialueet ulottuvat mikroelektromekaanisen komponentin reunoihin asti.
12. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-11 mukai nen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) yläpinnan päälle val mistetaan eristävä kerros (62).
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että ennen kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) liittämistä mikroelektromekaaniseen siru- osaan (46), (60), kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), • · · • · (48) yläpinnan ja eristävän kerroksen (62) väliin valmis- ···· : 25 tetaan kansiosan ulkoiset kontaktialueet (49-52), (53), • · · , V (55), (57), (59), (61) käsittävä uudelleensijoitteluker- • · · ··· ··· ros. • · • · ·«· .. 14. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, t u n - • · · !.* 30 n e t t u siitä, että kansiosan (24), (28), (33), (41), • · • · Ί* (47) , (48) mikroelektromekaaniseen siruosaan (46), (60) • · ·.*·· liittämisen jälkeen, kansiosan (24), (28), (33), (41), ***** (47), (48) yläpinnan ja eristävän kerroksen (62) väliin . valmistetaan kansiosan ulkoiset kontaktialueet (49-52), • · · ··· ....Ϊ 35 (53), (55), (57), (59), (61) käsittävä uudelleensijoitte- lukerros.
15. Patenttivaatimuksen 13 tai 14 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kansiosan ulkoiset kontakti-alueet (49-52), (53), (55), (57), (59), (61) käsittävän uudelleensijoittelukerroksen ja kansiosan (24) väliin val- 5 mistetaan kansiosaa eristävä kerros.
16. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 12-15 mukai nen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu elektroninen piiriosa (63), (78) liitetään eristävän ker- 10 roksen (62) päälle.
17. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että eristävä kerros (62) toimii liima-kerroksena elektronisen piiriosan (63), (78) liittämistä 15 varten.
18. Patenttivaatimuksen 16 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että elektronisen piiriosan (63), (78) liittämisessä käytetään erillistä liimakerrosta. 20
19. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 11-18 mukai-nen menetelmä, tunnettu siitä, että läpivientei- ·»·· hin (66), (80) toteutetaan johdotuskerros, jonka johdotuk- • · · • · sen avulla luodaan johtava yhteys kansiosan johtavien j ^ 25 alueiden (25-27), (29-31), (34-36), (42-44) ja mainitun • · · *'V mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle ensimmäi- • · · lii seksi liitettävän elektronisen piiriosan (63), (78) välil- • · • · ··· η le.
21. Patenttivaatimuksen 20 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että ainakin yhden elektronisen piiri-osan (83) liittäminen mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen 5 siruosan (46), (60) päälle toteutetaan suorittamalla seu- raava toimenpiteiden sarja ainakin kerran: piirilevyn päällisen eristävän kerroksen (79) päälle valmistetaan eristävä kerros (82) , mainittu elektroninen piiriosa (83) liitetään eristävän 10 kerroksen (82) päälle, elektronisen piiriosan (82) päälle valmistetaan piirilevyn päällinen eristävä kerros (84), ja piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (84) valmistetaan läpivienteihin (81) toteutettuun johdotuskerrok-15 seen sekä elektroniseen piiriosaan (83) ulottuvat läpiviennit (85), (86).
22. Patenttivaatimuksen 21 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että eristävä kerros (82) toimii liima- 20 kerroksena elektronisen piiriosan (83) liittämistä varten.
23. Patenttivaatimuksen 21 mukainen menetelmä, t u n - • · · · n e t t u siitä, että elektronisen piiriosan (83) liittä- • · · • · misessä käytetään erillistä liimakerrosta. • · · · • · 25 • · ·
24. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 21-23 mukai- • · · nen menetelmä, tunnettu siitä, että läpivientei- • · hin (85) toteutetaan johdotuskerros, jonka johdotuksen .. avulla luodaan johtava yhteys edellisen liitetyn elektro- • · · • · · M 30 nisen piiriosan (78) ja eristävään kerrokseen (82) liitet- • · * · tävän elektronisen piiriosan (83) välille. • · • · · • ·· • · ’·”· 25. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 21-24 mukai- ; ;*. nen menetelmä, tunnettu siitä, että läpivientei- ··· ....j 35 hin (86) toteutetaan johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla luodaan johtava yhteys eristävään kerrokseen (82) liitettävän elektronisen piiriosan (83) kytkentää varten.
26. Patenttivaatimuksen 20 tai 25 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että läpivienteihin (66), (67), (80), (81), (85), (86) toteutetun johdotuskerroksen päälle 5 valmistetaan suojauskerros (68), (87).
27. Patenttivaatimuksen 26 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että suojauskerrokseen (68), (87) valmistetaan sopivasti läpivienteihin (66), (67), (80), (81), 10 (85), (86) toteutetun johdotuskerroksen kontaktipinnoille ulottuvat aukot (69-72), (88-91) mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavia liitoselimiä (73-77), (92-96) varten.
28. Patenttivaatimuksen 27 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet toteutetaan lankaliitosten avulla.
29. Patenttivaatimuksen 28 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin päälle valetaan muovivalukotelo. ♦ ···· • · • · · • · · • ·
30. Patenttivaatimuksen 27 mukainen menetelmä, t u n - ···· ; 25 n e t t u siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin • · · ’*.* ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet • · · • · · VV. toteutetaan nystyliitosten avulla. • · ··· .. 31. Patenttivaatimuksen 27 mukainen menetelmä, t u n - • · · • · · *.* 30 n e t t u siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin • · • · "/ ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet • · ·.*·· toteutetaan liimaliitosten avulla. • · . 32. Patenttivaatimuksen 27 mukainen menetelmä, t u n - • · · ·· · 35. e t t u siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet toteutetaan suorajuotosten avulla.
33. Patenttivaatimuksen 31 tai 32 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että liitoselimet muodostavat johtavan liitoksen mikroelektromekaanisen komponentin 5 kotelorakenteeseen, jossa kotelorakenteessa on johtavia pinnoitteita.
34. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 31, 32 tai 33 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mik- 10 roelektromekaanisen komponentin kotelorakenne on sopivasti muotoiltu yhteensopivaksi mikroelektromekaanisen komponentin kanssa.
35. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-34 mukai-15 nen menetelmä, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin elektronisissa piiriosissa (63), (78) , (83) on sähköistä signaalinmuokkauskapasiteettia.
36. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-35 mukai-20 nen menetelmä, tunnettu siitä, että erityyppiset sähköiset toiminnot on jaettu eri elektronisille piiri-osille (63) , (78) , (83) . • · · · • · • · ♦ • · · • ·
37. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-36 mukai- ♦ ··· ; #·# 25 nen menetelmä, tunnettu siitä, että häiriöitä • · ♦ aiheuttavat komponentit ja häiriöherkät komponentit on • · · V.’.' sijoitettu eri elektronisille piiriosille (63) , (78) , (83) . • · • · · • · · *.* 30 38. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-37 mukai- • · *” nen menetelmä, tunnettu siitä, että elektronisten • · ·.'·· piiriosien (63), (78), (83) väliin on lisätty erillinen *·**· EMI-suojauskerros . • · · • · · ·· ·
39. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-38 mukai nen menetelmä, tunnettu siitä, että antennikompo- nentit on sijoitettu eri elektronisille piiriosille (63), (78), (83).
40. Patenttivaatimuksen 39 mukainen menetelmä, t u n -5 n e t t u siitä, että lähetysantennikomponentit ja vas- taanottoantennikomponentit on sijoitettu eri elektronisille piiriosille (63), (78), (83).
41. Patenttivaatimuksen 39 tai 40 mukainen menetelmä, 10 tunnettu siitä, että antennikomponentit käsittävien elektronisten piiriosien (63), (78), (83) väliin on sijoitettu antennimaatasokerros.
42. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-41 mukai- 15 nen menetelmä, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin elektronisissa piiriosissa (63), (78), (83) on anturitoimintoja fysikaalisten suureitten mittaamista varten.
43. Patenttivaatimuksen 42 mukainen menetelmä, tun nettu siitä, että elektronisissa piiriosissa (63), (78), (83) on piirirakenteita magneettikentän havaitsemista • 1 · · varten. • · · • · • · ·
44. Patenttivaatimuksen 42 tai 43 mukainen menetelmä, • · · • · · ’2.1 tunnettu siitä, että elektronisissa piiriosissa • · · ' A • · · III (63), (78), (83) on piirirakenteita lämpötilan havaitse- • · mistä varten. · • · · • · · *.; 30 45. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 1-44 mukai- • · • · *“ nen menetelmä, tunnettu siitä, että joukon mai- ·.1·; nittuja kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) "2! suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia (46), (60) . käsittävä levymäinen alusta toimii alustana elektronisen 2 · 35 piiriosan (63), (78), (83) asennukselle. • m
46. Patenttivaatimuksen 45 mukainen menetelmä, t u n n e t t u siitä, että joukko elektronisia piiriosia (63), (78), (83) asennetaan yksitellen joukon mainittuja kansi- osalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljettuja mik- 5 roelektromekaanisia siruosia (46), (60) käsittävän levy mäisen alustan pinnalle.
47. Patenttivaatimuksen 46 mukainen menetelmä, t u n n e t t u siitä, että vain testauksessa hyväksytyt elekt-10 roniset piiriosat (63), (78), (83) asennetaan vain tes tauksessa hyväksyttyjen mainittujen kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljettujen mikroelektromekaanisten siruosien (46), (60) pinnalle.
48. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 45-47 mukai nen menetelmä, tunnettu siitä, että joukon mainittuja kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia (46), (60) käsittävä levymäinen alusta paloitellaan vasta asennusvai-20 heiden jälkeen.
49. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 45-48 mukai- • · · · nen menetelmä, tunnettu siitä, että joukon mai- • · · ,5^ nittuja kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) ΓΊ 25 suljettuja mikroelektromekaanisia siruosia (46), (60) • · · -1 • · · käsittävä levymäinen alusta paloitellaan vasta lopullisen • · · • · · II* testauksen jälkeen. • t • · ·· · .. 50. Mikroelektromekaaninen komponentti, joka käsittää: • · · *.· 30 - mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- • · **;·* jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa ϊ.*·· kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- *ί**ί vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi- . !*. osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, * · · ··· 35 tunnettu siitä, että • · mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä 5 kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), 10 (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83) pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. 15
51. Patenttivaatimuksen 50 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa (24) on valmistettu pääosin lasista siten, että kansiosaan (24) on valmistettu piistä lasielementin läpi kulkevia 20 johtavia alueita (25-27).
52. Patenttivaatimuksen 50 mukainen mikroelektromekaani- • · · · nen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa • · · • · ... #·β (28) on valmistettu pääosin piistä ja johon kansiosaan • J· 25 (28) on valmistettu lasieriste (32) siten, että kansiosaan • · · ]*V (28) on valmistettu piistä lasieristeen (32) läpi kulkevia lii johtavia alueita (29-31) . • · • » «·· .. 53. Patenttivaatimuksen 50 mukainen mikroelektromekaani- • t · • · · *.* 30 nen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa • ♦ • « *** (33) on valmistettu pääosin piistä ja johon kansiosaan • · ·.*·· (33) on valmistettu lasieristeet (37-40) siten, että kan- siosa (33) jakaantuu liuskamaisiin johtaviin alueisiin . !·. (34-36) . • · · ·· · 35 • ·
54. Patenttivaatimuksen 50 mukainen mikroelektromekaani nen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa (41) on valmistettu pääosin piistä ja johon kansiosaan (41) on valmistettu lasieriste (45) siten, että kansiosa (41) jakaantuu saarekemaisiin johtaviin alueisiin (42-44).
55. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 51-54 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa (24) ja/tai lasieristeet (32), (37- 40), (45) on valmistettu lasin sijaan muusta tunnetusta eristävästä aineesta. 10
56. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 51-55 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosa (28), (33), (41) ja/tai johtavat alueet (25-27), (29-31), (34-36), (42-44) on valmistettu 15 piin sijaan muusta tunnetusta johtavasta aineesta.
57. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-56 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan 20 (24), (28), (33), (41), (47), (48) johtavan läpiviennin ja mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) välille on toteutettu suoran liitoksen avulla. ···· • · • · · • · · • · ,j. 58. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-56 mukai- ···· ; 25 nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu • · · ··· · • siitä, että sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan • · · ' • · · Ϊ·’.' (24), (28), (33), (41), (47), (48) johtavan läpiviennin ja • · mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) välille on .. toteutettu pinnalla olevien metallikerrosten avulla. • · · • · · * · 30 • · • · **’ 59. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-56 mukai- • · ·.*·· nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu ‘***: siitä, että sähköisen liitoksen muodostuminen kansiosan . (24), (28), (33), (41), (47), (48) johtavan läpiviennin ja' ·· · 35 mikroelektromekaanisen siruosan (46) , (60) välille on toteutettu juotenystyn avulla.
60. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-59 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) sulkevan kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) 5 läpivientirakenteet on kansiosan (24), (28), (33), (41), (47) , (48) yläpinnalla toteutettu siten, että kansiosan ulkoiset kontaktialueet ulottuvat mikroelektromekaanisen komponentin reunoihin asti.
61. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-60 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) yläpinnan päälle on valmistettu eristävä kerros (62) .
62. Patenttivaatimuksen 61 mukainen mikroelektromekaani nen komponentti, tunnettu siitä, että eristävä kerros (62) peittää koko kansiosan (24) pinnan.
63. Patenttivaatimuksen 60, 61 tai 62 mukainen mikro-20 elektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosan (24), (28), (33), (41), (47), (48) yläpinnan ja eristävän kerroksen (62) väliin on valmistettu kan- ···· siosan ulkoiset kontaktialueet (49-52), (53), (55), (57), • · · (59), (61) käsittävä uudelleensi joittelukerros. ···· . · 25 • · · • · · **V 64. Patenttivaatimuksen 63 mukainen mikroelektromekaani- • · · • · · nen komponentti, tunnettu siitä, että kansiosan • ♦ ’** ulkoiset kontaktialueet (49-52) , (53) , (55) , (57) , (59) , . . (61) käsittävän uudelleensijoittelukerroksen ja kansiosan • · · 30 (24) väliin on valmistettu kansiosaa eristävä kerros. • · • ♦ ··· • · ?/·· 65. Patenttivaatimuksen 61 tai 62 mukainen mikroelektro- *:*·: mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mai- . nittu elektroninen piiriosa (63), (78) on liitetty • · · ··· 35 eristävän kerroksen (62) päälle. • ·
66. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 61-65 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että läpivienteihin (66), (80) on toteutettu johdo- tuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johta-5 va yhteys kansiosan johtavien alueiden (25-27), (29-31), (34-36), (42-44) ja mainitun mikroelektromekaanisen siru- osan (46), (60) päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiriosan (63), (78) välille.
67. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 61-66 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että läpivienteihin (67), (81) on toteutettu johdo- tuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava yhteys mainitun mikroelektromekaanisen siruosan (46), 15 (60) päälle ensimmäiseksi liitettävän elektronisen piiri- osan (63), (78) kytkentää varten.
68. Patenttivaatimuksen 67 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että ainakin 20 yhden elektronisen piiriosan (83) liittäminen mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun ··· mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on toteu- ···· tettu suorittamalla seuraava toimenpiteiden sarja ainakin • · kerran: • t · · : ,·. 25 - piirilevyn päällisen eristävän kerroksen (79) päälle on • · · ··· · . valmistettu eristävä kerros (82), • · · ·♦· ,···. - mainittu elektroninen piiriosa (83) on liitetty eristä- • · vän kerroksen (82) päälle, m· . - elektronisen piiriosan (83) päälle on valmistettu pii- • · · 30 rilevyn päällinen eristävä kerros (84), ja • ♦ *!* - piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (84) on • · *. *: valmistettu läpivienteihin (81) toteutettuun johdotusker- ***** rokseen sekä elektroniseen piiriosaan (83) ulottuvat läpi- j viennit (85), (86). ··· 35 • ·
69. Patenttivaatimuksen 68 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että eristävä kerros (82) peittää koko kansiosan (24) pinnan.
70. Patenttivaatimuksen 68 tai 69 mukainen mikroelektro mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että läpivienteihin (85) on toteutettu johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava yhteys edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ja eristävään 10 kerrokseen (82) liitettävän elektronisen piiriosan (83) välille.
71. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 68-70 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu 15 siitä, että läpivienteihin (86) on toteutettu johdotuskerros, jonka johdotuksen avulla on saatu aikaan johtava yhteys eristävään kerrokseen (82) liitettävän elektronisen piiriosan (83) kytkentää varten.
72. Patenttivaatimuksen 67 tai 71 mukainen mikroelektro mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että läpivienteihin (66), (67), (80), (81), (85), (86) toteute- • · · · tun johdotuskerroksen päälle on valmistettu suojauskerros • · · (68), (87). ···· 25 • · · .* 73. Patenttivaatimuksen 72 mukainen mikroelektromekaani- • · · • · · nen komponentti, tunnettu siitä, että suojausker- • · rokseen (68), (87) on valmistettu sopivasti läpivienteihin .. (66), (67), (80), (81), (85), (86) toteutetun johdotusker- • · · *.* 30 roksen kontaktipinnoille ulottuvat aukot (69-72), (88-91) • · • ♦ ·“ mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten • · ·.*·; valmistettavia liitoselimiä (73-77), (92-96) varten. • · . .*. 74. Patenttivaatimuksen 73 mukainen mikroelektromekaani- • · · ··· 35 nen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelekt- romekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmistettavat liitoselimet on toteutettu lankaliitosten avulla. • ·
75. Patenttivaatimuksen 74 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin päälle on valettu muovivalukote- 5 lo.
76. Patenttivaatimuksen 73 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmis- 10 tettavat liitoselimet on toteutettu nystyliitosten avulla.
77. Patenttivaatimuksen 73 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmis- 15 tettavat liitoselimet on toteutettu liimaliitosten avulla.
78. Patenttivaatimuksen 73 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten valmis- 20 tettavat liitoselimet on toteutettu suorajuotosten avulla.
79. Patenttivaatimuksen 77 tai 78 mukainen mikroelektro- ·»·· mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että • · · • liitoselimet muodostavat johtavan liitoksen mikroelektro- • · · -1 .[I 25 mekaanisen komponentin kotelorakenteeseen, jossa kotelora- • · · kenteessa on johtavia pinnoitteita. • · · • · · • · · • · · • · • t
80. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 77, 78 tai . . 79 mukainen mikroelektromekaaninen komponentti, t u n - • · · • · · *.· 30 n e t t u siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin • · *·;** kotelorakenne on sopivasti muotoiltu yhteensopivaksi mik- • · roelektromekaanisen komponentin kanssa. • · . 81. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-80 mukai- • · · • · · 35 nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin elektroni- • · sissa piiriosissa (63), (78), (83) on sähköistä signaalin- muokkauskapasiteettia.
82. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-81 mukai- 5 nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että erityyppiset sähköiset toiminnot on jaettu eri elektronisille piiriosille (63), (78), (83).
83. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-82 mukai- 10 nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että häiriöitä aiheuttavat komponentit ja häiriö-herkät komponentit on sijoitettu eri elektronisille piiri-osille (63) , (78), (83) .
84. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-83 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että elektronisten piiriosien (63), (78), (83) väliin on lisätty erillinen EMI-suojauskerros.
85. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-84 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että antennikomponentit on sijoitettu eri elektro-nisille piiriosille (63), (78), (83). • · · • · ··· • · · · ; 25 86. Patenttivaatimuksen 85 mukainen mikroelektromekaani- • · ♦ . .·[ nen komponentti, tunnettu siitä, että lähetys- • ♦ « #·*^ antennikomponentit ja vastaanottoantennikomponentit on • · sijoitettu eri elektronisille piiriosille (63), (78), (83). • · · • i · 30 • · • · *1* 87. Patenttivaatimuksen 85 tai 86 mukainen mikroelektro- • · *.’*: mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että ***** antennikomponentit käsittävien elektronisten piiriosien : (63), (78), (83) väliin on sijoitettu antennimaatasoker- ·· · 35 ros. • ·
88. Jonkin edellä olevan patenttivaatimuksen 50-87 mukai nen mikroelektromekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että mikroelektromekaanisen komponentin elektronisissa piiriosissa (63), (78), (83) on anturitoimintoja 5 fysikaalisten suureitten mittaamista varten.
89. Patenttivaatimuksen 88 mukainen mikroelektromekaani nen komponentti, tunnettu siitä, että elektronisissa piiriosissa (63), (78), (83) on piirirakenteita mag- 10 neettikentän havaitsemista varten.
90. Patenttivaatimuksen 88 tai 89 mukainen mikroelektro mekaaninen komponentti, tunnettu siitä, että elektronisissa piiriosissa (63), (78), (83) on piiriraken- 15 teitä lämpötilan havaitsemista varten.
91. Mikroelektromekaaninen kiihtyvyysanturi, joka käsittää : mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- 20 jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi- .V. osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, • · · • · tunnettu siitä, että 25. mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) • · · ··· · . suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle • · · on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen • · piiriosa (63), (78), (83), että - kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), • · · 30 (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä • · kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- • · *. ·: tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- ***** osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) : ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), • · · •j··· 35 (59), (61), (81) sekä elektroniseen piirio saan ( 63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
92. Mikroelektromekaaninen kulmakiihtyvyysanturi, joka käsittää: mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi-10 vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle 15 on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- 20 tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), • · · · (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), • · · (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), ; 25 (86) , ja että • · · - päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pin- • · · II! nalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro- t · elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. • · • · · • · · I.* 30 93. Mikroelektromekaaninen kulmanopeusanturi, joka käsit- • · tää: • · ·.*·· - mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- ***’: jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa . kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- • · · ....: 35 vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi- osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että 5. kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) 10 ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pin- 15 nalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
94. Mikroelektromekaaninen paineanturi, joka käsittää: mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- 20 jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi-vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, • · · • · tunnettu siitä, että * 25. mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) • · · • · · · . suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle • · · • · · .···. on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen • · piiriosa (63), (78), (83), että - kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), • · · 30 (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä • · *!* kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- • · · *· *: tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- * * osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) : ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), ··· •f; 35 (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
95. Mikroelektromekaaninen IMU-liikemittalaiteyksikkö, joka käsittää: mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi-10 vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle 15 on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- 20 tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), • ·· · (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), • · » (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), : ,·, 25 (86) , ja että * · · - päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pin- • · · III nalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro- • · elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. • · • · · • · · l.l 30 96. Mikroelektromekaaninen värähtelytaajuuden vakavoi ja, • · • · '1' joka käsittää: • · ·.*·· - mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- ’·“· jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa . kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- • · · 35 vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että 5. kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) 10 ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pin- 15 nalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
97. Mikroelektromekaaninen sähköisen signaalin suodatin, joka käsittää: 20. mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on suljettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa ··· kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- ···· ·*.*. vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi- osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, ···· : .·. 25 tunnettu siitä, että • · ♦ . .·. - mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) • · · • · · .···. suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle • · • · · on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että • · · 30. kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), • · '1' (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä • · • · · *. *: kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- ***: tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- : ;*; osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ··· ·;··; 35 ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro- 5 elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten.
98. Mikroelektromekaaninen sähköisen signaalin kytkentä-komponentti, joka käsittää: mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul lo jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi-vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että 15. mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), 20 (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eris- • j. tävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- • ·· · osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) • · · ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), • · · · : 25 (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), • · · . (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), • · · ,···. (86) , ja että • · päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pin- . nalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro- • · · *.! 30 elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. • · • · · • · *.**: 99. Mikroelektromekaaninen sähköisen impedanssin sovitin, ·**· joka käsittää: ; - mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- ··· ·;··: 35 jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansi-osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, tunnettu siitä, että mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) 5 suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen piiriosa (63), (78), (83), että kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä 10 kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), 15 (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. 20
100. Mikroelektromekaaninen kallistuskorjattu kompassi, joka käsittää: • ·· · - mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60), joka on sul- • · · jettu kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48), jossa ; m·' 25 kansiosassa (24), (28), (33), (41), (47), (48) on läpi- • · · /V vientirakenteet sähköisten liityntöjen tuomiseksi kansioi:1 osan (24), (28), (33), (41), (47), (48) läpi, • · tunnettu siitä, että .. - mainitun kansiosalla (24), (28), (33), (41), (47), (48) • · · • · · 30 suljetun mikroelektromekaanisen siruosan (46), (60) päälle • · • · *** on liitetty kerroksittain ainakin yksi elektroninen • · ·.1·· piiriosa (63), (78), (83), että ***** - kunkin ainakin yhden elektronisen piiriosan (63), (78), . (83) päälle on valmistettu piirilevyn päällinen eristävä ·«· 35 kerros (65), (79), (84), johon piirilevyn päälliseen eristävään kerrokseen (65), (79), (84) on valmistettu kansi- osan tai edellisen liitetyn elektronisen piiriosan (78) ulkoisiin kontaktialueisiin (49-52), (53), (55), (57), (59), (61), (81) sekä elektroniseen piiriosaan (63), (78), (83) ulottuvat läpiviennit (66), (67), (80), (81), (85), (86), ja että 5. päällimmäisen elektronisen piiriosan (63), (83), pinnalle on valmistettu liitoselimet (73-77), (92-96) mikro elektromekaanisen komponentin ulkoisia liitoksia varten. • · · • ·· · • · • · · • · · • · ··· ···· « · • · · • · · ··· · • · · • · · • φ · • · · • · • · • · · • · • · · • · · • · • · · • · • · • · » 1 2 3 • · · • · · • ·· 2 • · • · • · · • · · 3
FI20065484A 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti FI119729B (fi)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20065484A FI119729B (fi) 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
CN2006800440202A CN101312904B (zh) 2005-11-23 2006-11-21 制造微机电元件的方法以及该微机电元件
JP2008541775A JP2009516597A (ja) 2005-11-23 2006-11-21 微小電気機械素子を作製する方法及び微小電気機械素子
PCT/FI2006/050507 WO2007060289A1 (en) 2005-11-23 2006-11-21 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
KR1020087013838A KR101388946B1 (ko) 2005-11-23 2006-11-21 마이크로전기기계 컴포넌트의 제조방법 및마이크로전기기계 컴포넌트
EP06808048.0A EP1951611B1 (en) 2005-11-23 2006-11-21 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
US11/603,070 US7932568B2 (en) 2005-11-23 2006-11-22 Microelectromechanical component
MYPI20081535 MY153013A (en) 2005-11-23 2008-05-09 Method for manufacturing a microelectromechanical component, and a microelectromechanical component
JP2014005037A JP5919310B2 (ja) 2005-11-23 2014-01-15 微小電気機械素子を製造する方法、及び微小電気機械素子とその用途

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20055618A FI119728B (fi) 2005-11-23 2005-11-23 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
FI20055618 2005-11-23
FI20065484 2006-07-07
FI20065484A FI119729B (fi) 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti

Publications (3)

Publication Number Publication Date
FI20065484A0 FI20065484A0 (fi) 2006-07-07
FI20065484A FI20065484A (fi) 2007-09-06
FI119729B true FI119729B (fi) 2009-02-27

Family

ID=36758331

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20065484A FI119729B (fi) 2005-11-23 2006-07-07 Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7932568B2 (fi)
EP (1) EP1951611B1 (fi)
JP (2) JP2009516597A (fi)
KR (1) KR101388946B1 (fi)
CN (1) CN101312904B (fi)
FI (1) FI119729B (fi)
MY (1) MY153013A (fi)
WO (1) WO2007060289A1 (fi)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2011762B1 (en) * 2007-07-02 2015-09-30 Denso Corporation Semiconductor device with a sensor connected to an external element
US9588081B2 (en) * 2007-09-25 2017-03-07 Ownstone Medical Limited Interdigitated electrode configuration for ion filter
US7782522B2 (en) 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
DE102009002376A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Robert Bosch Gmbh Multichip-Sensormodul und Verfahren dessen Herstellung
US8315793B2 (en) * 2009-06-03 2012-11-20 Honeywell International Inc. Integrated micro-electro-mechanical systems (MEMS) sensor device
US8043891B2 (en) * 2009-06-05 2011-10-25 Shanghai Lexvu Opto Microelectronics Technology Co., Ltd. Method of encapsulating a wafer level microdevice
CN102092352B (zh) * 2010-12-16 2013-03-27 芜湖伯特利电子控制系统有限公司 一种应用于机动车的惯量测量单元的控制方法
CN107720689A (zh) 2011-06-30 2018-02-23 村田电子有限公司 系统级封装器件的制造方法和系统级封装器件
FR3005648B1 (fr) 2013-05-15 2016-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede d'encapsulation d'un dispositif microelectronique comprenant une injection de gaz noble a travers un materiau permeable a ce gaz noble
US10081535B2 (en) * 2013-06-25 2018-09-25 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for shielding and biasing in MEMS devices encapsulated by active circuitry
CN104944359B (zh) * 2014-03-25 2017-02-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Mems器件及其形成方法
CN105174203B (zh) 2014-05-28 2016-09-28 无锡华润上华半导体有限公司 基于mems的传感器的制作方法
US9611137B2 (en) * 2014-08-26 2017-04-04 Invensense, Inc. MEMS sensor integrated with a flip chip
JP6488639B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
JP6488640B2 (ja) * 2014-10-28 2019-03-27 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および移動体
US9604841B2 (en) 2014-11-06 2017-03-28 Analog Devices, Inc. MEMS sensor cap with multiple isolated electrodes
CN107209033B (zh) 2015-01-28 2019-11-12 大陆-特韦斯股份有限公司 具有对称掩埋的传感器元件的传感器
DE102016201096A1 (de) 2015-01-28 2016-07-28 Continental Teves Ag & Co. Ohg Adapter mit eingebetteten Filterbauelementen für Sensoren
US9969614B2 (en) * 2015-05-29 2018-05-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. MEMS packages and methods of manufacture thereof
WO2017104103A1 (ja) * 2015-12-17 2017-06-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 接続構造体
US11444048B2 (en) 2017-10-05 2022-09-13 Texas Instruments Incorporated Shaped interconnect bumps in semiconductor devices

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448014A (en) * 1993-01-27 1995-09-05 Trw Inc. Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices
US6140707A (en) * 1998-05-07 2000-10-31 3M Innovative Properties Co. Laminated integrated circuit package
US6159385A (en) 1998-05-08 2000-12-12 Rockwell Technologies, Llc Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation
CN1242602A (zh) * 1998-07-16 2000-01-26 日东电工株式会社 晶片规模封装结构及其内使用的电路板
KR20030023613A (ko) * 2000-02-02 2003-03-19 레이던 컴퍼니 집적회로 컴포넌트를 구비하는 마이크로전기기계 시스템의진공 패키징 방법 및 진공 패키지
DE10017976A1 (de) * 2000-04-11 2001-10-18 Bosch Gmbh Robert Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren
US6522015B1 (en) * 2000-09-26 2003-02-18 Amkor Technology, Inc. Micromachine stacked wirebonded package
US6512300B2 (en) * 2001-01-10 2003-01-28 Raytheon Company Water level interconnection
DE10123039A1 (de) * 2001-05-11 2002-11-21 Bosch Gmbh Robert Sensoranordnung, insbesondere mikromechanische Sensoranordnung
WO2002096166A1 (en) * 2001-05-18 2002-11-28 Corporation For National Research Initiatives Radio frequency microelectromechanical systems (mems) devices on low-temperature co-fired ceramic (ltcc) substrates
JP4173652B2 (ja) * 2001-07-02 2008-10-29 富士通株式会社 金融取引装置
FR2833106B1 (fr) * 2001-12-03 2005-02-25 St Microelectronics Sa Circuit integre comportant un composant auxiliaire, par exemple un composant passif ou un microsysteme electromecanique, dispose au-dessus d'une puce electronique, et procede de fabrication correspondant
TW517361B (en) * 2001-12-31 2003-01-11 Megic Corp Chip package structure and its manufacture process
JP3575478B2 (ja) 2002-07-03 2004-10-13 ソニー株式会社 モジュール基板装置の製造方法、高周波モジュール及びその製造方法
US7402897B2 (en) * 2002-08-08 2008-07-22 Elm Technology Corporation Vertical system integration
WO2004037711A2 (en) * 2002-10-23 2004-05-06 Rutgers, The State University Of New Jersey Processes for hermetically packaging wafer level microscopic structures
JP4342174B2 (ja) * 2002-12-27 2009-10-14 新光電気工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法
JP4489411B2 (ja) * 2003-01-23 2010-06-23 新光電気工業株式会社 電子部品実装構造の製造方法
FR2856844B1 (fr) * 2003-06-24 2006-02-17 Commissariat Energie Atomique Circuit integre sur puce de hautes performances
JP4269806B2 (ja) * 2003-06-30 2009-05-27 カシオ計算機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20050054133A1 (en) * 2003-09-08 2005-03-10 Felton Lawrence E. Wafer level capped sensor
JP4539155B2 (ja) * 2003-10-03 2010-09-08 パナソニック電工株式会社 センサシステムの製造方法
JP3875240B2 (ja) * 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
CN100485911C (zh) * 2004-04-22 2009-05-06 松下电工株式会社 传感器器件、传感器系统及其制造方法
KR100733242B1 (ko) 2004-05-19 2007-06-27 삼성전기주식회사 측면 밀봉부재가 형성된 ｍｅｍｓ 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101312904B (zh) 2012-09-05
FI20065484A (fi) 2007-09-06
KR20080078823A (ko) 2008-08-28
KR101388946B1 (ko) 2014-05-27
WO2007060289A1 (en) 2007-05-31
US20070132047A1 (en) 2007-06-14
JP2014111308A (ja) 2014-06-19
US7932568B2 (en) 2011-04-26
JP5919310B2 (ja) 2016-05-18
CN101312904A (zh) 2008-11-26
MY153013A (en) 2014-12-31
EP1951611A1 (en) 2008-08-06
FI20065484A0 (fi) 2006-07-07
JP2009516597A (ja) 2009-04-23
EP1951611B1 (en) 2016-08-17
EP1951611A4 (en) 2014-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI119729B (fi) Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
FI119728B (fi) Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti
US8080925B2 (en) Inertial sensor with dual cavity package and method of fabrication
CN102749159B (zh) 具有密封结构的传感器器件
KR101548384B1 (ko) 캡슐화 모듈, 캡슐화 모듈 제조 방법 및 이의 사용
US9056760B2 (en) Miniaturized electrical component comprising an MEMS and an ASIC and production method
AU2009307832B2 (en) Integrated sensor including sensing and processing die mounted on opposite sides of package substrate
US20120270354A1 (en) Methods for fabricating sensor device package using a sealing structure
US8288850B2 (en) Method for packaging micromachined devices
US7836764B2 (en) Electrical device with covering
RU2436726C2 (ru) Защитный корпус электромеханической микросистемы, содержащий промежуточный транслятор проводки

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 119729

Country of ref document: FI

PC Transfer of assignment of patent

Owner name: MURATA ELECTRONICS OY

MM Patent lapsed