CN101299317A - 等离子体显示器及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

在等离子体显示设备中，第一晶体管连接在电极和提供VscL电压的电源之间，并且逐渐改变所述电极的电压的第二晶体管连接在所述电极和电源之间。第一和第二电阻器串联在所述电极和第二晶体管之间。第一和第二电阻器的节点连接到稳压器的控制端，该稳压器的阳极端连接到所述电极，该稳压器的阴极端连接到第二晶体管。稳压器具有参考电压，当第二晶体管导通并且在第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压时，连接所述阳极端和阴极端；并且当所述节点电压小于参考电压时，断开所述阳极端和阴极端。即，通过重复地连接和断开所述稳压器的阳极端和阴极端，所述电极的电压可以降低到大于VscL电压的Vnf电压。这样，两个电平的电压可以从一个电源提供。

Description

等离子体显示器及其驱动方法
技术领域
本发明涉及等离子体显示设备及其驱动方法。
背景技术
等离子体显示器包括等离子体显示面板(PDP)，其使用由气体放电产生的等离子体来显示字符或图像。在PDP中，多个放电单元以矩阵格式排列。
通常，等离子体显示器通过将一个场分成多个子场来驱动，且通过多个子场中的子场的权重值的组合来显示灰度，在多个子场中执行显示操作。在每个子场的寻址期，发光单元和非发光单元通过寻址放电来选择，且在维持期，图像实际上通过为发光单元执行的维持放电来显示。
这样的放电只有在两个电极之间的电压差被设定为高于预定电压时才会发生，在寻址期和维持期中用于每个电极的电压电平不同，因此提供每个电压的电源的数量增加了。
发明内容
本发明致力于提供一种具有减少的电源数量的等离子体显示器。
根据本发明的一个实施例的示例性的等离子体显示设备包括电极、第一晶体管、第二晶体管、第一和第二电阻器，以及电压参考电路。第一晶体管连接在所述电极和提供第一电压的电源之间。第二晶体管连接在所述电极和电源之间，并操作来逐渐改变该电极的电压。第一和第二电阻器串联在电极和第二晶体管之间，或者串联在电源和第二晶体管之间。电压参考电路在第二晶体管被导通时提供参考电压，并且在第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压时，允许电流流过不同于第一路径的第二路径，该第一路径由电极和电源之间的第一和第二电阻器形成。
根据本发明的另一个实施例的示例性的等离子体显示设备包括多个电极、第一晶体管、第二晶体管、第一和第二电阻器、比较器以及第三晶体管。第一晶体管连接在所述多个电极和提供第一电压的电源之间。第二晶体管连接在电源和所述多个电极之间，并操作来逐渐改变该电极的电压。当第二晶体管被导通时，第一和第二电阻器串联在电极和电源之间形成的第一路径上。比较器比较第一和第二电阻器之间的节点的节点电压和参考电压，并确定对应于比较结果的输出电压。响应于确定的输出电压，第三晶体管被导通，并允许电流流过在电极和电源之间形成的第二路径。
根据本发明的再一个实施例的等离子体显示设备包括多个电极、第一晶体管、第二晶体管、第一和第二电阻器，以及稳压器。第一晶体管连接在所述多个电极和提供第一电压的电源之间。第二晶体管连接在所述多个电极和电源之间连接，并操作来逐渐改变该电极的电压。当第二晶体管被导通时，第一和第二电阻器串联在第一路径上，该第一路径在电极和电源之间形成。稳压器具有第一到第三端，当第二晶体管被导通且第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压时，允许电流流过由电极和电源之间的第二和第三晶体管形成的第二路径。稳压器的第一端连接到第一和第二电阻器之间的节点。
根据本发明的再一个实施例的示例性方法驱动包括电极的等离子体显示器。该方法包括通过导通连接在电极和提供第一电压的电源之间的第一晶体管来将电极的电压改变为第二电压，以及通过导通连接在电极和电源之间的第二晶体管来向电极提供第一电压。将电极的电压改变为第二电压包括允许电流流过由串联在电极和电源之间的第一电阻器和第二电阻器形成的第一路径，以及在第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压时，允许电流流过不同于第一路径的第二路径。
附图说明
通过参考以下结合附图的详细说明，随着更好地理解本发明，对本发明的更完整的理解及其许多伴随的优点将会变得明显。在附图中，相似的附图标记表示相同或相似的组件，其中：
图1是根据本发明的示例性实施例的等离子体显示设备的视图。
图2是根据本发明的示例性实施例的等离子体显示设备的驱动波形的视图。
图3是根据本发明的示例性实施例的扫描电极驱动器的电路图。
图4到图7是根据本发明的第一到第四示例性实施例的各个电压生成器的电路图。
具体实施方式
在以下的详细说明中，通过附图说明，仅示出和说明了本发明的特定示例性实施例。如本领域技术人员所理解，所描述的实施例可以以各种不同方式进行修改，所有的修改都不偏离本发明的精神或范围。
因此，附图和说明书将被认为本质上是说明性的而不是限制性的。在整篇说明书中，类似的附图标号指示类似的元件。当描述到一个元件连接到另一个元件时，该元件可以是直接连接到另一个元件，或通过第三个元件连接到另一个元件。
在整篇说明书及所附权利要求书中，维持电压的表述包括一种情况，其中，尽管两个特定点之间的电势差随时间推移而改变，该改变是在设计可接受的范围内的，或者是由本领域技术人员在通常的设计实践中忽视的附加组件引起的。此外，与放电电压相比，半导体元件(晶体管或二极管等)的阈值电压很低，所以阈值电压被认为是0V。因此，由电源提供给节点或电极的电压包括由于阈值电压或附加组件等而从电源电压的电压改变的电压。
根据本发明的示例性实施例的等离子体显示设备及其驱动方法将在下面参考附图更详细地说明。
图1是根据本发明的示例性实施例的等离子体显示设备的视图。
如图1所示，等离子体显示设备包括PDP 100、控制器200、寻址电极驱动器300、扫描电极驱动器400和维持电极驱动器500。
PDP 100包括在列方向延伸的多个寻址电极A1到Am(以下称为“A电极”)、成对的在行方向延伸的多个位置电极X1到Xn(以下称为“X电极”)和扫描电极Y1到Yn(以下称为Y电极)。X电极X1到Xn与Y电极Y1到Ym相对应地形成，并且显示操作在维持期中由X和Y电极执行。Y电极Y1到Yn和X电极X1到Xn与A电极A1到Am交叉。Y电极Y1到Yn和X电极X1到Xn与A电极A 1到Am正交排列。PDP 100的这个结构仅仅是示例性的，其它结构的面板也可用于本发明。
控制器200接收外部视频信号，并输出A电极驱动控制信号、X电极驱动控制信号和Y电极驱动控制信号。此外，控制器200通过将一帧分为多个子场来驱动等离子体显示设备。每个子场包括复位期、寻址期和维持期。
寻址电极驱动器300从控制器200接收A电极驱动控制信号，并向每个A电极提供用于选择要放电的放电单元的显示数据信号。
扫描电极驱动器400从控制器200接收Y电极驱动控制信号，并向Y电极提供驱动电压。
维持电极驱动器500从控制器200接收X电极驱动控制信号，并向X电极提供驱动电压。
图2是根据本发明的示例性实施例的等离子体显示设备的驱动波形的视图。为了更好理解和容易描述，下列描述用于多个子场中的一个子场的驱动波形，该驱动波形被提供给由Y电极、X电极和A电极形成的一个单元。
如图2所示，在复位期的上升期，寻址电极驱动器300和维持电极驱动器500分别用参考电压(图2中为0V)对A电极A和X电极X施加偏压，且扫描电极驱动器400逐渐将Y电极Y从Vs电压增加到Vset电压。在图2中，Y电极Y的电压以斜坡模式增加。随着Y电极Y的电压增加，在Y电极Y和X电极X之间、以及在Y电极Y和A电极A之间产生弱放电，使得在Y电极Y上形成负(-)壁电荷，在X和A电极X和A上形成正(+)壁电荷。
在复位期的下降期，维持电极驱动器500以Ve电压对X电极X施加偏压，且扫描电极驱动器400逐渐将Y电极Y的电压从Vs电压降低到Vnf电压。在图2中，Y电极Y的电压以斜坡模式降低。随着Y电极Y的电压降低，在Y电极Y和X电极X之间、以及Y电极Y和A电极A之间生成了弱放电，使得在Y电极Y上形成的(-)壁电荷、以及在X电极X和A电极A上形成的(-)壁电荷被清除。通常，(Vnf-Ve)电压被设置为接近于Y电极Y和X电极X之间的放电点火(firing)电压。于是，Y电极Y和X电极X之间的壁电压接近0，由此防止了在寻址期没有用寻址放电寻址的单元在维持期期间被误点火(misfiring)。
通常，当Vnf电压在复位期被提供时，A电极A和Y电极Y之间的壁电压和外部电压(即，Vnf电压)之和，由A电极A和Y电极Y之间的放电点火电压确定。当寻址期中0V被提供给A电极A且VscL电压(其对应于Vnf电压)被提供给Y电极Y，放电点火电压在A电极A和Y电极Y之间产生，因此，放电被期望。但是，在这种情况下，期望的放电没有发生，因为放电延迟大于扫描和寻址脉冲的宽度。但是，如果Va电压被提供给A电极A且VscL电压(＝Vnf电压)被提供给Y电极Y，大于放电点火电压的电压在A电极A和Y电极Y之间形成，使得放电延迟被缩短到小于扫描脉冲的宽度，由此允许放电发生。在这种情况下，当VscL电压被设为低于Vnf电压，Y电极Y和A电极A之间的电压差(VscL-Va)提高，使得寻址放电可以有效地产生。此外，电压Va可以被降低电压差(VscL-Vnf)。下文中，电压差(VscL-Vnf)被称为ΔV。这样，在寻址期，VscL电压电平被设为等于或小于Vnf电压电平，Va电压电平被设为大于参考电压。在图2中，VscL电压被设为比Vnf电压小ΔV电压。
在维持期，扫描电极驱动器400根据相应子场的权重值，多次向多个Y电极提供维持脉冲，该维持脉冲交替地具有高电平电压(图2中的Vs)和低电平电压(图2中的0V)。维持电极驱动器500向X电极X提供维持脉冲，该维持脉冲具有与提供给Y电极Y的维持脉冲相反的相位。因此，每个Y电极Y和每个X电极X之间的电压差交替地变为Vs电压和-Vs电压，且维持放电在寻址放电单元(即，发光单元)上重复地产生预定的次数。
尽管图2说明了具有交替地提供给Y电极Y和X电极X的Vs电压和0V电压的维持脉冲，交替地具有Vs电压和-Vs电压的维持脉冲可以被提供给Y电极Y和/或X电极X，使得Y电极Y和X电极X之间的电压差交替地变为Vs电压和-Vs电压。例如，当X电极X被加偏压到地电压时，交替地具有Vs电压和-Vs电压的维持脉冲可以被提供给Y电极Y。
此外，在图2中，在复位期中，在单元通过清除单元的壁电压而初始化为非发光单元后，在寻址期中，该单元通过寻址放电被设为发光单元，但通过在复位期在单元中写入壁电荷，该单元被设为发光单元之后或在先前子场的维持期之后，该单元可以通过寻址期的寻址放电被设为非发光单元。
参考图3，以下更具体地描述驱动电路，该驱动电路能通过一个电源实现不同电平的电压。在图3中，驱动电路用一个电源实现Vnf电压和VscL电压。
图3是根据本发明的示例性实施例的扫描电极驱动器的电路图。为了便于解释，图3中仅说明了一个Y电极Y和一个X电极X，并且由一个Y电极Y和一个X电极X形成的电容组件被说明为面板电容Cp。
如图3所示，根据本发明的示例性实施例的扫描电极驱动器400包括上升复位驱动器410、维持驱动器420、下降复位/扫描驱动器430和扫描电路440。在图3中，晶体管Ynf、YscL、Sch和Scl是n-通道场效应晶体管，特别是N-通道金属氧化物半导体(NMOS)，并且在每个晶体管Ynf、YscL、Sch和Scl中从源极到漏极方向形成体二极管。与晶体管Ynf、YscL、Sch和Scl具有类似功能的其它晶体管可以替换NMOS晶体管。此外，虽然图3中的晶体管Ynf、YscL、Sch和Scl被单独示出，晶体管Ynf、YscL、Sch和Scl的每一个可以由并联的多个晶体管形成。
扫描电路440包括晶体管Sch和Scl、第一输入端A、第二输入端B和连接到Y电极Y的输出端C。晶体管Sch的源极和晶体管Scl的漏极连接到输出端C，晶体管Sch的漏极连接到第一输入端A，并且向第一输入端A提供VscH电压的电源VscH连接到第一输入端A。晶体管Scl的源极连接到第二输入端B。扫描电路440选择性地向相应的Y电极提供第一输入端A的电压和第二输入端B的电压，从而在寻址期选择发光单元。
尽管一个扫描电路440在图3中被说明为连接到Y电极Y，多个Y电极Y1到Yn的每个可以连接到各自的扫描电路440。根据本发明的另一个示例性实施例，在一个扫描集成电路(IC)中形成预定数目的扫描电路440，使得扫描IC的多个输出端可以分别连接到预定数目的Y电极。这里，预定数目的Y电极被设为Y1到Yk(其中k小于n)。
下降复位/扫描驱动器430包括晶体管Ynf和YscL、电压生成器431、电容Csc和二极管Dsc。
二极管Dsc的阳极连接到电源VscH，二极管的阴极连接到第二输入端B，电容Csc连接在第一输入端A和第二输入端B之间。晶体管YscL和Ynf的漏极分别连接到节点N1，并且晶体管YscL和Ynf的源极分别连接到节点N2。扫描电路440的第二输入端B连接到节点N1，提供VscL电压的电源VscL连接到节点N2。电压生成器431连接在节点N1和晶体管Ynf的漏极之间，并产生ΔV电压。电压生成器431可以连接在晶体管Ynf的源极和节点N2之间。
因此，当晶体管Ynf在复位期的下降期被导通时，Y电极Y的电压可以被降低至Vnf(＝VscL+ΔV)电压。在这种情况下，当晶体管Ynf被导通，晶体管Ynf引起微弱电流从漏极流向源极，从而逐渐降低Y电极Y的电压到Vnf电压。晶体管YscL在寻址期被导通，并向扫描电路440的第二输入端B提供VscL电压。
维持驱动器420连接到扫描电路440的第二输入端B，并在维持期期间通过扫描电路440的第二输入端B向多个Y电极Y提供维持脉冲，该维持脉冲交替地具有Vs电压和0V电压。上升复位驱动器410连接到扫描电路440的第二输入端B，并在复位期的上升期通过扫描电路440的第二输入端B向Y电极提供上升复位波形。
参考图4到图7，图3的电压生成器431将在下面更详细地说明。在图4到图7中，晶体管Ynf的漏极被标为节点N3。
图4是根据本发明的第一示例性实施例的电压生成器431a的电路图。
如图4所示，电压生成器431a包括稳压器431-1和电阻R1、R2和R3。电阻R1和R2串联在节点N1和节点N3之间，稳压器431-1的阳极端AN连接到节点N1，稳压器431-1的阴极端KA连接到节点N3，并且稳压器431-1的参考端REF连接到电阻器R1和R2之间的节点。电阻器R3可以连接到稳压器431-1的阳极端AN和节点N1之间。当由电阻R1和R2划分的电压大于Vref电压时，稳压器431-1连接阳极端AN和阴极端KA。稳压器431-1具有参考电压Vref，并作为电压参考电路来操作，该电压参考电路使用参考电压Vref作为比较值。
当晶体管Ynf在复位期的下降期被导通，由于电阻器R1和R2，少量电流流过。如果流向电阻R2的电流被表示为/1，Vy电压可以由下面的等式1得到。
等式1：
Vy＝/1R2
当电流随/1时间流逝而增加，Vy电压也增加。在这种情况下，当Vy电压变得大于Vref电压时，稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA被连接。由于电阻R3的大小很小，电流流过Y电极Y、稳压器431-1、晶体管Ynf和电源VscL，使得Y电极Y的电压降低并且电流/1减小。
当电流/1减小时，Vy电压变得小于Vref电压，稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA断开，使得电流流过Y电极Y、电阻R1和R2、晶体管Ynf和电源VscL，并且Yy电压再次增加。当Vy电压变得大于Vref电压，稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA再次连接。
如上所述，随着稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA不断连接和断开，Y电极的电压被逐渐降低。当Y电极Y电压逐渐降低并变得等于Vnf电压，Vy电压不能大于Vref电压，因此稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA没有连接。在这种情况下，由于电阻R1和R2具有大电阻值，Y电极Y的电压可以在预定的时间段基本维持在Vnf电压电平。
图5是根据本发明的第二示例性实施例的电压生成器431b的电路图。
如图5所示，根据本发明的第二示例性实施例的电压生成器431b的组成元件和电压生成器431a的一样，除了晶体管Q1。晶体管Q1在图5中被示为双极结晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)，但可以被替换为另一种晶体管。晶体管Q1的发射极连接到节点N1，晶体管Q1的集电极连接到晶体管YscL的漏极，Q1的基极连接到稳压器431-1的阳极An。该基极是晶体管Q1的控制端。
在这样的电压生成器431b中，当稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA被连接且晶体管Q1的基极-发射极电压|Vbe|变得小于阈值电压Vth时，晶体管Q1被导通。于是，电流流过Y电极Y、晶体管Q1、晶体管Ynf和电源VscL。当电流/1减小时，Vy电压变得小于Vref电压，稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA断开且晶体管的基极不能被提供电压，从而晶体管Q1被截止。于是，电流流过Y电极Y、电阻R1和R2、晶体管Ynf和电源VscL，从而Vy电压再次增加。
当Vy电压变得大于Vref电压时，稳压器431-1的阳极端AN和阴极端KA再次连接。随着上述过程被重复，Y电极Y的电压降低至Vnf电压。由于电流容量的限制，稳压器431-1不能提供大量电流。因此，通过使用晶体管Q1可以增加电流容量。
图6是根据本发明的第三示例性实施例的电压生成器431c的电路图。
如图6所示，根据本发明的第三示例性实施例的电压生成器431c的组成元件和电压生成器431b的一样，除了电容C1和电阻R4和R5。电容C1连接在节点N1和晶体管YscL之间。电阻R4连接在稳压器431-1的阳极端AN和晶体管Q1的基极之间，并且电阻R5连接在晶体管Q1的集电极和节点N3之间。电压生成器431c和图5的电压生成器431b一样操作。在这种情况下，电容C1调节节点N1和晶体管YscL的漏极之间的电压，且电阻R4和R5保护晶体管Q1。
根据本发明的第一到第三示例性实施例，参考电压Vref输入到稳压器431-1从而参考电压Vref不能被改变。在根据本发明的以下示例性实施例中，参考图7，根据本发明的示例性实施例的一种方法将在下面更详细地描述，该方法用于当改变参考电压时改变ΔV电压。
图7是根据本发明的第四示例性实施例的电压生成器431d的电路图。
如图7所示，根据本发明的第四示例性实施例的电压生成器431d包括比较器431-2、参考电压控制器431-3、晶体管Q2和电阻R1’、R2’和R3’。电阻R1’和R2’串联在节点N1和晶体管YscL的漏极之间。比较器431-2的非反相端(+)连接到电阻R1’和R2’的节点，而比较器431-2的反相端(-)连接到参考电压控制器431-3。比较器431-2的输出端OUT连接到晶体管的基极，晶体管Q2的发射极连接到节点N1，而晶体管Q2的集电极连接到晶体管YscL的漏极。电阻R3’连接在晶体管Q2的基极和节点N1之间。参考电压控制器431-3向比较器431-2的反相端(-)输入从外部接收的参考电压Vref。电压生成器431d几乎和图4的电压生成器431a一样操作。即，比较器431-2和晶体管Q2和图4到图6的稳压器431-1执行一样的功能。即，比较器431-2和晶体管Q2也作为电压参考电路操作。
当晶体管Ynf在复位期的下降期被导通时，在电阻R1’和R2’划分的电压，即，Vy’电压，变得大于预定参考电压Vref时，比较器431-2输出Vcc电压。在这种情况下，当晶体管Q1的基极-发射极电压|Vbe|变得小于阈值电压Vth时，晶体管Q2被导通。然后，电流流过Y电极Y、晶体管Q2、晶体管Ynf和电源VscL。因此，电流/1减小并且相应地Vy’电压再次变得小于Vref电压，且Vy’电压降低。当Vy’电压小于预定的参考电压Vref时，比较器431-2输出VscL电压。然后，晶体管Q2的基极-发射极电压|Vbe|变得大于阈值电压Vth，从而晶体管Q2被导通。
当晶体管Q2被截止时，电流流过Y电极Y、电阻R1’和R2’、晶体管Ynf和电源VscL，使得Vy’电压再次增加。当Vy’电压增加至大于Vref电压，比较器431-2向晶体管Q2的基极输出Vcc电压，且当晶体管Q1的基极-发射极电压|Vbe|变得小于阈值电压Vth时，晶体管Q2再次被导通。如上所述，随着晶体管Q2被重复导通和截止，Y电极的电压被降低至Vnf电压。
参考电压控制器431-3可以改变输入到比较器431-2的反相端(-)的参考电压Vref。即，根据参考电压Vref，Vnf可以被控制。
如上所述，根据本发明的示例性实施例，不同电平的电压可以从一个电源被提供，由此减少等离子体显示设备的电源数量。
当结合当前被认为是实用的示例性实施例描述本发明时，可以理解本发明不限于所公开的实施例，而是相反地，旨在涵盖在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改及等价物。

Claims (17)

1.一种等离子体显示设备，包括：
电极；
第一晶体管，连接在所述电极和提供第一电压的电源之间；
第二晶体管，连接在所述电极和电源之间，该第二晶体管逐渐改变所述电极的电压；
第一电阻器和第二电阻器，串联在所述电极和第二晶体管之间，或者串联在所述电源和第二晶体管之间；以及
电压参考电路，响应于第二晶体管被导通来提供参考电压，以及响应于所述第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于所述参考电压，来允许电流流过第二路径，该第二路径不同于由所述电极和电源之间的所述第一和第二电阻器构成的第一路径。
2.如权利要求1所述的等离子体显示设备，其中，所述电压参考电路包括稳压器，该稳压器具有连接到所述第一和第二电阻器之间的节点的参考端、连接到所述电极的第一端和连接到所述第二晶体管的第二端，并且其中，所述第二路径由所述第一端和第二端构成。
3.如权利要求1所述的等离子体显示设备，其中，所述电压参考电路包括稳压器，该稳压器具有连接到第一和第二电阻器之间的节点的参考端、连接到第二晶体管的第一端和连接到所述电源的第二端，并且其中，所述第二路径由该第一端和第二端构成。
4.如权利要求2所述的等离子体显示设备，还包括第三晶体管，该第三晶体管具有连接到所述稳压器的第一端的控制端，该第三晶体管允许电流流过第三路径，该第三路径不同于所述电极和电源之间的第二路径。
5.如权利要求3所述的等离子体显示设备，还包括第三晶体管，该第三晶体管具有连接到所述稳压器的第一端的控制端，该第三晶体管允许电流流过第三路径，该第三路径不同于所述电极和电源之间的第二路径。
6.如权利要求1所述的等离子体显示设备，还包括参考电压控制器以改变所述参考电压。
7.如权利要求6所述的等离子体显示设备，其中，所述电压参考电路包括：
比较器，具有连接到所述第一和第二电阻器之间的节点的第一端和连接到所述参考电压控制器的第二端，该比较器确定对应于所述节点电压的输出电压；以及
第三晶体管，具有连接到所述比较器的输出端的控制端，响应于第三晶体管被导通，该第三晶体管允许电流流过所述第二路径。
8.一种等离子体显示设备，包括：
多个电极；
第一晶体管，连接在所述多个电极和提供第一电压的电源之间；
第二晶体管，连接在所述多个电极和电源之间，该第二晶体管逐渐改变所述多个电极的电压；
第一电阻器和第二电阻器，响应于所述第二晶体管被导通，串联在所述多个电极和电源之间的第一路径上；
比较器，比较所述第一和第二电阻器之间的节点的节点电压与参考电压，并确定对应于比较结果的输出电压；以及
第三晶体管，响应于所确定的输出电压来导通，该第三晶体管允许电流流过所述多个电极和电源之间的第二路径。
9.如权利要求8所述的等离子体显示设备，还包括参考电压控制器以改变所述参考电压。
10.如权利要求9所述的等离子体显示设备，其中，所述第一晶体管在寻址期被导通，所述第二晶体管在复位期被导通，并且其中，在复位期提供给所述多个电极的电压大于所述第一电压。
11.一种等离子体显示设备，包括：
多个电极；
第一晶体管，连接在所述多个电极和提供第一电压的电源之间；
第二晶体管，连接在所述多个电极和电源之间，该第二晶体管逐渐改变所述多个电极的电压；
第一电阻器和第二电阻器，响应于所述第二晶体管被导通，串联在所述多个电极和电源之间的第一路径上；以及
稳压器，具有第一到第三端，该第一端连接到第一和第二电阻器之间的节点，响应于第二晶体管被导通且第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压，稳压器允许电流流过第二路径，该第二路径由所述多个电极和电源之间的第二端和第三端构成。
12.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其中，所述第一和第二电阻器串联在所述多个电极和第二晶体管之间，所述第二端连接到所述多个电极，并且所述第三端连接到第二晶体管。
13.如权利要求11所述的等离子体显示设备，所述第一和第二电阻器串联在第二晶体管和电源之间，所述第二端连接到第二晶体管，并且所述第三端连接到电源。
14.如权利要求11所述的等离子体显示设备，还包括第三晶体管，该第三晶体管具有连接到稳压器的第二端的控制端，响应于所述第二晶体管被导通，该第三晶体管允许电流流过第三路径，该第三路径不同于所述多个电极和电源之间的第二路径。
15.一种驱动具有电极的等离子体显示设备的方法，该方法包括：
通过导通连接在电极和提供第一电压的电源之间的第一晶体管，将该电极的电压改变为第二电压；以及
通过导通连接在所述电极和电源之间的第二晶体管，向该电极提供所述第一电压；
其中，改变所述电极的电压包括：
允许电流流过第一路径，该第一路径由串联在所述电极和电源之间的第一电阻器和第二电阻器构成；以及
响应于第一和第二电阻器之间的节点的节点电压大于参考电压，允许电流流过不同于所述第一路径的第二路径。
16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第二电压大于所述第一电压。
17.如权利要求16所述的方法，还包括在将所述电极的电压改变为第二电压之后，将该电极的电压维持在第二电压电平。
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