CN101263431B - 形成微电子衬底的可去除的边缘扩展元件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种包括微电子衬底的制品(106)作为在微电子衬底的处理期间使用的制品。所述制品包括微电子衬底，所述微电子衬底具有前表面、与所述前表面相对的后表面以及位于所述前和后表面的边界处的外部边缘。所述前表面是所述制品的主表面。具有前表面、后表面以及在所述前和后表面之间延伸的内部边缘的可去除的环形边缘扩展元件(108)的所述内部边缘被连接到所述微电子衬底的所述外部边缘(114)。以这样的方式，形成了包括所述边缘扩展元件的所述前表面(120)和所述微电子衬底的所述前表面(130)的连续的表面，在所述外部边缘被连接到所述内部边缘的位置处所述连续的表面基本上是共面和平坦的。

Description

形成微电子衬底的可去除的边缘扩展元件的方法
技术领域
本发明涉及微电子衬底的处理，更具体而言，涉及辅助这样的处理的边缘扩展元件。
背景技术
半导体工业发展的一个必要条件是能够在集成电路(IC)上印刷更小的特征。然而，近年来，光学光刻正面临着几个挑战，其阻碍了半导体技术的进一步发展。已经投资这样的技术例如x辐射光刻和电子束光刻作为传统光学光刻的替代。然而，由于光学浸没光刻潜在地满足了用于印刷较小尺寸的特征的改进的半导体技术的需要，所以己经受到了关注。
光学光刻系统可以印刷的特征的最小尺寸由下面的公式决定：
Eq.1：W＝k1λ/NA
其中k1是分辨率因子，λ是曝光辐射的波长，NA是间隙(interfacial)介质的数值孔径，通过该间隙介质将曝光辐射透射到印刷的特征。
在半导体器件的发展过程中，在减小最小特征尺寸W的同时，同样减小了曝光辐射的波长。然而，具有进一步减小的波长的新光学曝光源的发展却面临着许多挑战，如需要改进光学系统以传输和聚焦来自这样的具有减小的波长的光源的光。
再次参见Eq.1，可以看到最小尺寸W也是数值孔径NA的函数并且当数值孔径变大时W变小。通过nsinα来量化数值孔径，其中n是在透镜与印刷的特征之间的间隙介质的折射率，α是透镜的接收角。任何角度的正弦总是小于或等于1，并且当空气作为间隙介质时n近似等于1，因此当空气作为间隙介质时，数值孔径不能超过1。用另外的介质替代空气可以增加系统的有效数值孔径。除间隙介质的折射率需要大于1之外，该介质还应该满足许多其它的要求。例如，间隙介质应该具有低的光吸收速率，与光致抗蚀剂和透镜材料兼容并且不会污染光致抗蚀剂和透镜材料，并且是均匀介质。当光学曝光源的波长为193nm时，水可以满足这些要求，但是对于光学浸没光刻而言仍需要解决许多问题。
其一，曝光工具必须能够跨晶片从一个位置快速地步进到另一位置以获得可接受的吞吐速率。然而，经过液体的快速移动可以引起液体的扰动并形成气泡。已经采用了不同的方法以解决该问题。然而，每一种这样的方法都具有缺点。在第一种方法中，将晶片和透镜浸入到池水中。然而，如提到的，经过水的快速移动可以引起扰动并形成气泡，这影响了曝光的质量。在另一方法中，使用管嘴仅将水散布到晶片与透镜之间的间隙并通过表面张力将水保持在该间隙处。这样的工具包括称为“淋浴头”的装置，其用于在移动透镜之前将水散布到晶片的限定区域，并包括基于真空的去除元件或其它的去除元件，其用于在透镜经过后去除晶片表面的水。
然而，该方法具有自身的挑战。一个这样的挑战包括在晶片边缘处印刷特征的能力。为了最大化生产率，需要在晶片的边缘处充分地设置芯片。该方法(或可能的其它方法)所使用的浸没光刻工具难以在晶片的边缘处进行光刻曝光。浸没液体会从晶片的边缘流失，或者用于安装晶片和阻止液体流动的晶片卡盘(chuck)会在晶片的边缘处干扰晶片的正常处理。
例如，一种这样的技术利用具有凸出的环圈的卡盘来阻止水从卡盘流失。除了其它的之外依赖于支撑晶片的载体的几何形状、晶片的厚度、出现在晶片的“背”或后(典型地未构图的)表面的薄膜的老化程度(age)、晶片的边缘和在中央引入潮气的量的差异，相似的与边缘相关的问题还存在于化学机械抛光(CMP)中，腐蚀工艺在晶片的边缘处的速率与在晶片中央处的速率不同。
因此，需要一种方法和结构以解决通过光学浸没光刻在邻近晶片边缘的位置处光刻印刷特征时所产生的问题。
发明内容
本发明，还提供了一种用于形成微电子衬底的可去除的边缘扩展元件的方法，所述方法包括：将微电子衬底的前表面设置到模的基本上是平面的内面上使所述前表面水平接触所述内面，所述微电子衬底具有与所述前表面相对的后表面和在所述前表面与所述后表面之间延伸的外部边缘；在所述模中的腔中淀积聚合物，通过所述内面限定所述腔的至少一个侧腔面；以及固化所述聚合物以形成可去除的环形边缘扩展元件，所述可去除的环形边缘扩展元件具有自所述微电子衬底的所述外部边缘横向延伸的前表面，以便所述微电子衬底的所述前表面和所述边缘扩展元件的所述前表面形成连续的基本上共面和平坦的表面，其中至少邻近所述腔并与所述内面相对的所述模的后部分适合于至少部分地透射紫外光，以及固化所述聚合物的所述步骤包括至少透射所述紫外光的一部分通过所述模的所述后部分以固化在所述腔中的所述聚合物。
优选地，至少邻近所述腔并与所述内表面相对的所述模的后部分适合于至少部分地透射紫外光，以及固化所述聚合物的所述步骤包括至少透射所述紫外光的一部分通过所述模的所述后部分以固化在所述腔中的所述聚合物。
优选地，在透射所述紫外光的所述步骤期间，所述微电子衬底至少基本上防止了所述紫外光到达所述微电子衬底的所述前表面。
优选地，固化所述聚合物以形成可去除的边缘扩展元件的所述步骤包括：淀积前体(precursor)层接触所述微电子衬底的所述外部边缘，施加所述聚合物接触所述前体层的边缘，以及在固化所述聚合物时同时固化所述前体层以形成可释放层。
优选地，所述可释放层至少在水中基本上是不可溶解的。优选地，所述微电子衬底包括半导体晶片。
优选地，将所述边缘扩展层形成为具有在所述边缘扩展元件的所述前表面与所述边缘扩展元件的所述后表面之间的厚度，所述边缘扩展元件的所述厚度大于在所述微电子衬底的所述前表面与所述后表面之间的所述微电子衬底的厚度。
优选地，所述模的所述内面包括沿垂直方向延伸基本上横穿限定所述前表面的平面的沟槽，以及淀积所述聚合物的所述步骤包括使用所述聚合物至少部分地填充所述沟槽，其中固化所述聚合物的所述步骤产生从所述边缘扩展元件的所述前表面伸出的坝体。
优选地，所述方法还包括加入向上延伸至超过所述边缘扩展元件的所述前表面的高度的挠性片，所述挠性片用于防止液体流出所述边缘扩展元件的所述前表面。
附图说明
图1是这样的图，其示例了根据本发明的一个实施例的用于处理微电子衬底的示例性浸没光刻曝光系统的组件；
图2是截面图，根据本发明的特定的实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成至微电子衬底的边缘上的方法；
图3是截面图，根据本发明的一个实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成到微电子衬底的边缘上的方法；
图4是截面图，根据本发明的一个实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成到微电子衬底的边缘上的方法；
图5是截面图，根据本发明的一个实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成到微电子衬底的边缘上的方法；
图6是截面图，根据本发明的一个实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成到微电子衬底的边缘上的方法；以及
图7是截面图，根据本发明的特定的实施例示例了一种包括边缘扩展元件的微电子衬底以及将边缘扩展元件形成到微电子衬底的边缘上的方法。
具体实施方式
图1A是示例了示例性浸没光学光刻系统的截面图，使用该系统来实施处理根据本发明的一个实施例的微电子衬底例如半导体晶片的方法。如在图1A中所示，浸没光刻系统包括光学投影系统101，该光学投影系统101包括源和透镜。安装半导体晶片并使其可以相对光学投影系统移动。例如，具体而言，将可移动的台104安装到固定的基座102，典型地，台104相对于基座和光学投影系统101可沿两个或更多的方向移动。将具有附着到晶片的可去除的边缘扩展元件例如元件108(图1B)的半导体晶片106安装到晶片卡盘110，以跟随台104一起相对光学投影系统移动。具有附着的边缘扩展元件的晶片在这里称为“扩展的晶片”106。优选地，通过将聚合物模制(molding)到表面上的工艺，将边缘扩展元件附着到半导体晶片的外部边缘以形成包括半导体晶片的前表面的连续的基本上共面和平坦的表面。提供浸没液体111例如净化水，以填充在投影系统101与扩展的晶片106之间的间隙区域，以便来自投影系统透镜的光通过液体并通过其将光聚焦到扩展的晶片106的一部分上。典型地，将液体散布到投影系统的侧面，以便当相对于投影系统移动晶片时使投影系统与晶片之间的间隙区域保持填充有液体。典型地，浸没光刻系统100还包括机械装置(未示出)例如使用真空或其它的力的机械装置，其用于去除在与用于散布液体的投影系统的边缘相对的投影系统的边缘处的液体。在半导体晶片的光刻处理期间，边缘扩展元件保持附着于半导体晶片的外部边缘。以该方法，即使在会发生背景技术中的上述各种问题的邻近外部边缘的区域，半导体晶片也可以被均匀地处理。当不再需要边缘扩展元件时，例如在已经完成浸没光刻处理之后，从半导体晶片的外部边缘去除边缘扩展元件。然后可以进行其它的处理例如将晶片切割为独立的芯片。
图1B、1C和1D是示例了浸没光刻系统100的部分晶片和晶片卡盘元件的放大视图。如在图1B中所示，包括边缘扩展元件108的扩展的晶片106被安装到晶片卡盘。在晶片的外部边缘114与边缘扩展元件的内部边缘(同样在114处)之间，半导体晶片106的前表面130和边缘扩展元件108的前表面120形成基本上平坦和共面的连续的表面。夹具116延伸到边缘扩展元件108的前表面120上，使晶片106相对于卡盘110保持固定。
在图1C中示出的可选的装置中，通过真空或静电力将扩展的晶片106固定到不同种类的卡盘122，从而消除了对于接触晶片的前表面或边缘扩展元件的卡盘的需要。图1D还示例了通过真空或静电力将扩展的晶片106固定到卡盘124另一种装置，但是在其中卡盘包括凸缘126以容纳液体，以免液体从边缘扩展元件的外部边缘128溢到卡盘124上。
这样，可以在具有这样的各种机械装置的浸没光刻系统中使用扩展的晶片，该各种机械装置用于提供液体并处理出现在扩展的晶片的前表面的液体。在另一实例中，根据图1B到图1D中的任何一个，将扩展的晶片106安装到卡盘，使扩展的晶片和抛光表面相对移动以在机械或化学机械抛光期间抛光晶片的前表面。
通过抛光具有附着的边缘扩展元件的扩展的晶片而不是抛光接触抛光表面的裸晶片，在半导体晶片的外部边缘处可以获得改善的抛光效果。
图2是以面向下的方式示例的扩展的晶片200的截面视图，扩展的晶片包括微电子衬底202例如半导体晶片，其具有靠在制造中所使用的模的前元件250上的前表面210。在微电子衬底中形成器件的随后的处理期间，参考上述图1A-1D，光刻处理前表面210。如在图2中所示，通过外部边缘214限定前表面210。典型地，前表面210是半导体晶片的主表面并是平坦的，至少是基本上平坦的。在外部边缘214处，通过可释放层205将半导体晶片202附着到边缘扩展元件206的内边缘216。优选地，通过模制方法形成边缘扩展元件，该模制方法将边缘扩展元件模制到晶片的外部边缘以形成一体的扩展的晶片，该一体的扩展的晶片具有连续的并基本上平坦和共面的前表面。
优选地，由这样的材料形成可释放层，该材料至少基本上不溶解于浸没液体并且至少基本上溶解于除浸没液体之外的溶剂。以该方式，可释放层在指定的处理期间保持边缘扩展层附着于半导体晶片，然后当完成指定的处理时允许两者分离。在一个实例中，可释放层包括这样的材料，该材料是在水中(浸没液体)基本上不溶解但却可以通过显影剂溶液或公知的晶片蚀刻后的清洗工序有效去除的材料例如光致抗蚀剂。在随后的处理期间，在施加期间和在施加之后未保护的光致抗蚀剂聚合物是可去除的。优选地，通过“旋涂”工艺将这样的光致抗蚀剂材料施加到半导体晶片的外部边缘214，然后通过称为“涂布后烘(post-apply-bake)”工艺的受控加热来至少部分地硬化光致抗蚀剂材料。在该工艺期间，加热光致抗蚀剂的温度越低，在随后的去除步骤期间去除光致抗蚀剂时，光致抗蚀剂越易于溶解并越易于去除。
在一个实例中，可释放层可以包括通常称为“剥离(lift-off)层”的材料。剥离层的一个实例是商业光致抗蚀剂生产商Shipley提供的命名为“LOL-2000”的产品。与光致抗蚀剂材料中包括的化学活性UV敏感的聚合物相反，LOL-2000产品是对紫外(“UV”)光不敏感的“惰性”聚合物。这样的剥离层的一个特性为光致抗蚀剂材料和其它聚合物可以快速地粘附到剥离层。另一特性为典型地可以通过接触这样的溶剂来去除LOL-2000层，该溶剂在光刻曝光之后用于显影覆盖LOL-2000层的曝光的光致抗蚀剂图形，以及还可以通过接触其它溶剂来去除LOL-2000层。以这样的方式，在完成浸没光刻工艺之后，可以通过使可释放层接触适宜的溶剂，将边缘扩展元件和可释放层一起去除。优选地，通过光刻后清洗工艺进行该处理，其使用适宜的溶剂去除未曝光的光致抗蚀剂图形并分离可释放层。
由于LOL-2000产品在用于光致抗蚀剂的显影剂中是可溶解的，在光刻工艺期间，通过下列方式使包括剥离层产品例如LOL-2000的可释放层不脱层(delamination)。覆盖扩展的晶片的光致抗蚀剂层覆盖位于扩展的晶片的半导体部分的边缘处的可释放层。由于在晶片的光刻曝光期间半导体晶片的实际边缘没有被暴露到UV光，因此在半导体晶片被暴露到光刻成像光之后的光致抗蚀剂图形的显影期间，保护了可释放层。当可释放层是剥离层例如LOL-2000时，在将其施加到半导体晶片之后，优选地在200摄氏度或更低的温度下进行涂布后烘步骤来硬化剥离层。
在另一实例中，可释放层包括“顶涂层”例如典型地在光致抗蚀剂层的浸没光刻构图期间用于覆盖半导体晶片202的前表面210上的光致抗蚀剂层的顶涂层。这样的顶涂层在包含氢氧化四甲铵(TMAH)的溶液中是可溶解的。这样的顶涂层的实例为JSR(Japanese Synthetic Rubber Co.Ltd.)生产的标记为TCX007的产品。希望将这样的顶涂层同时施加到晶片的前表面上的光致抗蚀剂层和外部边缘214，以便顶涂层即作为传统的顶涂层又作为上述可释放层。
在施加可释放层和通过涂布后烘工艺硬化可释放层之后，形成附着于可释放层的可去除的环形边缘扩展元件。优选地，通过这样的工艺来形成边缘扩展元件，在半导体晶片的外部边缘与边缘扩展元件的内部边缘216相接的位置处将聚合物淀积和模制为基本上共面和平坦的连续的表面。用于制造边缘扩展元件的材料(聚合物)的强度应该在随后的光刻工艺处理期间足以使边缘扩展元件不被损坏。优选地，边缘扩展元件具有范围在约0.25cm到约5cm之间的宽度，最优选地具有约1.5cm的宽度。优选地，边缘扩展元件在其前表面220与后表面222之间的厚度与半导体晶片的前表面210与后表面212之间的厚度相同。对于具有300毫米(mm)标称直径的晶片，该厚度典型地约为775纳米(nm)。优选地，边缘扩展元件的后表面222相对于半导体晶片202的后表面212是连续、共面并平坦的。然而，在特定的实施例中，为了支持晶片的前表面的处理，后表面222不需具备这些特性，如下面将参考图4描述的。
优选各种类型的聚合物用于形成边缘扩展元件。热固聚合物以及可通过光固化的聚合物是优选的。紫外光可固化的聚合物是更优选的。如下面将描述的，对紫外波长基本上不透明的半导体晶片特别是由硅制成的半导体晶片，能够获得一些有益的结果。对于形成边缘扩展元件而言，聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇和三聚氰胺的组合(combination)、以及聚碳酸酯被认为是适宜和优选的。
参考图2，示例了用于形成根据本发明的一个实施例的扩展的微电子衬底例如扩展的半导体晶片200的方法。在这样的方法中，根据一种或多种上面描述的技术，在半导体晶片202的外部边缘214上形成可释放层205。在模250的至少基本上平坦的内面上设置半导体晶片202的前表面210，以便前表面210水平地接触该内面。将聚合物淀积到该内面所限定的模的腔中。优选地，例如，聚合物包括上面描述的材料，例如，选自聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇和三聚氰胺的组合、以及聚碳酸酯的一种或多种材料。然后，例如通过热、光照或接触硬化剂来固化聚合物以形成可去除的环形边缘扩展元件。硬化的聚合物具有自半导体晶片的外部边缘横向延伸的前表面以形成包括半导体晶片的前表面的连续的表面。
图3是示例了其中模310包括后元件350的特定实施例的截面视图，在固化聚合物形成边缘扩展元件时，后元件350接触与前表面210相对的半导体晶片的后表面212。在该实施例中，当固化聚合物形成边缘扩展元件时，半导体晶片202和构成边缘扩展元件的聚合物被完全封闭在模310内。模包括基本上平坦和水平的内面320。优选地，模包括在内面处的防粘涂层例如，示例地，含氟聚合物例如聚四氟乙烯(“PTEE”)，通常称为
Figure G2006800336088D00091
(Dupont商标)，或其它的这样的涂层。可选地，可以由不会粘附模制的聚合物的另一材料来形成模。内面320在模内部界定腔300。在晶片202的外部边缘214上形成可释放层205之后，晶片的前表面210被设置在模的内面320上。将聚合物淀积或注入到腔中接触可释放层205和模的内面320。
优选地，模的后元件350对用于固化聚合物的光源是透明的。优选地，后元件350对紫外光是透明的，并且优选地通过用紫外光经后元件350照射聚合物来固化聚合物。因为半导体晶片，尤其是基本上由硅构成的晶片，对紫外光基本上是不透明的，所以晶片至少基本上阻止了紫外光到达晶片的前表面210。以这样的方式，如果有任何的淀积的聚合物材料接触晶片的前表面210，紫外光在固化聚合物时其将不能到达前表面210。因此，紫外光将不会固化在前表面210处的聚合物。包括半导体晶片和附着到半导体晶片的边缘扩展元件的扩展的晶片具有即适用于浸没光刻又适用于晶片的化学机械抛光的几何形状。通过在扩展的晶片的前与后表面之间的机械压力，在卡盘中设置包括半导体晶片以及附着的边缘扩展元件的扩展晶片。因为扩展的晶片的前表面和后表面在半导体晶片部分与边缘扩展元件之间形成了连续的平面，所以扩展的晶片承受均匀的机械压力，使得扩展的晶片在这样的机械压力之下不易弯曲或翘曲。
在其它的实施例(未示出)中，可以沿通过模的前元件250朝向半导体晶片的前表面210的方向进行紫外曝光。在该实施例中，将没有淀积的聚合物材料保留在晶片的后表面上。当希望扩展的晶片提供至晶片的后表面212的均匀的物理或电接触时，这种配置是优选。
图4示例了可选的实施例，用于边缘扩展元件不必具有与晶片的后表面共面的后表面的情况。在该方法中，模包括对光源例如用于固化聚合物的紫外(“UV”)光基本上透明的前元件410。作为优选的处理步骤的序列，将具有附着的可释放层205的晶片的前表面210设置在前元件410的内面420上。然后，聚合物被淀积到模的内面420上并与可释放层205接触。然后，曝光UV光440经过模的前元件以固化未被晶片202阻挡的区域中的聚合物430。然而，在晶片202的后表面之上的区域中，由于曝光UV光被阻挡，所以聚合物435仍处于未固化状态。因此，可以从晶片的后表面选择性地去除未固化的聚合物435，而不会去除形成边缘扩展元件的固化的聚合物430。当工艺完成时，产生的扩展的晶片400的后表面422与晶片202的后表面212不共面。
图5示例了又一实施例，其中将边缘扩展元件510模制为包括坝体(dam)509，坝体509以高度515从晶片202的前表面210伸出。优选地，将坝体形成为沿晶片的周边延伸的环形结构。在该实施例中，模的前元件550包含沿其周边延伸的环形沟槽512，以便在将聚合物淀积到模中并固化之后形成坝体509。
图6示例了另一实施例，其中挠性片609被附着至边缘扩展元件610或并入边缘扩展元件610中。挠性片围绕晶片的整个周边延伸，其作为用于在处理期间包含液体的装置。挠性片609作为防渗膜以防止浸没液体流动离开晶片202的前表面210。这样，在浸没光刻处理期间，挠性片609防止浸没液体流出晶片到达干扰处理设备操作的位置。在一个实施例中，在固化聚合物之前，在模的腔内设置挠性片的一个边缘612，以便并入挠性片作为边缘扩展元件的组成部分。在另一实施例中，在形成边缘扩展元件之后，将边缘612附着到外表面例如边缘扩展元件610的后表面614或侧表面616。
图7示例了根据另一实施例的扩展的晶片720，在其中形成了直接接触半导体晶片710的外部边缘706的边缘扩展元件700。以这样的方式，可以消除对于中间可释放层的需要。在该实施例中，由在半导体处理期间使用并在特定的条件下可以去除的耐水的材料或其它物质形成边缘扩展元件。优选地，边缘扩展元件基本上包括这样的一种或多种材料，该一种或多种材料至少基本上不溶解于水并至少基本上溶解于除水之外的其它溶剂例如用于随后从半导体晶片去除边缘扩展元件的溶剂。在特定的实施例中，可以通过干法工艺例如用于对扩展的晶片720的后表面722施加反应离子蚀刻的氧灰化(ashing)，来去除边缘扩展元件。在这样的工艺中，当选择性地蚀刻边缘扩展元件时，晶片710保护前表面712不受蚀刻影响，留下完整的晶片710。
在特定的实施例中，可以由用作“剥离层”的聚合物材料例如上述的产品LOL-2000形成边缘扩展元件。因为这样的膜在用于光刻的显影剂溶液中是微溶的，因此可以通过显影剂缓慢地溶解由LOL形成的这样的扩展元件与晶片之间的连接，直到从晶片去除边缘扩展元件。
虽然已经根据特定的优选实施例描述了本发明，但本领域的技术人员应该理解可以做出很多修改和改善而被不背离本发明的范围，仅仅通过下列所附权利要求限定本发明的范围。

Claims (6)

1.一种用于形成微电子衬底的可去除的边缘扩展元件的方法，包括以下步骤：
将微电子衬底的前表面设置到模的基本上是平面的内面上使所述前表面水平接触所述内面，所述微电子衬底具有与所述前表面相对的后表面和在所述前表面与所述后表面之间延伸的外部边缘；
在所述模中的腔中淀积聚合物，通过所述内面限定所述腔的至少一个腔面；以及
固化所述聚合物以形成可去除的环形边缘扩展元件，所述可去除的环形边缘扩展元件具有自所述微电子衬底的所述外部边缘横向延伸的前表面，以便所述微电子衬底的所述前表面和所述边缘扩展元件的所述前表面形成连续的基本上共面和平坦的表面，其中至少邻近所述腔并与所述内面相对的所述模的后部分适合于至少部分地透射紫外光，以及固化所述聚合物的所述步骤包括至少透射所述紫外光的一部分通过所述模的所述后部分以固化在所述腔中的所述聚合物。
2.根据权利要求1的方法，由此，在透射所述紫外光的所述步骤期间，所述微电子衬底基本上防止了所述紫外光到达所述微电子衬底的所述前表面。
3.根据权利要求2的方法，其中固化所述聚合物以形成可去除的边缘扩展元件的所述步骤包括：淀积前体层接触所述微电子衬底的所述外部边缘，施加所述聚合物接触所述前体层的边缘，以及在固化所述聚合物时同时固化所述前体层以形成可释放层。
4.根据权利要求3的方法，其中所述可释放层至少在水中基本上是不可溶解的。
5.根据权利要求1的方法，其中所述模的具有所述内面的部分包括沿所述部分周边延伸的环形沟槽，以及淀积所述聚合物的所述步骤包括使用所述聚合物至少部分地填充所述沟槽，其中固化所述聚合物的所述步骤产生了从所述边缘扩展元件的所述前表面伸出的坝体。
6.根据权利要求1的方法，还包括加入挠性片，所述挠性片从所述边缘扩展元件的后表面或侧表面沿朝向所述边缘扩展元件的所述前表面的方向延伸并超过所述边缘扩展元件的所述前表面，所述挠性片适合于防止液体从所述边缘扩展元件的所述前表面流出。
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