CN101253516A - 具有嵌入式基于FeRAM的RFID的集成电路 - Google Patents

具有嵌入式基于FeRAM的RFID的集成电路 Download PDF

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CN101253516A CNA2006800317725A CN200680031772A CN101253516A CN 101253516 A CN101253516 A CN 101253516A CN A2006800317725 A CNA2006800317725 A CN A2006800317725A CN 200680031772 A CN200680031772 A CN 200680031772A CN 101253516 A CN101253516 A CN 101253516A
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Abstract

本发明公开了一种集成电路(IC)(100)，包括：高电容固态电路区域，其被配置为执行预定操作；RFID块(104)，其包括用于存储数据的FeRAM块(910)；以及接口单元，其被配置为向RFID块传送外部提供的用于以无线方式识别IC的特有ID，所述特有ID存储在FeRAM块中。IC还包括导电迹线，其延伸通过IC的预定区域，所述导电迹线被配置作为RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由所述天线接收并传输信息至外部源。

Description

具有嵌入式基于FeRAM的RFID的集成电路
相关申请的交叉引用
本申请要求2005年9月2日提交的美国临时申请No.60/713,828的权益，其全部内容通过引用包含于此用于所有目的。
背景技术
生产更符合成本效益的集成电路(IC，integrated circuit)例如存储器IC及CPU等的持续市场压力需要快速且符合成本效益的方式，以便系统地管理制造过程的各个阶段的IC测试和相应的测试结果，例如在晶片阶段、质量保证(QA，quality assurance)和封装阶段的测试，以及在各个阶段的维持库存信息。例如，如果针对每一集成电路记录了在晶片阶段的测试结果的信息并且可以迅速地进行存取，则将提高后续阶段的效率。类似地，下一阶段的测试结果的记录随后加快了后续阶段的效率。因此，通过记录每一中间阶段的操作结果并持续更新每一阶段的信息，可以显著提高总体工作效率。
另外，取出记录在每一IC中的测试结果与跟踪信息(例如工厂位置、制造技术、制造年份、晶片批次、晶片号、IC在晶片上的位置、封装厂、封装类型)的能力可以大大有利于协助产量提高的努力。此外，将半导体芯片制造为价值增加的产品已成为近来的趋势，这种趋势在未来将更加显著。
因此，在IC制造与生产以及其它的各个阶段都需要高效率并且符合成本效益的信息管理。
发明内容
根据本发明的实施例，一种集成电路(IC)包括：高电容固态电路区域，其被配置为执行预定操作；RFID块，其包括用于存储数据的FeRAM块；以及接口单元，其被配置为向RFID块传送外部提供的用于以无线方式识别IC的特有ID，所述特有ID存储在FeRAM块中。该IC还包括导电迹线，其延伸通过IC的预定区域，所述导电迹线被配置作为RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由所述天线接收并传输信息至外部源。
在一个实施例中，高电容固态电路区域包括DRAM、闪存、FeRAM、CPU、片上系统(SoC)和ASIC中的一个或多个。
在另一个实施例中，导电迹线沿着IC的外周延伸。
在另一个实施例中，RFID块包括模拟块，其具有解调器电路，所述解调器电路被配置为解调经由天线接收到的RF信号，并且产生对应于接收到的RF信号的命令信号。RFID块还包括数字块，其被配置为从解调器块接收命令信号，并且作为响应产生耦合到FeRAM块的地址和控制信号。
在另一个实施例中，FeRAM块被配置为从数字块接收地址和命令信号，并且作为响应提供先前存储在FeRAM中的数据，所提供的数据对应于经由天线接收到的RF信号。模拟块还包括调制器电路，所述调制器电路被配置为调制FeRAM块提供的数据并且产生要经由天线传输到外部源的信号。
在另一个实施例中，FeRAM块被配置为从数字块接收地址和命令信号，并且作为响应提供先前存储在FeRAM中的数据，所提供的数据对应于经由天线接收到的RF信号。模拟块还包括调制器电路，所述调制器电路被配置为调制FeRAM块提供的数据并且产生要经由天线传输到外部源的信号。
在另一个实施例中，RFID块包括模拟块，其具有解调器电路，所述解调器电路被配置为解调经由天线接收到的RF信号，并且产生对应于接收到的RF信号的命令信号。RFID块还包括数字块，其被配置为从解调器块接收命令信号，并且作为响应产生耦合到FeRAM块的地址、数据和控制信号。
在另一个实施例中，FeRAM块被配置为从数字块接收地址、数据和命令信号，并且作为响应将接收到的数据存储在对应于接收到的地址的存储位置。
在另一个实施例中，RFID块还包括倍压电路，所述倍压电路被配置为将经由天线接收到的RF信号转换为用于对RFID块供电的供给电压。
在另一个实施例中，RFID块还包括上电复位电路，所述上电复位电路被配置为检测供给电压，并且当供给电压达到预定水平时，对RFID块上电。
在另一个实施例中，FeRAM块包括：控制电路，其被配置为接收控制信号并确定控制信号对应于读操作还是写操作；存储器阵列，其包括沿着行和列排列的多个FeRAM单元；解码器，其耦合到存储器阵列并被配置为响应于FeRAM块接收到的地址信号选择FeRAM单元；感测放大器，其耦合到存储器阵列并被配置为在读操作中感测存储在所选择的FeRAM单元中的数据；以及I/O缓冲器，其被配置为在写操作中将FeRAM单元接收到的数据传送到存储器阵列，并在读操作中输出感测到的数据。
在另一个实施例中，沿着每一列的FeRAM单元连接到位线，每一FeRAM单元包括串联连接在位线和板线PL之间的晶体管和FeRAM电容器，沿着一行的FeRAM单元中的晶体管的栅极耦合到字线。
在另一个实施例中，IC还包括：内置自测试(BIST)块，其被配置为当被提示测试IC时，执行IC的测试；以及BIST接口单元，其耦合在RFID块和BIST单元之间。所述BIST接口单元被配置为向BIST块供给RFID块产生的命令，并将BIST操作的测试结果传送到RFID块。
根据本发明的另一实施例，提供一种以无线方式与IC管芯交换信息的方法，每一IC管芯包括RFID块和天线使得能够与IC管芯进行无线通信。将特有识别码存储在IC管芯中的每一个中。测试每一IC管芯，将测试结果的至少一部分存储在相应的IC管芯中。存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得能够以无线方式取出存储在每一IC管芯中的测试结果。
在一个实施例中，存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得在每一IC管芯被封装后能够以无线方式取出来自每一IC管芯的测试结果。
在另一个实施例中，存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得在每一IC管芯被封装前能够以无线方式取出来自每一IC管芯的测试结果。
在另一个实施例中，当IC管芯在半导体晶片上时执行IC管芯的测试，使得测试结果对应于晶片测试。
在另一个实施例中，在IC管芯被封装后执行IC管芯的测试，使得测试结果对应于封装测试。
在另一个实施例中，使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式取出存储在每一IC管芯中的测试结果。
在另一个实施例中，使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式将测试结果存储在相应的IC管芯中。
在另一个实施例中，每一IC管芯包括耦合到RFID块的接口单元，其中经由IC管芯各自的接口单元将测试结果存储在相应IC管芯的RFID块中。
在另一个实施例中，每一IC管芯包括耦合到RFID块的接口单元，其中经由接口单元将每一特有识别码存储在相应IC管芯的RFID块中。
在另一个实施例中，测试结果对应于晶片测试结果、质量保证测试结果和封装测试结果中的一个或多个。
在另一个实施例中，将跟踪信息存储在每一IC管芯中，所述跟踪信息识别以下内容中的一个或多个：制造IC管芯的制造工厂、用于制造IC管芯的工艺技术、IC管芯所属的晶片批次、IC管芯在从中抽出该IC管芯的晶片上的位置、容纳IC管芯的封装类型、封装IC管芯的封装工厂。存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得能够以无线方式取出存储在每一IC管芯中的跟踪信息。
根据本发明的另一实施例，提供一种提高封装的IC管芯的使用效率的方法，每一IC管芯包括RFID块和天线，使得能够与IC管芯进行无线通信。在封装IC管芯之前，将特有识别码存储在每一IC管芯中，其中，存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，能够以无线方式使封装的IC管芯的有缺陷部分无效，从而可以使用封装的IC管芯的其余功能部分。
在另一个实施例中，使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式仅使封装的IC管芯的有缺陷部分无效，从而可以使用封装的IC管芯的其余功能部分。
在另一个实施例中，使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式识别封装的IC管芯的有缺陷部分。
在另一个实施例中，每一IC管芯包括彼此耦合的接口单元和RFID块，其中每一特有识别码经由IC管芯的接口单元存储在相应IC管芯的RFID块中。
参考说明书的其余部分和附图，可以实现对这里公开的本发明的本质和优点的进一步理解。
附图说明
图1是根据本发明的实施例的具有嵌入式基于FeRAM的RFID块的固态半导体IC的俯视图；
图2至7是根据本发明的示例性实施例的嵌入有基于FeRAM的RFID块及其相关的天线的各种类型的IC的俯视图；
图8是描述根据本发明的实施例的嵌入IC中的RFID块与外部源之间的信息传送方法的流程图；
图9是示出根据本发明的实施例的嵌入IC中的RFID块的实现框图；
图10A是描述图9中的FeRAM块的简化示例性结构的框图；
图10B是描述耦合到图10A中的FeRAM的信号中的每一个的功能的表；
图11是示出图10A中的单元阵列的一部分的实现电路图；
图12是用于描述图11中的FeRAM单元阵列的操作的时序图；以及
图13是根据本发明的实施例的固态半导体IC的俯视图，其中BIST性能与嵌入式基于FeRAM的RFID块有利地集成在一起。
具体实施方式
根据本发明的实施例，固态半导体IC包括高电容(capacitance)电路部分，该高电容电路部分被配置为执行一个或多个功能，例如由传统的DRAM、闪存、SRAM、ASIC、FPGA、模拟IC、数据处理器(例如CPU或图形处理器)以及片上系统(SoC，system on chip)执行的功能。固态IC还包括：RFID块；接口单元，其被配置为向RFID块提供有线存取；以及嵌入式天线，其被配置为向RFID块提供无线存取。RFID块被配置为使用铁电体(ferroelectric)存储技术(FeRAM)存储信息。当经由IC引脚直接将数据传送到RFID块或者从RFID块传送数据时，使用接口单元。在一个实施例中，沿着IC的外周区域布置的金属层作为用于无线通信的嵌入式RF天线。
在制造过程中，晶片上的每一IC管芯(die)中的RFID块可以用于记录各种信息，例如在管芯本身上执行的测试的结果、关于晶片的统计或产量信息、以及特定管芯所属的晶片批次。这有助于提高后续过程的效率。类似地，可以将在晶片阶段测试之后(例如QA或封装测试中)执行的操作的结果记录在RFID块中，从而进一步提高后续过程的效率。以这种方式，每一IC对来自制造过程的各个阶段的结果进行记录，其可以容易地进行存取，从而大大提高了工作效率。
图1是根据本发明的实施例的具有嵌入式基于FeRAM的RFID块104的固态半导体IC 100的俯视图。固态半导体IC 100可以包括在各种电子应用中使用的任何类型的已知电路。IC还包括具有用于存储数据的FeRAM存储器的RFID块104。与其它存储技术相比，FeRAM技术可以在极少直至不增加处理开销的情况下与例如CMOS、双极性等的处理技术整合。此外，FeRAM消耗最少量的硅面积、然而提供高的FeRAM电容，消耗低功率，更适合于长距离无线通信。另外，在图2至7所示的多个IC及其它类型的IC中，需要高电容值电容器用于各种目的，例如用于电荷泵电路、电力存储电容器、模拟电路等等。与其它常用电容器例如聚合物-绝缘体-聚合物(PIP，poly-insulator-poly)电容器及金属-绝缘体-金属(MIM，metal-insulator-metal)电容器相比，对于相同的单位面积，FeRAM电容器可以提供最高的电容值，并且处理技术最少或者不增加复杂性。在另一种技术中，优选将在模拟CMOS电路中使用的FeRAM电容器堆叠在模拟CMOS电路的顶部，因此不消耗额外的硅面积。因此，FeRAM是用于在许多类型的IC中实现RFID块的最符合成本效益且实用的存储器类型。
在图1中，接口单元106作为RFID块104与IC上的其它电路102之间的通信信道。接口单元106可以用于对RFID块104提供直接外部存取。接口单元可以耦合到容纳IC 100的封装的外部引脚。该外部引脚可以专用于RFID功能，或者可选地用于存取IC电路102的引脚也可以被配置为作为存取RFID块的装置。沿着IC的外周延伸的金属迹线108作为与RFID块104进行无线通信的RF天线。适合用于RF天线的材料可以用来代替金属或者结合金属来使用。注意，如图1所示的各种块与线的位置仅仅是示例性的，并不是按照比例的。此外，RFID块104的位置不限于图1所示的IC的特定角落，而可以按照例如布局和管芯尺寸效率等因素的需要形成在IC的任意一部分中。RFID块和接口块一般占据小百分比的总管芯尺寸。
图2至7是根据本发明的实施例的嵌入有基于FeRAM的RFID块及其相关的天线的各种类型的IC的俯视图。这些图仅仅是示例性的。本领域技术人员根据本公开可以预想可以嵌入有RFID块及其天线的许多其它类型的IC。图2示出嵌入有基于FeRAM的RFID块204及其相关的天线208的DRAM IC 200。图3示出嵌入有基于FeRAM的RFID块304及其相关的天线308的闪存IC 300。图4示出嵌入有基于FeRAM的RFID块404及其相关的天线408的FeRAM存储器IC 400。图5示出嵌入有基于FeRAM的RFID块504及其相关的天线508的CPU IC 500。图6示出嵌入有基于FeRAM的RFID块604及其相关的天线608的片上系统(SoC)IC 600。图7示出嵌入有基于FeRAM的RFID块704及其相关的天线708的专用IC(ASIC，application specific IC)700。
图8是描述根据本发明的实施例的嵌入IC中的RFID块与外部源之间的信息传送方法的流程图。在制成晶片之后，在晶片测试期间，经由测试设备和每一RFID块的接口单元在晶片上的每一管芯的RFID块中存储特有芯片识别码。例如受测晶片所属的晶片批次、晶片上的每一管芯的位置等其它信息也可以经由接口单元存储在RFID块中。步骤804描述了该步骤。注意，在每一管芯中存储了特有ID码之后，与RFID块的所有随后的通信都可以以无线方式进行。虽然如此，实际上在某些情况下(例如在晶片测试期间)使用有线资源(例如经由图1中的主电路102和接口单元106)与RFID块交换信息可能更合适。
在步骤806中，与每一管芯经受的任意后续测试有关的信息，例如测量的速度与功率、来自温度测试的结果等，可以通过RFID块的RF性能经由无线通信或者通过测试器和接口单元经由有线通信存储在RFID块的FeRAM中。可以在任何时候使用已知技术以无线方式取出存储在RFID块中的数据。即使在封装的IC离开制造位置之后，如果可以得到进行无线通信的合适设备，也可以与每一IC交换信息。
图9是示出根据本发明的实施例的嵌入例如图1至7的IC的IC中的RFID块902的实现框图。图9中的RFID块902包括耦合在模拟块906与FeRAM块910之间的数字块908。模拟块906包括耦合到天线904的天线电路，例如嵌在IC中的金属迹线，用于将数据发送到外部读取器/写入器或者从外部读取器/写入器接收数据。倍压器912被配置为产生用于使用传输频率的RFID块的电源VDD。限压器916被配置为限制传输频率信号的传输电压的幅值。上电复位电路918被配置为通过检测RFID电源电压VDD来产生RESET(复位)信号。时钟产生器920被配置为产生耦合到数字块908的时钟信号CLK。电压倍增器被配置为增加供给至FeRAM存储器的电压。解调器924被配置为检测来自传输频率信号的操作命令信号，调制电路922被配置为将请求的信息传输到天线。
数字块908包括逻辑电路，并且经由VDD、上电复位(POR，power onreset)、时钟信号CLK、Response(响应)和Commond(命令)信号与模拟块906通信。数字块908随后经由地址信号ADD(x5)、I/O(x8)总线、控制信号CTR(x3)和时钟信号CLK与FeRAM 910通信。模拟块906、数字块908和FeRAM 910工作，使得当RFID块902检测到从外部产生的有效命令信号时，根据该命令从FeRAM 910取出信息、然后将其传输到外部源，或者将外部源传输的信息存储在FeRAM 910中。
图10A是描述图9中的FeRAM块910的简化示例性结构的框图。从数字块908接收到的地址信号ADD[7:0]耦合到用于选择单元阵列1016中的一行单元的字线(WL)解码器1014。控制信号块1012接收芯片使能信号CE、读取使能信号RE和写入使能信号WE。当对FeRAM 1010进行存取时，这些信号表示存储器存取是读取存取还是写入存取。存储单元阵列1016具有按32行×8列排列的256个单元。在块1018中，该八列耦合到八个感测放大器(SA，sense amplifier)，感测放大器感测并放大与所选择的单元相对应的信号。该八列和感测放大器耦合到八个I/O缓冲器，通过I/O缓冲器将数据传送到阵列中或者传送出阵列。经由数据信号M_DATA[7:0]传送从FeRAM 1010读取的数据或者要存储在FeRAM1010中的数据。图10B是表示耦合到图10A中的FeRAM 1010的每一信号的功能的表。注意，本发明不限于图10A所示的特定存储器密度或结构。可以根据设计目标和应用改变阵列和其外围电路以实现大于或者小于256位的存储器尺寸。例如，可以使用具有比图10A中更多列的单元的较大存储器。在这种较大存储器中，传统的列解码可以用于选择列的子集。也可以按照需要来实现传统存储器的许多其它特性。
图11是示出图10A中的单元阵列1016的一部分的实现电路图。图11中的单元阵列1102使用沿着行和列排列的FeRAM存储单元1106。感测放大器1104耦合在每一对BL 1112和
Figure S2006800317725D00091
1114之间，用于感测并放大所选择的数据位的信号。栅极耦合到BLEQ的晶体管1116、1118、1120用于使位线相等(equalize)。如图所示，每一单元1106包括串联耦合在垂直延伸的位线与水平延伸的板线PL之间的通过晶体管(pass transistor)和FeRAM电容器。
单元1106将用于描述写操作和读操作。在写操作中，字线WL0升高，并且如果位线BL被偏置为高电压且板线PL0被偏置为低电压(例如地电位)，则单元电容器被偏置为逻辑1状态。随着字线WL0的升高，如果位线BL被偏置为低电压(例如地电位)且板线PL0被偏置为高电压，则单元电容器被偏置为逻辑0状态。在读操作中，字线WL0升高，如果单元1106被偏置为逻辑1状态，则在位线BL上发展较高电位，如果单元1106被偏置为逻辑0状态，则在位线BL上发展较低电位。在位线上发展了足够的信号时，感测放大器1104将所发展的信号放大到电源轨(supplyrail)。注意，虽然存储器阵列1102显示每位两个单元的配置，但是也可以使用例如参考电压的已知技术来植入每位一个单元的配置。由于读取1操作的破坏本质，执行类似于如上所述的写操作的恢复操作。
图12是用于更详细地描述图11中的FeRAM单元阵列1102的操作的时序图。在t0和t4期间，经由通过BLEQ信号导通的晶体管1116、1118、1120对位线BL、
Figure S2006800317725D00092
预充电。在t1、t2和t3期间，字线WL激活，并且在t1和t2期间，板线激活。在t2和t3期间，感测放大器使能信号SEN激活，在t0和t4期间，BLEQ激活。在t0结束、位线的相等化完成时，对应于所选择的单元的信号开始在位线BL、
Figure S2006800317725D00093
上发展。在时间段t1结束、在位线BL、上发展了足够的信号差时，信号SEN使能感测放大器，以放大BL、上的信号。在BL、
Figure S2006800317725D00096
上的数据被放大并且传送到I/O缓冲器之后，在时间段t2期间恢复数据0，在时间段t3期间恢复数据1。特定阵列配置和相应的时序图仅仅是示例性的，而不是限制性的。可以在IC的RFID块中实现其它FeRAM单元和阵列配置，例如在共同转让的2006年5月11日提交的发明名称为“Dual-Gate Non-Volatile FerroelectricMemory”的专利申请第11/433,753号中公开的双栅极FeRAM单元和相应的阵列配置，该专利申请的全部内容通过引用包含于此。
图13是根据本发明的实施例的固态半导体IC的俯视图，其中内置自测试(BIST，built-in self-test)性能与嵌入式基于FeRAM的RFID块结成。BIST使能固态半导体区域1302中的主电路的自测试，有助于降低测试成本和复杂性。与嵌入式RFID组合的BIST功能的具体优点在于，可以在任何时间，甚至在封装IC之后，都可以以无线的方式启动BIST操作。
在操作中，可以经由RF信号或者通过固态半导体区域1302和接口单元1306对RFID 1304提供用于启动BIST操作的命令信号。RFID块1304随后产生用于启动BIST操作的控制信号，并经由接口单元1310将这些控制信号提供给BIST块1312。在完成BIST操作时，制造商或者端使用者可以经由RFID块1304以无线的方式取出部分或所有测试结果。此外，可以将所有或部分测试结果(例如键测试结果)存储在RFID 1304的FeRAM中。注意，BIST块1312的实现取决于IC 1300执行的功能，因此需要将BIST块1312定制为IC 1300所执行的特定功能。例如，如果IC 1300是闪存或DRAM或CPU，则多个已知BIST技术中合适的一个可以在块1312中实现，并与区域1302中的主电路适当地接口。
因此，根据本发明，将基于FeRAM的RFID与其RF天线嵌入在例如计算机、手持装置、车辆、器械等电子设备中使用的各种类型的IC中。嵌入IC中的RFID可以用于包括在如上所述的制造过程中的各种目的。在一个实施例中，存储在每一IC的RFID中的特有识别码用于跟踪每一IC，以便例如进行库存评估或在配送中心进行IC配送。通过在配送中心放置读取器，可以跟踪IC的流动。另外，例如PC主板或计算机制造商的电子制造商可以在每一PC主板上或电子设备的外壳内放置读取器，使得与每一IC的RFID进行通信。
在另一个实施例中，RFID特征被配置为显著提高每一IC的使用效率。例如，在例如DRAM芯片的存储器IC中，当芯片发生故障时，制造者或甚至端使用者可以使用IC上的RFID特征，以例如通过使用BIST特征来标识故障位，并使阵列中故障位所在的部分无效，从而允许DRAM的剩余部分用来进行存储。在另一个实施例中，RFID特征被配置为存储关于部件可靠性的信息，从而允许对质量控制的实质性改善。具有较不鲁棒特性的IC可以在各自的RFID块中进行标记，使用者可以取出该信息并且随后作为不期待为耐用的产品(例如一次性照相机)来使用该IC。
根据又一实施例，嵌入IC中的RFID被配置为提供现场中的可存取性。例如，当用户现场的IC发生故障时，RFID特征可以用于标识故障IC和传送给制造商的信息。然后，制造商可以推进特定IC上的信息，并且使用该信息来提高产量等。在又一实施例中，嵌入每一IC中的RFID被配置为以与标签用来防止服饰从服饰店被窃相同的方式来防止IC被窃。在其它实施例中，优选将BIST功能与IC中的RFID特征集成，以使甚至在封装的IC离开制造现场之后仍能对IC进行测试。
虽然以上提供了对本发明的各种实施例的详细说明，但可以进行许多替代、变形及等同。因此，由于这些与其它理由，不应当认为上述说明是对权利要求所限定的本发明的范围的限制。

Claims (30)

1.一种集成电路(IC)，包括：
高电容固态电路区域，其被配置为执行预定操作；
RFID块，其包括用于存储数据的FeRAM块；
接口单元，其被配置为向RFID块传送外部提供的用于以无线方式识别IC的特有ID，所述特有ID存储在FeRAM块中；以及
导电迹线，其延伸通过IC的预定区域，所述导电迹线被配置作为RFID块的天线，其中RFID块被配置为经由所述天线接收并传输信息至外部源。
2.根据权利要求1所述的IC，其中高电容固态电路区域包括DRAM、闪存、FeRAM、CPU、片上系统(SoC)和ASIC中的一个或多个。
3.根据权利要求1所述的IC，其中导电迹线沿着IC的外周延伸。
4.根据权利要求1所述的IC，其中RFID块包括：
模拟块，其具有解调器电路，所述解调器电路被配置为解调经由天线接收到的RF信号，并且产生对应于接收到的RF信号的命令信号；以及
数字块，其被配置为从解调器块接收命令信号，并且作为响应产生耦合到FeRAM块的地址和控制信号。
5.根据权利要求4所述的IC，其中：
FeRAM块被配置为从数字块接收地址和命令信号，并且作为响应提供先前存储在FeRAM中的数据，所提供的数据对应于经由天线接收到的RF信号；以及
模拟块还包括调制器电路，所述调制器电路被配置为调制FeRAM块提供的数据并且产生要经由天线传输到外部源的信号。
6.根据权利要求5所述的IC，其中：
FeRAM块被配置为从数字块接收地址和命令信号，并且作为响应提供先前存储在FeRAM中的数据，所提供的数据对应于经由天线接收到的RF信号；以及
模拟块还包括调制器电路，所述调制器电路被配置为调制FeRAM块提供的数据并且产生要经由天线传输到外部源的信号。
7.根据权利要求1所述的IC，其中RFID块包括：
模拟块，其具有解调器电路，所述解调器电路被配置为解调经由天线接收到的RF信号，并且产生对应于接收到的RF信号的命令信号；以及
数字块，其被配置为从解调器块接收命令信号，并且作为响应产生耦合到FeRAM块的地址、数据和控制信号。
8.根据权利要求7所述的IC，其中FeRAM块被配置为从数字块接收地址、数据和命令信号，并且作为响应将接收到的数据存储在对应于接收到的地址的存储位置。
9.根据权利要求1所述的IC，其中RFID块还包括倍压电路，所述倍压电路被配置为将经由天线接收到的RF信号转换为用于对RFID块供电的供给电压。
10.根据权利要求9所述的IC，其中RFID块还包括上电复位电路，所述上电复位电路被配置为检测供给电压，并且当供给电压达到预定水平时对RFID块上电。
11.根据权利要求1所述的IC，其中FeRAM块包括：
控制电路，其被配置为接收控制信号并确定控制信号对应于读操作还是写操作；
存储器阵列，其包括沿着行和列排列的多个FeRAM单元；
解码器，其耦合到存储器阵列并被配置为响应于FeRAM块接收到的地址信号选择FeRAM单元；
感测放大器，其耦合到存储器阵列并被配置为在读操作中感测存储在所选择的FeRAM单元中的数据；以及
I/O缓冲器，其被配置为在写操作中将FeRAM单元接收到的数据传送到存储器阵列，并在读操作中输出感测到的数据。
12.根据权利要求11所述的IC，其中沿着每一列的FeRAM单元连接到位线，每一FeRAM单元包括串联连接在位线和板线PL之间的晶体管和FeRAM电容器，沿着一行的FeRAM单元中的晶体管的栅极耦合到字线。
13.根据权利要求1所述的IC，还包括：
内置自测试(BIST)块，其被配置为当被提示测试IC时，执行IC的测试；以及
BIST接口单元，其耦合在RFID块和BIST单元之间，所述BIST接口单元被配置为向BIST块供给RFID块产生的命令，并将BIST操作的测试结果传送到RFID块。
14.一种以无线方式与IC管芯交换信息的方法，每一IC管芯包括RFID块和天线使得能够与IC管芯进行无线通信，所述方法包括：
将特有识别码存储在IC管芯中的每一个中；
测试每一IC管芯；以及
将测试步骤的测试结果的至少一部分存储在相应的IC管芯中，
其中存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得能够以无线方式取出存储在每一IC管芯中的测试结果。
15.根据权利要求14所述的方法，其中存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得在每一IC管芯被封装后能够以无线方式取出来自每一IC管芯的测试结果。
16.根据权利要求14所述的方法，其中存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得在每一IC管芯被封装前能够以无线方式取出来自每一IC管芯的测试结果。
17.根据权利要求14所述的方法，其中当IC管芯在半导体晶片上时执行测试步骤，使得测试结果对应于晶片测试。
18.根据权利要求14所述的方法，其中在IC管芯被封装后执行测试步骤，使得测试结果对应于封装测试。
19.根据权利要求14所述的方法，还包括：
使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式取出存储在每一IC管芯中的测试结果。
20.根据权利要求14所述的方法，其中存储测试结果的步骤包括：
使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式将测试结果存储在相应的IC管芯中。
21.根据权利要求14所述的方法，其中每一IC管芯包括耦合到RFID块的接口单元，其中经由IC管芯各自的接口单元将测试结果存储在相应IC管芯的RFID块中。
22.根据权利要求14所述的方法，其中每一IC管芯包括耦合到RFID块的接口单元，其中经由接口单元将每一特有识别码存储在相应IC管芯的RFID块中。
23.根据权利要求14所述的方法，其中测试结果对应于晶片测试结果、质量保证测试结果和封装测试结果中的一个或多个。
24.根据权利要求14所述的方法，还包括：
将跟踪信息存储在每一IC管芯中，所述跟踪信息识别以下内容中的一个或多个：制造IC管芯的制造工厂、用于制造IC管芯的工艺技术、IC管芯所属的晶片批次、IC管芯在从中抽出该IC管芯的晶片上的位置、容纳IC管芯的封装类型、封装IC管芯的封装工厂，
其中存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，使得能够以无线方式取出存储在每一IC管芯中的跟踪信息。
25.根据权利要求14所述的方法，其中每一IC管芯包括：DRAM、闪存、FeRAM、CPU、片上系统(SoC)和ASIC中的一个或多个。
26.一种提高封装的IC管芯的使用效率的方法，每一IC管芯包括RFID块和天线，使得能够与IC管芯进行无线通信，所述方法包括：
在封装IC管芯之前，将特有识别码存储在每一IC管芯中，其中，存储在每一IC管芯中的特有识别码与每一IC管芯的RFID块和天线一起，能够以无线方式使封装的IC管芯的有缺陷部分无效，从而可以使用封装的IC管芯的其余功能部分。
27.根据权利要求26所述的方法，还包括：
使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式仅使封装的IC管芯的有缺陷部分无效，从而可以使用封装的IC管芯的其余功能部分。
28.根据权利要求26所述的方法，还包括：
使用每一IC管芯的特有识别码，以无线方式识别封装的IC管芯的有缺陷部分。
29.根据权利要求26所述的方法，其中每一IC管芯包括彼此耦合的接口单元和RFID块，其中每一特有识别码经由IC管芯的接口单元存储在相应IC管芯的RFID块中。
30.根据权利要求26所述的方法，其中每一IC管芯包括DRAM、闪存、FeRAM、CPU、片上系统(SoC)和ASIC中的一个或多个。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102201067A (zh) * 2010-03-23 2011-09-28 镌铭科技股份有限公司 用以跟踪并验证半导体芯片、多芯片封装模块及其衍生系统产品的系统和方法
CN102751244A (zh) * 2011-04-20 2012-10-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法
CN104809494A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 上海复旦微电子集团股份有限公司 标签组件、对标签组件进行烧录的方法及电子系统

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070218571A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Impinj, Inc. Disabling poorly testing RFID ICs
US20070220737A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-27 Anthony Stoughton Integrated circuit test result communication
US7753281B2 (en) * 2006-06-01 2010-07-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method of updating a first version of a data file in a contactless flash memory device
EP2020641B1 (en) * 2007-08-02 2013-09-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha RFID tag information communicating apparatus
US9146274B2 (en) * 2007-08-24 2015-09-29 Advantest Corporation Wafer boat for semiconductor testing
WO2009034496A2 (en) * 2007-09-12 2009-03-19 Nxp B.V. Wafer, method of manufacturing integrated circuits on a wafer, and method of storing data about said circuits
KR100983700B1 (ko) 2008-04-18 2010-09-24 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 장치
US20100093276A1 (en) * 2008-10-15 2010-04-15 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
KR101067888B1 (ko) * 2009-06-24 2011-09-27 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 장치
FR2954552A1 (fr) 2009-12-22 2011-06-24 St Microelectronics Rousset Procede d'identification d'un circuit integre et circuit integre correspondant
KR101031482B1 (ko) * 2009-12-23 2011-04-26 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 시스템
KR101031430B1 (ko) * 2009-12-23 2011-04-26 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 시스템
KR101068308B1 (ko) 2009-12-23 2011-09-28 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 장치
KR101031478B1 (ko) * 2009-12-23 2011-04-26 주식회사 하이닉스반도체 Ｒｆｉｄ 장치
US20110168784A1 (en) * 2010-01-14 2011-07-14 Rfmarq, Inc. Wireless Communication Device for Remote Authenticity Verification of Semiconductor Chips, Multi-Chip Modules and Derivative Products
JP2012059328A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Renesas Electronics Corp テスト回路及びそれを備えた半導体集積回路
FR2973560A1 (fr) * 2011-04-01 2012-10-05 St Microelectronics Rousset Tri de puces d'une plaquette de circuits électroniques
KR101898506B1 (ko) * 2011-12-02 2018-09-14 한국전자통신연구원 무선 인식 무전원 센서 태그 시스템 및 그 동작 방법
US9636509B2 (en) 2012-01-27 2017-05-02 Medtronic, Inc. Retrieval of information from an implantable medical device
CN103413208A (zh) * 2013-06-28 2013-11-27 桐乡市西赫多光电科技有限公司 基于超高频rfid技术的汽车安全监管及物流追踪系统
JP2015146389A (ja) * 2014-02-03 2015-08-13 株式会社リコー 酸化物結晶膜及びその製造方法
JP6384193B2 (ja) 2014-08-18 2018-09-05 株式会社ソシオネクスト 無線タグ、無線通信回路及び劣化検出方法
US9374094B1 (en) * 2014-08-27 2016-06-21 Altera Corporation 3D field programmable gate array system with reset manufacture and method of manufacture thereof
USD747112S1 (en) 2014-10-08 2016-01-12 Christian D. Weidner Inventory management device
JP6390418B2 (ja) * 2014-12-24 2018-09-19 株式会社ソシオネクスト 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置の識別方法
US11366996B2 (en) 2019-11-20 2022-06-21 Corning Incorporated Chipless RFID for liquid lens

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970454A (en) * 1986-12-09 1990-11-13 Texas Instruments Incorporated Packaged semiconductor device with test circuits for determining fabrication parameters
US5103557A (en) * 1988-05-16 1992-04-14 Leedy Glenn J Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5254482A (en) * 1990-04-16 1993-10-19 National Semiconductor Corporation Ferroelectric capacitor test structure for chip die
US5241266A (en) * 1992-04-10 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Built-in test circuit connection for wafer level burnin and testing of individual dies
JP3659981B2 (ja) * 1992-07-09 2005-06-15 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド ダイ特定情報に特徴付けられるダイ上の集積回路を含む装置
US5654588A (en) * 1993-07-23 1997-08-05 Motorola Inc. Apparatus for performing wafer-level testing of integrated circuits where the wafer uses a segmented conductive top-layer bus structure
US5798964A (en) * 1994-08-29 1998-08-25 Toshiba Corporation FRAM, FRAM card, and card system using the same
US5926110A (en) * 1995-08-30 1999-07-20 Ramtron International Corporation Programmable output devices for controlling signal levels in an RF/ID transponder
GB2305075A (en) * 1995-09-05 1997-03-26 Ibm Radio Frequency Tag for Electronic Apparatus
US5969538A (en) * 1996-10-31 1999-10-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer with interconnect between dies for testing and a process of testing
JP3607032B2 (ja) * 1996-06-03 2005-01-05 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 不揮発性強誘電体メモリ及びその駆動方法
US5835850A (en) * 1996-08-12 1998-11-10 At&T Corp Self-testing transceiver
US5890199A (en) * 1996-10-21 1999-03-30 Ramtron International Corporation Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory
US6018686A (en) * 1997-10-31 2000-01-25 Cypress Semiconductor Corp. Electrically imprinting a semiconductor die with identifying information
US6052319A (en) * 1997-12-04 2000-04-18 Cypress Semiconductor Corp. Apparatus and method for controlling experimental inventory
US6148279A (en) * 1997-12-04 2000-11-14 Cypress Semiconductor Corporation Apparatus for recording and/or reading program history
US6249227B1 (en) * 1998-01-05 2001-06-19 Intermec Ip Corp. RFID integrated in electronic assets
US6181615B1 (en) * 1998-03-30 2001-01-30 Cypress Semiconductor Corporation Circuitry, apparatus and method for embedding quantifiable test results within a circuit being tested
US6209110B1 (en) * 1998-03-30 2001-03-27 Cypress Semiconductor Corporation Circuitry, apparatus and method for embedding a test status outcome within a circuit being tested
US6061814A (en) * 1998-04-21 2000-05-09 Lsi Logic Corporation Test circuitry for determining the defect density of a semiconductor process as a function of individual metal layers
WO2000002236A2 (en) * 1998-07-07 2000-01-13 Memc Electronic Materials, Inc. Radio frequency identification system and method for tracking silicon wafers
JP2001085480A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置および半導体集積回路装置の製造方法
CA2308820A1 (en) * 2000-05-15 2001-11-15 The Governors Of The University Of Alberta Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers
US6995652B2 (en) * 2001-04-11 2006-02-07 Battelle Memorial Institute K1-53 System and method for controlling remote devices
TW490783B (en) * 2001-05-22 2002-06-11 Hi Max Optoelectronics Corp Testing device and method built in the wafer scribe line
US20030097510A1 (en) * 2001-11-20 2003-05-22 Francis Joseph System-On-Chip architecture that utilizes FeRAM and re-configurable hardware
RU2322695C2 (ru) 2001-12-21 2008-04-20 Гизеке Унд Девриент Гмбх Листовой материал, а также устройства и способы изготовления и обработки такого листового материала
JP3940014B2 (ja) * 2002-03-29 2007-07-04 富士通株式会社 半導体集積回路、無線タグ、および非接触型ｉｃカード
US6734525B2 (en) * 2002-05-13 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Low stress integrated circuit fusible link
US6974782B2 (en) * 2002-08-09 2005-12-13 R. Foulke Development Company, Llc Reticle tracking and cleaning
US20050080680A1 (en) * 2003-01-31 2005-04-14 Kelson Elam RFID process control system for use in automation and inventory tracking applications
JP2005030877A (ja) * 2003-07-11 2005-02-03 Hitachi Ltd 無線制御テスト機能を備えた半導体集積回路装置
JP2005057203A (ja) * 2003-08-07 2005-03-03 Renesas Technology Corp ウェハ、集積回路チップおよび半導体装置の製造方法
KR100557560B1 (ko) * 2003-08-27 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리 장치 및 그 테스트 방법
US20050174236A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-11 Brookner George M. RFID device tracking and information gathering
US7274910B2 (en) * 2004-02-09 2007-09-25 Battelle Memorial Institute K1-53 Advanced capability RFID system
TWI373925B (en) * 2004-02-10 2012-10-01 Tridev Res L L C Tunable resonant circuit, tunable voltage controlled oscillator circuit, tunable low noise amplifier circuit and method of tuning a resonant circuit
US7663473B2 (en) * 2004-02-12 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, IC card, IC tag, RFID, transponder, bills, securities, passport, electronic apparatus, bag, and clothes
US7240833B2 (en) * 2004-05-20 2007-07-10 Cardiac Pacemakers, Inc. System and method of managing information for an implantable medical device
US20060038572A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Midtronics, Inc. System for automatically gathering battery information for use during battery testing/charging
US20060109120A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Jeremy Burr RFID tag in a substrate
US20060125508A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Impinj, Inc. On wafer testing of RFID tag circuit with pseudo antenna signal
US7380190B2 (en) * 2004-12-15 2008-05-27 Impinj, Inc. RFID tag with bist circuits
US7307528B2 (en) * 2004-12-15 2007-12-11 Impinj, Inc. RFID tag design with circuitry for wafer level testing
US20060132167A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Jian Chen Contactless wafer level burn-in
US7400255B2 (en) * 2005-02-28 2008-07-15 Impinj, Inc. Wireless functional testing of RFID tag
TWI264551B (en) * 2005-05-04 2006-10-21 Univ Tsinghua System for probing integrated circuit devices

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102201067A (zh) * 2010-03-23 2011-09-28 镌铭科技股份有限公司 用以跟踪并验证半导体芯片、多芯片封装模块及其衍生系统产品的系统和方法
CN102751244A (zh) * 2011-04-20 2012-10-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法
CN102751244B (zh) * 2011-04-20 2014-03-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及其形成方法、射频识别芯片及其形成方法
CN104809494A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 上海复旦微电子集团股份有限公司 标签组件、对标签组件进行烧录的方法及电子系统
CN104809494B (zh) * 2014-01-28 2019-04-30 上海复旦微电子集团股份有限公司 标签组件、对标签组件进行烧录的方法及电子系统

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