KR100991158B1 - 임베디드 ＦｅＲＡＭ 기반의 ＲＦＩＤ를 갖는 집적 회로 - Google Patents

임베디드 ＦｅＲＡＭ 기반의 ＲＦＩＤ를 갖는 집적 회로 Download PDF

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Abstract

집적 회로(IC)(100)는 사전결정된 동작을 수행하도록 구성된 고 정전용량 고체 회로 영역, 데이터를 저장하는 FeRAM 블록(104), 및 IC를 무선으로 식별하는 외부적으로 제공된 고유 ID를 RFID 블록으로 전달하도록 구성된 인터페이스 유닛을 포함하고, 고유 ID는 FeRAM 블록에 저장된다. IC는 IC의 사전결정된 영역을 통과하여 연장되는 도전성 트레이스를 더 포함하고, 도전성 트레이스는 RFID 블록에 대한 안테나로서 구성되며, 여기서 RFID 블록은 정보를 수신하고 안테나를 통하여 외부 소스로 정보를 전달하도록 구성된다.
임베디드 FeRAM, IC

Description

임베디드 ＦｅＲＡＭ 기반의 ＲＦＩＤ를 갖는 집적 회로{INTEGRATED CIRCUIT WITH EMBEDDED FERAM-BASED RFID}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2005년 9월 2일자로 출원된 미국 가출원 제60/713,828호의 우선권을 청구하며, 이들의 전체 내용은 모든 목적을 위해 본 발명에 참조로 인용된다.
메모리 IC 및 CPU와 같은 집적 회로(IC: Integrated Circuit) 생산에 대한 지속적인 시장 압력은, IC 테스팅을 시스템적으로 관리하는 신속하고 비용 효율적인 방식과, 다양한 단계에서 재고 정보를 유지하는 것뿐만 아니라, 웨이퍼 레벨에서의 테스팅 즉, 품질 보증(QA: Quality Assurance) 및 패키지 레벨에서의 테스팅과 같은 제조 처리의 다양한 단계에서의 대응하는 테스트 결과를 비용에 있어서 보다 효율적으로 하는 것을 필요로 한다. 예를 들어, 웨이퍼 레벨에서의 테스트 결과에 대한 정보가 각각의 집적 회로에 대하여 레코딩되고, 즉시 액세스할 수 있다면, 그 후 단계들에서의 효율성은 증대될 것이다. 유사하게, 다음 단계에서의 테스트 결과의 레코드는 그 후 단계들에서의 효율성을 차례로 촉진한다. 따라서, 일반적인 작업의 효율성은 각 중간 단계에서 동작 결과를 레코딩하고 각 단계에서 그 정보를 지속적으로 업데이트함으로써 크게 증대될 수 있다.
또한, 각각의 IC에 레코딩된 정보(예를 들어, 팹(fab) 위치, 제조 기술, 제조년도, 웨이퍼 로트(wafer lot), 웨이퍼 번호, 웨이퍼 상에서의 IC의 위치, 패키징 설비, 패키지 형태)를 추적할 뿐만 아니라 테스트 결과를 검색하는 능력은 수율 개선 노력(yield improvement efforts)을 돕는데 매우 유익할 수 있다. 또한, 부가가치 제품으로서 반도체 칩을 제조하는 것은 최근 경향이었으며, 이 경향은 미래에 보다 뚜렷해질 것이다.
따라서, IC 제조, 생산 및 그 이외의 다양한 단계들에서 정보의 능률적이고 비용 효율적인 관리를 위한 필요성이 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 집적 회로(IC)는 사전결정된 동작을 수행하도록 구성된 고 정전용량 고체(solid state) 회로 영역, 데이터를 저장하는 FeRAM 블록을 포함하는 RFID 블록, 및 IC를 무선으로 식별하기 위한 외부적으로 제공된 고유 ID를 RFID 블록으로 전달하도록 구성된 인터페이스 유닛을 포함하고, 여기서 고유 ID는 FeRAM 블록에 저장된다. IC는 IC의 사전결정된 영역을 통과하여 연장되는 도전성 트레이스(conductive trace)를 더 포함하고, 도전성 트레이스는 RFID 블록에 대한 안테나로서 구성되며, 여기서 RFID 블록은 정보를 수신하고 안테나를 통하여 외부 소스로 정보를 전송하도록 구성된다.
일 실시예에서, 고 정전용량 고체 회로 영역은 DRAM, 플래시 메모리(flash memory), FeRAM, CPU, 시스템 온 칩(SoC: System on Chip), 및 ASIC 중의 하나 이상을 포함한다.
또 다른 실시예에서, 도전성 트레이스는 IC의 주변부를 따라 연장된다.
또 다른 실시예에서, RFID 블록은 안테나를 통하여 수신된 RF 신호를 복조하고 수신된 RF 신호에 대응하는 명령 신호를 생성하도록 구성된 복조기 회로를 갖는 아날로그 블록을 포함한다. RFID 블록은 복조기 블록으로부터 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 FeRAM 블록에 결합되는 어드레스 및 제어 신호를 생성하도록 구성된 디지털 블록을 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, FeRAM 블록은 디지털 블록으로부터 어드레스 및 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 FeRAM에 이전에 저장된 데이터를 제공하도록 구성되고, 제공된 데이터는 안테나를 통하여 수신된 RF 신호에 대응한다. 아날로그 블록은 FeRAM 블록에 의해 제공된 데이터를 변조하고 안테나를 통해 외부 소스로 전송될 신호를 생성하도록 구성된 변조기 회로를 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, FeRAM 블록은 디지털 블록으로부터 어드레스 및 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 FeRAM에 이전에 저장된 데이터를 제공하도록 구성되고, 제공된 데이터는 안테나를 통하여 수신된 RF 신호에 대응한다. 아날로그 블록은 FeRAM 블록에 의해 제공된 데이터를 변조하고 안테나를 통해 외부 소스로 전송될 신호를 생성하도록 구성된 변조기 회로를 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, RFID 블록은 안테나를 통하여 수신된 RF 신호를 복조하고 수신된 RF 신호에 대응하는 명령 신호를 생성하도록 구성된 복조기 회로를 갖는 아날로그 블록을 포함한다. RFID는 복조기 블록으로부터 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 FeRAM 블록에 결합되는 어드레스, 데이터 및 제어 신호를 생성하도록 구성된 디지털 블록을 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, FeRAM 블록은 디지털 블록으로부터 어드레스, 데이터 및 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 수신된 어드레스에 대응하는 메모리 위치에 수신된 데이터를 저장하도록 구성된다.
또 다른 실시예에서, RFID 블록은 안테나를 통해 수신된 RF 신호를 RFID 블록에 전력을 공급하는 공급 전압으로 변환하도록 구성된 전압 체배기 회로(voltage multiplier circuit)를 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, RFID 블록은 공급 전압이 사전결정된 레벨에 도달할 경우, 공급 전압을 검출하여 RFID 블록에 전원을 공급하도록 구성된 파워 온 리셋 회로(power on reset circuit)를 더 포함한다.
또 다른 실시예에서, FeRAM 블록은, 제어 신호를 수신하여 제어 신호가 판독 동작 또는 기록 동작에 대응하는지 여부를 결정하도록 구성된 제어 회로, 로우(row) 및 콜롬(column)을 따라 배열된 복수의 FeRAM 셀을 포함하는 메모리 어레이, 메모리 어레이에 결합되고 FeRAM 블록에 의해 수신된 어드레스 신호에 응답하여 FeRAM 셀을 선택하도록 구성된 디코더, 메모리 어레이에 결합되고 판독 동작 시에 선택된 FeRAM 셀에 저장된 데이터를 감지하도록 구성된 감지 증폭기(sense amplifier), 및 기록 동작 시에 FeRAM 유닛에 의해 수신된 데이터를 메모리 어레이로 전달하고 판독 동작 시에 감지된 데이터를 출력하도록 구성된 I/O 버퍼를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 각각의 콜롬을 따르는 FeRAM 셀은 비트라인(bitline)에 접속되고, 각각의 FeRAM 셀은 비트라인 및 플레이트 라인(plate line) PL 사이에 직렬로 접속된 트랜지스터 및 FeRAM 캐패시터를 포함하며, 로우를 따르는 FeRAM 셀의 트랜지스터는 워드라인(wordline)에 결합되는 게이트를 가진다.
또 다른 실시예에서, IC는 IC의 테스팅이 요청될 경우에 IC의 테스팅을 수행하도록 구성된 내장형 자체 테스트(BIST: Built-IN Self-Test) 블록, 및 RFID 블록 및 BIST 유닛 사이에 결합되는 BIST 인터페이스 유닛을 더 포함한다. BIST 인터페이스 유닛은 RFID 블록에 의해 생성된 명령을 BIST 블록으로 공급하고, BIST 동작으로부터의 테스트 결과를 RFID 블록으로 전달하도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, IC 다이(die)와의 무선 통신을 가능하게 하는 RFID 블록 및 안테나를 각각 포함하는 IC 다이와의 무선 정보 교환 방법은 다음과 같다. 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장된다. 각각의 IC 다이는 테스트되고, 적어도 일부의 테스트 결과는 대응하는 IC 다이에 저장된다. 각각의 IC 다이의 RFID 블록 및 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장된 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 한다.
일 실시예에서, 각각의 IC 다이의 RFID 블록 및 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이가 패키징된 이후에 각각의 IC 다이로부터의 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 한다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이의 RFID 블록 및 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이가 패키징되기 전에 각각의 IC 다이로부터의 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 한다.
또 다른 실시예에서, IC 다이의 테스팅은 테스트 결과가 웨이퍼 테스트에 대응하도록 IC 다이가 반도체 웨이퍼 상에 있을 시에 수행된다.
또 다른 실시예에서, IC 다이의 테스팅은 테스트 결과가 패키지 테스트에 대응하도록 IC 다이가 패키징된 이후에 수행된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이에 대한 고유 식별 코드를 이용하여, 각각의 IC 다이에 저장된 테스트 결과는 무선으로 검색된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이에 대한 고유 식별 코드를 이용하여, 테스트 결과는 대응하는 IC 다이에 무선으로 저장된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이는 RFID 블록에 결합되는 인터페이스 유닛을 포함하고, 여기서 테스트 결과는 각각의 인터페이스 유닛을 통하여 대응하는 IC 다이의 RFID 블록에 저장된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이는 RFID 블록에 결합되는 인터페이스 유닛을 포함하고, 여기서 각각의 고유 식별 코드는 인터페이스 유닛을 통하여 대응하는 IC 다이의 RFID 블록에 저장된다.
또 다른 실시예에서, 테스트 결과는 웨이퍼 테스트 결과, 품질 보증 테스트 결과, 및 패키지 테스트 결과 중의 하나 이상에 대응한다.
또 다른 실시예에서, 추적 정보는 각각의 IC 다이에 저장되고, 추적 정보는, IC 다이가 제조되는 제조 플랜트(plant), IC 다이를 제조하기 위해 이용되는 처리 기술, IC 다이가 속한 웨이퍼 로트, IC 다이가 추출되는 웨이퍼 상의 IC 다이의 위치, IC 다이가 실장되는 패키지 형태, IC 다이가 패키징되는 패키징 플랜트 중의 하나 이상을 식별한다. 각각의 IC 다이의 RFID 블록 및 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장된 추적 정보의 무선 검색을 가능하게 한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, IC 다이와의 무선 통신을 가능하게 하는 RFID 블록 및 안테나를 각각 포함하는 패키징된 IC 다이의 이용 효율성을 증가시키는 방법은 다음과 같다. IC 다이를 패키징하기 이전에, 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장되고, 여기서 각각의 IC 다이의 RFID 블록 및 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 고유 식별 코드는 패키징된 IC의 나머지 기능 부분이 이용될 수 있도록 패키징된 IC 다이의 결점이 있는 부분을 무선 디스에이블링(disabling)하는 것을 가능하게 한다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이에 대한 고유 식별 코드를 이용하여, 패키징된 IC 다이의 나머지 기능 부분이 이용될 수 있도록 패키징된 IC 다이의 결점이 있는 부분만이 무선으로 디스에이블링된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이에 대한 고유 식별 코드를 이용하여, 패키징된 IC 다이의 결점이 있는 부분은 무선으로 식별된다.
또 다른 실시예에서, 각각의 IC 다이는 서로 결합되는 인터페이스 유닛 및 RFID 블록을 포함하고, 여기서 각각의 고유 식별 코드는 IC 다이의 인터페이스 유닛을 통하여 대응하는 IC 다이의 RFID 블록에 저장된다.
본 명세서에 드러난 본 발명의 특징 및 이점에 대한 추가적인 이해는 상세한 설명 및 첨부된 도면의 나머지 부분을 참조함으로써 실현될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임베디드 FeRAM 기반의 RFID 블록을 갖는 고체(solid state) 반도체 IC의 평면도이고,
도 2 내지 7은 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 FeRAM 기반의 RFID 블록 및 그것의 연관된 안테나가 임베디드된 다양한 형태의 IC의 평면도이고,
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라, IC에 임베디드된 RFID 블록 및 외부 소스 사이에서 정보 전달을 위한 방법을 도시한 흐름도이고,
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라, IC에 임베디드된 RFID 블록의 구현을 도시한 블록도이고,
도 10a는 도 9의 FeRAM 블록의 간략화된 예시 구조를 도시한 블록도이고,
도 10b는 도 10a의 FeRAM에 결합되는 각각의 신호의 기능을 나타내는 테이블이고,
도 11은 도 10a의 셀 어레이의 일부분의 구현예를 나타내는 회로도이고,
도 12는 도 11의 FeRAM 셀 어레이의 동작을 설명하기 위해 이용되는 타이밍도이고,
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 임베디드 FeRAM 기반의 RFID 블록에 BIST 기능이 바람직하게 통합될 경우의 고체(solid state) 반도체 IC의 평면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고체(solid state) 반도체 IC는 기존의 DRAM들, 플래시 메모리들, SRAM들, ASIC들, FPGA들, 아날로그 IC들, 데이터 프로세서들(예를 들어, CPU들 또는 그래픽 프로세서들), 및 시스템 온 칩(SoC)에 의해 수행되는 것과 같은 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하도록 구성된 고 정전용량 회로 부분을 포함한다. 고체(solid state) IC는 RFID 블록, RFID 블록으로의 유선 액세스를 제공하도록 구성된 인터페이스 유닛, 및 RFID 블록으로의 무선 액세스를 제공하도록 구성된 임베디드 안테나를 더 포함한다. RFID 블록은 강유전체 메모리 기술(FeRAM)을 이용하는 정보를 저장하도록 구성된다. 데이터가 IC 핀들을 통하여 RFID 블록으로 또는 RFID 블록으로부터 직접적으로 전달될 경우에 인터페이스 유닛이 이용된다. 일 실시예에서, IC의 주변 영역을 따라 경로가 정해진 금속층은 무선 통신을 위한 임베디드 RF 안테나의 역할을 한다.
제조 처리 중에, 웨이퍼 상의 각 IC 다이의 RFID 블록은 다이 자체 상에서 수행되는 테스트의 결과, 특정 다이가 속하는 웨이퍼 및 웨이퍼 로트에 대한 통계 정보 또는 수율 정보와 같은 여러 가지의 정보를 레코딩하기 위해 이용될 수 있다. 이것은 그 후 처리들의 효율성을 개선시키는 것을 돕는다. 유사하게, (QA 또는 패키지 테스팅에서와 같은) 웨이퍼 레벨 테스트 이후에 수행되는 동작의 결과는 RFID 블록에 레코딩될 수 있고, 그에 따라 그 후 처리들에서의 효율성을 더욱 증대시킨다. 이와 같이, 각 IC는 용이하게 액세스될 수 있는 제조 처리의 다양한 단계로부터의 결과의 레코드를 전달하고, 그에 따라 작업의 효율성을 상당히 개선시킨다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 임베디드 FeRAM 기반의 RFID 블록(104)을 갖는 고체 반도체 IC(100)의 평면도이다. 고체 반도체 IC(100)는 다양한 전자 애플리케이션에 이용되는 소정 형태의 공지된 회로를 포함할 수 있다. IC는 데이터를 저장하는 FeRAM 메모리를 포함하는 RFID 블록(104)을 더 포함한다. 다른 메모리 기술에 비하여, FeRAM 기술은 추가적인 처리 오버헤드(overhead)를 거의 내지 전혀 가지지 않는 CMOS, 바이폴라(bipolar) 등과 같은 소정의 처리 기술에 통합될 수 있다. 또한, FeRAM은 고 FeRAM 정전용량을 제공하면서 가장 적은 양의 실리콘 영역을 소비하고, 저전력을 소비하며, 장거리 무선 통신에 보다 적합하다. 추가적으로, 다른 형태의 IC들 뿐만 아니라 도 2 내지 7에 의해 도시된 다양한 IC들에서, 고 정전용량 값의 캐패시터들은 차지 펌프(charge pump) 회로, 파워 리저버 캐패시터(power reservoir capacitor), 아날로그 회로 등과 같은 다양한 목적을 위하여 요구된다. FeRAM 캐패시터는 PIP(poly-insulator-poly) 캐패시터 및 MIM(metal-insulator-metal) 캐패시터들과 같은 일반적으로 이용되는 다른 캐패시터들에 비하여 동일한 단위 면적에 대하여 가장 높은 정전용량을 제공하고, 처리 기술에 최소 내지 전혀 복잡도를 추가하지 않는다. 또 다른 기술에서, 아날로그 CMOS 회로에 이용되는 FeRAM 캐패시터는 아날로그 CMOS 회로의 상부에 스택되는 것이 바람직하며, 그에 따라 추가적인 실리콘 영역을 소비하지 않는다. 따라서, FeRAM은 다양한 형태 의 IC들에서 RFID 블록을 구현하기 위한 가장 비용 효율적이고 실용적인 메모리 형태이다.
도 1에서, 인터페이스 유닛(106)은 RFID 블록(104) 및 IC 상의 다른 회로(102) 사이의 통신 채널의 역할을 한다. 인터페이스 유닛(106)은 RFID 블록(104)으로의 직접적인 외부 액세스를 제공하기 위해 이용될 수 있다. 인터페이스 유닛은 IC(100)가 실장된 패키지의 외부 핀들에 결합될 수 있다. 외부 핀들은 RFID 기능 전용일 수도 있고, 또는 대안적으로 IC 회로(102)에 액세스하기 위하여 이용되는 외부 핀들은 RFID 블록에 액세스하는 수단으로서의 역할도 하도록 구성될 수 있다. IC의 주변부를 따라 연장되는 금속 트레이스(metal trace)(108)는 RFID 블록(104)과의 무선 통신을 위한 RF 안테나로서의 역할을 한다. RF 안테나로서의 역할을 양호하게 수행하는 물질은 금속 대신 또는 금속과 함께 이용될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같은 다양한 블록들 및 라인들의 위치는 단지 예시를 위한 것이며 스케일링(scaling)을 위한 것이 아니라는 점을 유의해야 한다. 또한, RFID 블록(104)의 위치는 도 1에 도시된 IC의 특정 코너에 한정되지 않고, 레이아웃 및 다이 크기의 효율성과 같은 요소들에 의해 필요하게 되는 바에 따라 IC의 소정의 부분에 형성될 수 있다. RFID 블록 및 인터페이스 블록은 통상적으로 전체 다이 크기의 작은 비율을 소비할 것이다.
도 2 내지 7은 본 발명의 실시예에 따라 FeRAM-기반 RFID 블록 및 그것의 연관된 안테나가 임베디드된 다양한 형태의 IC의 평면도이다. 이러한 도면들은 단지 예시를 위한 것이다. RFID 블록 및 그것의 안테나가 임베디드될 수 있는 다양한 다 른 형태의 IC들은 본 명세서를 고려하여 당업자에 의해 도출될 수 있다. 도 2는 FeRAM 기반의 RFID 블록(204) 및 그것의 연관된 안테나(208)가 임베디드된 DRAM IC(200)를 나타낸다. 도 3은 FeRAM 기반의 RFID 블록(304) 및 그것의 연관된 안테나(308)가 임베디드된 플래시 메모리 IC(300)를 나타낸다. 도 4는 FeRAM 기반의 RFID 블록(404) 및 그것의 연관된 안테나(408)가 임베디드된 FeRAM 메모리 IC(400)를 나타낸다. 도 5는 FeRAM 기반의 RFID 블록(504) 및 그것의 연관된 안테나(508)가 임베디드된 CPU IC(500)를 나타낸다. 도 6은 FeRAM 기반의 RFID 블록(604) 및 그것의 연관된 안테나(608)가 임베디드된 시스템 온 칩(SoC) IC(600)를 나타낸다. 도 7은 FeRAM 기반의 RFID 블록(704) 및 그것의 연관된 안테나(708)가 임베디드된 주문형 반도체(ASIC: Application Specific IC)(700)를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따라, IC에 임베디드된 RFID 블록 및 외부 소스 사이에서 정보를 전달하는 방법을 도시한 흐름도이다. 웨이퍼가 제작된 이후, 웨이퍼 테스트 중에, 고유 칩 식별 코드는 테스트 장비 및 각 RFID 블록의 인터페이스 유닛을 통하여 웨이퍼 상의 각 다이의 RFID 블록에 저장된다. 또한, 테스트 중인 웨이퍼가 속하는 웨이퍼 로트, 웨이퍼 상의 각 다이의 위치 등과 같은 그 외의 정보는 인터페이스 유닛을 통하여 RFID 블록에 저장될 수도 있다. 이 단계는 단계(804)에 의해 도시된다. 고유 ID 코드가 각각의 다이에 저장되면, RFID 블록과의 이후의 모든 통신은 무선으로 수행될 수 있다는 점을 유의해야 한다. 임의의 환경에서(예를 들어, 웨이퍼 테스트 중에) 실제적인 문제이지만, 유선 리소스(resource)를 이용하여(예를 들어, 도 1의 주회로(102) 및 인터페이스 유닛(106) 을 통하여) RFID 블록과 정보를 교환하는 것이 보다 가능성이 높을 수 있다.
단계(806)에서, 측정된 속도 및 전력, 온도 테스팅으로부터의 결과 등과 같은, 각각의 다이가 받는 소정의 후속 테스트와 관련된 정보는 RFID 블록의 RF 기능을 통한 무선 통신을 통해 또는 테스터 및 인터페이스 유닛을 통한 유선 통신을 통해 RFID 블록의 FeRAM에 저장될 수 있다. 또한, RFID 블록에 저장된 데이터는 잘 알려진 기술을 이용하여 언제라도 무선으로 검색될 수도 있다. 패키징된 IC들이 제조 장소를 벗어난 이후에도, 무선 통신을 위한 적절한 장비가 이용가능하다면, 각각의 IC와 정보가 교환될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따라, 도 1 내지 7의 것과 같은 IC에 임베디드된 RFID 블록(902)의 구현예를 나타내는 블록도이다. 도 9의 RFID 블록(902)은 아날로그 블록(906) 및 FeRAM 블록(910) 사이에 결합되는 디지털 블록(908)을 포함한다. 아날로그 블록(906)은 외부 리더/라이터로 데이터를 송신하고 외부 리더/라이터로부터 데이터를 수신하는 안테나(904)(예를 들어, IC에 임베디드된 금속 트레이스)에 결합되는 안테나 회로를 포함한다. 전압 체배기(voltage multiplier)(912)는 전송 주파수를 이용하여 RFID 블록을 위한 전력 VDD를 생성하도록 구성된다. 전압 제한기(voltage limiter)(916)는 전송 주파수 신호의 전송 전압의 크기를 제한하도록 구성된다. 파워 온 리셋 회로(918)는 RFID 공급 전압 VDD를 검출함으로써 RESET 신호를 생성하도록 구성된다. 클럭 발생기(clock generator)(920)는 디지털 블록(908)에 결합되는 클럭 신호 CLK를 생성하도록 구성된다. 전압 더블러(voltage doubler)는 FeRAM 메모리에 공급되는 전압을 증가시키도록 구성된다. 복조기(924) 는 전송 주파수 신호로부터 동작 명령 신호를 검출하도록 구성되고, 변조기 회로(modulator circuit)(922)는 요청된 정보를 안테나로 전송하도록 구성된다.
디지털 블록(908)은 논리 회로를 포함하며, VDD, 파워 온 리셋(POR: Power On Reset), 클럭 신호 CLK, Response 및 Command 신호를 통해 아날로그 블록(906)과 통신한다. 디지털 블록(908)은 어드레스 신호 ADD(x5), I/O(x8) 버스, 제어 신호 CTR(x3), 및 클럭 신호 CLK를 통하여 FeRAM(910)과 차례로 통신한다. 유효 외부 생성 명령 신호(valid externally generated command signal)가 RFID 블록(902)에 의해 검출될 경우, 그 명령에 따라, 정보가 FeRAM(910)으로부터 검색되고 그 후 외부 소스로 전송되거나, 또는 외부 소스에 의해 전송된 정보가 FeRAM(910)에 저장되도록, 아날로그 블록(906), 디지털 블록(908), 및 FeRAM(910)이 동작한다.
도 10a는 도 9의 FeRAM 블록(910)의 간략화된 예시 구조를 도시한 블록도이다. 디지털 블록(908)으로부터 수신된 어드레스 신호 ADD[7:0]는 셀 어레이(1016)의 셀들의 로우(row)를 선택하는 워드라인(WL: Wordline) 디코더(1014)에 결합된다. 제어 신호 블록(1012)은 칩 인에이블 신호(chip enable signal) CE, 판독 인에이블 신호(read enable signal) RE, 및 기록 인에이블 신호(write enable signal) WE를 수신한다. FeRAM(1010)이 액세스될 경우, 이러한 신호들은 메모리 액세스가 판독 액세스인지 기록 액세스인지를 나타낸다. 메모리 셀 어레이(1016)는 32 로우 8 콜롬(32 rows by 8 columns)으로 배열된 256개의 셀들을 가진다. 블록(1018)에서, 8개의 콜롬은 선택된 셀에 대응하는 신호를 감지하고 증폭시키는 8개의 감지 증폭기(SA: Sense Amplifier)에 결합된다. 8개의 콜롬 및 감지 증폭기는 데이터가 어레이로 또는 어레이로부터 전달될 경우에 통과하는 8개의 I/O 버퍼에 결합된다. FeRAM(1010)으로부터 판독된 데이터 또는 FeRAM(1010)에 저장될 데이터는 데이터 신호 M_DATA[7:0]를 통하여 전달된다. 도 10b는 도 10a의 FeRAM에 결합되는 각각의 신호의 기능을 나타내는 테이블이다. 본 발명은 도 10a에 도시된 특정 메모리의 밀도 또는 구조에 한정되지 않음을 유의해야 한다. 어레이 및 그 주변 회로는 설계 목표 및 애플리케이션에 따라 256 비트보다 더 크거나 더 작은 메모리 크기를 구현하도록 변경될 수 있다. 예를 들어, 도 10a의 셀보다 더 많은 콜롬의 셀을 갖는 더 큰 메모리들이 이용될 수 있다. 이러한 더 큰 메모리에서는, 종래의 콜롬 디코딩(column decoding)이 콜롬의 서브셋(subset)을 선택하기 위해 이용될 수 있다. 또한, 종래 메모리의 다수의 다른 피쳐들(features)이 필요에 따라 구현될 수도 있다.
도 11은 도 10a의 셀 어레이(1016)의 일부분의 구현예를 나타내는 회로도이다. 도 11의 셀 어레이(1102)는 로우 및 콜롬에 따라 배열된 FeRAM 메모리 셀(1106)을 이용한다. 감지 증폭기(1104)는 선택된 데이터 비트의 신호를 감지하고 증폭시키는 BL(1112) 및
Figure 112008015341376-pct00001
(1114)의 각각의 쌍 사이에 결합된다. BLEQ에 결합되는 게이트를 갖는 트랜지스터(1116, 1118, 1120)는 비트라인(bitline)을 등화시키도록 작용한다. 도시된 바와 같이, 각각의 셀(1106)은 수직 연장 비트라인(vertically extending bitline) 및 수평 연장 플레이트 라인 PL 사이에 직렬로 결합되는 패스 트랜지스터(pass transistor) 및 FeRAM 캐패시터를 포함한다.
셀(1106)은 기록 및 판독 동작을 설명하기 위해 이용될 것이다. 기록 동작 시에, 워드라인 WL0는 하이(high)로 상승되며, 비트라인 BL이 하이(high) 전압으로 바이어싱되고 플레이트 라인 PL0이 로우(low) 전압(예를 들어, 접지 전위)으로 바이어싱될 경우, 셀 캐패시터는 로직 1 상태에서 바이어싱된다. 워드라인 WL0가 하이(high)로 상승된 상태에서, 비트라인 BL이 로우 전압(예를 들어, 접지 전위)으로 바이어싱되고 플레이트 라인 PL0가 하이 전압으로 바이어싱될 경우, 셀 캐패시터는 로직 0 상태에서 바이어싱된다. 판독 동작 시에, 워드라인 WL0은 하이(high)로 상승되며, 셀(1106)이 로직 1 상태에서 바이어싱될 경우에는 보다 높은 전위가 비트라인 BL 상에 생성되고, 셀(1106)이 로직 0 상태에서 바이어싱될 경우에는 보다 낮은 전위가 비트라인 BL 상에 생성된다. 충분한 신호가 비트라인에 생성될 경우, 감지 증폭기(1104)는 생성된 신호를 증폭시켜 레일(rail)로 공급한다. 메모리 어레이(1102)는 비트 구성(bit configuration)당 2-셀을 나타내지만, 기준 전압과 같은 공지된 기술을 이용하여 비트당 1-셀이 구현될 수 있다는 점을 유의해야 한다. 판독 1 동작의 부정적인 특성이 주어질 경우, 전술한 기록 동작과 유사한 복원 동작(restore operation)이 수행된다.
도 12는 도 11의 FeRAM 셀 어레이(1102)의 보다 상세한 동작을 설명하기 위해 이용될 타이밍도이다. t0 및 t4 동안에, 비트라인 BL,
Figure 112008015341376-pct00002
은 BLEQ 신호에 의해 턴온되는 트랜지스터(1116, 1118, 1120)를 통하여 프리차지(precharge)된다. 워드라인 WL은 t1, t2, 및 t3 동안 구동되고, 플레이트 라인 PL은 t1 및 t2 동안 구동된다. 감지 증폭기 인에이블 신호 SEN는 t2 및 t3 동안 구동되고, BLEQ는 t0 및 t4 동안 구동된다. t0의 종단에서 비트라인 등화가 완료될 경우, 선택된 셀에 대응하 는 신호는 비트라인 BL,
Figure 112008015341376-pct00003
상에 생성되기 시작한다. 시간 구간 t1의 종단에서 충분한 신호 차이가 비트 라인 BL,
Figure 112008015341376-pct00004
상에 생성될 경우, 신호 SEN은 감지 증폭기가 BL,
Figure 112008015341376-pct00005
상의 신호를 증폭시킬 수 있도록 한다. BL,
Figure 112008015341376-pct00006
의 데이터가 증폭되고 I/O 버퍼로 전달된 이후, 데이터 0은 시간 구간 t2 동안 복원되고, 데이터 1은 시간 구간 t3 동안 복원된다. 특정 어레이 구성 및 그에 대응하는 타이밍도는 단지 예시를 위한 것이며 한정을 위한 것이 아니다. 전체 내용이 본 발명에 참조를 위해 인용되는 2006년 5월 11일자로 출원된 "Dual-Gate Non-Volatile Ferroelectric Memory"라는 명칭의 공동으로 양도된 특허출원번호 제11/433,753호에서 개시된 듀얼 게이트 FeRAM 셀 및 그에 대응하는 어레이 구성과 같은, 다른 FeRAM 셀 및 어레이 구성이 IC의 RFID 블록에서 구현될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 임베디드 FeRAM 기반의 RFID 블록에 내장형 자체 테스트(BIST) 기능이 통합될 경우의 고체 반도체 IC의 평면도이다. BIST는 고체 반도체 영역(1302)에서 주회로의 자체 테스트를 가능하게 하고, 테스트 비용 및 복잡도를 감소시키는 것을 돕는다. 임베디드 RFID와 결합된 BIST 기능은 BIST 동작이 IC들을 패키징한 이후에도 언제든지 무선으로 초기화될 수 있다는 점에서 특히 이점이 있다.
동작 시에, BIST 동작을 초기화하는 명령 신호는 RF 신호를 통하여 또는 고체 반도체 영역(1302) 및 인터페이스 유닛(1306)을 통과하여 RFID(1304)로 제공될 수 있다. RFID 블록(1304)은 BIST 동작을 초기화하는 제어 신호를 차례로 생성하 고, 이 제어 신호를 인터페이스 유닛(1310)을 통하여 BIST 블록으로 제공한다. BIST 동작이 완료될 경우, 일부의 또는 모든 테스트 결과는 RFID 블록(1304)을 통하여 제조업자 또는 최종 사용자에 의해 무선으로 검색될 수 있다. 또한, 모든 또는 일부의 테스트 결과(예를 들어, 키 테스트 결과)는 RFID(1304)의 FeRAM에 저장될 수 있다. BIST 블록(1312)의 구현은 IC(1300)가 수행하는 소정의 기능에 종속하며, 이와 같이 BIST 블록(1312)은 IC(1300)가 수행하는 특정 기능에 맞추어져야 할 필요가 있다는 점을 유의해야 한다. 예를 들어, IC(1300)가 플래시 메모리 또는 DRAM 또는 CPU일 경우, 다수의 공지된 BIST 기술들 중의 적절한 하나가 블록(1312)에서 구현될 수 있고, 영역(1302)의 주회로와 적절하게 인터페이싱될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따르면, RF 안테나와 함께 FeRAM 기반의 RFID는 컴퓨터, 핸드 헬드(hand held) 장치, 자동차, 전기 제품(appliances) 등과 같은 전자 장비에 이용되는 다양한 형태의 IC들에 임베디드된다. IC들에 임베디드된 RFID는 전술한 바와 같은 제조 처리 시를 포함하는 다양한 목적을 위하여 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 IC의 RFID에 저장된 고유 식별 코드는 예를 들어, 유통 센터에서 재고 평가 또는 IC들의 분배를 위하여 각각의 IC를 추적하기 위해 이용된다. 유통 센터에 판독기(reader)를 배치함으로써, IC들의 흐름은 추적될 수 있다. 추가적으로, PC 보드와 같은 전자기기 제조업자 또는 컴퓨터 제조업자는 각각의 PC 보드, 또는 각각의 IC의 RFID와의 통신을 가능하게 하는 전자 장비의 하우징 내부에 판독기를 배치할 수 있다.
또 다른 실시예에서, RFID 피쳐는 각 IC의 이용 효율성을 상당히 개선하도록 구성된다. 예를 들어, DRAM 칩과 같은 메모리 IC에서 칩 불량인 경우, 제조업자 또는 심지어 최종 사용자조차도 배드 비트(bad bit)를 식별하기 위하여 예를 들어, BIST 피쳐를 이용함으로써 IC 상의 RFID 피쳐를 이용할 수 있고, 배드 비트가 존재하는 어레이의 일부를 디스에이블(disable)하여, 그에 따라 DRAM의 나머지 부분이 저장을 위해 이용되도록 허용한다. 또 다른 실시예에서, RFID 피쳐는 그 부분의 신뢰도에 대한 정보를 저장하도록 구성되고, 그에 따라 품질 제어에 있어서 상당한 개선을 가능하게 한다. 덜 강건한 특성을 갖는 IC들은 그들 각각의 RFID 블록에서와 같이 표시될 수 있고, 사용자는 이러한 정보를 검색하여 내구성이 없는 것으로 예상되는 제품(예를 들어, 일회용 카메라) 내의 IC를 차례로 이용할 수 있다.
또 다른 실시예에 따르면, IC들에 임베디드된 RFID는 그 필드 내에서 액세스가능성을 제공하도록 구성된다. 예를 들어, 사용자의 위치에서 IC가 동작하지 않을 경우, RFID 피쳐는 동작하지 않는 IC 및 제조업자에게 전송된 정보를 식별하기 위해 이용될 수 있다. 그 다음, 제조업자는 특정 IC의 정보를 얻고, 그러한 정보를 수율 개선 등을 위하여 이용할 수 있다. 한편, 또 다른 실시예에서, 각각의 IC에 임베디드된 RFID는 옷 가게로부터 의류의 절도를 방지하기 위해 태그(tag)가 이용되는 것과 대체로 동일한 방식으로 IC의 절도를 방지하도록 구성된다. 다른 실시예에서, BIST 기능은 IC의 RFID 피쳐와 통합되어, 패키징된 IC가 제조 장소를 벗어난 이후에도 IC들의 테스팅을 가능하게 하는 것이 바람직하다.
상기에서 본 발명의 다양한 실시예의 상세한 설명을 제공하지만, 다수의 대안, 변형, 및 등가물이 가능하다. 따라서, 이러한 이유 및 다른 이유로 인하여, 상 기 설명은 청구항에 의해 정의된 바와 같이 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 이해되지 않아야 한다.

Claims (30)

  1. 집적 회로(IC: Integrated Circuit)에 있어서,
    사전결정된 동작을 수행하도록 구성된 고체(solid state) 회로 영역;
    데이터를 저장하는 FeRAM 블록을 포함하는 RFID 블록;
    상기 RFID 블록으로 유선 액세스를 제공하는 인터페이스 유닛; 및
    상기 IC의 사전결정된 영역을 통과하여 연장되는 도전성 트레이스
    를 포함하고,
    상기 IC를 무선으로 식별하기 위한 외부적으로 제공된 고유 ID와, 상기 IC에 대한 테스트 결과 정보 및 제조 정보는 FeRAM 블록에 저장되고,
    상기 도전성 트레이스는 상기 RFID 블록에 대한 안테나로서 구성되며,
    상기 RFID 블록은 정보를 수신하고 상기 안테나를 통하여 외부 소스로 정보를 전송하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 고체 회로 영역은 DRAM, 플래시 메모리, FeRAM, CPU, 시스템 온 칩(SoC: System on Chip) 및 ASIC 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전성 트레이스는 상기 IC의 주변부를 따라 연장되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 RFID 블록은,
    상기 안테나를 통하여 수신된 RF 신호를 복조하고 상기 수신된 RF 신호에 대응하는 명령 신호를 생성하도록 구성된 복조기 회로를 갖는 아날로그 블록; 및
    상기 복조기 회로로부터 상기 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 상기 FeRAM 블록에 결합되는 어드레스 및 제어 신호를 생성하도록 구성된 디지털 블록
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 FeRAM 블록은 상기 디지털 블록으로부터 상기 어드레스 및 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 상기 FeRAM에 이전에 저장된 데이터를 제공하도록 구성되고, 상기 제공된 데이터는 상기 안테나를 통하여 수신된 상기 RF 신호에 대응하고,
    상기 아날로그 블록은 상기 FeRAM 블록에 의해 제공된 상기 데이터를 변조하 고 상기 안테나를 통해 상기 외부 소스로 전송될 신호를 생성하도록 구성된 변조기 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 IC에 대한 제조 정보는
    상기 IC에 대한 제조 단계에 따른 결과 정보인
    것을 특징으로 하는 집적회로.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 RFID 블록은,
    상기 안테나를 통하여 수신된 RF 신호를 복조하고 상기 수신된 RF 신호에 대응하는 명령 신호를 생성하도록 구성된 복조기 회로를 갖는 아날로그 블록; 및
    상기 복조기 블록으로부터 상기 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 상기 FeRAM 블록에 결합되는 어드레스, 데이터 및 제어 신호를 생성하도록 구성된 디지털 블록
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 FeRAM 블록은 상기 디지털 블록으로부터 상기 어드레스, 데이터 및 명령 신호를 수신하고 이에 응답하여 상기 수신된 어드레스에 대응하는 메모리 위치에 상기 수신된 데이터를 저장하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 RFID 블록은 상기 RFID 블록에 전력을 공급하기위해 상기 안테나를 통해 수신된 RF 신호를 공급 전압으로 변환하도록 구성된 전압 체배기(voltage multiplier) 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 RFID 블록은 상기 공급 전압이 사전결정된 레벨에 도달할 경우, 상기 공급 전압을 검출하여 상기 RFID 블록에 전원을 공급하도록 구성된 파워 온 리셋 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 FeRAM 블록은,
    제어 신호를 수신하여 상기 제어 신호가 판독 동작 또는 기록 동작에 대응하는지 여부를 결정하도록 구성된 제어 회로;
    로우 및 콜롬을 따라 배열된 복수의 FeRAM 셀을 포함하는 메모리 어레이;
    상기 메모리 어레이에 결합되고, FeRAM 블록에 의해 수신된 어드레스 신호에 응답하여 FeRAM 셀을 선택하도록 구성된 디코더;
    상기 메모리 어레이에 결합되고, 판독 동작 시에 상기 선택된 FeRAM 셀에 저장된 데이터를 감지하도록 구성된 감지 증폭기; 및
    기록 동작 시에 상기 FeRAM 유닛에 의해 수신된 데이터를 상기 메모리 어레이로 전달하고, 판독 동작 시에 상기 감지된 데이터를 출력하도록 구성된 I/O 버퍼
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  12. 제 11 항에 있어서,
    각각의 콜롬을 따르는 FeRAM 셀은 비트라인에 접속되고,
    각각의 FeRAM 셀은 비트라인 및 플레이트 라인 PL 사이에 직렬로 접속된 트랜지스터 및 FeRAM 캐패시터를 포함하며,
    로우를 따르는 FeRAM 셀의 상기 트랜지스터는 워드라인에 결합되는 게이트를 가지는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  13. 제 1 항에 있어서,
    IC의 테스팅이 요청될 경우에 상기 IC의 테스팅을 수행하도록 구성된 내장형 자체 테스트(BIST: Built-IN Self-Test) 블록; 및
    상기 RFID 블록 및 상기 BIST 유닛 사이에 결합되는 BIST 인터페이스 유닛을 더 포함하고,
    상기 BIST 인터페이스 유닛은 상기 RFID 블록에 의해 생성된 명령을 상기 BIST 블록으로 공급하고, BIST 동작으로부터의 테스트 결과를 상기 RFID 블록으로 전달하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  14. IC 다이와의 무선 통신을 가능하게 하는 RFID 블록 및 안테나를 각각 포함하는 상기 IC 다이와의 무선 정보 교환 방법에 있어서,
    상기 각각의 IC 다이에 고유 식별 코드를 저장하는 단계;
    각각의 다이를 테스팅하는 단계; 및
    상기 테스팅 단계로부터의 적어도 일부의 테스트 결과를, 상기 테스트 결과에 대응하는 IC 다이에 저장하는 단계
    를 포함하고,
    각각의 IC 다이의 상기 RFID 블록 및 상기 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장된 상기 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이의 상기 RFID 블록 및 상기 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이가 패키징된 이후에 각각의 IC 다이로부터의 상기 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이의 상기 RFID 블록 및 상기 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이가 패키징되기 전에 각각의 IC 다이로부터의 상기 테스트 결과의 무선 검색을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 테스팅 단계는 상기 테스트 결과가 웨이퍼 테스트에 대응하도록 상기 IC 다이가 반도체 웨이퍼 상에 있을 시에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 테스팅 단계는 상기 테스트 결과가 패키지 테스트에 대응하도록 상기 IC 다이가 패키징된 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이에 대한 상기 고유 식별 코드를 이용하여, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 테스트 결과를 무선으로 검색하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 테스트 결과를 저장하는 단계는 각각의 IC 다이에 대한 상기 고유 식별 코드를 이용하여, 상기 테스트 결과에 대응하는 IC 다이에 상기 테스트 결과를 무선으로 저장하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이는 상기 RFID 블록에 결합되는 인터페이스 유닛을 포함하고,
    상기 테스트 결과는 각각의 인터페이스 유닛을 통하여 대응하는 IC 다이의 상기 RFID 블록에 저장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이는 상기 RFID 블록에 결합되는 인터페이스 유닛을 포함하고,
    각각의 고유 식별 코드는 상기 인터페이스 유닛을 통하여 상기 고유 식별 코드에 대응하는 대응하는 IC 다이의 상기 RFID 블록에 저장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 14 항에 있어서,
    상기 테스트 결과는 웨이퍼 테스트 결과, 품질 보증 테스트 결과, 및 패키지 테스트 결과 중의 하나 이상에 대응하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이에 추적 정보를 저장하는 단계를 더 포함하고,
    상기 추적 정보는 상기 IC 다이가 제조되는 제조 플랜트, 상기 IC 다이를 제조하기 위해 이용되는 처리 기술, 상기 IC 다이가 속한 웨이퍼 로트, 상기 IC 다이가 추출되는 웨이퍼 상의 상기 IC 다이의 위치, 상기 IC 다이가 실장되는 패키지 형태, 상기 IC 다이가 패키징되는 패키징 플랜트 중의 하나 이상을 식별하고,
    각각의 IC 다이의 상기 RFID 블록 및 상기 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 고유 식별 코드는 각각의 IC 다이에 저장된 상기 추적 정보의 무선 검색을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 14 항에 있어서,
    각각의 IC 다이는 DRAM, 플래시 메모리, FeRAM, CPU, 시스템 온 칩(SoC: System on Chip), 및 ASIC 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. IC 다이와의 무선 통신을 가능하게 하는 RFID 블록 및 안테나를 각각 포함하는 패키징된 IC 다이의 이용 효율성을 증가시키는 방법에 있어서,
    상기 IC 다이를 패키징하기 이전에, 상기 각각의 IC 다이에 고유 식별 코드와, 상기 IC 다이에 대한 테스트 결과 정보 및 제조 정보를 저장하는 단계
    를 포함하고,
    각각의 IC 다이의 상기 RFID 블록 및 상기 안테나와 함께, 각각의 IC 다이에 저장된 상기 고유 식별 코드는 상기 패키징된 IC의 나머지 기능 부분이 이용될 수 있도록 패키징된 IC 다이의 결점이 있는 부분을 무선 디스에이블링하는 것을 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    각각의 IC 다이에 대한 상기 고유 식별 코드를 이용하여, 상기 패키징된 IC 다이의 나머지 기능 부분이 이용될 수 있도록 상기 패키징된 IC 다이의 상기 결점이 있는 부분만을 무선으로 디스에이블링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    각각의 IC 다이에 대한 상기 고유 식별 코드를 이용하여, 상기 패키징된 IC 다이의 상기 결점이 있는 부분을 무선으로 식별하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 26 항에 있어서,
    각각의 IC 다이는 서로 결합되는 인터페이스 유닛 및 RFID 블록을 포함하고,
    각각의 고유 식별 코드는 상기 IC 다이의 인터페이스 유닛을 통하여 상기 고유 식별 코드에 대응하는 IC 다이의 상기 RFID 블록에 저장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 26 항에 있어서,
    각각의 IC 다이는 DRAM, 플래시 메모리, FeRAM, CPU, 시스템 온 칩(SoC), 및 ASIC 중의 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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