CN1012402B - 用于气体环境里的二次电子检测器 - Google Patents

用于气体环境里的二次电子检测器

Info

Publication number
CN1012402B
CN1012402B CN88103140A CN88103140A CN1012402B CN 1012402 B CN1012402 B CN 1012402B CN 88103140 A CN88103140 A CN 88103140A CN 88103140 A CN88103140 A CN 88103140A CN 1012402 B CN1012402 B CN 1012402B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
electron
secondary electron
charge carriers
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
CN88103140A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1031154A (zh
Inventor
詹姆斯·F·曼库索
威廉·B·马克斯韦尔
杰拉西莫斯·D·丹尼拉托斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ElectroScan Corp
Electro Scan Corp
Original Assignee
Electro Scan Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Electro Scan Corp filed Critical Electro Scan Corp
Publication of CN1031154A publication Critical patent/CN1031154A/zh
Publication of CN1012402B publication Critical patent/CN1012402B/zh
Expired legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448—Secondary particle detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明提供一种用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的装置。该装置可以包括一种扫描电子显微镜。本发明还提供一种用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的方法。

Description

本发明涉及用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的装置。本发明还涉及用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的方法。
为了利用电子显微技术获得试样的影象，可利用电子束对该试样进行扫描，并检测从该试样反射或发射的电子。通常，该试样被置于真空中进行扫描以保持该电子光学系统的真空完整性，而且使电子检测器有可能工作。
在真空里用电子束来扫描试样带来许多问题。各种生物试样不能在为获得准确的影象所需的一段时间里于真空中保持完好。各种湿的试样在可以获得准确影象之前，在真空中要经历它们所包含液体的蒸发过程。各种物体在高真空中除气需要作特殊的考虑。各种非导体试样会积聚一种表面电荷，该电荷使试样表面的细节模糊不清，因而降低了所获影象的分辨率。为避免积聚电荷的问题，各试样可以镀上一层金属薄层使它们能传导掉该电荷。然而，该金属镀层可能破坏各试样（例如，各种半导体），为此，往往排除了非破坏性检验的可能性。
在环境的显微技术方面一项早期的工作中（W·C·Lane，《环境控制显微镜载物台》，扫描电子显微技术/1970，PP43-48）Lane使用了一个Everhart-Thornley系统（一种偏压闪烁体/光电倍增器）以便在扫描电子显微镜中检测从 在气体环境中的试样发射出的电子。他曾声称正是这些从该试样表面发射出的二次电子电离了该覆盖气体（水蒸汽）而产生自由电子，然后，利用该Everhart-Thornly检测器收集这些自由电子。他得出如下结论：由于这种作用原理，该气体是在Everhart-Thovnley检测器中闪烁现象之前造成二次电子信号放大的主要原因。
Lane的声称和结论都是不成立的，因为在他的试验装置中有效放大该二次电子信号是不可能的。水的二个组分氢和氧的电离能（各门限值）太高，以致于利用所发射的二次电子是无法使之电离的，而且他声称的放大过程只有在紧靠该试样上面有相当大气体压力的区域才能够发生。该Everhart-Thornley系统的偏移场不能充分地提高二次电子的能量，使之可以供二次电子信号放大之用。该二次电子必须获得足够的能量以电离气体，但另一方面虽然还是在装满气体的区域内，而围住试样的金属挡圈减少了在这一区域内的偏移场强度。该装满气体的区域还只占据检测器和试样之间垂直距离的一个很小的百分率，因此，在离开该充满气体的区域之前，该二次电子只能获得在检测器和试样之间总的最大电位差的一个很小的百分率。因而，该电子能量在挡圈内不能够被提高到足以电离该气体的高能级上。
Lane的由气体引起信号放大的观察结果的最合理的说明是：以较高能量发射的反向散射电子电离了挡圈中的气体。所产生的电离产物（电子和/或离子）是通过该闪烁体检测到的。
Danilatos在《微米和显微镜技术》（Micron    and    Microscopa    Acta）14（4）：307-318（1983） 中揭示气体能够起使用传统检测器的检测介质的作用（引用该上述Lane文献），并且，有可能在低偏压、或甚至完全没有偏压的情况下在该检测器上收集到电荷载流子。Danilatos说，“气体检测装置的工作域和效率取决于许多可变因数，例如：（a）气体的性质，（b）气体的压力，（c）气体的温度，（d）电极结构，（e）电极偏压，（f）加速电压，（g）一次电子束电流强度，（h）扫描速度，（i）试样性质。”
Danilatos得出如下结论：为了解释该系统中各种不同的离子对现象，需要作详细的研究。”……人们不可能获得一种二次电子影象以供直接比较之用。换句话说，可能呈现多种轨迹的对比度。此外，没有供给外部的偏压，而且不知道该试样和所连接的电极可能已经有多大自给偏压。所给出的种种结果表明：尽管在新的系统里能够得到更多的信息，但这一信息的确切的性质需要作进一步的探察。”
本发明的装置包括：一个其上有限压小孔的真空封套;一个装于该真空封套内并能发射带电粒子束的源;装于该真空封套内能引导由该带电粒子束源发射的带电粒子束通过该限压小孔的聚焦装置;在该真空封套外面的试样台装置，该装置能够保持封装在压力至少为0.05乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露于从该带电粒子束源发射出的并被引导通过该限压小孔的带电粒子束之下;一个设置在该真空封套的外面的电极，该电极定位在离该试样台装置约1和约200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置并暴露于从该带电粒子束源发射的带电粒子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触;一个能够在该电极和该 试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏电位差的连接于该电极和地线之间的电压源，该电极的电位相对于该试样台装置的电位是正的，以便用具有足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面发射的二次电子，使所发射的二次电子能够与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，后者又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，电场强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;连接到该电极的电流放大器和连接于该电流放大器和地线之间的电流检测装置。
本发明还提出一种扫描电子显微镜，该显微镜包括一个其上有限压小孔的真空封套;装在该真空封套之内并能够发射电子束的电子束源;装在该真空封套之内并能够引导由电子束源发射的电子束通过该限压小孔的聚焦装置;装在该真空封套之内并能够使由该电子束源发射的电子束穿过该限压小孔的直径进行扫描的电子束扫描装置;设置在该真空封套外面的试样台装置，该装置能够保持封装在压力至少为0.05乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露于从该电子束源发射的并被引导通过该限压小孔的电子束之下;设置在该真空封套外面的电极，该电极定位在离该试样台装置约1至200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置上并暴露于从该电子束源发射的电子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触;连接于该电极和地线之间的电压源，该电压源能够在该电极和该试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏的电位差，该电极的电位相对于该试样台装置的电位是正的，以便用足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面 发射的二次电子，使所发射的二次电子与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;连接到该电极的电流放大器和连接于该电流放大器和地线之间的电流检测装置。
本发明的方法包括在适当的气体压力下利用具有充分能量的带电粒子束扫描试样的表面，以便产生从该试样表面发射的二次电子。利用足够强度的电场加速该二次电子，以便使它们与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿，检测由电子和电离的气体分子所形成的电流，从而检测了正比于从该试样表面发射的二次电子数目的信号。
图1是以具体形式实施本发明的一种装置的示意的断面图。
本发明提供用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的装置。对照图1更准确地说，本发明包括一个真空封套1，其上有限压小孔2;一个带电粒子束源3，它装于该真空封套内并能够发射带电粒子束;聚焦装置4，它装在该真空封套之内并能够引导由该带电粒子束源发射的带电粒子束穿过该限压小孔;试样台装置6，它设置在该真空封套外面，能够保持封装在压力至少为0.05乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露于从带电粒子束源发射的并被引导通过限压小孔的带电粒子束之下;设置在该真空 封套外面的电极7，该电极定位在离试样台装置约1和约200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置上并暴露于从带电粒子束源发射的带电粒子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触;一个电压源8，它连接于该电极和地线之间，能够在该电极和该试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏的电位差，该电极的电位相对于该试样台装置的电位是正的，以便用足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面发射的二次电子，使得所发射的二次电子与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;连接到该电极的电流放大器9和连接于该电流放大器和地线之间的电流检测装置10。在这一应用场合，负电荷载流子包括电离的气体分子和自由电子。
在本发明的一个实施例中该带电粒子束源是一个电子束源。在本发明的另一个实施例中，该电极定位于离试样台装置大约10mm处。在本发明的再一个实施例中该电压源是可调节的。
本发明还提供一种扫描电子显微镜。对照图1更准确地说，该扫描电子显微镜包括一个真空封套1，其上有一个限压小孔2;一个电子束源3，它装在该真空封套之内并能够发射电子束;聚焦装置4，它装在该真空封套之内并能够引导由该电子束源发射的电子束通过限压小孔;电子束扫描装置5，它装在该真空封套之内并能使电子束源发射的电子束穿过限压小孔的直径进行扫描;试样台装置6，它设置在真空封套外面，并能够保持封装在压力至少为0.05 乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露在从电子束源发射的被引导通过限压小孔的电子束之下;设置在真空封套外面的电极7，该电极定位在离试样台装置约1至200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置上并暴露在从电子束源发射的电子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触;电压源8，它连接于该电极和地线之间，并能够在该电极和试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏的电位差，该电极的电位相对于试样台装置的电位是正的，以便用足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面发射的二次电子，使得所发射的二次电子与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;连接到该电极的电流放大器9和连接于该电流放大器和地线之间的电流检测装置10。
在本发明的一个实施例中将所述电极定位在离试样台装置大约10mm之处。在本发明的另一个实施例中该电压源是可调节的。在本发明的再一个实施例中该电子束源能够发射具有从约1千电子伏到约40千电子伏范围内的能量的电子束。
本发明还涉及用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的方法。该方法包括在适当的气体压力下利用具有充分能量的带电粒子束扫描该试样的表面，以便产生从该试样表面发射的二次电子。利用足够强度的电场加速所述二次电子，以便使它们与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比 于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿，检测由电子和电离的气体分子形成的电流，由此检测了正比于从试样表面发射的二次电子数目的信号。
在本发明的一个实施例中，所述带电粒子束是电子束。在本发明的另一个实施例中，该电子束具有从约1千电子伏到约40千电子伏范围内的能量。在本发明的再一个实施例中，所述气体压力在约从0.05乇至约20乇的范围之内。在本发明的再另一个实施例中，所述电场包括至少约50伏并小于约2000伏的电势。

Claims (13)

1、用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的一种装置，包括：
a)一个具有限压小孔的真空封套；
b)一个带电粒子束源，它装在该真空封套之内并能够发射带电粒子束；
c)聚焦装置，它装在该真空封套之内并能够引导由该带电粒子束源发射的带电粒子束通过该限压小孔；
d)试样台装置，它设置在该真空封套外面，能够保持封装在压力至少0.05乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露在从带电粒子束源发射的并被引导通过限压小孔的带电粒子束之下；
e)一个电极，它设置在该真空封套外面并定位在离试样台装置约1和200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置上并暴露在从该带电粒子束源发射的带电粒子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触；
其特征在于，该装置还包括：
f)一个电压源，它连接于该电极和地线之间，能够在该电极和该试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏的电位差，该电极的电位相对于该试样台装置的电位是正的以便用足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面发射的二次电子，从而使所发射的二次电子与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许 多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿；
g)一个连接到该电极的电流放大器；和
h)连接在该电流放大器和地线之间的电流检测装置。
2、根据权利要求1的装置，其特征在于：该带电粒子束源是电子束源。
3、根据权利要求1的装置，其特征在于：该电极被定位在离该试样台装置大约10mm之处。
4、根据权利要求1的装置，其特征在于：该电压源是可调节的。
5、一种扫描电子显微镜，包括：
a）一个具有限压小孔的真空封套;
b）一个装在该真空封套之内并能够发射电子束的电子束源;
c）聚集装置，它装在该真空封套之内并能够引导由电子束源发射的电子束通过该限压小孔;
d）电子束扫描装置，它装在该真空封套之内并能使由该电子束源发射的电子束穿过该限压小孔的直径进行扫描;
e）试样台装置，它设置在该真空封套外面，能够保持封装在压力至少0.05乇的气体中的试样与限压小孔对准，以便可以把试样表面暴露在从该电子束源发射的并被引导通过限压小孔的电子束之下;
其特征在于，该扫描电子显微镜还包括：
f）一个电极，它设置在真空封套外面并定位在离试样台装置约1和200mm之间的范围内，使得从装在试样台装置上并暴露于从电子束源发射的电子束之下的试样表面发射的二次电子可以与该电极接触;
g）一个电压源，它连接于该电极和地线之间，能够在该电极和试样台装置之间保持大于约50伏并小于约2000伏的电位差，该电极的电位相对于该试样台装置的电位是正的，以便用足够强度的电场加速从装在试样台装置上的试样的表面发射的二次电子，使所发射的二次电子与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;
h）一个连接到该电极的电流放大器;和
i）连接于该电流放大器和地线之间的电流检测装置。
6、根据权利要求5的扫描电子显微镜，其特征在于：该电极被定位于离试样台装置大约10mm之处。
7、根据权利要求5的扫描电子显微镜，其特征在于：该电压源是可调节的。
8、根据权利要求5的扫描电子显微镜，其特征还在于：该电子束源能够发射具有从约1千电子伏到约40千电子伏范围能量的电子束。
9、用于从试样表面生成、放大并检测二次电子的方法，其特征在于包括：
a）在适当的气体压力下利用具有足够能量的带电粒子束扫描该试样表面，以便产生从该试样表面发射的二次电子;
b）利用足够强度的电场加速该二次电子，以便使它们与气体分子碰撞并产生负电荷载流子，接着，这些负电荷载流子又能够通过与其他气体分子的多次碰撞而产生更多的负电荷载流子，产生多于并正比于原始的二次电子数目的许多负电荷载流子，该电场的强度要低到足以避免灾难性的放电或击穿;和
c）检测由电子和电离的气体分子所形成的电流，从而检测了正比于从试样表面发射的二次电子数目的信号。
10、根据权利要求9的方法，其特征在于：该带电粒子束是电子束。
11、根据权利要求10的方法，其特征在于：该电子束具有从约1千伏到约40千电子伏范围内的能量。
12、根据权利要求9的方法，其特征在于：该气体压力在从0.05乇至20乇的范围之内。
13、根据权利要求9的方法，其特征在于：该电场包括至少约50伏并小于约2000伏的电势。
CN88103140A 1987-05-21 1988-05-21 用于气体环境里的二次电子检测器 Expired CN1012402B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/052,700 US4785182A (en) 1987-05-21 1987-05-21 Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
US052,700 1987-05-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1031154A CN1031154A (zh) 1989-02-15
CN1012402B true CN1012402B (zh) 1991-04-17

Family

ID=21979339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN88103140A Expired CN1012402B (zh) 1987-05-21 1988-05-21 用于气体环境里的二次电子检测器

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4785182A (zh)
EP (1) EP0314763B1 (zh)
JP (1) JPH01502225A (zh)
KR (1) KR970005031B1 (zh)
CN (1) CN1012402B (zh)
AT (1) ATE86409T1 (zh)
AU (1) AU603226B2 (zh)
CA (1) CA1293337C (zh)
DE (1) DE3878828T2 (zh)
ES (1) ES2007856A6 (zh)
IL (1) IL86430A (zh)
MX (1) MX174400B (zh)
RU (1) RU2020643C1 (zh)
WO (1) WO1988009564A1 (zh)
ZA (1) ZA883273B (zh)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0687410B2 (ja) * 1986-08-01 1994-11-02 エレクトロ‐スキャン コーポレーション 走査電子顕微鏡及び試料の表面を電子顕微鏡的に像形成する方法
US4880976A (en) * 1987-05-21 1989-11-14 Electroscan Corporation Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
US4897545A (en) * 1987-05-21 1990-01-30 Electroscan Corporation Electron detector for use in a gaseous environment
US5352435A (en) * 1989-12-22 1994-10-04 Unger Evan C Ionophore containing liposomes for ultrasound imaging
JPH0740306Y2 (ja) * 1990-02-19 1995-09-13 矢崎総業株式会社 端子係止具付コネクタ
US5396067A (en) * 1992-06-11 1995-03-07 Nikon Corporation Scan type electron microscope
JPH06168695A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Nikon Corp 荷電粒子顕微鏡
US5446282A (en) * 1993-04-05 1995-08-29 Nikon Corporation Scanning photoelectron microscope
US5412211A (en) * 1993-07-30 1995-05-02 Electroscan Corporation Environmental scanning electron microscope
US5362964A (en) * 1993-07-30 1994-11-08 Electroscan Corporation Environmental scanning electron microscope
JPH07262959A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Nikon Corp 走査型電子顕微鏡
US5485008A (en) * 1994-06-23 1996-01-16 University Of Maryland, College Park Low magnification gas limiting aperture assembly for electron microscopy devices
GB9623768D0 (en) * 1996-11-15 1997-01-08 Leo Electron Microscopy Limite Scanning electron microscope
US6396063B1 (en) 1997-11-24 2002-05-28 Gerasimos Daniel Danilatos Radiofrequency gaseous detection device (RF-GDD)
JP4176159B2 (ja) * 1997-12-08 2008-11-05 エフ イー アイ カンパニ 改善された２次電子検出のための磁界を用いた環境制御型ｓｅｍ
JP4084427B2 (ja) 1997-12-08 2008-04-30 エフ イー アイ カンパニ 改善された２次電子検出のための多極界を用いた環境制御型ｓｅｍ
US5945672A (en) * 1998-01-29 1999-08-31 Fei Company Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope
DE19845329C2 (de) * 1998-03-10 2001-09-27 Erik Essers Rasterelektronenmikroskop
WO1999046797A1 (de) 1998-03-10 1999-09-16 Erik Essers Rasterelektronenmikroskop
JP4066078B2 (ja) * 1999-05-27 2008-03-26 株式会社ニコン 写像型電子顕微鏡
DE10032607B4 (de) 2000-07-07 2004-08-12 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät
WO2002005309A1 (de) * 2000-07-07 2002-01-17 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detektor für variierende druckbereiche und elektronenmikroskop mit einem entsprechenden detektor
GB2367686B (en) * 2000-08-10 2002-12-11 Leo Electron Microscopy Ltd Improvements in or relating to particle detectors
AUPQ932200A0 (en) * 2000-08-11 2000-08-31 Danilatos, Gerasimos Daniel Environmental scanning electron microscope
JP2002289129A (ja) 2001-03-26 2002-10-04 Jeol Ltd 低真空走査電子顕微鏡
GB2374723B (en) * 2001-04-20 2005-04-20 Leo Electron Microscopy Ltd Scanning electron microscope
EP1367630B1 (en) 2002-05-31 2011-09-14 Carl Zeiss SMT Limited Improvements in or relating to particle detectors
CZ20022105A3 (cs) * 2002-06-17 2004-02-18 Tescan, S. R. O. Detektor sekundárních elektronů, zejména v rastrovacím elektronovém mikroskopu
EP2372743B1 (en) 2002-09-18 2016-03-23 FEI Company Charged particle beam system with an ion generator
DE10256718B4 (de) * 2002-12-04 2004-10-28 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zur Probenuntersuchung mittels eines atmosphärischen oder druckvariablen Rasterelektronenmikroskops
US7388218B2 (en) * 2005-04-04 2008-06-17 Fei Company Subsurface imaging using an electron beam
JP5053359B2 (ja) 2006-03-31 2012-10-17 エフ・イ−・アイ・カンパニー 荷電粒子ビーム器具用の改善された検出器
US8921811B2 (en) * 2007-02-06 2014-12-30 Fei Company High pressure charged particle beam system
CZ299864B6 (cs) 2007-10-04 2008-12-17 Ústav prístrojové techniky AV CR, v.v.i. Ionizacní detektor environmentálního rastrovacíhoelektronového mikroskopu
EP2105944A1 (en) 2008-03-28 2009-09-30 FEI Company Environmental cell for a particle-optical apparatus
US7791020B2 (en) 2008-03-31 2010-09-07 Fei Company Multistage gas cascade amplifier
US8299432B2 (en) 2008-11-04 2012-10-30 Fei Company Scanning transmission electron microscope using gas amplification
JP5352262B2 (ja) 2009-02-06 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8222600B2 (en) * 2009-05-24 2012-07-17 El-Mul Technologies Ltd. Charged particle detection system and method
US9679741B2 (en) 2010-11-09 2017-06-13 Fei Company Environmental cell for charged particle beam system
JP5936424B2 (ja) * 2012-04-20 2016-06-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US9070533B2 (en) 2012-07-30 2015-06-30 Fei Company Environmental scanning electron microscope (ESEM/SEM) gas injection apparatus with anode integrated with gas concentrating structure
US9123506B2 (en) * 2013-06-10 2015-09-01 Fei Company Electron beam-induced etching
CN105987924A (zh) * 2015-02-11 2016-10-05 中国科学院空间科学与应用研究中心 卫星金属表面的二次电子发射的测量装置及其使用方法
US9799490B2 (en) 2015-03-31 2017-10-24 Fei Company Charged particle beam processing using process gas and cooled surface
US9633816B2 (en) * 2015-05-18 2017-04-25 Fei Company Electron beam microscope with improved imaging gas and method of use
US10068744B2 (en) 2015-12-01 2018-09-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle optical apparatus for through-the lens detection of particles
EP3176808B1 (en) * 2015-12-03 2019-10-16 Carl Zeiss Microscopy Ltd. Method for detecting charged particles and particle beam device for carrying out the method
DE102016116765B3 (de) * 2016-09-07 2018-02-22 Specs Surface Nano Analysis Gmbh Vorrichtung mit teilchenoptischer Linsenwirkung zur Untersuchung einer nicht gasförmigen Probe in einer gasförmigen Umgebung, Elektronen- und/oder ionenoptisches System sowie Verfahren zum Untersuchen
WO2020008492A1 (ja) 2018-07-02 2020-01-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
CN113495082B (zh) * 2020-03-19 2022-10-18 清华大学 二次电子发射系数测量装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2884529A (en) * 1955-04-18 1959-04-28 Eggler Charles Gaseous scintillation counter
US3612859A (en) * 1968-01-31 1971-10-12 Westinghouse Electric Corp Method for measuring and controlling the density of a metallic vapor
NL7902963A (nl) * 1979-04-13 1980-10-15 Philips Nv Detektor voor elektronenmikroskoop.
AU534811B2 (en) * 1979-07-03 1984-02-16 Unisearch Limited Atmospheric scanning electron microscope
DE3206309A1 (de) * 1982-02-22 1983-09-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sekundaerelektronen-spektrometer und verfahren zu seinem betrieb
US4720633A (en) * 1986-01-17 1988-01-19 Electro-Scan Corporation Scanning electron microscope for visualization of wet samples

Also Published As

Publication number Publication date
CA1293337C (en) 1991-12-17
ATE86409T1 (de) 1993-03-15
JPH01502225A (ja) 1989-08-03
CN1031154A (zh) 1989-02-15
US4785182A (en) 1988-11-15
EP0314763B1 (en) 1993-03-03
IL86430A0 (en) 1988-11-15
AU603226B2 (en) 1990-11-08
AU1790088A (en) 1988-12-21
RU2020643C1 (ru) 1994-09-30
ES2007856A6 (es) 1989-07-01
EP0314763A4 (en) 1989-12-13
IL86430A (en) 1992-02-16
WO1988009564A1 (en) 1988-12-01
DE3878828T2 (de) 1993-06-09
KR970005031B1 (ko) 1997-04-11
DE3878828D1 (de) 1993-04-08
ZA883273B (en) 1988-11-11
JPH0532860B2 (zh) 1993-05-18
KR890702234A (ko) 1989-12-23
EP0314763A1 (en) 1989-05-10
MX174400B (es) 1994-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1012402B (zh) 用于气体环境里的二次电子检测器
US4880976A (en) Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere
US6972412B2 (en) Particle-optical device and detection means
US4897545A (en) Electron detector for use in a gaseous environment
EP0275306B1 (en) Multipurpose gaseous detector device for electron microscopes
JPS6334588B2 (zh)
US6781124B2 (en) Particle detectors
US6184525B1 (en) Environmental SEM with a multiple fields for improved secondary electron detection
Farley et al. Primary considerations for image enhancement in high‐pressure scanning electron microscopy: 2. Image contrast
Sujata et al. Advances in scanning electron microscopy
US5256874A (en) Gridded electron reversal ionizer
US4680468A (en) Particle detector
JP2002100316A (ja) 低真空走査電子顕微鏡
JPH08321275A (ja) 二次荷電粒子検出装置
CN117347408A (zh) 薄层材料的缺陷检测装置和方法
JPS59173938A (ja) 二次イオン質量分析計
JP3114583B2 (ja) 二次電子検出装置
JPH09304040A (ja) 電子ビームによるパターン検査方法とその装置
JPH11297265A (ja) 荷電粒子描画装置
JPH07153411A (ja) 電子ビーム観察方法および装置
Chutjian Gridded electron reversal ionizer
JPH0927291A (ja) 集束イオンビーム加工装置
AU7802387A (en) Scanning electron microscope
JPH0580101B2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C13 Decision
GR02 Examined patent application
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee