JPH0927291A - 集束イオンビーム加工装置 - Google Patents
集束イオンビーム加工装置Info
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- JPH0927291A JPH0927291A JP7177084A JP17708495A JPH0927291A JP H0927291 A JPH0927291 A JP H0927291A JP 7177084 A JP7177084 A JP 7177084A JP 17708495 A JP17708495 A JP 17708495A JP H0927291 A JPH0927291 A JP H0927291A
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- ion
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- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＳＥＭ／ＴＥＭの試料前処理を専用とする小型
のＦＩＢ加工装置を提供する。 【構成】イオン源室，イオン集束室、および試料室から
構成されるＦＩＢ加工装置であって、試料室がサイドエ
ントリー形試料ホルダーを装着する小容積のものであ
り、試料室専用の排気ポンプを持たないことを特徴とす
るＦＩＢ加工装置である。 【効果】ＦＩＢ加工装置は簡素に、小型化でき、かつ安
価に製造することができるようになった。
のＦＩＢ加工装置を提供する。 【構成】イオン源室，イオン集束室、および試料室から
構成されるＦＩＢ加工装置であって、試料室がサイドエ
ントリー形試料ホルダーを装着する小容積のものであ
り、試料室専用の排気ポンプを持たないことを特徴とす
るＦＩＢ加工装置である。 【効果】ＦＩＢ加工装置は簡素に、小型化でき、かつ安
価に製造することができるようになった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体微細デバイスなど
の不良解析やその製造プロセスのプロセス評価のため
に、デバイスなどの断面加工を施す集束イオンビーム
（Focused Ion Beam、略してＦＩＢ）加工装置に関す
る。
の不良解析やその製造プロセスのプロセス評価のため
に、デバイスなどの断面加工を施す集束イオンビーム
（Focused Ion Beam、略してＦＩＢ）加工装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦＩＢ加工装置において、走査形
電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope、略してＳ
ＥＭ)、または透過形電子顕微鏡（Transmission Electr
onMicroscope、略してＴＥＭ）の試料ホルダーがそのま
まＦＩＢ加工装置に装着可能で、試料の載せ変え作業を
せずにＦＩＢによる加工とＳＥＭ、または、ＴＥＭによ
る観察が可能であるものが知られている。このような技
術は、例えば、特開平6−103947 号公報に知られてい
る。
電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope、略してＳ
ＥＭ)、または透過形電子顕微鏡（Transmission Electr
onMicroscope、略してＴＥＭ）の試料ホルダーがそのま
まＦＩＢ加工装置に装着可能で、試料の載せ変え作業を
せずにＦＩＢによる加工とＳＥＭ、または、ＴＥＭによ
る観察が可能であるものが知られている。このような技
術は、例えば、特開平6−103947 号公報に知られてい
る。
【０００３】また、このＦＩＢ加工装置の試料室は、４
インチウェハー試料の搭載も可能とするワーキングディ
スタンスが可変の汎用試料ステージや小型試料の搭載を
可能とするサイドエントリー形試料ホルダーが装着でき
るようになっているため試料室の容積は大きい。また、
試料室の排気のためには専用の真空ポンプを設けてい
た。
インチウェハー試料の搭載も可能とするワーキングディ
スタンスが可変の汎用試料ステージや小型試料の搭載を
可能とするサイドエントリー形試料ホルダーが装着でき
るようになっているため試料室の容積は大きい。また、
試料室の排気のためには専用の真空ポンプを設けてい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来技術
では、各々の室に専用の真空ポンプを設けていたため、
そのため装置自体が大きく、かつ装置の価格も高くなる
と言う欠点があった。
では、各々の室に専用の真空ポンプを設けていたため、
そのため装置自体が大きく、かつ装置の価格も高くなる
と言う欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、ＦＩＢ加工装置をＴＥＭ
／ＳＥＭの試料前処理専用装置として、簡素化，小型化
し、かつ価格を下げることにある。
／ＳＥＭの試料前処理専用装置として、簡素化，小型化
し、かつ価格を下げることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、イオン源室，イオン集束室及び試料室
の少なくとも２つを共通の排気系で排気するように構成
した。また、好ましくは、試料ホルダーはサイドエント
リー形試料ホルダーに限り、試料は大きくても面積が数
mm角，厚さ１mm程度と限定した。これにより試料室の容
積を小さくする。
に、本発明では、イオン源室，イオン集束室及び試料室
の少なくとも２つを共通の排気系で排気するように構成
した。また、好ましくは、試料ホルダーはサイドエント
リー形試料ホルダーに限り、試料は大きくても面積が数
mm角，厚さ１mm程度と限定した。これにより試料室の容
積を小さくする。
【０００７】
【作用】上記手段のように、排気系を共通に用いるの
で、ＦＩＢ加工装置を簡素化，小型化できる。
で、ＦＩＢ加工装置を簡素化，小型化できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を用いて説明す
る。
る。
【０００９】ガリウムの液体金属イオン源から放出した
イオンは、イオン集束系により試料上で０.０１ 〜１μ
ｍのビーム径に集束され、かつ走査される。試料室３に
はＴＥＭあるいはＳＥＭと少なくとも一方と共通のサイ
ドエントリー試料ホルダー５（試料ホルダー５）がサイ
ドエントリー試料ステージ４を介して装着されている。
また、試料室３には試料からの放出二次粒子（二次電
子，二次イオンなど）を検出する検出器８（二次粒子検
出器８）も装着されている。ここでは、イオン集束系の
対物レンズから試料までの距離（ワーキング距離）は６
mmとした。この距離は短いほど、ＦＩＢがより細く絞れ
る特性がある。このワーキング距離は、試料ホルダーの
大きさ，ホルダーの傾斜を考慮して１０mm以下が良い。
イオンは、イオン集束系により試料上で０.０１ 〜１μ
ｍのビーム径に集束され、かつ走査される。試料室３に
はＴＥＭあるいはＳＥＭと少なくとも一方と共通のサイ
ドエントリー試料ホルダー５（試料ホルダー５）がサイ
ドエントリー試料ステージ４を介して装着されている。
また、試料室３には試料からの放出二次粒子（二次電
子，二次イオンなど）を検出する検出器８（二次粒子検
出器８）も装着されている。ここでは、イオン集束系の
対物レンズから試料までの距離（ワーキング距離）は６
mmとした。この距離は短いほど、ＦＩＢがより細く絞れ
る特性がある。このワーキング距離は、試料ホルダーの
大きさ，ホルダーの傾斜を考慮して１０mm以下が良い。
【００１０】試料室３の容積は約４００cm3 と小さく、
従来装置の１／４以下とした。これにより、排気速度が
数１００ｌ／ｓである従来装置の試料室専用の排気ポン
プはもはや不要である。イオン源室１（イオン源室部
１）およびイオン集束系室２には従来装置と同様にそれ
ぞれ真空排気ポンプ６および７が接続されており、試料
室３はイオン集束系室２と共に真空排気ポンプ７で排気
される。これらのポンプは排気速度数１０ｌ／ｓといず
れも小型である。ＦＩＢ加工装置には、この他、イオン
源，イオン集束系，二次粒子検出系，排気系などを制御
する電気制御系（図示されていない）が含まれている。
従来装置の１／４以下とした。これにより、排気速度が
数１００ｌ／ｓである従来装置の試料室専用の排気ポン
プはもはや不要である。イオン源室１（イオン源室部
１）およびイオン集束系室２には従来装置と同様にそれ
ぞれ真空排気ポンプ６および７が接続されており、試料
室３はイオン集束系室２と共に真空排気ポンプ７で排気
される。これらのポンプは排気速度数１０ｌ／ｓといず
れも小型である。ＦＩＢ加工装置には、この他、イオン
源，イオン集束系，二次粒子検出系，排気系などを制御
する電気制御系（図示されていない）が含まれている。
【００１１】ＦＩＢ加工後のサイドエントリー試料ホル
ダー５は、試料ステージ４（サイドエントリー試料ステ
ージ４）から引き抜き、試料を載せ変えることなくその
ままＴＥＭあるいはＳＥＭの試料ステージに挿入して、
それぞれの観察がなされる。
ダー５は、試料ステージ４（サイドエントリー試料ステ
ージ４）から引き抜き、試料を載せ変えることなくその
ままＴＥＭあるいはＳＥＭの試料ステージに挿入して、
それぞれの観察がなされる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、ＦＩ
Ｂ加工装置を簡素化，小型化でき、かつ安価に製造する
ことができるようになった。
Ｂ加工装置を簡素化，小型化でき、かつ安価に製造する
ことができるようになった。
【図１】本発明の実施例の集束イオンビーム加工装置の
説明図。
説明図。
１…イオン源室部、２…イオン集束系室、３…試料室、
４…サイドエントリー試料ステージ、５…試料ホルダ
ー、６，７…真空排気ポンプ、８…二次粒子検出器。
４…サイドエントリー試料ステージ、５…試料ホルダ
ー、６，７…真空排気ポンプ、８…二次粒子検出器。
Claims (3)
- 【請求項１】イオンを発生するイオン源室と、前記イオ
ンを集束するイオン集束系室と、前記集束されたイオン
を試料に照射する試料室からなる集束イオンビーム加工
装置において、前記試料室，前記イオン源室及び前記イ
オン集束系室の少なくとも２を共通の排気系で排気する
ことを特徴とした集束イオンビーム加工装置。 - 【請求項２】該試料室に装着される試料ホルダーが走査
形電子顕微鏡、または透過形電子顕微鏡の少なくとも一
方と共通のサイドエントリー形試料ホルダーであること
を特徴とした請求項１記載の集束イオンビーム加工装
置。 - 【請求項３】ワーキング距離が１０mm以下であることを
特徴とした請求項１および２記載の集束イオンビーム加
工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177084A JPH0927291A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集束イオンビーム加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7177084A JPH0927291A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集束イオンビーム加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927291A true JPH0927291A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16024852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7177084A Pending JPH0927291A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 集束イオンビーム加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927291A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495838B1 (en) * | 1998-07-23 | 2002-12-17 | Hitachi, Ltd. | Sample heating holder, method of observing a sample and charged particle beam apparatus |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP7177084A patent/JPH0927291A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6495838B1 (en) * | 1998-07-23 | 2002-12-17 | Hitachi, Ltd. | Sample heating holder, method of observing a sample and charged particle beam apparatus |
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