CN101231464B - 光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法 - Google Patents

光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法 Download PDF

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Abstract

光致抗蚀剂组合物包含：约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂；约0.1％至约0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有锍盐阳离子基团和含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团；和余量的溶剂。所述光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。

Description

光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法
相关申请的交叉引用
根据35 U.S.C.§119，本申请要求在2007年1月25日提交给韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请2007-7917的专利权，该专利申请的全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本发明的示例性实施方案涉及光致酸生成剂(photoacid generators)、包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。例如，本发明的某些实施方案涉及能够用于在衬底上形成具有均匀外形(profile)的图案的光致酸生成剂、包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物以及使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。
背景技术
现在，具有更高集成度的半导体器件正处于高度需要之中。因此，正在对形成线宽等于或小于100nm的精细图案的方法进行积极的研究。可以使用具有光敏特性的光致抗蚀剂，通过光刻方法形成精细图案。
光刻方法典型地包括形成光致抗蚀剂膜的步骤、将光致抗蚀剂膜对准(aligning)/曝光的步骤和将光致抗蚀剂膜显影以形成光致抗蚀剂图案的步骤。在形成光致抗蚀剂膜的步骤中，将可以通过光改变其分子结构的光致抗蚀剂涂布在衬底上以形成光致抗蚀剂膜。在将光致抗蚀剂膜对准/曝光的步骤中，将具有电路图案的掩模在形成于衬底上的光致抗蚀剂膜上对准。之后，将具有掩模的电路图案的图像的光辐照在光致抗蚀剂膜上，以产生光化学反应。辐照导致光致抗蚀剂膜的曝光部分的分子结构选择性变化。之后，将光致抗蚀剂膜显影，以在衬底上形成光致抗蚀剂图案。
在将光致抗蚀剂膜显影的步骤中，将曝光的光致抗蚀剂膜选择性除去或保留，以形成形状与电路图案对应的光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案的分辨率可以由下式1表示。
<式1>
R＝k1λ/NA(R：最大分辨率，λ：波长，k1：常数，NA：透镜的数值孔径)
当用于曝光步骤的光的波长减小时，光致抗蚀剂图案的分辨率提高，并且光致抗蚀剂图案的线宽减小。因此，在形成具有纳米级分辨率的精细图案中，可以认为光的最小允许波长、基于该波长的曝光装置和光致抗蚀剂的最大分辨率是重要的。
光致抗蚀剂可以分为负性光致抗蚀剂或正性光致抗蚀剂。在正性光致抗蚀剂的情况下，光致抗蚀剂膜的固化部分依赖于由光致酸生成剂生成的酸所引起的保护基团的分离反应。例如，由光致酸生成剂生成的酸用于从光致抗蚀剂膜的树脂中分离与该树脂组合的特定保护基团。因此，改变了从中分离保护基团的树脂，以使其在随后的显影处理中容易溶解于显影溶液中。
当将用于形成线宽等于或小于75nm的图案的氟化氩(ArF)的光致抗蚀剂用于形成图案时，等密度线(iso-dense)图案的制造极限可能不足。等密度线图案的制造极限不足可能导致在其中图案密度比单元区(cell area)低的外围区域中的实际临界尺寸和需要临界尺寸之间的很大差别。为了防止和/或降低上述问题，可以增加光致酸生成剂的量。然而，光致抗蚀剂图案可能受到损害，使得光致抗蚀剂图案的上部可能具有圆的(round)形状。而且，光致酸生成剂可以具有疏水特性，使得光致酸生成剂不容易与具有亲水特性的树脂混合。因此，光致酸生成剂可能不均匀地分布。
例如，参考图1，光致抗蚀剂膜10的光致酸生成剂14具有与树脂12不同的特性。因此，在树脂12附近没有发现光致酸生成剂14，并且光致酸生成剂14在光致抗蚀剂膜10的上部相互粘附。因此，由光致酸生成剂14生成的酸扩散通过的通道增大，使得由光致抗蚀剂膜10形成的光致抗蚀剂图案不可能具有均匀的外形。
发明内容
本发明的示例性实施方案提供具有亲水特性并且能够分布在光致抗蚀剂膜中的光致酸生成剂。
本发明的示例性实施方案还提供包含在此描述的光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物。
本发明的示例性实施方案还提供形成图案的方法，该方法能够提高临界线宽极限并且形成具有均匀外形的图案。
根据本发明的一个方面，光致酸生成剂具有选自由下列化学式1、2、3和4表示的化合物中的锍盐阳离子基团和由下列化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团。
<化学式1>
Figure S2008100038624D00031
<化学式2>
<化学式3>
<化学式4>
Figure S2008100038624D00041
<化学式5>
Figure S2008100038624D00042
在化学式1至5中，R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环状基团、金刚烷基和含有氧原子的环庚基中的一个。
根据本发明的另一个方面，该光致抗蚀剂组合物包含约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂、约0.1％至约0.5重量％的具有锍盐阳离子基团的光致酸生成剂以及余量的溶剂。该光致酸生成剂含有选自由化学式1、2、3和4表示的化合物中的一个，并且含有由化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团。
根据本发明的另一个方面，提供一种形成图案的方法。将光致抗蚀剂组合物涂布在目标层上，以形成光致抗蚀剂膜。该光致抗蚀剂组合物包含约4％至约10重量％的光致抗蚀剂树脂、约0.1％至约0.5重量％的具有锍盐阳离子基团的光致酸生成剂以及余量的溶剂。该光致酸生成剂含有选自由化学式1、2、3和4表示的化合物中的一个，并且含有由化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团。将该光致抗蚀剂膜曝光。将该光致抗蚀剂膜显影以形成光致抗蚀剂图案。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，蚀刻目标层的曝光部分。因此，可以形成具有均匀外形的图案的目标层。
例如，可以使所述光致酸生成剂与光反应，以生成由下列化学式6表示的磺酸。
<化学式6>
Figure S2008100038624D00051
在化学式6中，n表示1至3的自然数，并且X可以表示含4至10个碳原子的环状基团、金刚烷基、含有氧原子的环庚基等。
例如，光致酸生成剂可以由下列化学式1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1或4-2表示。在化学式1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1或4-2中，n表示1至3的自然数，并且R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。
<化学式111>
<化学式1-2>
Figure S2008100038624D00053
<化学式2-1>
Figure S2008100038624D00054
<化学式2-2>
Figure S2008100038624D00061
<化学式3-1>
Figure S2008100038624D00062
<化学式3-2>
Figure S2008100038624D00063
<化学式4-1>
Figure S2008100038624D00064
<化学式4-2>
根据本发明的实施方案，光致酸生成剂具有与光致抗蚀剂组合物的树脂类似的亲水特性，使得该光致酸生成剂可以容易地与树脂混合。因此，所述光致酸生成剂可以均匀地分布于光致抗蚀剂膜中。因此，在光致抗蚀剂膜中由光致酸生成剂生成的酸移动到树脂的保护基团的扩散长度短，使得光致抗蚀剂图案可以具有均匀的外形。而且，包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物可以提高以密集图案形式形成的相同图案(iso-patterns)的临界线宽极限，并且可以形成其上部不受损害的光致抗蚀剂图案。
附图说明
本发明的上述和其它特征和优点通过在其详细的示例性实施方案中参考附图描述而将变得更加明显，在附图中：
图1是说明光致酸生成剂在由常规的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜中的分布的横截面图；
图2、3、4和5是说明根据本发明的一个示例性实施方案的形成图案的方法的横截面图；
图6是显示由制备实施例1的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂图案的扫描电子显微镜(SEM)照片；和
图7是显示由比较例的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂图案的SEM照片。
具体实施方式
以下将参考附图更充分地描述本发明，在附图中显示了本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以以多种不同的形式具体化，并且不应当被解释为限于在此阐述的示例性实施方案。相反地，提供这些实施方案使得本公开是全面而完整的，并且有助于将本发明的范围传达给本领域技术人员。在所述图中，为清楚起见，可以放大层和区域的尺寸和相对尺寸。
应当理解在提及一个元件或层在另一个元件或层“上面”、“与其连接”或“与其结合”时，它可以直接或间接在该另一个元件或层上面、与其连接或与其结合(其中可能存在插入的元件或层)。相反，当提及一个元件直接在另一个元件或层的上面、与其连接或与其结合时，则不存在插入的元件或层。相同的参考标记全部是指相同的元件。如在此使用，术语“和/或”包括一个或多个相关的列举项目中的任何一个和全部组合。
应当理解尽管可以在此使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分应当不受这些术语的限制。这些术语只用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分相区别。因此，在不偏离本发明的教导的情况下，下面论述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为容易描述，可以在此使用在空间上相对的术语，如“在......下方”、“在......下面”、“下面”、“在......上面”、“上面”等描述如在附图中说明的一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系。应当理解除在附图中所述的取向以外，在空间上相对的术语意在还包括在使用或操作中的器件的不同取向。例如，如果将在附图中的器件翻转，那么被描述为在其它元件或特征的下面或下方的元件应当在其它元件或特征上面取向的。因此，实例术语“在....下面”可以包括上面和下面的取向。所述器件可以是另外取向的(例如，旋转90°或在其它的取向)，并且相应地，在此使用的空间上相对的描述符是说明性的。
在此使用的技术用语只是为了描述具体的实施方案，并且不意在限制本发明。如在此使用，单数形式“一个”、“一种”和“所述的”意在还包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。应当进一步理解在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表示所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或增加。
在此参考横截面图示描述本发明的示例性实施方案，所述图示是本发明的理想实施方案(和中间结构)的示意性图示。如此，例如由制造技术和/或公差引起的相应地来自图示的形状的变化将是预期的。因此，本发明的示例性实施方案不应当被解释为限于在此说明的区域的具体形状，而应当包括例如由制造导致的形状的偏差。例如，图示为矩形的注入区可以在其边缘具有变圆或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区至非注入区的二元变化。同样，通过注入形成的埋区可能导致在埋区和通过其进行注入的表面之间的区域的一些注入。因此，在附图中说明的区域实质上是示意性的，并且它们的形状不意在说明器件的区域的实际形状，并且不意在限制本发明的范围。
除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。还应当理解：术语，如在通常所用的字典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过分形式化的意义解释，除非在此这样清楚地限定。
光致酸生成剂
根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂具有亲水特性。所述光致酸生成剂包含锍盐阳离子基团和具有亲水部位的锍盐阴离子基团。例如，锍盐阳离子基团可以由下式1、2、3和4表示。
<化学式1>
Figure S2008100038624D00091
<化学式2>
Figure S2008100038624D00101
<化学式3>
<化学式4>
在化学式3中，R1表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式1表示的锍盐阳离子基团的一个实例是一苯基锍。在化学式4中，R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式4表示的锍盐阳离子基团的一个实例是三苯基锍。
锍盐阴离子基团可以由下列化学式5表示。
<化学式5>
Figure S2008100038624D00104
在化学式5中，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环状基团、含1至10个碳原子的烷基、含4至10个碳原子的环烷基、金刚烷基、含有氧原子的环庚基等。例如，当化学式5的X为金刚烷基时，锍盐阴离子基团可以由下列化学式5-1表示。在化学式5-1中，n表示1至3的自然数。
<化学式5-1>
Figure S2008100038624D00111
作为另一个实例，当化学式5的X为含有氧原子的环庚基时，锍盐阴离子基团可以由下列化学式5-2表示。在化学式5-2中，n表示1至3的自然数。特别是，含有氧原子的环庚基的实例可以包括4，7，7-三甲基-21氧杂双环[2.2.1]庚烷。
<化学式5-2>
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-1表示的锍盐阴离子基团和由化学式1表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式1-1表示。在化学式1-1中，n表示1至3的自然数，并且可以优选为1。
<化学式1-1>
Figure S2008100038624D00121
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-2表示的锍盐阴离子基团和由化学式1表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式1-2表示。在化学式1-2中，n表示1至3的自然数，例如1。
<化学式1-2>
Figure S2008100038624D00122
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-1表示的锍盐阴离子基团和由化学式2表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式2-1表示。在化学式2-1中，n表示1至3的自然数，例如1。
<化学式2-1>
Figure S2008100038624D00123
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-2表示的锍盐阴离子基团和由化学式2表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式2-2表示。在化学式2-2中，n表示1至3的自然数，例如1。
<化学式2-2>
Figure S2008100038624D00131
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-1表示的锍盐阴离子基团和由化学式3表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式3-1表示。在化学式3-1中，n表示1至3的自然数，并且R1表示含1至3个碳原子的烷基。n可以表示1，并且R1可以表示甲基。
<化学式3-1>
Figure S2008100038624D00132
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-2表示的锍盐阴离子基团和由化学式3表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式3-2表示。在化学式3-2中，n表示1至3的自然数，并且R1表示含1至3个碳原子的烷基。n可以表示1。
<化学式3-2>
Figure S2008100038624D00133
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-1表示的锍盐阴离子基团和由化学式4表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式4-1表示。在化学式4-1中，n表示1至3的自然数，并且R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。n可以表示1。
<化学式4-1>
当根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂包含由化学式5-2表示的锍盐阴离子基团和由化学式4表示的锍盐阳离子基团时，光致酸生成剂可以由下列化学式4-2表示。在化学式4-2中，n表示1至3的自然数，并且R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。n可以表示1。
<化学式4-2>
可以由化学式1-1至4-2表示的光致酸生成剂可以与光反应，以生成由下列化学式6表示的磺酸。
<化学式6>
Figure S2008100038624D00143
在化学式6中，n表示1至3的自然数，并且X可以表示含4至10个碳原子的环状基团、金刚烷基、含有氧原子的环庚基等。
例如，当化学式6的X表示金刚烷基时，磺酸可以由下列化学式6-1表示。在化学式6-1中，n表示1至3。
<化学式6-1>
Figure S2008100038624D00151
例如，当化学式6的X表示含有氧原子的环庚基时，磺酸可以由下列化学式6-2表示。在化学式6-2中，n表示1至3。含有氧原子的环庚基的一个实例是4，7，7-三甲基-2-氧杂双环[2.2.1]庚烷。
<化学式6-2>
Figure S2008100038624D00152
所述光致酸生成剂含有具有疏水特性的氟。然而，氟的含量小，并且光致酸生成剂还含有具有亲水特性的羧基，使得光致酸生成剂具有亲水特性。特别是，根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂含有降低的氟含量和增加的羧基含量。因此，该光致酸生成剂具有亲水特性。具有亲水特性的光致酸生成剂可以均匀地分布在具有亲水特性的树脂中。
与包含三苯基锍盐阳离子基团的光致酸生成剂相比，包含一苯基锍盐阳离子基团的光致酸生成剂可以具有高的透射率。因此，包含一苯基锍盐阳离子基团的光致酸生成剂可以防止和/或减少光致抗蚀剂图案的外形的变形。而且，包含其中硫原子取代脂环的碳原子的一苯基锍盐阳离子基团的光致酸生成剂可以具有较高的酸生成比率。
包含光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物
将根据本发明的示例性实施方案的光致抗蚀剂组合物涂布在目标层上，以形成光致抗蚀剂图案。该光致抗蚀剂组合物包含与酸反应的树脂、溶剂以及能够与光反应以生成所述酸的亲水性光致酸生成剂。
在光致抗蚀剂组合物中的树脂在酸的存在下分解，使得在显影溶液中，树脂的溶解度增加。该树脂的主链和/或支链具有可以被酸分解的酸分解基团(以下称作保护基团)。
保护基团通过与酸的反应从树脂的主链上分离，并且羧基或羟基的氢原子被取代。保护基团可以具有内酯结构、金刚烷基结构、环状结构等。
在一些实施方案中，在光致抗蚀剂组合物中的树脂包含具有保护基团的甲基丙烯酸酯重复单元。例如，该树脂可以包含具有含内酯结构的保护基团的甲基丙烯酸酯重复单元、具有含金刚烷基结构的保护基团的甲基丙烯酸酯重复单元等。
例如，具有含内酯结构的保护基团的甲基丙烯酸酯重复单元可以由下列化学式表示。在化学式中，Rx表示氢原子或甲基。
Figure S2008100038624D00161
例如，具有含金刚烷基结构的保护基团的甲基丙烯酸酯重复单元可以由下列化学式V表示。
<化学式V>
Figure S2008100038624D00172
在化学式V中，R2c、R3c和R4c独立地表示氢原子或羟基。
在光致抗蚀剂组合物中的树脂可以包含具有第一金刚烷基结构的保护基团的第一甲基丙烯酸酯重复单元、具有内酯结构的保护基团的第二甲基丙烯酸酯重复单元以及具有第二金刚烷基结构的保护基团的第三甲基丙烯酸酯重复单元。第一金刚烷基结构的保护基团具有比第二金刚烷基结构的保护基团的分子量更大的分子量。
当基于光致抗蚀剂组合物的总重量，在光致抗蚀剂组合物中的树脂的含量小于4重量％时，用于蚀刻目标层的光致抗蚀剂图案没有很好地形成。当在光致抗蚀剂组合物中的树脂的含量大于10重量％时，光致抗蚀剂图案可能不具有均匀的厚度。
在光致抗蚀剂组合物的光致酸生成剂与光反应，以生成由下列化学式6表示的磺酸。该光致酸生成剂包含由下列化学式1、2、3和4中的一个表示的锍盐阳离子基团，并且包含具有亲水部位且由下列化学式5表示的锍盐阴离子基团。因此，该光致酸生成剂具有亲水特性。
<化学式1>
Figure S2008100038624D00181
<化学式2>
Figure S2008100038624D00182
<化学式3>
Figure S2008100038624D00183
<化学式4>
Figure S2008100038624D00184
<化学式5>
Figure S2008100038624D00185
<化学式6>
Figure S2008100038624D00191
在化学式3中，R1表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式3表示的锍盐阴离子基团的一个实例是一苯基锍。在化学式4中，R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式4表示的锍盐阳离子基团的一个实例是三苯基锍。
在化学式5中，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环状基团、含1至10个碳原子的烷基、含4至10个碳原子的环烷基、金刚烷基、含有氧原子的环庚基等。在示例性实施方案中，X表示金刚烷基或含有氧原子的环庚基。根据本发明的示例性实施方案的光致酸生成剂可以包含由化学式5表示的锍盐阴离子基团。例如，光致酸生成剂可以由上述化学式1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、4-2等表示。该光致酸生成剂可以与光反应，以生成由化学式6表示的酸。
该光致酸生成剂具有亲水特性。因此，该光致酸生成剂可以容易地与在光致抗蚀剂组合物中的树脂混合。所述光致酸生成剂可以均匀地分布于由光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜中。所述光致酸生成剂在上面得到充分说明。因此，将省略在这些方面的任何进一步的说明。
当基于光致抗蚀剂组合物的总重量，光致酸生成剂的含量小于约0.1重量％时，在曝光处理中生成的酸的量不足。将保护基团从树脂中分离的能力可能降低。当光致酸生成剂的含量大于约0.5重量％时，在曝光处理中生成的酸的量过量。因此，光致抗蚀剂图案的顶部损耗可能增加。因此，光致抗蚀剂组合物可以包含约0.1％至约0.5重量％的光致酸生成剂，例如约0.15％至约0.4重量％的光致酸生成剂。
溶剂的实例包括乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇甲醚、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、二甘醇单甲醚、二甘醇单乙醚、丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇丙醚乙酸酯、二甘醇二甲醚、乳酸乙酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、环己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮等。这些可以单独或以其组合的形式使用。可以根据光致抗蚀剂组合物的组分改变溶剂。因此，溶剂的实例不受限制。
所述光致抗蚀剂组合物还可以包含添加剂以提高某些特性。添加剂的实例包括有机碱、表面活性剂等。有机碱可以防止和/或降低在在将光致抗蚀剂图案曝光之后的气氛中的碱性化合物例如胺的效果。而且，有机碱可以控制光致抗蚀剂图案的形状。有机碱的实例包括三甲胺、三异丁胺、三异辛胺、三异癸胺、二乙醇胺、三乙醇胺等。表面活性剂可以提高光致抗蚀剂组合物的涂布能力，并且可以防止条纹出现在由光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜的表面上。表面活性剂的实例包括Surfion SC-103和SR-100(由日本的旭(Asahi)玻璃有限公司生产)、EF-361(由日本的TohokuHiryo有限公司生产)和Fluorad Fc-431、Fc-135、Fc-98、Fc-430和Fc-176(由日本的住友3M有限公司生产)等。所述添加剂可以单独或以其组合的形式使用。
光致酸生成剂具有亲水特性，使得该光致酸生成剂可以均匀地分布于具有亲水特性的树脂中。因此，包含光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。包含含-苯基的光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物具有较高的透射率，以防止和/或减少光致抗蚀剂图案的外形变形。
形成图案的方法
图2、3、4和5是说明根据本发明的示例性实施方案形成图案的方法的横截面图。
参考图2，准备用于蚀刻的物件。该物件的一个实例是半导体衬底100和在半导体衬底100上形成的薄膜层102。之后，将以一个实例的形式说明蚀刻薄膜层102。可以用于薄膜层102的材料的实例包括氮化硅、多晶硅、氧化硅等。
在清洗薄膜层102以除去残留在薄膜层102表面上的杂质之后，将光致抗蚀剂组合物涂布在薄膜层102上，以形成光致抗蚀剂膜104。该光致抗蚀剂组合物包含甲基丙烯酸酯树脂、具有亲水部位的光致酸生成剂和有机溶剂。
光致抗蚀剂组合物的光致酸生成剂与光反应以生成由下列化学式6表示的磺酸。该光致酸生成剂包含由下列化学式1、2、3和4中的一个表示的锍盐阳离子基团，并且包含具有亲水部位且由下列化学式5表示的锍盐阴离子基团。因此，该光致酸生成剂具有亲水特性。
<化学式1>
Figure S2008100038624D00211
<化学式2>
Figure S2008100038624D00212
<化学式3>
<化学式4>
Figure S2008100038624D00214
<化学式5>
<化学式6>
在化学式3中，R1表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式3表示的锍盐阳离子基团的一个实例是一苯基锍。在化学式4中，R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基。由化学式4表示的锍盐阳离子基团的一个实例是三苯基锍。
在化学式5中，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环状基团、含1至10个碳原子的烷基、含4至10个碳原子的环烷基、金刚烷基、含有氧原子的环庚基等。
例如，光致酸生成剂的实例可以由上述化学式1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、4-2等表示。该光致酸生成剂可以与光反应，以生成由化学式6表示的酸。所述光致酸生成剂在上面得到充分说明。因此，将省略在这些方面的任何进一步的说明。
进行第一烘焙处理以加热具有光致抗蚀剂膜104的衬底100。第一烘焙处理可以在约90℃至约120℃的温度下进行。因此，可以提高光致抗蚀剂膜104与薄膜层102的粘附性。
参考图3，将光致抗蚀剂膜104选择性曝光。例如，将具有电路图案的掩模设置在曝光装置的掩模台上。将掩模在光致抗蚀剂膜104上对准。之后，将掩模110曝光预定的时间，使得在衬底100上形成的光致抗蚀剂膜104的预定区域与通过掩模110的光选择性反应。
可以用于曝光处理的光的实例包括波长约为193nm的氟化氩(ArF)激光、波长约为248nm的氟化氪(KrF)激光、氟(F2)激光、汞-氙(Hg-Xe)激光等。与光致抗蚀剂膜的未曝光部分104a相比，光致抗蚀剂膜的曝光部分104b具有较高的亲水特性。因此，光致抗蚀剂膜的曝光部分104b的溶解度与光致抗蚀剂膜的未曝光部分104a的溶解度不同。
之后，在衬底100上进行第二烘焙处理。第二烘焙处理可以在约90℃至约150℃的温度下进行。于是，可以将光致抗蚀剂膜的曝光部分104b容易地溶解于显影溶液中。
参考图4，使显影溶液与光致抗蚀剂膜的曝光部分104b接触以溶解光致抗蚀剂膜的曝光部分104b，使得可以除去光致抗蚀剂膜的曝光部分104b。因此，可以形成光致抗蚀剂图案106。例如，氢氧化四甲铵(TMAH)可以用作显影溶液，以除去光致抗蚀剂膜的曝光部分104b。光致抗蚀剂膜的曝光部分104b和光致抗蚀剂膜的未曝光部分104a具有不同的亲水特性，以通过显影溶液选择性除去光致抗蚀剂膜的曝光部分104b。之后，进行清洗处理、干燥处理等，以形成光致抗蚀剂图案106。
因为光致酸生成剂分布于光致抗蚀剂膜104中以致减小(例如，最小化)酸的扩散路径，所以光致抗蚀剂图案106可以具有均匀的外形。而且，光致抗蚀剂图案可以具有需要的直径或需要的距离。
参考图5，使用光致抗蚀剂图案106作为蚀刻掩模，蚀刻通过光致抗蚀剂图案106曝光的薄膜层。因此，可以形成具有需要的尺寸和均匀的外形的薄膜图案108。
之后，参考光致酸生成剂的合成实施例、包含该光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物的制备实施例和评价，更充分描述本发明的实施方案。然而，应当理解：本发明应当不限于这些实施例，但是本领域技术人员可以在本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。
合成实施例1
使4-溴-4，4-二氟丁醇与金刚烷碳酰氯以约1∶1的摩尔比反应。该反应在氮气气氛下、在约0℃的乙醚中进行。将反应混合物温热至室温，然后搅拌约6小时。使用磺酸将得到的产物磺化，以制备由下列化学式A表示的第一磺酸。在化学式A中，n表示1。
<化学式A>
Figure S2008100038624D00231
合成实施例2
使4-溴-4，4-二氟丁醇与4，7，7-三甲基-3-氧代-2-氧杂-双环[2.2.1]庚烷-1-碳酰氯以约1∶1的摩尔比反应。反应条件与合成实施例1的反应条件基本上相同。使用磺酸将得到的产物磺化，以制备由下列化学式B表示的第二磺酸。在化学式B中，n表示1。
<化学式B>
Figure S2008100038624D00241
实施例1
使合成实施例1的第一磺酸与第一氯化一苯基锍反应以制备由下列化学式1-1表示的光致酸生成剂。在化学式1-1中，n表示1。具体地，使氯化萘基羰乙基四亚甲基锍与由化学式A表示的第一磺酸以约1∶1的摩尔比反应。该反应在氮气气氛下、在约0℃的乙醚中进行。将反应混合物温热至室温，然后搅拌约6小时。
<化学式1-1>
Figure S2008100038624D00242
使用1H-NMR(核磁共振)、质谱和红外(IR)光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于四甲基硅烷的下列化学位移：8.29ppm(在萘环中的C-H)、7.74ppm(C-H在萘环中)、4.07ppm(CH2CH2CH2O)、2.56ppm(COCH2S)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、2.17ppm(CF2CH2CH2CH2OCO)、1.6ppm(在金刚烷中的CH2CH)和1.2ppm(在金刚烷中的CH2CHCH2)。质谱显示了一苯基锍阳离子在257.10的峰和磺酸根阴离子在351.78的峰。IR光谱显示了在1725(C＝O，酯)的峰。
实施例2
使合成实施例2的第二磺酸与第一氯化一苯基锍在与实施例1的条件基本上相同的条件下反应，以制备由下列化学式1-2表示的光致酸生成剂。在化学式1-2中，n表示1。
<化学式1-2>
Figure S2008100038624D00251
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于四甲基硅烷的下列化学位移：8.29ppm(在萘环中的C-H)、7.74ppm(在萘环中的C-H)、4.07ppm(CH2CH2CH2O)、2.56ppm(COCH2S)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、2.17ppm(CF2CH2CH2CH2OCO)、1.95ppm(在双环酯中的CH2)和1.1ppm(CH3)。质谱显示了一苯基锍阳离子在257.10的峰和磺酸根阴离子在383.10的峰。IR光谱显示了在1784(C＝O，酯)的峰。
实施例3
使合成实施例1的第一磺酸与第二氯化一苯基锍反应，以制备由下列化学式2-1表示的光致酸生成剂。在化学式2-1中，n表示1。具体地，使氯化苯基羰乙基四亚甲基锍与由化学式A表示的第一磺酸以约1∶1的摩尔比反应。该反应在氮气气氛下、在约0℃的乙醚中进行。将反应混合物温热至室温，然后搅拌约6小时。
<化学式2-1>
Figure S2008100038624D00252
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.57ppm(m，在苯环中的C-H)、4.33ppm(t，CF2CH2CH2CH2O)、2.75ppm(m，CH2CH2CH2OCO)、2.56ppm(s，COCH2S)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、1.79ppm(在金刚烷中的CH2CH)和1.18ppm(s，在金刚烷中的CH2CHCH2)。质谱显示了一苯基锍阳离子在195.57的峰和磺酸根阴离子在351.78的峰。IR光谱显示了在1725(C＝O，酯)的峰。
实施例4
使合成实施例2的第二磺酸与第二氯化一苯基锍在与实施例3的条件基本上相同的条件下反应，以制备由下列化学式2-2表示的光致酸生成剂。在化学式2-2中，n表示1。
<化学式2-2>
Figure S2008100038624D00261
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.57ppm(m，在苯环中的C-H)、4.33ppm(t，CF2CH2CH2CH2O)、2.75ppm(m，CH2CH2CH2OCO)、2.56ppm(s，COCH2S)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、1.9ppm(在双环酯中的CH2)和1.1ppm(CH3)。质谱显示了一苯基锍阳离子在195.57的峰和磺酸根阴离子在383.10的峰。IR光谱显示了在1784(C＝O，酯)的峰。
实施例5
使合成实施例1的第一磺酸与第三氯化一苯基锍反应以制备由下列化学式3-1表示的光致酸生成剂。在化学式3-1中，R1表示甲基，并且n表示1。具体地，使氯化对甲苯基四亚甲基锍与由化学式A表示的第一磺酸以约1∶1的摩尔比反应。该反应在氮气气氛下、在约0℃的乙醚中进行。将反应混合物温热至室温，然后搅拌约6小时。
<化学式3-1>
Figure S2008100038624D00271
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.1ppm(在苯环中的C-H)、4.33ppm(CF2CH2CH2CH2O)、2.75ppm(CH2CH2CH2OCO)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、1.79ppm(在金刚烷中的CH2CH)和1.18ppm(在金刚烷中的CH2CHCH2)。质谱显示了一苯基锍阳离子在179.09的峰和磺酸根阴离子在351.78的峰。IR光谱显示了在1725(C＝O，酯)的峰。
实施例6
使合成实施例2的第二磺酸与第三氯化一苯基锍在与实施例5的条件基本上相同的条件下反应以制备由下列化学式3-2表示的光致酸生成剂。在化学式3-2中，R1表示甲基，并且n表示1。
<化学式3-2>
Figure S2008100038624D00272
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.1ppm(在苯环中的C-H)、4.33ppm(CF2CH2CH2CH2O)、2.75ppm(CH2CH2CH2OCO)、2.30ppm(SCH2CH2CH2CH2)、1.9ppm(在双环酯中的CH2)和1.1ppm(CH3)。质谱显示了一苯基锍阳离子在179.05的峰和磺酸根阴离子在383.17的峰。IR光谱显示了在1784(C＝O，酯)的峰。
实施例7
使合成实施例1的第一磺酸与氯化三苯基锍反应以制备由下列化学式4-1表示的光致酸生成剂。在化学式4-1中，R2、R3和R4每一个表示氢原子，并且n表示1。具体地，使氯化三苯基锍与由化学式A表示的第一磺酸以约1∶1的摩尔比反应。该反应在氮气气氛下、在约0℃的乙醚中进行。将反应混合物温热至室温，然后搅拌约6小时。
<化学式4-1>
Figure S2008100038624D00281
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.57ppm(在苯环中的C-H)、4.33ppm(CF2CH2CH2CH2O)、2.75ppm(CH2CH2CH2OCO)、1.79ppm(在金刚烷中的CH2CH)和1.18ppm(在金刚烷中的CH2CHCH2)。质谱显示了三苯基锍阳离子在263.31的峰和磺酸根阴离子在351.75的峰。IR光谱显示了在1725(C＝O，酯)的峰。
实施例8
使合成实施例2的第二磺酸与氯化三苯基锍在与实施例7的条件基本上相同的条件下反应以制备由下列化学式4-2表示的光致酸生成剂。在化学式4-2中，R2、R3和R4每一个表示甲基，并且n表示1。
<化学式4-2>
Figure S2008100038624D00291
使用1H-NMR、质谱和IR光谱确认光致酸生成剂的化学结构。1H-NMR光谱显示了相对于CDCl3的下列化学位移：7.73ppm(在苯环中的C-H)、4.52ppm(CF2CH2CH2CH2O)、2.82ppm(CH2CH2CH2OCO)、1.9ppm(在双环酯中的CH2)和1.1ppm(CH3)。质谱显示了三苯基锍阳离子在263.38的峰和磺酸根阴离子在383.05的峰。IR光谱显示了在1780(C＝O，酯)的峰。
制备实施例1
在屏蔽了远紫外线的实验室中，将约2重量份的合成实施例1的光致酸生成剂溶解于约111重量份的甲基丙烯酸酯树脂和约887重量份的丙二醇单甲醚乙酸酯中。之后，通过约0.2μm的膜过滤器过滤混合物，以制备光致抗蚀剂组合物。
比较例
通过与制备实施例1相同的方法制备光致抗蚀剂组合物，不同之处在于使用由化学式6表示的光致酸生成剂代替合成实施例1的光致酸生成剂。在化学式6中，每一个R是甲基。
<化学式6>
Figure S2008100038624D00301
光致抗蚀剂膜的评价
将制备实施例1和比较例的每一种光致抗蚀剂组合物涂布在硅衬底上，并且在约100℃的温度下加热约90秒，以形成厚度约为0.4μm的光致抗蚀剂膜。之后，将水滴滴落在该光致抗蚀剂膜上，并且测量水滴和光致抗蚀剂膜之间的接触角，以评价光致酸生成剂在光致抗蚀剂膜中的分布。当测量水滴和光致抗蚀剂膜之间的接触角时，可以间接知道光致酸生成剂在光致抗蚀剂膜中的分布。获得的结果示于下表1中。
表1
    制备实施例1     比较例
    接触角(°)     68     75
参考表1，在由制备实施例1的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜上测量的接触角小于70°。然而，在由比较例的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂膜上测量的接触角是约75°。
因此，可以注意到在光致抗蚀剂膜上的水滴的接触角根据光致酸生成剂可以是不同的。当光致酸生成剂的亲水特性增加时，光致酸生成剂可以分布于光致抗蚀剂膜的上部中，使得在光致抗蚀剂膜上的水滴的接触角增加。因此，在光致抗蚀剂膜中的光致酸生成剂可以由制备实施例1的光致抗蚀剂组合物更加均匀地形成。
光致抗蚀剂图案的评价
将制备实施例1和比较例的每一种光致抗蚀剂组合物涂布在硅衬底上，并且在约100℃的温度下加热约90秒，以形成厚度约为0.4μm的光致抗蚀剂膜。之后，使用掩模，将光致抗蚀剂膜选择性暴露于Hg-Xe激光中，然后在约110℃的温度下加热约90秒。之后，使用包含约2.38重量％氢氧化四甲铵(TMAH)的显影溶液，除去光致抗蚀剂膜的曝光部分。之后，进行除去任何残留的显影溶液的清洗处理和干燥处理，以形成光致抗蚀剂图案。通过电子显微镜观察光致抗蚀剂图案，以获得示于图6和7中的扫描电子显微镜(SEM)照片。掩模具有预定的图案，使得光致抗蚀剂图案与相邻的光致抗蚀剂图案在y坐标方向上隔开约100nm。
图6是显示由制备实施例1的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂图案的SEM照片。
参考图6，由制备实施例1的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂图案与相邻的光致抗蚀剂图案在y坐标方向上隔开约95nm至约100nm。因此，可以注意到提高了纵向长度与横向长度的比率。而且，可以注意到光致抗蚀剂图案具有其上部没有受到损害或不为圆形的适宜外形。
图7是显示由比较例的光致抗蚀剂组合物形成的光致抗蚀剂图案的SEM照片。
参考图7，预期的是该光致抗蚀剂图案与相邻的光致抗蚀剂图案在y坐标方向上隔开约100nm。然而，在光致抗蚀剂图案和相邻的光致抗蚀剂图案之间的实际距离是约87nm。因此，可以注意到没有提高纵向长度与横向长度的比率。
根据上述，光致酸生成剂具有与光致抗蚀剂组合物的树脂类似的亲水特性，使得该光致酸生成剂可以容易地与树脂混合。因此，光致酸生成剂可以均匀地分布于光致抗蚀剂膜中。因此，在光致抗蚀剂膜中由光致酸生成剂生成的酸移动至树脂的保护基团的扩散长度短，使得光致抗蚀剂图案可以具有均匀的外形。
而且，包含光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物可以提高以密集图案形式形成的相同图案的临界线宽极限，并且可以形成其上部没有受到损害的光致抗蚀剂图案。而且，包含光致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物可以形成具有高透射率的光致抗蚀剂膜，使得可以形成具有均匀外形的光致抗蚀剂图案。
上述是本发明的说明，而不被解释为限制本发明。尽管描述了本发明的几个示例性实施方案，但是本领域技术人员应当容易理解在本质上不偏离本发明的新教导和优点的情况下，在示例性实施方案中许多修改是可能的。因此，所有这些修改意在包含于如权利要求中所限定的本发明的范围内。因此，应当理解上述是本发明的说明，而不被解释为限于公开的具体实施方案，并且公开的实施方案以及其它实施方案的修改意在包含于后附权利要求的范围内。本发明受到后附权利要求的限定，其中权利要求的等价物包括在其中。

Claims (17)

1.一种光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有选自由下列化学式1、2、3和4表示的基团的锍盐阳离子基团和由下列化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团，其中R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环烷基和含有氧原子的环庚基中的一个，
<化学式1>
Figure FSB00000616625300011
<化学式2>
Figure FSB00000616625300012
<化学式3>
Figure FSB00000616625300013
<化学式4>
<化学式5>
Figure FSB00000616625300021
2.权利要求1的光致酸生成剂，其中所述含4至10个碳原子的环烷基是金刚烷基。
3.权利要求1所述的光致酸生成剂，其中所述光致酸生成剂能够与光反应以形成由下列化学式6-1或化学式6-2表示的磺酸，其中n表示1至3的自然数，
<化学式6-1>
Figure FSB00000616625300022
<化学式6-2>
Figure FSB00000616625300023
4.权利要求1所述的光致酸生成剂，其中所述光致酸生成剂由下列化学式1-1或化学式1-2表示，其中n表示1至3的自然数，
<化学式1-1>
Figure FSB00000616625300024
<化学式1-2>
Figure FSB00000616625300031
5.权利要求1所述的光致酸生成剂，其中所述光致酸生成剂由下列化学式2-1或化学式2-2表示，其中n表示1至3的自然数，
<化学式2-1>
Figure FSB00000616625300032
<化学式2-2>
Figure FSB00000616625300033
6.权利要求1所述的光致酸生成剂，其中所述光致酸生成剂由下列化学式3-1或化学式3-2表示，其中n表示1至3的自然数，并且R1表示氢原子或含1至3个碳原子的烷基，
<化学式3-1>
Figure FSB00000616625300034
<化学式3-2>
Figure FSB00000616625300041
7.权利要求1所述的光致酸生成剂，其中所述光致酸生成剂由下列化学式4-1或化学式4-2表示，其中n表示1至3的自然数，并且R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基，
<化学式4-1>
Figure FSB00000616625300042
<化学式4-2>
Figure FSB00000616625300043
8.一种光致抗蚀剂组合物，其包含：
4％至10重量％的光致抗蚀剂树脂；
0.1％至0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有选自由下列化学式1、2、3和4表示的基团的锍盐阳离子基团和由下列化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团，其中R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环烷基和含有氧原子的环庚基中的一个；和
余量的溶剂
<化学式1>
Figure FSB00000616625300051
<化学式2>
Figure FSB00000616625300052
<化学式3>
Figure FSB00000616625300053
<化学式4>
Figure FSB00000616625300061
<化学式5>
Figure FSB00000616625300062
9.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述含4-10个碳原子的环烷基基团是金刚烷基。
10.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致酸生成剂能够与光反应以形成由下列化学式6表示的磺酸，其中n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环烷基和含有氧原子的环庚基中的一个，
<化学式6>
Figure FSB00000616625300063
11.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述含4-10个碳原子的环烷基是金刚烷基。
12.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致酸生成剂由下列化学式1-1或化学式1-2表示，其中n表示1至3的自然数，
<化学式1-1>
Figure FSB00000616625300071
<化学式1-2>
13.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致酸生成剂由下列化学式2-1或化学式2-2表示，其中n表示1至3的自然数，
<化学式2-1>
Figure FSB00000616625300073
<化学式2-2>
Figure FSB00000616625300074
14.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光致酸生成剂由下列化学式3-1或化学式3-2表示，其中n表示1至3的自然数，并且R1表示氢原子或含1至3个碳原子的烷基，
<化学式3-1>
Figure FSB00000616625300081
<化学式3-2>
15.权利要求8所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂包含具有内酯基的甲基丙烯酸酯重复单元和具有金刚烷基的甲基丙烯酸酯重复单元。
16.一种形成图案的方法，所述方法包括：
将光致抗蚀剂组合物涂布在目标层上以形成光致抗蚀剂膜，所述光致抗蚀剂组合物包含：4％至10重量％的光致抗蚀剂树脂；0.1％至0.5重量％的光致酸生成剂，所述光致酸生成剂具有选自由下列化学式1、2、3和4表示的基团的锍盐阳离子基团和由下列化学式5表示且含有羧基作为亲水部位的锍盐阴离子基团，其中R1、R2、R3和R4独立地表示氢原子或含1至5个碳原子的烷基，n表示1至3的自然数，并且X表示选自含4至10个碳原子的环烷基和含有氧原子的环庚基中的一个；和余量的溶剂，
<化学式1>
Figure FSB00000616625300083
<化学式2>
Figure FSB00000616625300084
<化学式3>
Figure FSB00000616625300091
<化学式4>
Figure FSB00000616625300092
<化学式5>
Figure FSB00000616625300093
将所述光致抗蚀剂膜曝光；
将所述光致抗蚀剂膜显影以形成光致抗蚀剂图案；和
通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述目标层的曝光部分以形成目标层图案。
17.权利要求16的形成图案的方法，其中所述含4-10个碳原子的环烷基是金刚烷基。
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