CN101187767A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板包括：形成在基板上的栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管(TFT)；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与TFT相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，其中，TFT和存储电极线位于第一和第二子电极之间。

Description

显示面板
有关申请的交叉引用
本申请要求2006年11月23日递交的韩国专利申请No.10-2006-0116271的优先权和权益，将其整体内容一并在此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示面板，更具体地，涉及一种液晶显示器(LCD)的显示面板。
背景技术
作为常用平板显示器之一的液晶显示器(LCD)设备包括其上形成有例如像素电极和公共电极的场产生电极的两个显示面板、以及置于两者之间的液晶层。在LCD设备中，向场产生电极施加电压，以在液晶层中产生电场，从而确定液晶层的液晶分子的排列，并控制入射光的偏振，从而可以显示图像。
为了加宽视角，使液晶分子排列为与上下基板垂直，并且在像素电极和相对电极上形成剪切图案，并且在另一方法中，将电极分为多个子电极。
此外，可使栅极线形成为靠近像素电极的上边界区域或下边界区域，以便增加孔径比。
发明内容
剪切图案的形成使孔径比减小了与剪切图案相对应的部分，而由于存在用于连接子电极的连接部件，所以子电极的形成同样减小了孔径比。
由于电场的相反方向和不同幅度，液晶分子也许未充分对齐，所以在相邻像素电极的边界区域也许会出现光泄漏。
由于形成阻光部件以避免光泄漏，所以会减小孔径比。
在将栅极线形成为靠近像素电极的下边界时，回扫电压根据扫描方向(例如向前和向后)而改变，这引起了闪烁效应。
也即，当通过向前扫描而将信号输入第N根栅极线之后将信号输入第N+1根栅极线时，输入第N个像素电极的电压并不影响第N+1根栅极线的信号，因为在第N个像素电极和第N+1根栅极线之间的距离足够远。
然而，当通过向后扫描而将信号输入第N根栅极线之后将信号输入第N-1根栅极线时，输入第N个像素电极的电压影响第N-1根栅极线的信号，因为第N个像素电极和第N-1根栅极线之间的距离靠近，而这引起了回扫电压。
本发明的实施例提供了一种液晶显示器(LCD)，可避免光泄漏、最小化孔径比的减小、避免由回扫电压引起的闪烁效应、并在LCD内提供高亮度。
根据本发明示范性实施例的一种显示面板包括：形成在基板上的栅极线；形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管(TFT)；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与TFT相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，其中，TFT和存储电极线位于第一和第二子电极之间。
该显示面板还包括：与基板相对的相对基板；形成在相对基板上的滤色器；以及形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。
存储电极线可位于第一和第二子电极之间。
TFT可包括：与栅极线相连的栅电极；与栅电极绝缘且与栅电极重叠的半导体；与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及与半导体重叠并与源电极相对的漏电极。
可通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。
显示面板还可包括连接第一和第二子电极的连接部件。
该连接部件可包括与漏电极电连接的突出。
TFT分别包括：半导体，形成在基板上，并包括沟道区以及漏极和源极区；栅电极，与沟道区绝缘并与沟道区重叠；源电极，与源极区电连接；以及漏电极，与漏极区电连接。
该半导体可包括多晶硅。
该存储电极线可包括扩展部分，并且该半导体还可包括与扩展部分重叠的存储电容器区。
可通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。
该显示面板还可包括连接第一和第二子电极的连接部件，并且连接部件可包括与漏电极电连接的突出。
该显示面板还可包括形成在基板上并与栅极线平行延伸的辅助电极。
辅助电极的边界线可与相邻像素电极的像素电极的上边界线或下边界线重合。
辅助电极的边界线可位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。
可向辅助电极和公共电极施加相同的电压。
栅极线和辅助电极可由相同的材料制成。
存储电极线位于相邻像素电极之间的边界线上。
存储电极线还可包括向TFT突出的存储电极。
TFT还可包括：栅电极，与栅极线相连；半导体，与栅电极绝缘且与栅电极重叠；源电极，与数据线相连且与半导体重叠；以及漏电极，与半导体重叠且与源电极相对。漏电极可与电容器导体相连，所述存储电容器与存储电极重叠。
存储电极可关于剪切部分上下左右对称地形成。
剪切部分可位于与第一子电极的中心和第二子电极的中心相对应的位置处。
剪切部分可为具有圆角的四边形或圆形。
该显示面板还可包括形成在相对基板上并位于第一和第二子电极之间的阻光部件。
第一和第二子电极可为具有圆角的四边形。
根据本发明示范性实施例的一种显示面板包括：形成在基板上的栅极线；形成在基板上与栅极线平行的存储电极线；与栅极线绝缘且与栅极线交叉的数据线；与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管(TFT)；以及像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与TFT相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧。栅极线形成在第一和第二子电极之间。
存储电极线可位于两个相邻像素电极之间。
该显示面板还可包括：与基板相对的相对基板；形成在相对基板上的滤色器；以及形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。
存储电极线可包括向TFT突出的存储电极。
存储电极可关于剪切部分上下左右对称地形成。
TFT可包括：与栅极线相连的栅电极；与栅电极绝缘且与栅电极重叠的半导体；与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及与半导体重叠且与源电极相对的漏电极。漏电极可与电容器导体重叠，所述电容器导体与存储电极重叠。
像素电极可通过接触孔与电容器导体相连。
接触孔可与剪切部分重叠。
存储电极线的边界线可与相邻像素电极的上边界线或下边界线重合。
存储电极线的边界线可位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。
附图说明
通过参考附图来更加详细地描述本发明的示范性实施例，本发明将变得显而易见，附图中：
图1是根据本发明示范性实施例的液晶显示器(LCD)的布局图。
图2是图1中的LCD沿线II-II的截面图。
图3是根据本发明示范性实施例的LCD的布局图。
图4是图3中的LCD沿线IV-IV的截面图。
图5是根据本发明示范性实施例的LCD的布局图。
图6是图5中的LCD沿线VI-VI的截面图。
图7是根据本发明示范性实施例的LCD的布局图。
图8是图7所示的LCD沿线VIII-VIII的截面图。
具体实施方式
下面参考附图来更完整地描述本发明的示范性实施例。然而，本发明可以多种不同形式实现，并且不应该被理解为局限于这里给出的实施例。
在整个说明书中，类似的附图标记指代类似的元件。应该理解，当将例如层、膜、区域或基板的元件称为在另一元件“之上”时，它可直接位于所述另一元件之上，或者也可存在居间元件。现在参考图1和2来详细描述根据本发明示范性实施例的液晶显示器(LCD)。
图1是根据本发明的一个示范性实施例的液晶显示器(LCD)的布局图，图2是图1中的LCD沿线II-II的截面图。
参考图1和2，根据本发明示范性实施例的LCD包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100、公共电极面板200、以及置于显示面板100和200之间的液晶层3。
首先，描述TFT阵列面板100。
由例如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的阻挡膜111形成在由例如玻璃或塑料制成的绝缘基板110上。阻挡膜111可具有多层结构。
由多晶硅制成的多个半导体岛151形成在阻挡膜111上。半导体岛151包括沿垂直方向延伸的垂直部分和与垂直部分相连且沿水平方向延伸的水平部分。垂直和水平部分的末端部分可具有用于与不同层相连的较大面积。
每个半导体岛151包括彼此分隔开的两个沟道区154a和154b。沟道区154a和154b分别位于半导体岛151的垂直和水平部分处。高浓度非本征区包括分别由沟道区154a和154b分离的源极区153、源极/漏极区159、以及漏极区155。漏极区155的一部分延伸而形成存储电容器区157。
轻度掺杂区152a和152b位于重度掺杂区153、155和159与沟道区154a和154b之间，被称为轻度掺杂漏(LDD)区，并具有比其它区窄的宽度。
轻度掺杂区152c可形成在存储电容器区157和漏极区155之间。当使用与形成重度掺杂区153、155和159以及沟道区154a、154b的掩模不同的独立掩模来形成轻度掺杂区152a和152b时，在存储电容器区157和漏极区155之间并不形成轻度掺杂区152c。
轻度掺杂区152a和152b避免在TFT中产生泄漏电流或产生穿通现象，并且可用不具有杂质的偏移(offset)区来代替。
由例如氮化硅或氧化硅制成的栅极绝缘层140形成在半导体岛151和阻挡膜111上。栅极绝缘层140可具有多层结构。
多根栅极线121和多根存储电极线131形成在栅极绝缘层140上，并大致沿水平方向延伸。
栅极线121传送栅极信号，并包括相对于栅极线121例如沿向上方向突出的多个栅电极124。
栅极线121的一部分与位于半导体岛151的垂直部分的沟道区154a重叠，并且栅电极124与位于半导体岛151的水平部分的沟道区154b重叠。与位于垂直部分的沟道区154a重叠的栅极线121部分被用作TFT的栅电极。
存储电极线131接收预定电压，并包括相对于存储电极线例如沿向下方向突出的存储电极133。存储电极133与存储电容器区157重叠。
栅极线121和存储电极线131可由例如铝(A)或铝合金的铝基金属、例如银(Ag)或银合金的银基金属、例如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、例如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钽(Ta)、或钛(Ti)制成。此外，栅极线121和存储电极线131可具有多层结构，包括分别具有不同物理属性的两个导电层(未示出)。
层间绝缘层160形成在栅极线121、存储电极线131以及栅极绝缘层140上。层间绝缘层160由具有良好平坦化特性和光敏性的有机材料、例如a-Si:C:O或a-Si:O:F的低介电绝缘材料通过离子增强化学气相沉积(PECVD)制成，或由例如氮化硅的无机材料制成。层间绝缘层160可以具有双层结构，包括氮化硅(SiNx)膜和氧化硅(SiO2)膜。暴露源极区153和漏极区155的多个接触孔161和162形成在层间绝缘层160以及栅极绝缘层140中。
与栅极线121交叉的多根数据线171以及与栅极线121重叠的多个漏电极175形成在层间绝缘层160上。
每根数据线171包括通过接触孔161与源极区153连接的源电极173。漏电极175与源电极173分离，并可通过接触孔162与漏极区155相连。漏电极175与存储电极线131的存储电极133重叠。
由具有良好平坦化特性的有机材料制成的钝化层180形成在数据线171、漏电极175以及层间绝缘层160上。钝化层180可由具有光敏性的材料通过光刻来制成。钝化层180可由例如a-Si:C:O和a-Si:O:F之类的低介电绝缘材料通过PECVD制成，或由例如氮化硅的无机材料制成，或者可具有由无机材料制成的下层和由有机材料制成的上层。
钝化层180具有暴露漏电极175的多个接触孔185。
由例如IZO或ITO的透明导电材料或例如铝或银的不透明反射导电材料制成的多个像素电极191形成在钝化层180上。
每个像素电极191包括为具有圆角的四边形并通过连接部件85相连的第一和第二子电极9a和9b。
连接部件85包括连接第一和第二子电极9a和9b的垂直部分以及用于与不同层相连的突出。
所有或基本所有的栅电极124、栅极线121、存储电极133、存储电极线131、漏电极175以及半导体岛151位于第一和第二子电极9a和9b之间。
所述突出经由接触孔185与漏电极175物理且电连接，并从漏电极175接收数据电压，并将数据电压传送到像素电极191。
施加了数据电压的像素电极191与接收公共电压的公共电极面板200的公共电极270一起产生电场，从而确定两者之间的液晶层3的液晶分子的方向。透过液晶层3的光的偏振基于液晶分子的方向而不同。像素电极191和公共电极270形成电容器(称为“液晶电容器”)，以便即使在TFT截止之后也保持所施加的电压。
可附加地形成存储电容器，以便加强液晶电容器的电压维持能力。
在本发明的示范性实施例中，形成存储电容器，以使存储电容器区157和存储电极133与置于两者之间的栅极绝缘层140重叠。从数据线170输入像素电极191的数据电压被施加到存储电容器区157。
如在本发明示范性实施例中由存储电容器区157和存储电极133如此形成存储电容器，可仅利用小面积就获得足够的存储容量，因为栅极绝缘层140比形成在不同层上的绝缘层薄。
此外，在本示范性实施例中，形成存储电容器，使得存储电极133和漏电极175与置于两者之间的层间绝缘层160重叠，并且像素电极191和存储电极133与置于两者之间的钝化层180重叠。由这些元件形成的存储容量比由存储电容器区157和存储电极133形成的存储容量小，因此，可用作补充存储电容器。
此外，在本示范性实施例中，因为栅极线121、存储电极线131以及TFT形成在形成有位于第一和第二子电极9a和9b之间的连接部件85的部分处，所以最小化了由栅极线121、存储电极线131以及TFT覆盖的第一和第二子电极9a和9b的面积。因此，可最小化像素电极191的孔径比的减小。
现在来描述公共电极面板200。
多个滤色器230形成在由透明玻璃或塑料制成的绝缘基板210上，并可沿像素电极191的列、在垂直方向上纵向延伸，从而形成条带。每个滤色器230可显示红、绿、和蓝三原色之一。
阻光部件(未示出)可形成在滤色器230的下部。阻光部件避免像素电极191之间的光泄漏，并还可形成在第一和第二子电极9a和9b之间。
在示范性实施例中，阻光部件未形成在与栅极线121相对应的区域处。因此，可减小由阻光部件引起的孔径比的减小。
涂层250形成在滤色器230上。涂层250可由(有机)绝缘体制成，并且避免滤色器230暴露，并提供平坦化的表面。可省略涂层250。
公共电极270形成在涂层250上。公共电极270由例如ITO或IZO的透明导体制成。公共电极270包括多个剪切部分27。每个剪切部分27可为圆形或具有圆角的四边形，并对应于子电极9a和9b的中心部分。
取向(alignment)层11和21涂覆在显示面板100和200的内表面上，并且它们可以是垂直取向层。偏振器12和22设置在显示面板100和200的外表面上，并且两个偏振器12和22的偏振轴彼此垂直。在反射型LCD的情况下，可省略两个偏振器12和22之一。
在本示范性实施例中，LCD还可包括相位延迟膜(未示出)，用于补偿液晶层3的延迟。LCD还可包括背光单元(未示出)，用于向偏振器12和22、相位延迟膜、显示面板100和200以及液晶层3提供光。
液晶层3具有负介电各向异性，并且排列液晶层3的液晶分子31，使得在未施加电场的状态下它们的长轴与两个显示面板100和200的表面大致垂直。因此，入射光被阻挡，不会通过偏振器12和22。
在向公共电极270施加公共电压并向像素电极191施加数据电压时，产生与显示面板100和200的表面大致垂直的电场。然后，响应于该电场，液晶分子31改变它们的方向，使得它们的长轴与电场方向垂直。
场产生电极191和270的剪切部分27以及像素电极191的侧边使电场扭曲，产生确定液晶分子31的倾斜方向的水平分量。电场的水平分量与剪切部分以及像素电极的侧边大致垂直。由第一和第二子电极9a和9b的四个侧边以及剪切部分27形成的电场使液晶分子形成角度，大致沿四个方向。由于液晶分子31沿多个方向形成角度，所以LCD的基准视角可增大。
现在参考图3和图4来描述根据本发明示范性实施例的LCD。
现在来描述TFT阵列面板。
多根栅极线121和存储电极线131形成在透明玻璃或绝缘基板上。
栅极线121传送栅极信号，并主要沿水平方向延伸。栅极线121包括从中例如沿向上方向突出的多个栅电极124。
存储电极线131接收预定电压，延伸以与栅极线121大致平行，并包括从中例如沿向下方向突出的存储电极133。
栅极线121和存储电极线131可由与结合图1和2所述的前一实施例相同的材料制成。
由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
由例如氢化非晶硅(a-Si)制成的多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。半导体到岛154位于栅电极124上。
欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触岛163和165可由例如其中以高浓度掺杂了例如磷的N型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成，或者由硅化物制成。欧姆接触岛163和165成对地位于半导体岛154上。
多根数据线171和多个漏电极175形成在欧姆接触岛163和165以及栅极绝缘层140上。
数据线171传送数据信号，并主要沿垂直方向延伸，以与栅极线121和存储电极线131交叉。漏电极175与数据线171分离，并与源电极173相对，其中漏电极175和源电极173以栅电极124为中心。漏电极175延伸以与存储电极133重叠。
一个栅电极124、一个源电极173以及一个漏电极175与半导体岛154一起构成薄膜晶体管(TFT)，并且TFT的沟道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体岛154处。
数据线171和漏电极175可由与上述图1和2所示的数据线和漏电极175相同的材料制成。
欧姆接触岛163和165形成在下半导体岛154和上数据线171以及漏电极175之间，以便降低之间的接触电阻。
半导体岛154的一些部分，包括源电极173和漏电极175之间的部分，由于未由数据线171和漏电极175覆盖而暴露。
钝化层180形成在数据线171和漏电极175上，并且形成在半导体岛154的暴露部分上。
钝化层180可由与结合图1和图2所述的实施例相同的材料制成。
钝化层180具有暴露漏电极175的多个接触孔185。
由IZO或ITO制成的多个像素电极形成在钝化层180上。
每个像素电极191包括第一和第二子电极9a和9b，第一和第二子电极9a和9b为具有圆角的四边形。第一和第二子电极9a和9b由连接部件85相连。
连接部件85包括连接第一和第二子电极9a和9b的垂直部分和用于与不同层相连的突出。
栅电极124、栅极线121、存储电极133、存储电极线131、漏电极175以及半导体岛154位于第一和第二子电极9a和9b之间。
所述突出经由接触孔185与漏电极175物理且电连接，并从漏电极175接收数据电压，并将数据电压传送到像素电极191。
在本发明的示范性实施例中，存储电极133和漏电极175部分重叠以形成存储电容器。
公共电极面板200与结合图1和图2所述的实施例中的公共电极面板200相同。
下面，结合图5和6来详细描述根据本发明另一示范性实施例的LCD。
图5是根据本发明另一示范性实施例的LCD的布局图，图6是图5中的LCD沿线VI-VI的截面图。
除了例如根据图5和图6所示的示范性实施例的LCD包括多个辅助电极20之外，根据图5和图6所示的示范性实施例的LCD的层结构和布置与结合图1和图2所述的示范性实施例基本相同。
下面进一步详细描述辅助电极20。
辅助电极20沿与栅极线121平行的方向延伸，并位于相邻像素电极191的边界区域上。为了避免孔径比减小，形成辅助电极20的边界线，以使它们与相邻像素电极191的上下边界线重合或位于上下边界线之间。
向辅助电极20施加与向公共电极270施加的电压相同的电压。辅助电极20由与栅极线121相同的材料制成。
在向辅助电极20和公共电极270施加相同电压时，在公共电极270和像素电极191之间密集的电场线分散到像素电极191和辅助电极20之间的区域。因此，像素电极191和公共电极270之间的电场在两个相邻像素电极191的边界区域处变弱。
因此，由于形成在像素电极191和公共电极270之间的电场变弱，所以位于相邻像素电极191的上下边界区域中的液晶分子31的取向改变极小。此外，在一个像素的电场影响相邻像素区域时出现的光泄漏现象也极少产生。
此外，即使液晶分子31在相邻像素电极191的上下边界线之间并未充分对齐，由于辅助电极20用作阻光部件，所以也可以避免光泄漏。
图5和图6的辅助电极20可应用于结合图3和图4所示的实施例。
现在参考图7和图8来描述根据本发明示范性实施例的LCD。
图7是根据本发明示范性实施例的LCD的布局图，图8是图7中的LCD沿线VIII-VIII的截面图。
根据图7和图8所示的示范性实施例的LCD的层结构和布置与结合图3和图4所述的LCD基本相同。
图7和图8所示的LCD包括彼此相对的TFT阵列面板100和公共电极面板200、以及置于两个面板100和200之间的液晶层3。
多根栅极线121和多根存储电极线131形成在透明绝缘基板上。
各个栅极线121包括相对于栅极线121例如沿向上方向突出的多个栅电极，各个存储电极线131与栅极线121平行延伸，并包括相对于存储电极线131例如沿向下方向突出的存储电极133。
栅极线121和存储线131可由与结合图3和4所述的实施例相同的材料制成。
栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
多个半导体岛154形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154位于栅电极124上。
欧姆接触岛163和165形成在半导体岛154上。欧姆接触岛163和165成对地位于半导体岛154上。
多根数据线171和多个漏电极175形成在欧姆接触岛163和165以及栅极绝缘层140上。数据线171与栅极线121和存储电极线131交叉。
漏电极与电容器导体177相连，并且电容器导体177与存储电极133重叠。
数据线171和漏电极175可由与结合图3和4所述的数据线171和漏电极175相同的材料制成。
钝化层180形成在数据线171和漏电极175上，并形成在半导体岛154的暴露部分上。
钝化层180具有暴露电容器导体177的多个接触孔185。
多个像素电极191形成在钝化层180上。每个像素电极191包括第一和第二子电极9a和9b，第一和第二子电极9a和9b为具有圆角的四边形。第一和第二子电极9a和9b通过连接部件85连接。
除了像素电极191通过接触孔185与和电容器导体177相连的漏电极175相连之外，公共电极面板200与结合图3和4所述的实施例中的公共电极面板200相同。因此，与结合图3和4所述的实施例不同，连接部件85并不包含用于连接漏电极175的突出部分。
此外，与结合图3和4所述的实施例相同，栅极线121位于第一和第二子电极9a和9b之间，但是存储电极线131位于相邻像素电极191的边界区域上。
可形成存储电极线131的边界线，以使边界线与相邻像素电极191的上下边界线重合或位于上下边界线之间，以便避免孔径比的减小。由于将公共电极处的电压施加于存储电极线131，所以由像素电极191形成的第一电场抵消由公共电极270和像素电极191形成的第二电场，并且第二电场变弱。
因此，由于第一电场变弱，所以位于相邻像素电极191的上下边界区域中的液晶分子31的取向改变极小。液晶分子31保持初始的取向，因此可避免由液晶分子31的不适当取向而引起的光泄漏。
此外，即使在液晶分子31在相邻像素电极191的上下边界线之间并未充分对齐，由于辅助电极20用作阻光部件，所以也可避免光泄漏。
此外，存储电极线133关于剪切部分27上下左右对称地形成，以增大关于视角的可见度。
如上所述，在本发明的示范性实施例中，通过将TFT、栅极线和存储电极线放置在子电极之间，可最小化与像素电极重叠的区域。因此，可增加像素电极的孔径比，因此LCD具有较高亮度。
此外，由于阻光部件形成在子电极之间，所以可最小化由阻光部件引起的孔径比的减小。
此外，通过在相邻像素电极的边界区域采用辅助电极，可避免由于液晶分子的异常行为而导致的光泄漏，而不会引起孔径比的减小。
此外，由于存储电极线位于相邻像素电极的边界区域上，所以可在不形成辅助电极的情况下避免由液晶分子的不适当取向而引起的光泄漏。
此外，由于第一和第二子电极9a和9b关于栅极线对称地形成，所以第N个像素电极与第N+1根栅极线之间的距离是相同的。因此，由于在前向或后向输入栅极信号时回扫电压是相同的，所以可避免闪烁效应。
尽管结合示范性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明并不局限于所公开的实施例，而意欲涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (35)

1.一种显示面板，包括：
形成在基板上的栅极线；
形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；
与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；
与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管；以及
像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与薄膜晶体管相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，
其中，薄膜晶体管和栅极线位于第一和第二子电极之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：
与基板相对的相对基板；
形成在相对基板上的滤色器；以及
形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，存储电极线位于第一和第二子电极之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，薄膜晶体管包括：
与栅极线相连的栅电极；
与栅电极绝缘且与栅电极重叠的半导体；
与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及
与半导体重叠并与源电极相对的漏电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。
6.根据权利要求4所述的显示面板，还包括连接第一和第二子电极的连接部件。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述连接部件包括与漏电极电连接的突出。
8.根据权利要求3所述的显示面板，其中，薄膜晶体管分别包括：
半导体，形成在基板上，并包括沟道区以及漏极和源极区；
栅电极，与沟道区绝缘并与沟道区重叠；
源电极，与源极区电连接；以及
漏电极，与漏极区电连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述半导体包括多晶硅。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述存储电极线包括扩展部分，并且所述半导体还包括与扩展部分重叠的存储电容器区。
11.根据权利要求8所述的显示面板，其中，通过漏电极与存储电极线重叠，形成电容器。
12.根据权利要求8所述的显示面板，其中，连接部件包括与漏电极电连接的突出。
13.根据权利要求3所述的显示面板，还包括形成在基板上并与栅极线平行延伸的辅助电极。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，辅助电极的边界线与相邻像素电极的像素电极的上边界线或下边界线重合。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其中，辅助电极的边界线位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。
16.根据权利要求13所述的显示面板，其中，向辅助电极和公共电极施加相同的电压。
17.根据权利要求13所述的显示面板，其中，栅极线和辅助电极由相同的材料制成。
18.根据权利要求2所述的显示面板，其中，存储电极线位于相邻像素电极之间的边界线上。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，存储电极线还包括向薄膜晶体管突出的存储电极。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，薄膜晶体管还包括：
栅电极，与栅极线相连；
半导体，与栅电极绝缘且与栅电极重叠；
源电极，与数据线相连且与半导体重叠；以及
漏电极，与半导体重叠且与源电极相对，
其中，漏电极与电容器导体相连，所述电容器导体与存储电极重叠。
21.根据权利要求19所述的显示面板，其中，存储电极关于剪切部分上下左右对称地形成。
22.根据权利要求2所述的显示面板，其中，剪切部分位于与第一子电极的中心和第二子电极的中心相对应的位置处。
23.根据权利要求22所述的显示面板，其中，剪切部分为具有圆角的四边形或圆形。
24.根据权利要求2所述的显示面板，还包括形成在相对基板上并位于第一和第二子电极之间的阻光部件。
25.根据权利要求1所述的显示面板，其中，第一和第二子电极为具有圆角的四边形。
26.一种显示面板，包括：
形成在基板上的栅极线；
形成在基板上并与栅极线平行的存储电极线；
与栅极线绝缘并与栅极线交叉的数据线；
与栅极线和数据线相连的多个薄膜晶体管；以及
像素电极，具有第一子电极和第二子电极，第一子电极与薄膜晶体管相连且第二子电极形成在关于栅极线与第一子电极相对的一侧，
其中，栅极线形成在第一和第二子电极之间。
27.根据权利要求26所述的显示面板，其中，存储电极线位于两个相邻像素电极之间。
28.根据权利要求27所述的显示面板，还包括：
与基板相对的相对基板；
形成在相对基板上的滤色器；以及
形成在滤色器上并具有多个剪切部分的公共电极。
29.根据权利要求28所述的显示面板，其中，存储电极线包括向薄膜晶体管突出的存储电极。
30.根据权利要求29所述的显示面板，其中，存储电极关于剪切部分上下左右对称地形成。
31.根据权利要求29所述的显示面板，其中，薄膜晶体管包括：
与栅极线相连的栅电极；
与栅电极绝缘且与栅电极重叠的半导体；
与数据线相连且与半导体重叠的源电极；以及
与半导体重叠且与源电极相对的漏电极，
其中，漏电极与电容器导体重叠，所述电容器导体与存储电极重叠。
32.根据权利要求31所述的显示面板，其中，像素电极通过接触孔与电容器导体相连。
33.根据权利要求32所述的显示面板，其中，接触孔与剪切部分重叠。
34.根据权利要求27所述的显示面板，其中，存储电极线的边界线与相邻像素电极的上边界线或下边界线重合。
35.根据权利要求27所述的显示面板，其中，存储电极线的边界线位于相邻像素电极的上边界线和下边界线之间。
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