CN101185129B - 记录设备、记录方法、盘制造方法和光盘记录介质 - Google Patents

Abstract

通过利用具有预定激光功率的激光来照射而将基片变形成凸起形状。由于基片被变形成凸起形状，叠压在基片上的反射膜也变形成凸起形状，并且通过凸起变形的实施例，可在凹坑部分处获得与岸台部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。在岸台处可获得与凹坑部分处的再现信号电平相等同的再现信号电平。此时，由于凸起变形实施例可由施加的激光束的功率来控制，因此通过设置激光功率可以使凹坑成为岸台和使岸台成为凹坑。从而，可在其中通过形成在基片上的凹坑和岸台的组合来记录数据的光盘记录介质中重写记录数据。

Description

记录设备、记录方法、盘制造方法和光盘记录介质

技术领域

本发明涉及用于利用凹坑(pit)和岸台(land)的组合来将数据记录到光盘记录介质上的记录设备和用于该记录设备的记录方法。本发明还涉及其上利用凹坑和岸台的这种组合而记录有数据的光盘记录介质和制造该介质的方法。

背景技术

光盘，尤其是例如ROM盘这样的只读光盘，在全世界都被用作封装介质，因为每张盘的复制基片(substrate)可以在短时间内以低成本利用单个压模通过塑料注射成型来大规模地生产。例如，CD(致密盘)和DVD(数字多功能盘)被广泛地用作ROM盘，其上记录有信息，例如一段音乐或视频图像。

相关技术在日本专利No.3454410中公开。

发明内容

虽然每张ROM盘的复制基片可以如上所述地在短时间内以低成本大规模生产，但是就其记录形式而言，记录的数据无法被重写。如果记录在ROM盘上的数据可被重写，则可以提供在其上能够对记录的数据进行重写的光盘记录介质(例如可写盘)，同时保持上述优点。这是极为优选的。

考虑到上述问题，本发明提供了包括以下要素的记录设备。

换言之，该记录设备是用于光盘记录介质的，该介质包括至少被反射层和覆盖层所覆盖的基片并且通过在基片中形成的凹坑和岸台的组合而被记录以数据。该设备包括激光照射装置，用于利用具有预定激光功率的激光来照射光盘记录介质，以将基片的被照射部分变形成凸起部分。

该设备还包括记录控制装置，用于控制激光照射装置，以使得光盘记录介质中的预定的凹坑或岸台被用具有预定激光功率的激光所照射。

如上所述，基片被用激光照射，并且被照射部分被变形成凸起部分，从而使得布置在基片上的反射层也被变形成具有凸起部分。对于预定的凹坑，由上述基片的变形引起的反射层的每个凸起部分的变形状态允许在每个凹坑中获得至少正的再现信号电平。换言之，变形允许了获得等同于每个岸台中的再现信号电平的再现信号电平(以下此变形将被称为“凹坑到岸台(pit-to-land)变形”)。对于预定的岸台，该变形允许了在每个岸台中获得至少负的再现信号电平。换言之，变形允许了获得等同于每个凹坑中的再现信号电平的再现信号电平(以下此变形将被称为“岸台到凹坑(land-to-pit)变形”)。

在此情况下，由于每个凸起部分的变形状态可基于用于照射的激光的功率来控制，因此凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形可通过设置激光功率来执行。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的光盘记录介质(原始数据记录盘)的截面图，该介质充当记录设备的记录目标。

图2是说明根据该实施例制造光盘记录介质的过程的图。

图3是说明要记录到图1所示的光盘记录介质上的数据的数据结构的数据结构图。

图4是根据一个实施例的记录设备的内部结构的框图。

图5是示出对照在通过激光照射执行记录的部分(被记录部分)中的激光功率Pw而绘制的再现信号电平的变化特性的图。

图6包括示意性地示出当在岸台中执行记录时在基片上的观察结果的图。

图7包括示意性地示出当在凹坑中执行记录时在基片上的观察结果的图。

图8包括示意性地示出当在岸台中执行记录时通过改变激光功率而引起的基片截面变化和利用该变化而获得的再现信号波形的图。

图9包括示意性地示出当在凹坑中执行记录时通过改变激光功率而引起的基片截面变化和利用该变化而获得的再现信号波形的图。

图10是说明在本实施例的应用示例中要记录到光盘记录介质上的记录数据的数据结构的数据结构图。

图11是说明本实施例的应用示例中的记录操作的图。

图12是说明本实施例的应用示例中的记录操作的图。

图13是示出在本实施例的应用示例中要存储在记录设备中的数据的描述的数据结构图。

图14是为了实现本实施例的应用示例中的操作在记录设备中要执行的操作的流程图。

图15是说明在按2T执行边缘偏移的情况下的操作的图。

图16包括说明在通过扩展凹坑来执行边缘偏移的情况下的操作的图。

具体实施方式

将描述用于实现本发明的最佳方式(以下称为“实施例”)。描述将按以下顺序进行：

<1.光盘记录介质>；

<2.记录设备>；

<3.记录的原理>；以及

<4.应用示例>。

<1.光盘记录介质>

图1是根据一个实施例的光盘记录介质(原始数据记录盘D16)的截面图，该介质充当记录设备的记录目标。

根据本实施例的原始数据记录盘D16是只读(ROM)盘。具体而言，该盘具有基于被称为蓝光盘(注册商标)的盘标准的结构和格式。

如图所示，该盘D16包括基片101、布置在基片101上的反射层102以及利用UV固化树脂(或红外固化树脂)104与反射层102粘合的覆盖层103。基片101的与反射层102相接触的表面具有不规则的样式。每个凹陷的部分对应于一个凹坑，每个凸起的部分对应于一个岸台。在盘D16中，数据是利用凹坑和岸台的组合来记录的，具体而言，是利用各个凹坑的长度和各个岸台的长度的组合来记录的。

由于反射层102被布置在基片101上，因此反射层102也具有与上述凹坑和岸台的样式相对应的不规则截面。反射层102例如是金属膜。当被物镜会聚的激光如图所示通过覆盖层103和UV固化树脂104被施加到反射层102时，获得根据不规则性的反射光。下面将描述的记录设备50可基于利用激光照射的反射层102所反射的光来读取利用凹坑和岸台的组合而记录的数据。

图2是说明根据该实施例制造上述原始数据记录盘D16和制作光盘记录介质(盘100)的过程的图，每个介质是通过重写记录在盘D16上的数据而获得的。

为了制作盘100(原始数据记录盘D16)，首先执行图中的格式化步骤S11。格式化步骤S11例如是利用计算机来执行的。

在格式化步骤S11中，执行转换操作以获得与要记录在原始数据记录盘D16(盘100)上的内容数据(用户数据)相对应的按预定标准格式化的数据流。换言之，在本实施例中，执行转换操作以获得如图3所示的根据蓝光盘标准的数据流(后面将描述)。实际上，还执行了向用户数据添加检错码和纠错码以及交织的操作。

在可变长度调制步骤S12中，对在格式化步骤S11中生成的数据流执行可变长度调制。在本实施例中，执行R11(1，7)PP(奇偶保留/禁止，RLL：游程长度受限)调制和NRZI(非回零逆转)调制。在可变长度调制步骤S12中获得的数据流中的比特“0”和“1”的样式充当将要利用凹坑和岸台的组合实际记录到原始数据记录盘D16(盘100)上的数据(也称为“原始数据”)的样式。

然后，执行主盘产生步骤S13。主盘产生步骤S13是利用主控设备来执行的。

在主盘产生步骤S13中，首先，玻璃主盘被覆盖以光刻胶。根据上述可变长度调制步骤S12中生成的原始数据的激光在覆盖了光刻胶的玻璃主盘被旋转的同时被施加到主盘，从而沿着记录轨道形成不规则的样式，即凹坑和岸台。

然后，其中形成了凹坑和岸台的抗蚀剂被显影，从而将样式固定到玻璃主盘上。所得到的主盘的表面经历电解电镀，从而产生如图所示的金属主盘D14。

利用这样产生的金属主盘D14执行盘形成步骤S15。

在盘形成步骤S15中，利用上述金属主盘D14形成压模。该压模被布置在注模(injection mold)中，然后，透明树脂(例如聚碳酸酯或者亚克力(acryl))的基片101由注模机形成。每个基片101具有沿着记录轨道的凹坑和岸台的样式，这些凹坑和岸台是基于在前述可变长度调制步骤S12中生成的原始数据的。

基片101通过蒸发作用而被覆盖以反射层102。覆盖层103被用UV固化树脂104粘合到反射层102。从而形成了其上仅记录有基于凹坑和岸台的组合的数据(原始数据)的原始数据记录盘D16。

然后，执行数据重写步骤S17。

换言之，在此步骤中，后面将参考图4描述的记录设备50利用激光照射如上所述形成的原始数据记录盘D16，以重写记录的原始数据，从而产生根据该实施例的盘100。

后面将描述根据另一实施例通过记录设备50重写记录的数据。

图3示出记录在通过上述制造过程制作的每张盘100(原始数据记录盘D16)上的信息信号的数据结构。

如图所示，定义一个被称为RUB的记录单元。一个RUB由16个扇区和两个链接帧组成。链接帧是作为两个RUB之间的缓冲区域提供的。

每个扇区由31个帧组成，如图所示。每个帧包括1392通道比特的数据。在此情况下，每个帧包括单个地址单元。

在本实施例中例示的蓝光盘中，记录在盘上的信息信号遵守RLL(1，7)PP调制规则。因此，连续的代码“0”和“1”的数目(即凹坑和岸台中每一个的长度)限于2T(通道比特)到8T范围内的长度。

对于位于每个帧的头部的“sync”，不遵循该调制规则的9T的连续代码被布置并用于在再现期间检测帧同步信号。

<2.记录设备>

图4示出根据该实施例的记录设备50的内部结构，该记录设备50在图2所示的数据重写步骤S17中利用激光照射原始数据记录盘D16以产生盘100。

首先，盘D16在被置于转盘(未示出)上的同时被主轴电机51根据预定的旋转方法所旋转。图中所示的光学拾取装置OP从如上所述旋转的盘D16读取记录的信号(记录的数据)。

光学拾取装置OP包括充当如图所示的激光源的激光二极管LD、用于将激光聚焦到盘D16的记录表面上的物镜52a和用于检测被利用激光照射的盘D16所反射的光的光电探测器PD。

光学拾取装置OP还包括在聚焦方向和跟踪方向上可移动地支撑物镜52a的双轴机构52。双轴机构52基于从双轴驱动电路56(后面描述)提供来的聚焦驱动信号FD和跟踪驱动信号TD，在上述聚焦和跟踪方向上移动物镜52a。

为了确认，上述聚焦方向是物镜52a移动得更靠近或更远离盘D16的方向。

作为由上述光学拾取装置OP中的光电探测器PD所检测的反射光的信息被IV转换电路53转换成电信号。然后，电信号被提供到矩阵电路54。矩阵电路54基于从IV转换电路53提供来的反射光信息，生成再现信号RF、跟踪差错信号TE和聚焦差错信号FE。

伺服电路55对从矩阵电路54提供来的跟踪差错信号TE和聚焦差错信号FE执行用于相位补偿的预定操作，例如滤波和环路增益处理，以生成跟踪伺服信号TS和聚焦伺服信号FS。伺服电路55将跟踪伺服信号TS和聚焦伺服信号FS提供到双轴驱动电路56。

双轴驱动电路56基于跟踪伺服信号TS和聚焦伺服信号FS生成跟踪驱动信号TD和聚焦驱动信号FD，并将生成的信号提供到双轴机构52的跟踪线圈和聚焦线圈。

图中所示的光电探测器PD、IV转换电路53、矩阵电路54、伺服电路55、双轴驱动电路56和双轴机构52构成跟踪伺服环路和聚焦伺服环路。跟踪伺服环路和聚焦伺服环路的布置允许进行控制，以使得施加到盘D16的激光的射束点跟踪形成在盘D16中的凹坑(记录轨道)的序列，并且射束点被保持在适当的聚焦状态。

由上述矩阵电路54生成的再现信号RF被提供到二进制化电路57，其中执行PRML(部分响应最大似然)解码以获得二进制数据“0”或“1”。二进制数据被提供到同步检测电路58和PLL(锁相环)电路59。

PLL电路59生成与提供的二进制数据同步的时钟CLK，并且将时钟作为工作时钟提供到必要的组件。具体而言，时钟CLK被作为上述二进制化电路57以及下面将描述的组件(即同步检测电路58、地址检测电路60和写脉冲生成电路61)中的每一个的工作时钟。

同步检测电路58从所提供的二进制数据中检测布置在图3所示的每一帧中的同步样式。具体而言，同步检测电路58检测充当同步样式的9T的片段，以执行帧同步检测。

帧同步信号被提供到地址检测电路60和必要的组件。

地址检测电路60基于上述帧同步信号和提供的二进制数据来检测地址信息ADR。检测到的地址信息ADR被提供到控制器65。地址信息ADR还被提供到写脉冲生成电路61中的写脉冲生成器63。

写脉冲生成电路61包括写脉冲生成器63和RAM(随机访问存储器)62，如图所示。

写脉冲生成电路61接收重写指定数据，该重写指定数据用于指定其中要重写记录在盘D16上的原始数据的位置。同时，从上述地址检测电路60提供来的地址信息ADR和从PLL电路59提供来的时钟CLK被提供到写脉冲生成电路61。

例如，对于重写指定数据，提供了利用数据串指示重写位置的信息，在所述数据串中的每一个中，对应于每个重写位置的数据值是“1”，其他数据值是“0”。写脉冲生成器63将数据串存储到RAM 62中。在盘D16的重放期间，写脉冲生成器63基于地址信息ADR和时钟CLK所产生的定时，将数据串作为如图所示的写脉冲信号Wrp输出到激光控制电路64。例如，用于将记录的数据重写在适当的指定位置中的写脉冲信号Wrp由上述操作生成。

激光控制电路64基于从上述写脉冲生成电路61输出的写脉冲信号Wrp，控制光学拾取装置OP中的激光二极管LD的激光功率。具体而言，在此情况下，激光控制电路64在写脉冲信号Wrp处于低(L)电平时控制激光二极管LD以输出具有再现功率的激光。当写脉冲信号Wrp处于高(H)电平时，激光控制电路64控制激光二极管LD以输出具有记录功率的激光。

控制器65例如包括微计算机，并且控制整个记录设备50。

例如，控制器65向伺服电路55给出目标地址，从而控制搜索(seeking)操作。换言之，当指定目标地址时，控制器65允许伺服电路55通过光学拾取装置OP在目标地址中执行访问操作。

此外，当向伺服电路55给出跳轨(track jump)指令时，控制器65允许伺服电路55关断跟踪伺服环路并执行跳轨操作。

<3.记录的原理>

一个实施例涉及通过上述记录设备50重写记录在盘D16上的数据，该数据是利用凹坑和岸台的组合来记录的。下面将描述原理。

图5至图9示出通过经由记录设备50利用具有记录功率的激光实际地照射原始数据记录盘D16而进行记录的结果。

图5示出对照在通过激光照射执行记录的部分(被记录部分)中的激光功率Pw(mW)而绘制的再现信号电平的变化特性。

在此图中，被记录部分中的每个再现信号电平的变化由被记录部分中的再现信号电平(Level_wrt)和未记录部分中的再现信号电平(Level_non)之间的差来表达。在此图中，在凹坑上执行的记录的情况下获得的再现信号电平的变化特性由实圈和虚线的组合来表达。在岸台上执行记录的情况下获得的再现信号电平的变化特性由实三角和实线的另一组合来表达。

作为参考，现在将描述获得图5所示的结果时设置的条件，如下：

基片101...聚碳酸酯；

反射层102...铝(Al)70、铁(Fe)15、铜(Cu)15；

覆盖层103和反射层102之间的粘合剂...UV固化树脂104；

激光照射时间(写脉冲宽度)＝30ns；

线速度＝4.917m/s；

激光波长λ＝405nm；并且

数值孔径NA＝0.85。

对于实线所指示的在岸台中的记录(以下称为岸台记录)，激光功率Pw从最低水平Pw-11上升。被记录部分中的再现信号电平和未记录部分中的再现信号电平之间没有差异，直到激光功率Pw达到某个水平为止(在图中Pw约为17mW)。当激光功率Pw进一步增大时，被记录部分中的再现信号电平和未记录部分中的再现信号电平之间的差具有负值。换言之，在此特性中，被记录部分中的再现信号电平在激光功率Pw达到该某个水平之后降低。

在此情况下，当激光功率Pw大约为比如上所述再现信号电平开始降低的水平更高的Pw-12水平的情况下，再现信号电平大约降低到凹坑的再现信号电平(以下称之为凹坑电平)的一半，从而开始记录。换言之，再现信号电平具有负值，从而实现岸台到凹坑变形。

当激光功率Pw约为Pw-12水平时，再现信号电平根据被记录部分而波动，导致不稳定的记录(在此情况下是不稳定的岸台到凹坑变形)。对于岸台记录，当激光功率Pw被设置为高于上述Pw-12水平时，再现信号电平可被进一步降低。当激光功率Pw处于图中所示的Pw-13水平时，再现信号电平可稳定在低于凹坑电平的电平。因此，为了确保岸台到凹坑变形，激光功率Pw可被设置为Pw-12水平或更高，最好大约为Pw-13水平。

另一方面，对于凹坑中的记录(以下称之为凹坑记录)，当激光功率Pw从Pw-p1水平增大时，再现信号电平被稳定地增大。在图中的激光功率水平Pw-p2，再现信号电平上升到镜像电平(岸台的再现信号电平)的大约一半或更高。换言之，再现信号电平被切换到正值，从而实现凹坑到岸台变形。

在激光功率Pw上升到Pw-p2水平之后，再现信号电平趋向于降低。在激光功率Pw约为Pw-p3水平或更高之后，再现信号电平稳定到低于原始凹坑电平的电平。

如上所述，已经发现在凹坑记录期间，当激光功率Pw约为Pw-p2水平时，凹坑可被稳定地变形成岸台。当激光功率Pw等于或高于Pw-p3水平时，稳定的记录可在低于正常凹坑电平的再现信号电平下执行(在未记录部分中)。

图6和图7示意性地示出了通过上述激光照射在其上执行记录的盘100的基片101的状态，覆盖层103和反射层102与基片101相分离，并且所得到的基片101被用原子力显微镜(AFM)来观察。在图6和图7中的每一幅中，(a)是基片101的俯视图，(b)是沿实线x或y所取的基片101的截面图。在图6和7中，(b)中的虚线A至E和虚线F至I指示(a)中的点A至E的位置和点F至I的位置。

作为观察的结果，发现在图6所示的岸台记录和图7所示的凹坑记录中的每一个中，基片101的表面(覆盖有反射层102)在被记录部分中被变形到凸起状态(部分)。

凸起状态是通过反射层102附近的基片101的树脂膨胀成球体m而引起的，因为反射层102被具有相对较高的激光功率的激光照射在高温下加热。

图8和图9示意性地示出了根据图5所示的激光功率Pw的变化的基片101的凸起部分的变形以及在变形时获得的再现信号的波形。在每幅图中，(a)示出变形的基片101的截面，(b)示出再现信号波形。

在图8所示的岸台记录的情况下，根据激光功率Pw按图5所示的Pw-11、Pw-12和Pw-13这一顺序的增大，反射光的量趋向于与通过单调地提升基片101而形成的凸起部分的高度增大相关联地减小。基于上述原理，在岸台记录的情况下，再现信号电平趋向于根据激光功率Pw按Pw-11-＞Pw-12-＞Pw-13这一顺序增大而逐渐降低。

在图9所示的凹坑记录的情况下，基片101的提升(凸起)程度类似地与激光功率Pw按Pw-p1-＞Pw-p2-＞Pw-p3这一顺序的增大相关联地增大。在此情况下，在激光功率水平Pw-p2下的凸起中，凹坑底的电平接近于岸台的电平，并且凹坑壁的高度相对较低。因此，随着凹坑底的电平更接近岸台的电平，反射光的量趋向于增大。

随着激光功率从Pw-p2水平增大，凸起程度也增大，从而使得凹坑底的电平高于岸台的电平。在此情况下，每个凹坑壁的高度也与激光功率Pw的增大相关联地增大。从而，因为凹坑形成在凸起部分中，所以反射光的量趋向于减小。

如上所述，在凹坑记录的情况下，再现信号电平趋向于与激光功率从Pw-p1水平增大到Pw-p2水平相关联地增大。相反，再现信号电平趋向于与激光功率从Pw-p2水平增大到Pw-p3水平相关联地减小。

如上所述，根据本实施例的记录设备50可通过改变激光二极管LD的记录功率来将原始数据记录盘D16上的凹坑变形成岸台，或者将岸台变形成凹坑，并且还可降低凹坑部分的再现信号电平。

为了实现凹坑到岸台变形，用于记录的激光功率可被设置到Pw-p2水平。另一方面，为了实现岸台到凹坑变形，激光功率可被设置到Pw-13水平。

换言之，为了在凹坑中记录，图4所示的记录设备50将激光二极管LD的记录功率设置到Pw-p2水平。另一方面，为了在岸台中记录，记录设备50将记录功率设置到Pw-13水平。从而，在原始数据记录盘D16中形成的凹坑可被变形成岸台，并且在其中形成的岸台可被变形成凹坑。

为了同时在凹坑中重写数据和在岸台中重写数据，必须经常改变记录功率。当第一记录操作仅在凹坑上执行，然后第二记录操作仅在岸台上执行时，即两个记录操作被分开执行时，记录功率可以很容易被控制以使得记录功率就在每次记录操作之前被改变。具体而言，例如，写脉冲生成电路61基于输入的重写指定数据来指定岸台要重写数据的位置，并且向激光控制电路64输出写脉冲信号Wrp，每个写脉冲信号Wrp在相应的指定位置中处于H电平。然后，重写操作首先仅在岸台上执行。随后，基于其中每一个在要重写数据的相应凹坑的位置中为H电平的写脉冲信号Wrp，重写操作仅在凹坑上执行。激光功率在每次仅在岸台上进行的记录操作和仅在凹坑上进行的记录操作的执行之前被控制，以使得针对岸台的激光二极管LD的记录功率被设置到Pw-13水平，而针对凹坑的激光二极管LD的记录功率被设置到Pw-p2水平。

上述操作可利用凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形两者来实现对记录的数据的重写。

如上所述，根据本实施例，在原始数据记录盘D16中形成的凹坑可被变形成岸台，并且在其中形成的岸台可被变形成凹坑。从而，记录在盘D16上的数据(原始数据)可被重写。由于凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形两者都可如上所述地实现，对记录的数据进行重写的灵活性可以高于使用任一种变形的情况。

在本实施例中，例示了利用凹坑和岸台的组合来写入通过对用户数据(内容数据)执行可变长度调制而获得的信号的情况。例如，假定内容数据是在未被调制的情况下被记录的，则内容数据的描述可被重写，因为记录的数据可如上所述地被重写。

或者，如果通过对内容数据执行可变长度调制而获得的数据是以与本实施例相同的方式利用凹坑和岸台的组合来记录的，则内容数据的描述可被类似地重写，只要重写的数据是基于调制规则即可。

在此情况下，记录的数据是利用凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形两者来重写的。记录的数据可以利用任何一种变形来重写。

在本实施例中，图5所示的实验结果是在以下条件下获得的：

基片101...聚碳酸酯；

反射层102...铝(Al)70、铁(Fe)15、铜(Cu)15；

覆盖层103和反射层102之间的粘合剂...UV固化树脂104；

激光照射时间(写脉冲宽度)＝30ns；

线速度＝4.917m/s；

激光波长λ＝405nm；并且

数值孔径NA＝0.85。

用于实现凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形的基片101的变形状态可通过设置通过记录设备50施加的激光的功率来控制。

换言之，在本实施例中，在获得如图5所示的再现信号电平的变化特性的上述条件(上述基片101、反射层102、覆盖层103和粘合剂的材料、线速度和波长λ)下，凹坑上的记录操作是利用在该激光功率Pw下再现信号电平具有正值的激光功率Pw(Pw-p2)来执行的，岸台上的记录操作是利用在该激光功率Pw下再现信号电平具有负值的激光功率Pw(等于或高于Pw-12水平)来执行的，从而使得凹坑可被变形成岸台，岸台可被变形成凹坑。

此外，对于凹坑记录，记录是利用在该激光功率Pw下再现信号电平进一步降低的设定激光功率Pw(激光功率Wp-p3)来执行的，从而形成其中再现信号电平进一步降低的凹坑。

<4.应用示例>

现在将描述根据上述实施例的记录方法的应用示例。

在应用示例中，利用根据本实施例的记录方法，ID信息块被分配给各个原始数据记录盘D16，所述ID信息块是基于不同的对于盘来说唯一的值的。

图10示出了在应用示例中使用的原始数据记录盘D16上记录的数据的数据结构，并且具体示出了图3所示的帧的结构。

图10所示的帧的结构代表要经历RLL(1，7)PP调制的数据。换言之，RLL(1，7)PP调制在图10所示的数据(除了sync外)上执行，从而产生图3所示的1932通道比特的帧。

“sync”数据包括调制之前的20比特。在此情况下，sync之后是25比特的数据区域。此外，25比特数据区域之后是包括DC控制比特和数据区域的样式，每个DC控制比特包括单个比特，每个数据区域包括45个比特，DC控制比特和45比特数据区域被布置成按以下顺序的样式：DC控制比特-＞数据区域-＞DC控制比特，...

在本实施例中，充当sync之后的25比特数据区域的头部的包括三个字节(24个比特)的区域被用作ID比特写入区域，用于写入构成ID信息的比特的值。

对于此ID比特写入区域中的各个字节(从区域开头按该顺序布置的字节1、字节2和字节3)中的值，46h被分配给每个字节，如图所示。因此，当每个字节中的数据经历RLL(1，7)PP调制和NRZI调制并且所得到的数据被实际记录为凹坑和岸台时，提供如图所示的多个片段，在每个片段中5T的岸台与5T的凹坑相邻。

具体而言，46h(01000110)经历RLL(1，7)PP调制，成为在图中被指示为“调制比特”的“010000100001”。在NRZI调制之后的记录波形中，获得按5-T凹坑-＞5-T岸台的顺序布置的一组5-T凹坑和5-T岸台和按5-T岸台-＞5-T凹坑的顺序布置的一组5-T岸台和5-T凹坑，如图中所示的NRZI比特流1和NRZI比特流2所指示，从而提供每个片段中5-T岸台和5-T凹坑相邻的多个片段。

必须为相同的调制比特布置具有不同极性的NRZI比特流1和NRZI比特流2的原因是在一些情况下字节开头的NRZI的极性可能不同于前一帧中的最后一比特的极性。

在根据本实施例的应用示例中，当在ID比特写入区域中的相应字节1至3中获得每个片段中预定长度的岸台与预定长度的凹坑相邻的多个片段之后，确定是否偏移相邻岸台和凹坑之间的每个边界部分(边缘)，从而记录构成ID信息的值。

换言之，当图中的其中将要偏移边缘的边缘偏移目标部分sft被偏移时，“1”被记录为ID信息的值。如果边缘偏移目标部分sft不被偏移，则“0”被记录为ID信息的值。

为了确认，在此应用示例中，执行图2所示的格式化步骤S11中的格式化以获得图10所示的帧结构。

图11示出了作为本实施例的应用示例的记录操作的示例。

在图11所示的这一示例中，充当边缘偏移目标部分sft的岸台边缘部分被变形成凹坑，从而执行边缘偏移。假定边缘被偏移1T的量。

与图10一样，此图示出了存储在ID比特写入区域中的数据值(数据比特)、基于数据值的调制比特和基于调制比特可获得的具有相反极性的NRZI比特流1和NRZI比特流2的记录波形之间的关系。

在此情况下，如上所述，边缘偏移是通过将岸台边缘部分变形成凹坑来执行的。在NRZI比特流1和NRZI比特流2中的每一个中，通过利用具有记录功率的激光来照射岸台边缘部分来执行边缘偏移，从而执行记录。

应当注意，在NRZI比特流1的极性的情况下激光照射的定时不同于在NRZI比特流2的极性的情况下激光照射的定时。换言之，在NRZI比特流1的极性的情况下，字节1中的适当的激光照射位置是从其开头起的第7个时钟，字节2中的适当的激光照射位置是从其开头起的第6个时钟，字节3中的适当的激光照射位置是从其开头起的第7个时钟。另一方面，在NRZI比特流2的情况下，字节1中的适当的激光照射位置是从其开头起的第6个时钟，字节2中的适当的激光照射位置是从其开头起的第7个时钟，字节3中的适当的激光照射位置是从其开头起的第6个时钟。

根据上述事实，为了适当地执行边缘偏移，必须掌握关于记录目标帧中的NRZI的极性的信息。

例如，假定ID信息值将要被记录在各个字节中，使得“0”将被写在字节1中，“1”将被写在字节2和字节3中的每一个中。

在此情况下，在每个字节中是否要执行边缘偏移是基于分配给该字节的ID信息值来确定的。换言之，基于分配给字节1至3的值“0”、“1”和“1”发现，在字节2和字节3中的每一个中可执行边缘偏移。

在此情况下，由于适当的边缘偏移位置根据记录目标帧中的NRZI比特流的极性而变化，因此激光照射在根据帧中的极性的位置中执行。换言之，对于NRZI比特流1的极性，如图所示，激光照射在对应于从字节2开头起的第6个通道比特的位置和对应于从字节3开头起的第7个通道比特的位置中的每个位置中执行。从而，充当边缘偏移目标部分sft的岸台边缘部分可在字节2和字节3中的每一个中被适当地偏移。

对于NRZI比特流2的极性，激光照射在对应于从字节2开头起的第7个通道比特的位置和对应于从字节3开头起的第6个通道比特的位置中的每个位置中执行。从而，充当边缘偏移目标部分sft的岸台边缘部分可在字节2和字节3中的每一个中被适当地偏移。

利用上述操作，在此情况下，“1”被写入字节2和字节3中的每一个中。换言之，上述值“0”、“1”和“1”被记录在此ID比特写入区域中。

虽然图11只示出了从一帧提取出的ID比特写入区域，但是ID写入区域也可类似地布置在其他帧中。因此，可通过在多个帧中执行上述记录操作来记录构成ID信息的所有值。

记录的值可以被估计，即ID信息可被再现，如下。

首先，再现设备再现在每个帧中的ID比特写入区域中记录的数据(原始数据)。

在本实施例的应用示例中，如图10所示，每个ID比特写入区域的位置和应当存储在该区域中的数据值是由格式定义的。因此，再现设备可识别盘上的每个ID比特写入区域的位置。类似地，存储在每个ID比特写入区域中的各个字节中的数据值可被预先掌握。

再现设备再现每个ID比特写入区域中的数据，并且将从每个字节再现的数据与该字节中应当存储的数据值(在此情况下是46h)相比较。

当从字节再现的数据与46h相一致时，可以确定未执行边缘偏移，即记录了“0”。另一方面，数据与46h不一致，则可确定执行了边缘偏移，即记录了“1”。

以这种方式，ID信息可被再现。

由于ID信息的三个值可如上所述地被记录在每个帧中，因此ID信息可利用通过将帧的总数乘以3而获得的比特来记录。但是，不一定所有的帧都用于记录ID信息。例如，当要被记录为ID信息的比特的数目等于或低于通过将帧总数乘以3而获得的值时，ID信息可利用足以记录构成ID信息的所有比特的帧来记录。换言之，ID信息可被记录在所有帧中的一些之上。

为了参考起见，图12示出了其中执行了边缘偏移的盘100的表面的状态、边缘偏移之后的记录波形以及通过边缘偏移获得的调制比特和数据比特的值。

参考此图，由类型1所指示的记录波形对应于在NRZI比特流1的极性的情况下字节1和3的每一个中的记录波形，并且也对应于在NRZI比特流2的极性的情况下字节2中的记录波形。

由类型2所指示的记录波形对应于在NRZI比特流1的极性的情况下字节2中的记录波形，并且也对应于在NRZI比特流2的极性的情况下字节1和3的每一个中的记录波形。换言之，已经发现在每个字节中只提供两种类型作为记录波形。

当记录波形是上述类型1时，边缘偏移之后的调制比特的值是“010000010001”，如图所示。当记录波形是上述类型2时，其值为“010001000001”。

已经发现，这些值遵循RLL(1，7)pp调制规则。

在本实施例中，要存储在ID比特写入区域中的各个字节中的值被设置成符合这样的条件，即在边缘偏移之后获得的值遵循调制规则。

这防止了因为数据不遵循调制规则所以再现设备不适当地再现数据的情况。

对于此情况下通过对边缘偏移之后获得的调制比特进行再现(RLL(1，7)pp解调)而获得的值，在类型1中获得值“00110110”，在类型2中获得值“01101110”，如图中的数据比特所指示。

在上述描述中，在本实施例中，46h被设置为将要存储在每个ID比特写入区域中的每个字节中的数据值。因此，每个字节中的边缘偏移目标部分sft被设置为相邻的5-T岸台和5-T凹坑之间的边缘部分，并且遵循调制规则的值作为边缘偏移后的调制比特被获得。

在本实施例中，这样的边缘偏移目标部分sft对应于相对较长的相邻的5-T岸台和5-T凹坑之间的边缘部分的原因如下。即使通过激光照射进行的变形的1范围增大，与边缘偏移目标部分相关的岸台和凹坑中的每一个的较长的长度也降低了偏移不是目标的边缘的概率，从而减少了ID信息的记录差错的发生。

在此情况下，与边缘偏移目标部分sft相关的岸台和凹坑越长，记录差错的发生就能越有效地被防止。换言之，岸台长度和凹坑长度并不限于5T。当将岸台和凹坑中的每一个的长度设置得更长时，就可以更可靠地防止记录差错的发生。

在本实施例中，充当存储每个字节中的数据的46h被描述为满足以下两个就防止记录差错而言的条件的值的示例：第一个条件是边缘偏移目标部分sft对应于各自具有预定长度或更长的岸台和凹坑之间的边缘；第二个条件是边缘偏移之后调制比特遵循调制规则。存储在每个字节中的数据可被设置到任何值，只要上述条件得到满足即可。

当不必提供利用与边缘偏移目标部分sft相关的凹坑和岸台中的每一个的长度来防止记录差错的措施时，凹坑和岸台中的每一个可具有任何长度。在此情况下，必须将存储在每个字节中的数据比特设置到满足以下条件的值：提供了边缘偏移目标部分sft，并且边缘偏移之后的调制比特遵循调制规则。

在本实施例中，用于记录ID信息的一个比特的每个比特写入区域(每个字节)是一个字节＝8个比特的区域。每个区域也可包括9个或更多个比特。

在此情况下，必须将存储在每个比特写入区域中的数据的值设置成这些数据值满足下条件：凹坑与岸台相邻，并且偏移之后的调制比特的值遵循调制规则。另外，当将值设置为满足通过布置各自具有预定长度的相邻凹坑和岸台而获得的条件时，可以更可靠地防止记录差错的发生。

在每个帧中布置的ID比特写入区域中提供了用于记录ID信息的一个比特的三个比特写入区域(在此情况下是字节1至3)。比特写入区域的数目没有具体限制。

现在将参考图4描述用于实现作为以上描述中的本应用示例的记录操作的记录设备。

本应用示例中的记录设备的基本结构与图4所示的记录设备50相同。现将描述要添加到记录设备50以用于实现本应用示例的操作的组件。假定其他组件与以上参考图4描述的类似，省略对先前描述的组件的说明。

为了实现如上所述的记录ID信息的操作，必须将每个帧中关于NRZI的极性的信息(以下称之为NRZI极性信息)和要记录的ID信息的值输入到记录设备50。

换言之，可以基于ID信息的输入值来确定在每个帧的每个字节中是否应当执行边缘偏移。

对于NRZI极性信息，如上所述，比特偏移目标位置取决于NRZI的极性，也就是说，目标位置是从相应字节开头起的第7个或6个时钟。因此，为了根据相应的极性在适当的位置中执行比特偏移，需要NRZI极性信息。

在此情况下，在记录设备50中，与各个帧相关的NRZI极性信息块和构成ID信息的值如图4所示作为重写指定数据被提供到写脉冲生成电路61。

为了确认，此情况下的记录设备50是在原始数据记录盘D16(盘100)的制造者一方管理的。因此，可以预先掌握要记录在充当ROM盘的盘D16上的记录数据的值。由于可以掌握可记录在盘D16上的记录数据的值，因此上述与各个帧相关的NRZI极性信息块可在制造者一方获得。

在写脉冲生成电路61中，ID信息的值(以下称之为ID信息值)和极性信息块作为上述重写指定数据被提供到写脉冲生成器63。写脉冲生成器63将这些ID信息值和极性信息块存储到RAM 62中，以使得每个值和每个极性信息块被分配到相应的帧(地址)。

图13示出了此时存储在RAM 62中的数据的描述。

如图所示，输入的ID信息值被存储成对于每个地址(帧)中的每个字节分配一个值。另外，指示NRZI极性的信息被存储在每个地址中，以使得该极性与该地址相关联。

在此情况下，记录设备50基于存储在RAM 62中的如图13所示的数据来执行以下操作。

首先，写脉冲生成器63基于存储在RAM 62中的上述数据，指定每个记录目标帧中的至少一个其中应当执行边缘偏移的字节。

每个目标帧中的NRZI的极性是基于联系该帧存储的信息“1”或“0”来确定的。在此情况下，“1”指示先前描述的NRZI比特流1的极性，“0”指示NRZI比特流2的极性。

然后，基于关于指定的字节的信息和极性信息，在每个ID比特写入区域中识别边缘偏移位置。

在此情况下，当极性由“1”指示时，发现字节1和3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个通道比特，而字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个通道比特。如果极性由“2”指示，则发现字节1和3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个通道比特，而字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个通道比特。

基于上述信息和关于指定字节的信息，可识别适当的边缘偏移位置。

在基于分配给每个帧的值和极性信息的适当边缘偏移位置被识别之后，写脉冲生成器63对于每个帧生成一帧的数据串，其中对应于每个识别出的边缘偏移位置的数据值是“1”，其他数据值是“0”。

换言之，假定“1”作为ID信息被记录在某个帧的每个字节中并且该帧中的极性由“1”所指示，在一帧包括1932个通道比特的情况下，一帧的数据串被生成，使得从字节1开头起的第7个通道比特、从字节2开头起的第6个通道比特和从字节3开头起的第6个通道比特为“1”，其他1929个通道比特为“0”。

写脉冲生成器63对于每个记录有ID信息的目标帧生成这样的数据串。

在实际记录中，在对原始数据记录盘D16执行再现操作的同时，将基于数据串的写脉冲信号Wrp提供到激光控制电路64，每个信号的电平在数据值为“0”时下降到L电平，在数据值为“1”时上升到H电平。

如上所述，激光控制电路64控制激光二极管LD的激光输出，以使得当写脉冲信号Wrp处于L电平时，具有再现功率的激光被输出，而当写脉冲信号Wrp处于H电平时，具有记录功率的激光被输出。因此，换言之，在原始数据记录盘D16中，只有其中应当执行边缘偏移的每个部分能够被用具有记录功率的激光照射。从而，输入的ID信息可被适当地记录到盘D16上。在此情况下，每个ID信息值是利用由岸台到凹坑变形引起的边缘偏移来记录的。因此，在此情况下的激光二极管LD被这样地设置，以使得记录功率被设置到在该水平下岸台可被变形成凹坑的激光功率水平Pw-13。

现在将参考图14的流程图更详细地描述记录设备50记录ID信息的操作。

参考图14，在步骤S101中，原始数据记录盘D16首先被装载。

在步骤S102中，要记录的ID信息被输入。如上所述，输入到记录设备50的ID信息的值作为重写指定数据被提供到写脉冲生成器63。

在步骤S103中，写脉冲生成器63将输入的ID信息值存储到相应地址中的相应字节中。

例如，在此情况下的ID信息被顺序地从头部帧起分配到相应字节。在步骤S103中，输入的值被顺序地存储到图13所示的RAM 62中的相应帧中的相应字节的存储区域中。

在步骤S104中，极性信息被输入。极性信息也作为重写指定数据被提供到写脉冲生成器63。

在步骤S105中，写脉冲生成器63将极性信息块存储在每个地址中。

由于每个极性信息块指示与相应地址相关联的NRZI的极性，因此写脉冲生成器63将指示极性的值“0”或“1”存储到如图13所示的RAM62的每个存储区域中，以使得NRZI极性与每个地址之间的关系得以保存。

极性信息的输入和存储可在ID信息的输入和存储之前执行。

在此情况下，充当重写指定数据的ID信息值和极性信息块是分开输入的。ID信息值和极性信息块可以被同时输入并由不同的存储过程来存储。

在此情况下，ID信息和极性信息是在盘D16装载之后输入的。这些信息集合可在装载之前或之后输入。

在步骤S106中，地址值N被设置到初始值N0。

在此步骤S106中，写脉冲生成器63将其中构建的计数器的值设置到初始值N0，以为每个地址生成一个数据串，如下所述。

在步骤S107中，执行指定第N地址中的其中应当将“1”记录为ID信息值(ID比特)的字节的操作。换言之，写脉冲生成器63参考存储在RAM 62中的第N地址中的各个字节中的ID信息值，并指定至少一个包括ID比特“1”的字节。

在步骤S108中，与第N地址相关的极性被确定。换言之，写脉冲生成器63确定指示联系RAM 62中的第N地址存储的极性的值是“0”还是“1”。

在步骤S109中，根据指定的字节的位置和极性，生成其中与每个边缘偏移位置相对应的数据值为“1”并且其他数据值为“0”的一帧的数据串。

如上所述，当极性由“1”指示时，充当边缘偏移目标部分sft的岸台边缘部分对应于从字节1和字节3中每一个开头起的第7个通道比特，并且还对应于从字节2开头起的第6个通道比特。另一方面，当极性由“0”指示时，岸台边缘部分对应于从字节2开头起的第7个通道比特，并且还对应于从字节1和字节3中每一个开头起的第6通道比特。

因此，写脉冲生成器63可以基于关于在上述步骤S107中指定的字节的信息和关于在步骤S109中确定的极性的信息来指定边缘偏移位置。

上述边缘偏移位置可利用一个表来指定，该表基于关于记录目标字节的信息和极性信息的组合而包含关于边缘偏移位置的信息。

然后，写脉冲生成器63生丰一帧的数据串，其中与每个指定的边缘偏移位置相对应的数据值是“1”，其他数据值是“0”。

由于在步骤S109中生成的每一帧的数据串是用于在后面的阶段生成写脉冲信号Wrp的，因此该数据串与RAM 62中的相应地址相关联地保存。

在生成一帧数据串之后，写脉冲生成器63确定是否完成了对所有地址的数据串生成(S110)。换言之，确定是否完成了为所有先前设置的要向其记录ID信息的帧生成所有数据串。步骤S110中的操作是基于写脉冲生成器63关于计数器值(在步骤S106中设置到初始值N0)是否达到预定值的判定来执行的。

如果因为计数器值未达到预定值而获得否定判定，则地址值N被递增1(步骤S111)。然后，过程返回上述步骤S107，从而为要向其记录ID信息的所有帧生成数据串。

如果在步骤S110中因为计数器值达到预定值而确定完成了对于所有地址的数据串生成，则指示数据生成完成的信息在步骤S112中被发送到图4所示的控制器65。换言之，写脉冲生成器63认识到如上所述对于所有地址的数据串生成已经完成，然后将指示这一事实(即数据生成完成)的信息发送到控制器65。

根据该信息，控制器65在装载的原始数据记录盘D16上执行用于搜索其中要记录ID信息的头部帧(地址)的控制操作(步骤S113)。控制器65基于盘D16上先前存储的关于头部帧的地址的信息向伺服电路55指定目标地址，以使得此搜索操作能得以执行。

根据如上所述的搜索头部地址的操作，写脉冲生成器63基于在上述步骤S109中为各个帧生成的数据串，而将写脉冲信号Wrp输出到激光控制电路64(步骤S114)。基于数据串的写脉冲信号Wrp是基于由时钟CLK提供的定时而输出的，以便与再现的数据同步。写脉冲信号Wrp的输出可在基于指示头部地址的信息的输入的定时开始，该输入的信息是从地址检测电路60提供来的地址信息ADR。

随着在步骤S114中输出写脉冲信号Wrp，每个获得的信号基于输入的ID信息值和极性信息而在每个适当的边缘偏移位置达到H电平。换言之，激光控制电路64基于写脉冲信号Wrp来控制激光二极管LD的激光输出从再现功率水平到记录功率水平，从而将输入的ID信息值适当地记录到盘D16上。

在图14中，ID信息值是从外部输入的。可以提供用于在每次盘D16被装载时生成新的序列号的电路，并且可以将从该电路输出的ID信息的值顺序地存储到RAM 62中。

对于极性信息，如果盘D16具有相同的标题，即相同的记录数据描述，则这些盘D16在帧和与帧相关联的极性之间具有相同的关系。因此，在制造具有相同标题的盘D16时，可以省略如图14所示的每次装载盘时输入和存储极性信息的步骤(S104和S105)。

虽然已经描述了本发明的实施例，但是应当理解本发明并不限于上述实施例。

例如，在本实施例的应用示例中，为了说明方便，ID信息值按从头部帧中的字节1起的顺序被顺序地记录在字节上。实际上，为了使得第三方难以分辨ID信息，ID信息值可利用例如M系列随机数来按随机顺序写入。

在此情况下，记录设备1利用相同的随机数生成来确定再现顺序，以便ID信息值能够被适当地再现。或者，当再现顺序不被改变并且通过再现获得的值的顺序被基于随机数而改变时，ID信息可以被适当地再现。

在本实施例的应用示例中，边缘偏移目标部分sft被偏移1T。偏移量可以长于1T。

图15示出了例如边缘偏移目标部分sft被偏移2T的情况。图15还以与图12类似的方式示出了其中执行边缘偏移的盘的表面状态、边缘偏移之后的记录波形以及通过边缘偏移获得的调制比特和数据比特的值。

参考此图可以理解，在边缘偏移按2T执行的情况下，如果记录波形为类型1(即在NRZI比特流1的极性的情况下字节1和字节3中每一个中的记录波形或者在NRZI比特流2的极性的情况下字节2中的记录波形)，则对应于从字节开头起的第7和第8个通道比特的部分将被用激光照射。另一方面，如果记录波形为类型2(即在NRZI比特流1的极性的情况下字节2中的记录波形或者在NRZI比特流2的极性的情况下字节1和字节3中每一个中的记录波形)，则对应于从字节开头起的第5和第6个通道比特的部分将被用激光照射。

在此情况下，当记录波形为上述类型1时，边缘偏移之后的调制比特的值为“010000001001”，如图所示。当记录波形为上述类型2时，其值为“010010000001”。在此情况下，还发现这些值遵循RLL(1，7)pp调制规则。换言之，如果边缘偏移按2T执行，则在本实施例中要存储在每个字节中的值“46h”符合在边缘偏移之后获得的值遵循调制规则这一条件。

实际上，在类型1的情况下在边缘偏移之后获得的数据比特的值为“01111010”，在类型2的情况下的值为“01011110”。

在此情况下基于存储在每个字节中的上述46h的记录波形中，当边缘偏移按3T或更长执行时，在偏移之后获得的调制比特包括不遵循调制规则的部分(换言之，在此情况下形成8T的凹坑)。因此，边缘偏移的量可取决于与边缘偏移目标部分sft相关的凹坑和岸台中的每一个的长度，并且可以被设置在使得偏移之后调制比特的值遵循调制规则的范围中。

虽然在应用示例中是通过将岸台变形成凹坑来执行边缘偏移的，但是利用凹坑到岸台变形引起的边缘偏移也可类似地执行记录。但是，当凹坑被变形成岸台时，充当边缘偏移目标部分sft的凹坑边缘部分是要偏移的目标。因此，与如上所述的岸台边缘部分是要偏移的目标的情况相反，在NRZI比特流1的极性的情况下，字节1和字节3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个时钟，字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个时钟。在NRZI比特流2的极性的情况下，字节1和字节3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个时钟，字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个时钟。

由于根据图5所示的特性，凹坑到岸台变形所必需的激光功率水平Pw是Pw-p2水平，因此在此情况下必须将激光二极管LD的记录功率设置到该功率水平Pw。

根据图5所示的特性，除了如上所述的对于岸台到凹坑变形的降低或者对于凹坑到岸台变形的降低之外，凹坑中的再现信号电平还可进一步降低。

当如图16的(a)所示，凹坑边缘部分被用激光照射以进一步降低再现信号电平时，此边缘部分中的再现信号电平被降低，如图16的(b)中示出的再现信号波形所示，并且相邻岸台中的再现信号电平也随着上述降低而降低。换言之，可以获得与通过扩展凹坑而获得的优点相同的优点。

ID信息可通过由这种凹坑扩展而引起的边缘偏移来记录。根据图5所示的特性，凹坑扩展可利用Pw-p3水平下的激光功率来实现。因此，激光二极管LD可被设置为在激光功率水平Pw-p3下获得记录功率。

在利用上述凹坑扩展执行记录的情况下，以类似于上述凹坑到岸台变形的方式在凹坑边缘部分上执行边缘偏移。因此，在NRZI比特流1的极性的情况下，字节1和字节3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个时钟，字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个时钟。在NRZI比特流2的极性的情况下，字节1和字节3中的每一个中的边缘偏移位置是从其开头起的第7个时钟，字节2中的边缘偏移位置是从其开头起的第6个时钟。

在本应用示例中，对于每个盘D16来说唯一的信息被记录在盘D16上。用于读取内容数据的控制信息可取代上述ID信息而被写入到每个盘D16中，以使得对于不同的盘，控制内容可以不同。从而，可以从不同的盘100再现不同的内容。

对于例如电影的内容数据，可以使电影的内容彼此有部分不同，或者可以使电影的结尾彼此不同，从而提高娱乐性。例如，大规模生产的原始数据记录盘D16被存储在工厂中，并且对于不同的运输目的地区域来说不同的控制信息在盘被运输之前被写入到每张盘中。从而，对于不同的销售区域，故事的结束可以不同。

如上所述，根据本发明，凹坑可被变形成岸台，或者岸台可被变形成凹坑，从而对记录在光盘记录介质上的数据进行重写。

在此情况下，由于根据本发明凹坑到岸台变形和岸台到凹坑变形都可以被执行，因此对记录数据进行重写的灵活性可以高于使用任一种变形的情况。

Claims (9)

1.一种用于光盘记录介质的记录设备，所述介质包括至少被反射层和覆盖层所覆盖的基片并且通过在所述基片中形成的凹坑和岸台的组合而被记录以数据，所述设备包括：

激光照射装置，用于利用具有预定激光功率的激光来照射所述光盘记录介质，以将所述基片的被照射部分变形成凸起部分；以及

记录控制装置，用于控制所述激光照射装置，以使得所述光盘记录介质中的预定的凹坑或岸台被用所述具有预定激光功率的激光所照射，

其中所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射的凹坑被变形成其中再现信号电平等同于每个岸台中的再现信号电平的凸起部分，或者使得所述基片的被照射的岸台被变形成其中再现信号电平等同于每个凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

2.根据权利要求1所述的记录设备，其中

所述光盘记录介质包括在多个预定的位置的比特写入区域，每个比特写入区域以预定的数据样式被进行记录，以使得当数据被记录时，至少一个岸台和一个凹坑被形成为与彼此相邻；并且

所述记录控制装置控制所述激光照射装置，以使得每个比特写入区域中的岸台或凹坑的边缘部分是要被用所述具有预定激光功率的激光所照射的目标。

3.根据权利要求2所述的记录设备，其中，数据是利用一个样式被记录在每个比特写入区域中的，该样式包括各自具有预定的长度或更长的相邻的岸台和凹坑。

4.根据权利要求2所述的记录设备，其中

所述记录控制装置控制所述激光照射装置，以使得每个比特写入区域中的岸台的边缘部分是要被用所述具有预定功率的激光所照射的目标，并且

所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射部分被变形成其中再现信号电平等同于所述凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

5.根据权利要求2所述的记录设备，其中

所述记录控制装置控制所述激光照射装置，以使得每个比特写入区域中的凹坑的边缘部分是要被用所述具有预定功率的激光所照射的目标，并且

所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射部分被变形成其中再现信号电平等同于所述岸台中的再现信号电平的凸起部分。

6.根据权利要求2所述的记录设备，其中

所述记录控制装置控制所述激光照射装置，以使得每个比特写入区域中的凹坑的边缘部分是要被用所述具有预定功率的激光所照射的目标，并且

所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射部分被变形成其中再现信号电平低于原始凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

7.一种用于在光盘记录介质上执行记录的记录设备的记录方法，所述介质包括至少被反射层和覆盖层所覆盖的基片并且利用在所述基片中形成的凹坑和岸台的组合而被记录以数据，所述方法包括：

利用具有预定激光功率的激光来照射所述光盘记录介质中的凹坑或岸台，以将所述基片的每个被照射部分变形成凸起部分，从而重写所述数据，其中所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射的凹坑被变形成其中再现信号电平等同于每个岸台中的再现信号电平的凸起部分，或者使得所述基片的被照射的岸台被变形成其中再现信号电平等同于每个凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

8.一种制造光盘记录介质的盘制造方法，所述介质包括至少被反射层和覆盖层所覆盖的基片并且利用在所述基片中形成的凹坑和岸台的组合而被记录以数据，所述方法包括：

主盘产生步骤，产生其上利用所述凹坑和岸台的组合而记录了所述数据的主盘；

盘形成步骤，利用基于所述主盘而制作的压模来形成所述基片，并且至少将所述反射层和所述覆盖层布置在所述基片上以形成其上记录所述数据的原始数据记录盘；以及

数据重写步骤，利用具有预定激光功率的激光来照射所述原始数据记录盘中的所述凹坑或岸台，以将所述基片的被照射部分变形成凸起部分，从而重写所述数据，其中所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射的凹坑被变形成其中再现信号电平等同于每个岸台中的再现信号电平的凸起部分，或者使得所述基片的被照射的岸台被变形成其中再现信号电平等同于每个凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

9.一种光盘记录介质，包括至少被反射层和覆盖层所覆盖的基片，所述介质利用在所述基片中形成的凹坑和岸台的组合而被记录以数据，其中

所述数据是通过利用具有预定激光功率的激光来照射所述基片的相应部分以将所述部分变形成凸起部分而被重写在所述基片中的所述凹坑或岸台中的，其中所述预定激光功率被设置成使得所述基片的被照射的凹坑被变形成其中再现信号电平等同于每个岸台中的再现信号电平的凸起部分，或者使得所述基片的被照射的岸台被变形成其中再现信号电平等同于每个凹坑中的再现信号电平的凸起部分。

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