CN101182201A - 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料 - Google Patents

纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料 Download PDF

Info

Publication number
CN101182201A
CN101182201A CNA2007101781323A CN200710178132A CN101182201A CN 101182201 A CN101182201 A CN 101182201A CN A2007101781323 A CNA2007101781323 A CN A2007101781323A CN 200710178132 A CN200710178132 A CN 200710178132A CN 101182201 A CN101182201 A CN 101182201A
Authority
CN
China
Prior art keywords
agent
metal inner
mixed nanometer
base metal
layer ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101781323A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101182201B (zh
Inventor
王晓慧
田之滨
王天
李龙土
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN2007101781323A priority Critical patent/CN101182201B/zh
Publication of CN101182201A publication Critical patent/CN101182201A/zh
Priority to US12/277,994 priority patent/US20090135546A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101182201B publication Critical patent/CN101182201B/zh
Priority to US14/106,168 priority patent/US9266781B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。由在配方中所占摩尔分数为90～98mol％主料钛酸钡BaTiO3和占材料总量的2～10mol％的纳米掺杂剂组成陶瓷材料。在还原气氛中，于950℃～1250℃的温度范围内进行“两段式”烧结或常规烧结，可获得性能优异的X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤1.5％，陶瓷的晶粒大小可以控制在100～200nm，均匀性好，适用于生产大容量、介电层厚度小于3μm的超薄介电层的多层陶瓷电容器，并且绝缘电阻率高，性能稳定。

Description

纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
技术领域
本发明属于电子陶瓷电容器材料技术领域，特别涉及一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。尤其涉及制造以贱金属(例如镍)做内电极的超细晶、温度稳定型贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。
背景技术
随着电子设备与产品小型化、大容量的发展趋势，表面贴装技术的运用越来越广。用于表面贴装的电子元器件为片式元器件。多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类。多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors)简称MLCC。它采用流延-共烧工艺制备，将介质材料与电极材料交叠形成一个整体。MLCC具有体积小、内部电感低、绝缘电阻高及漏电流小、介质损耗低、价廉等优点，被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路，尤其是高频电路。根据国际电子工业协会EIA(Electronic Industries Association)标准，X7R温度稳定型MLCC是指以25℃的电容值为基准，在温度从-55℃到+125℃的范围之内，容温变化率(TCC)≤±15％，介电损耗(DF)≤2.5％；X5R温度稳定型MLCC是指以25℃的电容值为基准，在温度从-55℃到+85℃的范围之内，容温变化率≤±15％，介电损耗(DF)≤2.5％。温度稳定型MLCC按组成分两大类：一类由含铅的铁电体组成，另一类以BaTiO3基非铅系的铁电体组成。而后者由于对环境无污染，并且机械强度及可靠性优于前者，因此非铅系BaTiO3基温度稳定型MLCC具有广阔的应用前景。
为了降低多层陶瓷片式电容器的生产成本，发展Ni、Cu等贱金属及其合金作为内电极材料是一个重要方向。但这些贱金属在空气中烧结会发生氧化，失去作为内电极的作用，故必须使用中性或还原性气氛。同时要加入Mn、Mg等金属防止钛酸钡基介电陶瓷在中性或还原气氛烧结中发生半导化。目前，在日本专利JP-A-63-103861中，陶瓷材料基本组成为BaTiO3-MnO-MgO-稀土氧化物，这个组成的绝缘电阻和介电温度系数受钛酸钡主料的晶粒大小影响，很难通过控制材料组成获得温度稳定的介电性能。在德国专利DE-19918091A1中，陶瓷材料的基本组成是BaTiO3-MgO-MnO-V2O5-Al2O3-Ho2O3-BaCO3-SrO-CaO-CoO-ZrO2。
该材料组成满足X7R性能要求，室温介电常数可在2000～4000进行调节，但是烧结温度过高，大于1300℃，介电温度系数较大，在-55℃或-125℃接近-15％，不适合用于大规模生产。在美国专利US-20040229746A1中，陶瓷材料基本组成为BaTiO3-Mn3O4-Y2O3-Ho2O3-CaCO3-SiO2-B2O3-Al 2O3-MgO-CaO，可在1200℃～1300℃进行烧结，但陶瓷晶粒大于500nm，不利于介质层的减薄。
随着电子元器件小型化、高性能的发展需求，贱金属内电极多层陶瓷电容器也向大容量、超薄层方向发展。介质单层厚度不断降低，从10μm降到5μm，2μm，1μm甚至更薄。这就对陶瓷介质材料晶粒尺寸提出更高的要求，为保证器件的可靠性，陶瓷晶粒尺寸也要相应的从1000纳米降低到500纳米，200纳米，100纳米乃至更小，并且要求陶瓷晶粒的大小均匀。但晶粒尺寸的减小往往引起介电常数的降低，在美国专利US-62709906B1中，陶瓷晶粒尺寸降为100～200纳米时，介电常数为1600～1800，均低于2000。因此，如何进行更有效的掺杂，控制陶瓷介质材料的组成、结构及烧结工艺以获得超细晶、粒度均匀并且高性能的MLCC材料以满足大容量、超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的要求是本发明所要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，由钛酸钡主料和纳米掺杂剂组成，其特征在于：所述主料钛酸钡BaTiO3在配方中所占摩尔分数为90～98mol％；所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的2～10mol％。
所述纳米掺杂剂为下列成分的氧化物复合组成：
w A+x B+y C+z D
其中A为CaTiO3，CaO，BaO，SrO，MgO中的一种以上；
B为MnO2，Co2O3，Co3O4，Fe2O3，Y2O3中的一种以上；
C为SiO2，B2O3，Li2O中的一种以上；
D为稀土Re氧化物，Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上。
w、x、y、z是各类氧化物相对于BaTiO3的摩尔分数，其中w：0.01～2mol％，x：0.01～3mol％，y：0.1～6mol％，z：0～4mol％.
所述纳米掺杂剂用水基溶胶-凝胶法制备：
①将上述w A+x B+y C+z D中的金属元素的硝酸盐或醋酸盐之可溶性盐按摩尔比称重混合，溶解于去离子水中。再按重量比加入盐总重∶聚乙二醇＝0.1～3，持续搅拌，溶解后得澄清溶液。
②按体积比，将硅的醇盐∶无水乙醇∶醋酸∶去离子水＝1∶(1～15)∶(1～8)∶(5～40)，混合均匀，得到澄清稳定的溶液；
③将步骤①中的溶液过滤后，按体积比0.5～20∶1缓慢倒入步骤②的溶液中，持续搅拌，得到澄清的前驱体溶液；
④将步骤③得到的溶胶于80℃～160℃干燥6h～48h，得到干凝胶；
⑤将干凝胶于400℃～1000℃在空气中预烧1～10h后，研磨过筛，即得所需纳米掺杂剂。
所述制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，具体工艺步骤如下：
①将上述纳米掺杂剂与钛酸钡粉体混合，加入有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂，其中按质量比，陶瓷粉体∶有机溶剂∶粘结剂∶分散剂∶增塑剂＝(10～50)∶(3～10)∶(1～4)∶(1～10)∶(1～2)，球磨6～48小时，获得流延浆料；
②流延成介电层：介电层厚度≤10μm；
③与贱金属内电极层相互叠加，制造出生坯；
④排胶：在300℃，空气中，保温20个小时；若高于300℃排胶温度，则用氮气保护；
⑤在还原气氛下烧结：烧结过程中通入按体积比40∶1～15∶1的N2/H2，同时加湿，将氧分压控制在10-6～10-12atm的范围内，可以采用两段式烧结和常规烧结：(a)“两段式”烧结，指生坯的致密化经历两个阶段，先行在T1温度下，短暂保温0～30分钟，然后降温到T2温度继续保温2～8小时，达到完全致密化，其中T1＞T2(950℃≤T2＜T1≤1250℃)；(b)常规烧结，指生坯烧结是在1050℃～1250℃温度下直接恒温2～8小时完成致密化过程。
⑥在弱氧化条件下退火：炉温在800℃～1100℃，保温4小时，氧分压控制在10-5～10-2atm的范围内；
⑦冷却至室温；
⑧端电极工艺：端电极为Cu或Ag，炉温在600℃～800℃，保温1小时，氮气保护，自然冷却后，即得到温度稳定型内电极为贱金属的多层陶瓷电容介电材料。
所述硅的醇盐为正硅酸乙酯或正硅酸丁酯等。
所述有机溶剂为甲苯或乙醇等、粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛、分散剂为磷酸酯、增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯。
本发明的有益效果为按钛酸钡主料和纳米掺杂剂组成多层陶瓷电容介电材料配方，采用“两段式”烧结或常规烧结，制备出性能优异的温度稳定型(X7R/X5R型)MLCC材料。其室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600之间，满足X7R/X5R性能要求，容温变化率小，介电损耗小，并且具有高绝缘电阻率，性能稳定。晶粒尺寸在100nm～200nm，且均匀性良好，适用于生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于3μm)的多层陶瓷电容器。制备工艺简便，配方简单可调，烧结工艺易控，具有较高介电常数的超细晶的温度稳定型贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料。
附图说明
图1对应于实施例1合成的纳米掺杂剂的透射电镜照片；；
图2对应于实施例2样品1介电常数的温度特性曲线
图3对应于实施例2样品1电容变化率随温度变化的曲线；
图4对应于实施例2样品1烧结后表面形貌的扫描电镜照片。
具体实施方式
本发明提供一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，由钛酸钡主料和纳米掺杂剂组成，其特征在于：所述主料钛酸钡BaTiO3在配方中所占摩尔分数为90～98mol％；所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的2～10mol％。
所述纳米掺杂剂为下列成分的氧化物复合组成：
w A+x B+y C+z D
其中A为CaTiO3，CaO，BaO，SrO，MgO中的一种以上；
B为MnO2，Co2O3，Co3O4，Fe2O3，Y2O3中的一种以上；
C为SiO2，B2O3，Li2O中的一种以上；
D为稀土Re氧化物，Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上。通过溶胶-凝胶法合成的纳米掺杂剂，
w、x、y、z是各类氧化物相对于BaTiO3的摩尔分数，其中w：0.01～2mol％，x：0.01～3mol％，y：0.1～6mol％，z：0～4mol％.
所述纳米掺杂剂用水基溶胶-凝胶法制备：
①将上述w A+x B+y C+z D中的金属元素的硝酸盐或醋酸盐之可溶性盐按摩尔比称重混合，溶解于去离子水中。再按重量比加入盐总重∶聚乙二醇＝0.1～3，持续搅拌，溶解后得澄清溶液。
②按体积比，将硅的醇盐∶无水乙醇∶醋酸∶去离子水＝1∶1～15∶1～8∶5～40，混合均匀，得到澄清稳定的溶液；
③将步骤①中的溶液过滤后，按体积比0.5～20∶1缓慢倒入步骤②的溶液中，持续搅拌，得到澄清的前驱体溶液；
④将步骤③得到的溶胶于80℃～160℃干燥6h～48h，得到干凝胶；
⑤将干凝胶于400℃～1000℃在空气中预烧1～10h后，研磨过筛，即得所需纳米掺杂剂，纳米级掺杂剂粒径为10～80纳米。
所述制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，具体工艺步骤如下：
①将上述纳米掺杂剂与钛酸钡粉体混合，加入有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂，其中按质量比，陶瓷粉体∶有机溶剂∶粘结剂∶分散剂∶增塑剂＝(10～50)∶(3～10)∶(1～4)∶(1～10)∶(1～2)，球磨6～48小时，获得流延浆料；
②流延成介电层：介电层厚度≤10μm；
③与贱金属内电极层相互叠加，制造出生坯；
④排胶：在300℃，空气中，保温20个小时；若高于300℃排胶温度，则用氮气保护；
⑤在还原气氛下烧结：烧结过程中通入N2/H2(40∶1～15∶1)，同时加湿，将氧分压控制在10-6～10-12atm的范围内，可以采用两段式烧结和常规烧结：(a)“两段式”烧结，指生坯的致密化经历两个阶段，先行在T1温度下，短暂保温0～30分钟，然后降温到T2温度继续保温2～8小时，达到完全致密化，其中T1＞T2(950℃≤T2＜T1≤1250℃)；(b)常规烧结，指生坯烧结是在1050℃～1250℃温度下直接恒温2～8小时完成致密化过程。
⑥在弱氧化条件下退火：炉温在800℃～1100℃，保温4小时，氧分压控制在10-5～10-2atm的范围内；
⑦冷却至室温；
⑧端电极工艺：端电极为Cu或Ag，炉温在600℃～800℃，保温1小时，氮气保护，自然冷却后，即得到温度稳定型内电极为贱金属的多层陶瓷电容介电材料。
所述硅的醇盐为正硅酸乙酯或正硅酸丁酯。
所述有机溶剂为甲苯或乙醇、粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛、分散剂为磷酸酯、增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯。
下面举实施例进一步说明如下：
实施例1纳米掺杂剂的制备。按Y∶Mn∶Mg∶Si∶Ca＝5∶3∶12∶7∶1的摩尔比称取相应重量的可溶性盐及正硅酸乙酯。按照本发明的溶胶-凝胶法纳米掺杂剂制备工艺，制得前驱体溶液，先于120℃干燥24h，再于140℃干燥6h，得到干凝胶。所得干凝胶于800℃热处理3h后，经研磨过筛，得到所需纳米掺杂剂ND1。图1是纳米掺杂剂的透射电子显微镜照片。
实施例2按照BaTiO3：93mol％；(晶粒大小为分别为110nm，125nm，150nm)，纳米掺杂剂ND1：7mol％配比。将上述材料进行混合，球磨，然后干燥。该瓷料压制成圆片后，在N2/H2(20∶1)还原气氛下，于1200℃烧结2h，然后在弱氧化条件下于1050℃退火2h。样品表面被上银电极，进行电学性能测试，介电性能参数见表1。图2的曲线给出的是本实施例2样品1的介电常数随温度变化的特性曲线，图3给出实施例2样品1的电容变化率随温度变化的曲线。图4为实施例2样品1在烧结后表面形貌的扫描电镜照片，陶瓷晶粒为球形，粒度均匀，平均晶粒尺寸为150纳米。
表1
    样品号     粉体粒径(nm)   烧结条件   介电常数(25℃)   晶粒尺寸(nm)     规格
    1     110   1200℃-2h   2171   150     X7R
    2     125   1200℃-2h   2091   164     X7R
    3     150   1200℃-2h   2373   178     X7R
实施例3按照本发明提供的溶胶-凝胶法纳米掺杂剂制备工艺，合成不同成分的纳米掺杂剂ND2～ND7，如表2所示。以纳米掺杂剂相对于钛酸钡的2～10mol％进行掺杂，如表3所示。将上述材料进行混合，球磨，然后干燥，得到的瓷料压制成圆片后，在N2/H2(25∶1)还原气氛下，于1150～1250℃烧结2～3h，然后在弱氧化条件下于1050℃退火3h。样品表面被上银电极，进行电学性能测试，介电性能参数见表3。
表2
    掺杂剂编号  成分(元素摩尔比)
    ND2  Y∶Ce∶Mn∶Mg∶Si∶Ca＝4∶1∶3∶12∶5∶2
    ND3  Y∶Ce∶Mn∶Mg∶Si∶Ca＝5∶1∶2.5∶10∶5∶2.5
    ND4  Y∶Sm∶Mn∶Mg∶Si∶Ba＝3∶1∶4.5∶10∶4∶3
    ND5  Dy∶Mn∶Mg∶Si∶Ca＝1∶4.5∶11∶6.5∶2
    ND6  Dy∶Co∶Mg∶Si∶B＝1∶2.5∶15∶4∶1
    ND7  Er∶Sm∶Mn∶Mg∶Si∶Ba＝1∶3∶5∶14∶3.5
表3
  样品号   钛酸钡粒径(nm)   掺杂剂     掺杂比例(mol)(BaTiO3∶ND)  烧结条件   介电常数(25℃)   晶粒尺寸(nm)   规格
  4   110   ND2     95∶5  1180℃-3h   2070   147   X7R
  5   125   ND2     97∶3  1200℃-2h   2617   163   X5R
  6   150   ND3     97∶3  1200℃-2h   2299   175   X7R
  7   125   ND4     94∶6  1200℃-2h   2135   154   X7R
  8   110   ND5     96∶4  1200℃-2h   2203   152   X7R
  9   125   ND6     96∶4  1150℃-3h   2193   149   X7R
  10   125   ND7     98∶2  1220℃-2h   2538   185   X5R
实施例4以纳米掺杂剂ND4，ND6对钛酸钡进行掺杂。将上述材料进行混合，球磨，然后干燥，得到的瓷料压制成圆片后，在N2/H2(30∶1)还原气氛下，采用“两段式”烧结，升温至1200～1250℃后迅速降温至950℃～1100℃保温2～8h，然后在弱氧化条件于900～1000℃退火3h。样品表面被上银电极，进行电学性能测试，介电性能参数见表4。
表4
  样品号   钛酸钡粒径(nm)   掺杂剂   掺杂比例(mol)(BaTiO3∶ND，)     烧结条件     介电常数(25℃)     晶粒尺寸(nm)   规格
  11   110   ND4   95∶5     1220℃-0min，1050℃-2h     2068     149   X7R
  12   125   ND6   97∶3     1220℃-0min，1080℃-2h     2515     174   X5R
  13   110   ND4   97∶3     1180℃-10min，950℃-8h     2236     144   X5R
  14   110   ND6   97∶3     1200℃-5min，950℃-5h     2103     157   X7R
上述实施例在1050～1250℃的温度范围内，制备了满足温度稳定型X7R/X5R型性能指标要求的纳米晶钛酸钡基贱金属内电极MLCC瓷料。MLCC的室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600，容温变化率小于±15％，介电损耗小于2.5％。绝缘电阻率为1012Ω·cm～1013Ω·cm，击穿电压大于5KV/mm，晶粒大小在100nm～200nm的范围内。采用该介质材料在1200℃烧制成了介质层厚度2.5μm的贱金属内电极多层陶瓷片式电容器，室温介电常数3600，温度特性满足X5R标准，平均晶粒尺寸小于200nm。该材料可以应用于大容量、超薄层(介电层厚度小于3μm)多层陶瓷电容器，是一种具有广泛应用前景的MLCC材料。

Claims (8)

1.一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于：该电容器介质材料是在主料钛酸钡中掺入纳米掺杂剂组成；所述主料钛酸钡BaTiO3在配方中所占摩尔分数为90～98mol％；所述纳米掺杂剂的用量占材料总量的2～10mol％。
2.根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于：所述纳米掺杂剂为下列成分的氧化物复合组成：
w A+x B+y C+z D
其中A为CaTiO3，CaO，BaO，SrO，MgO中的一种以上；
B为MnO2，Co2O3，Co3O4，Fe2O3，Y2O3中的一种以上；
C为SiO2，B2O3，Li2O中的一种以上；
D为稀土Re氧化物，Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种以上；
w、x、y、z是各类氧化物相对于BaTiO3的摩尔分数，其中w：0.01～2mol％，x：0.01～3mol％，y：0.1～6mol％，z：0～4mol％。
3.根据权利要求1所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料，其特征在于：所述主料钛酸钡的粒度小于200nm。
4.一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，以钛酸钡为主料，加入上述w A+x B+y C+z D成分的氧化物复合成纳米掺杂剂，
其特征在于：所述纳米掺杂剂用水基溶胶-凝胶法制备：
①将上述w A+x B+y C+z D中的金属元素的硝酸盐或醋酸盐之可溶性盐按摩尔比称重混合，溶解于去离子水中，再按重量比加入盐总重∶聚乙二醇＝0.1～3，持续搅拌，溶解后得澄清溶液；
②按体积比，将硅的醇盐∶无水乙醇∶醋酸∶去离子水＝1∶1～15∶1～8∶5～40，混合均匀，得到澄清稳定的溶液；
③将步骤①中的溶液过滤后，按体积比0.5～20∶1缓慢倒入步骤②的溶液中，持续搅拌，得到澄清的前驱体溶液；
④将步骤③得到的溶胶于80℃～160℃干燥6h～48h，得到干凝胶；
⑤将干凝胶于400℃～1000℃在空气中预烧1～10h后，研磨过筛，即得所需纳米掺杂剂。
5.根据权利要求4所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，其特征在于：所述纳米级掺杂剂粒径为10～80纳米。
6.根据权利要求4所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，其特征在于：所述制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的工艺步骤如下：
①将上述纳米掺杂剂与钛酸钡粉体混合，加入有机溶剂、粘结剂、分散剂、增塑剂，其中按质量比，陶瓷粉体∶有机溶剂∶粘结剂∶分散剂∶增塑剂＝(10～50)∶(3～10)∶(1～4)∶(1～10)∶(1～2)，球磨6～48小时，获得流延浆料；
②流延成介电层：介电层厚度≤10μm；
③与贱金属内电极层相互叠加，制造出生坯；
④排胶：在300℃，空气中，保温20个小时；若高于300℃排胶温度，则用氮气保护；
⑤在还原气氛下烧结：烧结过程中通入N2/H2(40∶1～15∶1)，同时加湿，将氧分压控制在10-6～10-12atm的范围内，可以采用两段式烧结和常规烧结：(a)“两段式”烧结，指生坯的致密化经历两个阶段，先行在T1温度下，短暂保温0～30分钟，然后降温到T2温度继续保温2～8小时，达到完全致密化，其中T1＞T2(950℃≤T2＜T1≤1250℃)；(b)常规烧结，指生坯烧结是在1050℃～1250℃温度下直接恒温2～8小时完成致密化过程；
⑥在弱氧化条件下退火：炉温在800℃～1100℃，保温4小时，氧分压控制在10-5～10-2atm的范围内；
⑦冷却至室温；
⑧端电极工艺：端电极为Cu或Ag，炉温在600℃～800℃，保温1小时，氮气保护，自然冷却后，即得到温度稳定型内电极为贱金属的多层陶瓷电容介电材料。
7.根据权利要求4所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，其特征在于：所述硅的醇盐为正硅酸乙酯或正硅酸丁酯。
8.根据权利要求4所述纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料的方法，其特征在于：所述有机溶剂为甲苯或乙醇、粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛、分散剂为磷酸酯、增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯或邻苯二甲酸二辛酯。
CN2007101781323A 2007-11-27 2007-11-27 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料 Active CN101182201B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101781323A CN101182201B (zh) 2007-11-27 2007-11-27 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
US12/277,994 US20090135546A1 (en) 2007-11-27 2008-11-25 Nano complex oxide doped dielectric ceramic material, preparation method thereof and multilayer ceramic capacitors made from the same
US14/106,168 US9266781B2 (en) 2007-11-27 2013-12-13 Nano complex oxide doped dielectric ceramic material, preparation method thereof and multilayer ceramic capacitors made from the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101781323A CN101182201B (zh) 2007-11-27 2007-11-27 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101182201A true CN101182201A (zh) 2008-05-21
CN101182201B CN101182201B (zh) 2010-06-02

Family

ID=39447643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101781323A Active CN101182201B (zh) 2007-11-27 2007-11-27 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101182201B (zh)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101823886A (zh) * 2008-12-30 2010-09-08 罗伯特·博世有限公司 用于制备陶瓷件的组合物
CN103563024A (zh) * 2011-08-02 2014-02-05 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
CN103601488A (zh) * 2013-12-03 2014-02-26 广州天极电子科技有限公司 一种调控陶瓷电介质微观结构及介电性能的方法
CN105556625A (zh) * 2013-09-20 2016-05-04 株式会社村田制作所 陶瓷生片、层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器
CN105693237A (zh) * 2016-01-21 2016-06-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法
CN106128758A (zh) * 2016-06-13 2016-11-16 吴江佳亿电子科技有限公司 一种改良型半导体陶瓷电容器材料及其制备方法
CN106116567A (zh) * 2016-06-22 2016-11-16 刘和来 高密度纳米钛酸钡陶瓷的制备方法
CN108217720A (zh) * 2016-12-15 2018-06-29 南方科技大学 片式多层陶瓷电容器用钛酸钡纳米晶的制备方法
CN108455982A (zh) * 2018-03-28 2018-08-28 天津大学 一种超薄型陶瓷流延方法及其设备系统
CN109111230A (zh) * 2018-10-31 2019-01-01 航天特种材料及工艺技术研究所 一种氧化钇-氧化镁纳米复合粉体及其制备方法
US10312023B2 (en) 2015-06-05 2019-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and method for producing the same
CN110763375A (zh) * 2019-11-07 2020-02-07 南方科技大学 一种介电层、离子电容式柔性触觉传感器及其制备方法和应用
CN110818407A (zh) * 2019-11-05 2020-02-21 广东风华高新科技股份有限公司 一种x7r特性mlcc介质材料及其制备方法
CN111933451A (zh) * 2020-07-08 2020-11-13 四川华瓷科技有限公司 一种射频片式多层陶瓷电容器的制备方法
CN113354410A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 潮州三环（集团）股份有限公司 一种陶瓷材料及其制备方法与应用
CN113443910A (zh) * 2021-07-21 2021-09-28 广东工业大学 一种在与贱金属内电极适配的钛酸锶钡陶瓷材料及其制备方法
CN113880569A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 深圳市信维通信股份有限公司 一种多层片式陶瓷电容器的介质材料及其制备方法
CN114188155A (zh) * 2021-12-02 2022-03-15 清华大学 一种适用于超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的x7r/x8r介质粉体及制备方法
CN114230335A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 福建贝思科电子材料股份有限公司 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法
CN114605144A (zh) * 2022-02-17 2022-06-10 深圳先进电子材料国际创新研究院 中高压陶瓷电容介质材料及其用途
CN114751735A (zh) * 2022-03-03 2022-07-15 常州大学 一种电介质储能陶瓷粉末、制备方法及其在陶瓷膜中的应用
CN114956807A (zh) * 2021-09-15 2022-08-30 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种电容陶瓷片及其制备方法和应用
CN115504781A (zh) * 2022-08-24 2022-12-23 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种宽温稳定型陶瓷介电材料及其制备方法和应用
CN116655371A (zh) * 2023-06-16 2023-08-29 广东新岭南科技有限公司 二氧化锡电极的制备方法及二氧化锡电极

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1252755C (zh) * 2002-10-14 2006-04-19 清华大学 温度稳定型的贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料
CN1461023A (zh) * 2003-06-27 2003-12-10 清华大学 超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺
CN1281549C (zh) * 2004-05-14 2006-10-25 北京科技大学 镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉的制备方法
CN1329304C (zh) * 2005-09-01 2007-08-01 北京科技大学 一种液相合成钛酸钡或钛酸钡基掺杂纳米粉料的方法
CN100508084C (zh) * 2005-12-13 2009-07-01 清华大学 细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101823886A (zh) * 2008-12-30 2010-09-08 罗伯特·博世有限公司 用于制备陶瓷件的组合物
CN103563024A (zh) * 2011-08-02 2014-02-05 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
CN103563024B (zh) * 2011-08-02 2016-08-24 株式会社村田制作所 层叠陶瓷电容器
CN105556625B (zh) * 2013-09-20 2018-12-04 株式会社村田制作所 陶瓷生片、层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器
CN105556625A (zh) * 2013-09-20 2016-05-04 株式会社村田制作所 陶瓷生片、层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器
US9799450B2 (en) 2013-09-20 2017-10-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic green sheet, method for manufacturing multilayer ceramic capacitor, and multilayer ceramic capacitor
CN103601488A (zh) * 2013-12-03 2014-02-26 广州天极电子科技有限公司 一种调控陶瓷电介质微观结构及介电性能的方法
CN103601488B (zh) * 2013-12-03 2015-04-08 广州天极电子科技有限公司 一种调控陶瓷电介质微观结构及介电性能的方法
US10312023B2 (en) 2015-06-05 2019-06-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor and method for producing the same
CN105693237A (zh) * 2016-01-21 2016-06-22 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种高耐压陶瓷电介质材料及其制备方法
CN106128758A (zh) * 2016-06-13 2016-11-16 吴江佳亿电子科技有限公司 一种改良型半导体陶瓷电容器材料及其制备方法
CN106128758B (zh) * 2016-06-13 2018-02-13 吴江佳亿电子科技有限公司 一种改良型半导体陶瓷电容器材料及其制备方法
CN106116567A (zh) * 2016-06-22 2016-11-16 刘和来 高密度纳米钛酸钡陶瓷的制备方法
CN106116567B (zh) * 2016-06-22 2018-11-02 刘和来 高密度纳米钛酸钡陶瓷的制备方法
CN108217720A (zh) * 2016-12-15 2018-06-29 南方科技大学 片式多层陶瓷电容器用钛酸钡纳米晶的制备方法
CN108455982A (zh) * 2018-03-28 2018-08-28 天津大学 一种超薄型陶瓷流延方法及其设备系统
CN109111230A (zh) * 2018-10-31 2019-01-01 航天特种材料及工艺技术研究所 一种氧化钇-氧化镁纳米复合粉体及其制备方法
CN109111230B (zh) * 2018-10-31 2020-12-29 航天特种材料及工艺技术研究所 一种氧化钇-氧化镁纳米复合粉体及其制备方法
CN110818407A (zh) * 2019-11-05 2020-02-21 广东风华高新科技股份有限公司 一种x7r特性mlcc介质材料及其制备方法
CN110818407B (zh) * 2019-11-05 2022-03-04 广东风华高新科技股份有限公司 一种x7r特性mlcc介质材料及其制备方法
CN110763375A (zh) * 2019-11-07 2020-02-07 南方科技大学 一种介电层、离子电容式柔性触觉传感器及其制备方法和应用
CN110763375B (zh) * 2019-11-07 2022-04-05 南方科技大学 一种介电层、离子电容式柔性触觉传感器及其制备方法和应用
CN111933451A (zh) * 2020-07-08 2020-11-13 四川华瓷科技有限公司 一种射频片式多层陶瓷电容器的制备方法
CN113354410A (zh) * 2021-06-01 2021-09-07 潮州三环（集团）股份有限公司 一种陶瓷材料及其制备方法与应用
CN113443910A (zh) * 2021-07-21 2021-09-28 广东工业大学 一种在与贱金属内电极适配的钛酸锶钡陶瓷材料及其制备方法
CN114956807A (zh) * 2021-09-15 2022-08-30 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种电容陶瓷片及其制备方法和应用
CN113880569A (zh) * 2021-10-11 2022-01-04 深圳市信维通信股份有限公司 一种多层片式陶瓷电容器的介质材料及其制备方法
CN114188155A (zh) * 2021-12-02 2022-03-15 清华大学 一种适用于超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的x7r/x8r介质粉体及制备方法
CN114230335A (zh) * 2021-12-22 2022-03-25 福建贝思科电子材料股份有限公司 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法
CN114230335B (zh) * 2021-12-22 2022-12-13 福建贝思科电子材料股份有限公司 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法
CN114605144A (zh) * 2022-02-17 2022-06-10 深圳先进电子材料国际创新研究院 中高压陶瓷电容介质材料及其用途
CN114751735A (zh) * 2022-03-03 2022-07-15 常州大学 一种电介质储能陶瓷粉末、制备方法及其在陶瓷膜中的应用
CN115504781A (zh) * 2022-08-24 2022-12-23 深圳先进电子材料国际创新研究院 一种宽温稳定型陶瓷介电材料及其制备方法和应用
CN116655371A (zh) * 2023-06-16 2023-08-29 广东新岭南科技有限公司 二氧化锡电极的制备方法及二氧化锡电极

Also Published As

Publication number Publication date
CN101182201B (zh) 2010-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101182201B (zh) 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
CN101880167B (zh) 水体系化学包覆制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
CN101183610B (zh) 化学包覆制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
JP4991564B2 (ja) 積層セラミックコンデンサ
TWI402872B (zh) 電介質瓷器及疊層陶瓷電容器以及它們的製造方法
CN1252755C (zh) 温度稳定型的贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料
US20140102619A1 (en) Nano complex oxide doped dielectric ceramic material, preparation method thereof and multilayer ceramic capacitors made from the same
CN100508084C (zh) 细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
CN101088960A (zh) 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法
CN101104558A (zh) 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法
EP2159196A1 (en) Semiconductor ceramic powder, semiconductor ceramic, and laminated semiconductor capacitor
CN1854105A (zh) 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
JPWO2012120712A1 (ja) 積層セラミックコンデンサ
US8456798B2 (en) Hexagonal type barium titanate powder, producing method thereof, dielectric ceramic composition and electronic component
CN107799307B (zh) 多层陶瓷电容器和多层陶瓷电容器的制造方法
US8335073B2 (en) Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component
KR20070118557A (ko) 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 그 제조 방법
CN101549997A (zh) 电介质陶瓷组合物和电子部件
JP2012028568A (ja) バリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ
JP2008078593A (ja) 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
CN114188155A (zh) 一种适用于超薄层贱金属内电极多层陶瓷电容器的x7r/x8r介质粉体及制备方法
CN1461023A (zh) 超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺
JP2013209239A (ja) 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ
CN100570771C (zh) 贱金属电极多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法
JP5541318B2 (ja) 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant