CN101150091A - 像素结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种边缘场切换液晶显示器的像素结构及其制造方法，提供了包含控制区域及显示区域的像素结构的制造方法，该方法包含：在基板上形成包含数据线及栅极的图案化第一导电层；在该基板上形成覆盖该图案化第一导电层的第一绝缘层；在该栅极上的第一绝缘层上形成图案化半导体层；形成包含源极、漏极及栅极线的图案化第二导电层；形成电性连接该漏极并覆盖该显示区域的像素电极；形成第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层；以及形成包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极的图案化第三导电层。本发明制造方法仅需六道光刻与蚀刻工艺，节省了制造成本与制造时间，并且像素结构仅包含二层绝缘层，进一步提升像素结构的透光性。

Description

像素结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的像素结构及其制造方法；特别涉及一种边缘场切换(Fringe Field Switching，FFS)液晶显示器的像素结构及其制造方法。

背景技术

目前的显示器产品中，液晶显示器的应用愈趋广泛，已逐渐成为市场上的主流，然而就液晶显示器的影像表现而言，仍存在有反应速度较慢、开口率较低等问题。为了增加液晶显示器的反应速率及开口率，已知有一种边缘场切换液晶显示器(Fringe Field Switching Liquid Crystal Display，FFS-LCD)，与一般平面切换液晶显示器(In-Plane Switching Liquid Crystal Display，IPS)相比，边缘场切换液晶显示器具有更高的开口率，整体透光性更好，也比传统的液晶显示器具有更高的反应速率。

在边缘场切换液晶显示器的像素结构中，在像素结构的显示区域上运用了叠置且彼此绝缘的像素电极及共通电极，特别是像素电极具有狭缝结构，当施加电压于像素电极与共通电极上，便可在像素电极的狭缝结构的边缘与该共通电极间产生电场，进而控制位于像素结构上的液晶转动。

传统的边缘场切换液晶显示器的像素结构如图1A、图1B所示，其中该像素结构包含控制区域111及显示区域112，该像素结构的制造方法请参考图1C至图1I，为方便说明，其中图1B至图1I是沿图1A中的A-A’、B-B’及C-C’剖面线绘制的。在传统边缘场切换液晶显示器的像素结构的制造方法中，先利用第一道光刻与蚀刻工序，在基板110上形成图案化的第一金属层120，第一金属层120可包含栅极121及栅极线123，如图1C所示，其中栅极线123延伸至基板110上的接垫区域113。

然后，形成第一绝缘层130，以覆盖前述的第一金属层120，再以第二道光刻与蚀刻工序在第一绝缘层130上且对应于栅极121的位置，形成图案化的半导体层140，如图1D所示，该半导体层140可包含半导体沟道层及欧姆接触层(图中未示)。

第三道光刻与蚀刻工序用于在第一绝缘层130上形成第一接触窗131，以在该接垫区域113部分暴露栅极线123，如图1E所示。第四道光刻与蚀刻工序用于形成图案化的第二金属层150，该第二金属层150包含同时形成的源极151、漏极152、数据线153及第一栅极线接垫层154，其中源极151及漏极152分别电性连接该半导体层140，数据线153接受信号以控制该像素结构，第一栅极线接垫层154经由第一接触窗131电性连接栅极线123，如图1F所示。

然后形成覆盖前述结构的第二绝缘层160，接下来，利用第五道光刻与蚀刻工序，在第二绝缘层160上形成图案化的透明电极层，以形成共通电极171，如图1G所示。

再形成第三绝缘层180，并利用第六道光刻与蚀刻工序，针对上述的第三绝缘层180及第二绝缘层160进行图案化，蚀刻出第二接触窗181及第三接触窗182，其中第二接触窗181部分暴露漏极152，第三接触窗182部分暴露第一栅极线接垫层154，如图1H所示。第七道光刻与蚀刻工序用于形成图案化的第三金属层190，第三金属层190包含像素电极191及第二栅极线接垫层192，像素电极191形成于显示区域112上并且经由第二接触窗181电性连接漏极152，第二栅极线接垫层192则经由第三接触窗182电性连接第一栅极线接垫层154，进而与栅极线123电性连接，如图1I所示。

综合前述工序可知，传统边缘场切换液晶显示器的像素结构的制造方法至少需要使用七道光刻与蚀刻工序，且所形成的像素结构包含了三层绝缘层，这导致制造成本与工序耗费时间居高不下。如何减少所使用的光刻工序及绝缘层的数目，并兼顾像素结构的开口率，这是业界亟待解决的课题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种像素结构及其制造方法，本发明的制造方法仅需使用六道光刻与蚀刻工序，与现有技术相比，本发明的制造工艺可使该像素结构的制造成本及耗费时间下降。

本发明的另一目的在于提供一种像素结构及其制造方法，由于本发明的像素结构仅包含两层绝缘层，各像素结构与现有技术相比具有更高的透光性。

为达上述目的，本发明所公开的像素结构的制造方法包含以下步骤：在基板上形成图案化第一导电层，该图案化第一导电层包含数据线及栅极；在该基板上形成第一绝缘层，以覆盖该图案化第一导电层；在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层；形成图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线，其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在像素结构的控制区域上构成薄膜晶体管结构；形成像素电极，该像素电极电性连接该漏极并覆盖显示区域；形成第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该数据线、该源极、该栅极线及该栅极；以及形成图案化第三导电层，包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极，其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极，而该共通电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上。

上述制造方法中，形成该图案化第一导电层的步骤可包含以下步骤：在该基板上沉积第一导电层；在该第一导电层上形成第一图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以形成该数据线及该栅极；以及去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成图案化半导体层的步骤可为通过第二图案化光致抗蚀剂层对半导体层进行图案化，以在该栅极上方的该第一绝缘层上形成该图案化半导体层。

上述制造方法中，形成该图案化第二导电层的步骤可包含以下步骤：沉积第二导电层；在该第二导电层上形成第三图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，去除部分该第二导电层，以在该图案化半导体层的部分区域形成该源极与该漏极并在部分该栅极上方的该第一绝缘层上形成该栅极线；以及去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成该像素电极的步骤可包含以下步骤：沉积透明电极层；在该透明电极层上形成第四图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以在该显示区域的该第一绝缘层上以及部分该漏极上形成该像素电极；以及去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层的步骤可包含以下步骤：在该第二绝缘层上形成第五图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成暴露出该数据线的第一接触窗、形成暴露出该源极的第二接触窗、形成暴露出该栅极线的第三接触窗、及形成暴露出该栅极的第四接触窗；以及去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成该图案化第三导电层的步骤可包含以下步骤：沉积第三导电层；在该第三导电层上形成第六图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以形成该数据线连接电极、该栅极线连接电极及该共通电极，其中该数据线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该栅极线与该栅极，并且该共通电极形成于该第二绝缘层上而与该像素电极电性绝缘，且该共通电极具有多个狭缝；以及去除该第六图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，该第三导电层可为透明导电层。

本发明还公开另一种像素结构的制造方法，包含以下步骤：在基板上形成图案化第一导电层，该图案化第一导电层包含数据线及栅极；在该基板上形成第一绝缘层，以覆盖该图案化第一导电层；在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层；形成图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线，其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在像素结构的控制区域构成薄膜晶体管结构；形成共通电极，该共通电极覆盖像素结构的显示区域；形成第二绝缘层；图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该数据线、该源极、该漏极、该栅极线及该栅极；以及形成图案化第三导电层，该图案化第三导电层包含数据线连接电极、栅极线连接电极及像素电极，其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极，而该像素电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上且电性连接该漏极。

上述制造方法中，形成该图案化第一导电层的步骤可包含以下步骤：在该基板上沉积第一导电层；在该第一导电层上形成第一图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以形成该数据线及该栅极；以及去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成图案化半导体层的步骤可为通过第二图案化光致抗蚀剂层对半导体层进行图案化，以在该栅极上方的该第一绝缘层上形成该图案化半导体层。

上述制造方法中，形成该图案化第二导电层的步骤可包含以下步骤：沉积第二导电层；在该第二导电层上形成第三图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，去除部分该第二导电层，以在该图案化半导体层的部分区域形成该源极与该漏极以及在部分该栅极上方的该第一绝缘层上形成该栅极线；以及去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成该共通电极的步骤可包含以下步骤：沉积透明电极层；在该透明电极层上形成第四图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以在该第一绝缘层上形成该共通电极；以及去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层的步骤可包含以下步骤：在该第二绝缘层上形成第五图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成暴露出该数据线的第一接触窗、形成暴露出该源极的第二接触窗、形成暴露出该栅极线的第三接触窗、形成暴露出该栅极的第四接触窗、及形成暴露出该漏的第五接触窗；以及去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，形成该图案化第三导电层的步骤可包含以下步骤：沉积第三导电层；在该第三导电层上形成第六图案化光致抗蚀剂层；进行蚀刻工序，以形成该数据线连接电极、该栅极线连接电极及该像素电极，其中该数据线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该栅极线与该栅极，并且该像素电极经由该第五接触窗电性连接于该漏极，且该像素电极具有多个狭缝；以及去除该第六图案化光致抗蚀剂层。

上述制造方法中，该第三导电层可为透明导电层。

本发明还公开一种像素结构，包含栅极线、数据线、薄膜晶体管结构、数据线连接电极、栅极线连接电极及显示结构，其中，该数据线与该栅极线定义出像素区域，该像素区域包含控制区域及显示区域；该薄膜晶体管结构形成于该控制区域上，且包含栅极、源极及漏极；该数据线连接电极电性连接该源极与该数据线，该栅极线连接电极电性连接该栅极与该栅极线，该显示结构形成于该显示区域上，且包含彼此部分重叠且绝缘的共通电极及像素电极，其中该像素电极与该漏极电性连接。

上述像素结构还可包含：绝缘层，形成于该共通电极及该像素电极之间。

上述像素结构中，该共通电极可形成于该绝缘层上且具有多个狭缝。

上述像素结构中，该共通电极、该数据线连接电极及该栅极线连接电极可在同一工序中同时形成。

上述像素结构中，该像素电极可形成于该绝缘层上且具有多个狭缝。

上述像素结构中，该薄膜晶体管结构还可包含：半导体层，对应形成于该栅极上方，且与该源极及该漏极分别连接。

本发明能够大幅节省制造成本与制造时间，并能进一步提升像素结构的透光性。

为让本发明的上述目的、技术特征、和优点能更明显易懂，下文以优选实施例配合附图进行详细说明。

附图说明

图1A为传统的像素结构的平面示意图；

图1B为传统的像素结构的剖面示意图；

图1C～图1I为传统的像素结构工艺步骤的示意图；

图2A为本发明第一实施例的像素结构的平面示意图；

图2B为本发明第一实施例的像素结构的剖面示意图；

图2C～图2H为本发明第一实施例工艺步骤的示意图；

图3A为本发明第二实施例的像素结构的平面示意图；

图3B为本发明第二实施例的像素结构的剖面示意图；以及

图3C～图3H为本发明第二实施例工艺步骤的示意图。

其中，附图标记说明如下：

110基板               111控制区域

112显示区域           113接垫区域

120第一金属层         121栅极

123栅极线             130第一绝缘层

131第一接触窗         140半导体层

150第二金属层         151源极

152漏极               153数据线

154第一栅极线接垫层            160第二绝缘层

171共通电极                    180第三绝缘层

181第二接触窗                  182第三接触窗

190第三金属层                  191像素电极

192第二栅极线接垫层            210基板

211控制区域                    212显示区域

220图案化第一导电层            221栅极

222数据线                      230第一绝缘层

240半导体层                    241半导体沟道层

242欧姆接触层                  250图案化第二导电层

251源极                        252漏极

253栅极线                      261像素电极

270第二绝缘层                  271第一接触窗

272第二接触窗                  273第三接触窗

274第四接触窗                  280图案化第三导电层

281数据线连接电极              282栅极线连接电极

283共通电极                    310基板

311控制区域                    312显示区域

320图案化第一导电层            321栅极

322数据线                      330第一绝缘层

340半导体层                    341半导体沟道层

342欧姆接触层                  350图案化第二导电层

351源极                        352漏极

353栅极线                      361共通电极

370第二绝缘层                  371第一接触窗

372第二接触窗                  373第三接触窗

374第四接触窗                  375第五接触窗

380图案化第三导电层            381数据线连接电极

382栅极线连接电极              383像素电极

具体实施方式

本发明属于一种平面内转换液晶显示器(In Plane Switching LiquidCrystal Display，IPS-LCD)的像素结构制造方法，特别是其中一种边缘场切换液晶显示器(Fringe Field Switching Liquid Crystal Display，FFS-LCD)的像素结构制造方法，本发明的边缘场切换液晶显示器包含多个像素结构，各像素结构的制造方法详述如下。

本发明的第一实施例公开一种像素结构的制造方法，其所形成的像素结构，请参考图2A、图2B，其中图2A为像素结构的俯视图，图2B则为像素结构的剖面图。该像素结构包含控制区域211及显示区域212，本发明第一实施例的像素结构制造方法，请参考图2C至图2H，为方便说明，其中图2B至图2H为沿图2A中的A-A’、B-B’及C-C’剖面线绘制的。

首先，利用第一道光刻与蚀刻工序(PEP)形成图案化第一导电层220于基板210上，其中图案化第一导电层220包含数据线222及栅极221，如图2C所示，须说明的是，图2C所示的栅极221实质上为同一结构，而数据线222实质上为同一结构，为明确公开本实施例的技术而分别示出，这点配合图2A的剖面线便可轻易理解。详言之，前述形成图案化第一导电层220的步骤，是首先沉积第一导电层于基板210上，然后形成第一图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于第一导电层上，并进行蚀刻工序，以形成图2C所示的数据线222及栅极221，最后再去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

如图2D所示，接下来可形成第一绝缘层230，覆盖前述的图案化第一导电层220，接下来便可实施本实施例的第二道光刻与蚀刻工序，以形成图案化的半导体层240于栅极221上方的第一绝缘层230上，其中半导体层240又可称为有源层，其包含半导体沟道层241及欧姆接触层242。在此第二道光刻与蚀刻工序中，可先沉积半导体层240，再注入N⁺离子，或沉积掺杂半导体材料层于该半导体沟道层241上，以在半导体沟道层241上形成欧姆接触层242。然后，形成第二图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于欧姆接触层242上，再进行第二蚀刻工序，以保留实质上对应于栅极221的半导体沟道层241及欧姆接触层242，最后再去除该第二图案化光致抗蚀剂层，便可形成前述结构。

本实施例的第三道光刻与蚀刻工序用于形成图案化第二导电层250，图案化第二导电层250包含源极251、漏极252及栅极线253，其中源极251与漏极252分别位于欧姆接触层242上的部分区域，而与栅极221、半导体层240、源极251以及漏极252在控制区域211构成薄膜晶体管结构，如图2E所示。详言之，形成图案化第二导电层250的方法，包含先沉积第二导电层，再形成第三图案化光致抗蚀剂层(图未示)于第二导电层上，随后进行蚀刻工序，去除部分第二导电层，以形成源极251及漏极252于欧姆接触层242的部分区域，并同时形成栅极线253，最后，再去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

本实施例的第四道光刻与蚀刻工序用于形成电性连接漏极252的像素电极261，其中该像素电极261至少覆盖于显示区域212上，如图2F所示。更明确地说，形成像素电极261的方法包含沉积氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)材质的透明电极层，然后形成第四图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于透明电极层上，随后进行蚀刻工序，以形成像素电极261于显示区域212的第一绝缘层230上以及部分漏极252上，以使得像素电极261与漏极252电性连接，最后，再去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

接下来，先沉积第二绝缘层270，然后以第五道光刻与蚀刻工序，图案化第二绝缘层270及第一绝缘层230，以暴露部分数据线222、源极251、栅极线253及栅极221，如图2G所示。图案化第二绝缘层270及第一绝缘层230的方法包含，形成第五图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于第二绝缘层270上，然后进行蚀刻工序，去除部分第二绝缘层270及第一绝缘层230，以形成第一接触窗271暴露出数据线222、形成第二接触窗272暴露出源极251、形成第三接触窗273暴露出栅极线253、及形成第四接触窗274暴露出栅极221，最后，再去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

本实施例的第六道光刻与蚀刻工序用于形成图案化第三导电层280，其中图案化第三导电层280为透明导电层，如图2H所示，图案化第三导电层280可包含数据线连接电极281、栅极线连接电极282以及共通电极283，其中数据线连接电极281经由第一接触窗271与第二接触窗272电性连接数据线222与源极251，栅极线连接电极282经由第三接触窗273与第四接触窗274电性连接栅极线253与栅极221，而共通电极283则形成于显示区域212的第二绝缘层270上，共通电极283的特征在于：与像素电极261电性绝缘、且具有多个狭缝，以形成边缘场切换结构。详言之，形成图案化第三导电层280的方法包含，先沉积透明的第三导电层，然后形成第六图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于第三导电层上，再进行蚀刻工序，以形成数据线连接电极281、栅极线连接电极282及具有狭缝的共通电极283，最后再去除第六图案化光致抗蚀剂层。

通过上述工序，本实施例所形成的像素结构可在栅极线253及数据线222所定义出的像素区域中，在控制区域211上形成薄膜晶体管结构以及在显示区域212上形成显示结构；其中，显示结构包含彼此部分重叠、且通过第二绝缘层270彼此绝缘的共通电极283及像素电极261，其中像素电极261与薄膜晶体管结构的漏极252电性连接，而共通电极283具有多个狭缝；此外，利用数据线连接电极281电性连接薄膜晶体管结构的源极251与数据线222，利用栅极线连接电极282电性连接栅极221与栅极线253，其中共通电极283、数据线连接电极281及栅极线连接电极282可在同一道工序中同时形成。如同前述，本实施例的像素结构以六道光刻与蚀刻工序即可完成。

本发明的第二实施例所公开的方法、以及所形成的像素结构，请参考图3A、3B，其中该像素结构包含控制区域311及显示区域312，本实施例所公开的像素结构的制造方法请参考图3C至图3H，为方便说明，其中图3B至图3H为沿图3A中的A-A’、B-B’及C-C’剖面线绘制的。

如图3C所示，本实施例的第一道光刻与蚀刻工序用于形成图案化第一导电层320于基板310上，其中图案化第一导电层320包含数据线322及栅极321，需说明的是，图3C所示的栅极321实质上为同一结构，而数据线322实质上为同一结构，它们是为了明确公开本实施例的技术而分别示出的，配合图3A的剖面线便可轻易理解。

形成图案化第一导电层320于基板310上的方法包含，先沉积第一导电层于基板310上，再形成第一图案化光致抗蚀剂层(图未示)于第一导电层上，进行蚀刻工序后，形成栅极321及数据线322，最后再去除第一图案化光致抗蚀剂层。

接下来，如图3D所示，先沉积第一绝缘层330于基板310上，以覆盖图案化第一导电层320。然后，进行本实施例的第二道光刻与蚀刻工序，以形成图案化的半导体层340于栅极321上方的第一绝缘层330上，如前所述，半导体层340又可称为有源层，包含半导体沟道层341及欧姆接触层342。详言之，形成图案化的半导体层340的方法可为：沉积半导体材料层，注入N⁺离子，或沉积掺杂半导体材料层于半导体材料层上，以在半导体材料层上形成欧姆接触层342，然后再形成第二图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于欧姆接触层342上，并进行第二蚀刻工序，以保留实质上对应于栅极321的半导体沟道层341及欧姆接触层342，最后再去除第二图案化光致抗蚀剂层。

如图3E所示，本实施例的第三道光刻与蚀刻工序用于形成图案化第二导电层350，图案化第二导电层350包含源极351、漏极352及栅极线353，其中源极351与漏极352分别位于欧姆接触层342上的部分区域，而与栅极321及半导体层340于控制区域311构成薄膜晶体管结构。详言之，形成图案化第二导电层350的方法包含：先沉积第二导电层，再形成第三图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于第二导电层上，随后进行蚀刻工序，去除部分第二导电层，以形成源极351及漏极352于半导体层340的部分区域，并同时形成栅极线353，最后再去除第三图案化光致抗蚀剂层。

本实施例的第四道光刻与蚀刻工序用于形成图案化的共通电极361，其中共通电极361覆盖于显示区域312上，如图3F所示。形成共通电极361的方法包含沉积氧化铟锡材质的透明电极层，然后形成第四图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于透明电极层上，并进行蚀刻工序，以形成图案化的共通电极361于显示区域312的第一绝缘层330上，最后再去除第四图案化光致抗蚀剂层。

接下来，沉积第二绝缘层370，然后以第五道光刻与蚀刻工序，图案化第二绝缘层370及第一绝缘层330，以暴露部分数据线322、源极351、漏极352、栅极线353及栅极321，如图3G所示。详言之，图案化第二绝缘层370及第一绝缘层330的方法包含，先形成第五图案化光致抗蚀剂层(图未示)于第二绝缘层370上后，进行蚀刻工序，去除部分第二绝缘层370及第一绝缘层330，以形成暴露出数据线322的第一接触窗371、暴露出源极351的第二接触窗372、暴露出栅极线353的第三接触窗373、暴露出栅极321的第四接触窗374、及暴露出漏极352的第五接触窗375，最后，再去除第五图案化光致抗蚀剂层。

如图3H所示，本实施例的第六道光刻与蚀刻工序用于形成图案化第三导电层380，其中图案化第三导电层380为透明导电层，可包含数据线连接电极381、栅极线连接电极382以及像素电极383，其中数据线连接电极381电性连接数据线322与源极351，栅极线连接电极382电性连接栅极线353与栅极321，而像素电极383的特征在于：形成于显示区域312的第二绝缘层370上，电性连接漏极352并与共通电极361电性绝缘，且具有多个狭缝。

更明确地说，形成图案化第三导电层380的方法包含，先沉积透明的第三导电层，然后形成第六图案化光致抗蚀剂层(图中未示)于第三导电层380上，随后进行蚀刻工序，以分别形成数据线连接电极381、栅极线连接电极382及像素电极383以及像素电极383，其中数据线连接电极381经由第一接触窗371与第二接触窗372电性连接数据线322与源极351，栅极线连接电极382经由第三接触窗373与第四接触窗374电性连接栅极线353与栅极321，并且像素电极383形成于显示区域312的第二绝缘层370上，并经由第五接触窗375电性连接于漏极352，其中像素电极383通过第二绝缘层370与共通电极361绝缘，最后，再去除第六图案化光致抗蚀剂层。

通过上述工序，本实施例所形成的像素结构与第一实施例的像素结构有些微不同。本实施例的像素电极383形成于第二绝缘层370上且具有多个狭缝，并与薄膜晶体管结构的漏极352电性连接，而共通电极361则形成第二绝缘层370下。同样地，共通电极361、数据线连接电极381及栅极线连接电极382于同一道工序中便可同时形成，且如同前述，本实施例的像素结构以六道光刻与蚀刻工序即可完成。

通过前述所公开的内容，本发明应用于边缘场切换液晶显示器的像素结构，与现有技术需要七道光刻与蚀刻工序相比，本发明仅需六道光刻与蚀刻工序，故可大幅节省制造成本与制造时间，并且该像素结构仅包含有二层绝缘层，与现有技术制造方法所形成的包含有三层绝缘层的像素结构相比，可进一步提升像素结构的透光性。

上述的实施例仅用来例举本发明的实施方案，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的保护范围。任何本领域技术人员可轻易完成的改变或等同性的安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利保护范围应以权利要求为准。

Claims (23)

1.一种像素结构的制造方法，该像素结构包含控制区域及显示区域，该方法包含以下步骤：

在基板上形成图案化第一导电层，该图案化第一导电层包含数据线及栅极；

在该基板上形成第一绝缘层，以覆盖该图案化第一导电层；

在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层；

形成图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线，其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在该控制区域构成薄膜晶体管结构；

形成像素电极，其电性连接该漏极，并覆盖该显示区域；

形成第二绝缘层；

图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该数据线、该源极、该栅极线及该栅极；以及

形成图案化第三导电层，其包含数据线连接电极、栅极线连接电极以及共通电极，其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极，而该共通电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化第一导电层的步骤包含以下步骤：

在该基板上沉积第一导电层；

在该第一导电层上形成第一图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线及该栅极；以及

去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成图案化半导体层的步骤是通过第二图案化光致抗蚀剂层对半导体层进行图案化，以在该栅极上方的该第一绝缘层上形成该图案化半导体层。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成该图案化第二导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第二导电层；

在该第二导电层上形成第三图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二导电层，以在该图案化半导体层的部分区域形成该源极与该漏极，并在部分该栅极上方的该第一绝缘层上形成该栅极线；以及

去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成该像素电极的步骤包含以下步骤：

沉积透明电极层；

在该透明电极层上形成第四图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以在该显示区域的该第一绝缘层上以及部分该漏极上形成该像素电极；以及

去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

6.如权利要求1所述的方法，其中图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层的步骤包含以下步骤：

在该第二绝缘层上形成第五图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成暴露出该数据线的第一接触窗、形成暴露出该源极的第二接触窗、形成暴露出该栅极线的第三接触窗、及形成暴露出该栅极的第四接触窗；以及

去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

7.如权利要求6所述的方法，其中形成该图案化第三导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第三导电层；

在该第三导电层上形成第六图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线连接电极、该栅极线连接电极及该共通电极，其中该数据线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该栅极线与该栅极，并且该共通电极形成于该第二绝缘层上而与该像素电极电性绝缘，且该共通电极具有多个狭缝；以及

去除该第六图案化光致抗蚀剂层。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第三导电层为透明导电层。

9.一种像素结构的制造方法，该像素结构包含控制区域及显示区域，该方法包含以下步骤：

在基板上形成图案化第一导电层，该图案化第一导电层包含数据线及栅极；

在该基板上形成第一绝缘层，以覆盖该图案化第一导电层；

在该栅极上方的该第一绝缘层上形成图案化半导体层；

形成图案化第二导电层，该图案化第二导电层包含源极、漏极及栅极线，其中该源极与该漏极分别位于该图案化半导体层上的部分区域，而该栅极、该图案化半导体层、该源极以及该漏极在该控制区域构成薄膜晶体管结构；

形成共通电极，其覆盖该显示区域；

形成第二绝缘层；

图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层，以暴露部分该数据线、该源极、该漏极、该栅极线及该栅极；以及

形成图案化第三导电层，其包含数据线连接电极、栅极线连接电极及像素电极，其中该数据线连接电极电性连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极电性连接该栅极线与该栅极，而该像素电极形成于该显示区域的该第二绝缘层上且电性连接该漏极。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成该图案化第一导电层的步骤包含以下步骤：

在该基板上沉积第一导电层；

在该第一导电层上形成第一图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线及该栅极；以及

去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

11.如权利要求9所述的方法，其中形成图案化半导体层的步骤是通过第二图案化光致抗蚀剂层对半导体层进行图案化，以在该栅极上方的该第一绝缘层上形成该图案化半导体层。

12.如权利要求9所述的方法，其中形成该图案化第二导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第二导电层；

在该第二导电层上形成第三图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二导电层，以在该图案化半导体层的部分区域形成该源极与该漏极，并在部分该栅极上方的该第一绝缘层上形成该栅极线；以及

去除该第三图案化光致抗蚀剂层。

13.如权利要求9所述的方法，其中形成该共通电极的步骤包含以下步骤：

沉积透明电极层；

在该透明电极层上形成第四图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以在该第一绝缘层上形成该共通电极；以及

去除该第四图案化光致抗蚀剂层。

14.如权利要求9所述的方法，其中图案化该第二绝缘层及该第一绝缘层的步骤包含以下步骤：

在该第二绝缘层上形成第五图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，去除部分该第二绝缘层及第一绝缘层，以形成暴露出该数据线的第一接触窗、形成暴露出该源极的第二接触窗、形成暴露出该栅极线的第三接触窗、形成暴露出该栅极的第四接触窗、及形成暴露出该漏极的第五接触窗；以及

去除该第五图案化光致抗蚀剂层。

15.如权利要求14所述的方法，其中形成该图案化第三导电层的步骤包含以下步骤：

沉积第三导电层；

在该第三导电层上形成第六图案化光致抗蚀剂层；

进行蚀刻工序，以形成该数据线连接电极、该栅极线连接电极及该像素电极，其中该数据线连接电极经由该第一接触窗与第二接触窗连接该数据线与该源极，该栅极线连接电极经由该第三接触窗与第四接触窗连接该栅极线与该栅极，并且该像素电极经由该第五接触窗电性连接于该漏极，且该像素电极具有多个狭缝；以及

去除该第六图案化光致抗蚀剂层。

16.如权利要求9所述的方法，其中该第三导电层为透明导电层。

17.一种像素结构，包含：

栅极线；

数据线，与该栅极线定义出像素区域，该像素区域包含控制区域及显示区域；

薄膜晶体管结构，形成于该控制区域上，其中该薄膜晶体管结构包含栅极、源极及漏极；

数据线连接电极，电性连接该源极与该数据线；

栅极线连接电极，电性连接该栅极与该栅极线；以及

显示结构，形成于该显示区域上，该显示结构包含彼此部分重叠且绝缘的共通电极及像素电极，其中该像素电极与该漏极电性连接。

18.如权利要求17所述的像素结构，还包含：绝缘层，形成于该共通电极及该像素电极之间。

19.如权利要求18所述的像素结构，其中该共通电极形成于该绝缘层上且具有多个狭缝。

20.如权利要求19所述的像素结构，其中该共通电极、该数据线连接电极及该栅极线连接电极是在同一工序中同时形成的。

21.如权利要求18所述的像素结构，其中该像素电极形成于该绝缘层上且具有多个狭缝。

22.如权利要求21所述的像素结构，其中该像素电极、该数据线连接电极及该栅极线连接电极是在同一工序中同时形成的。

23.如权利要求17所述的像素结构，其中该薄膜晶体管结构还包含：半导体层，对应形成于该栅极上方，且与该源极及该漏极分别连接。

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