CN101136620B - 声波器件、滤波器和双工器 - Google Patents
声波器件、滤波器和双工器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101136620B CN101136620B CN2007101472423A CN200710147242A CN101136620B CN 101136620 B CN101136620 B CN 101136620B CN 2007101472423 A CN2007101472423 A CN 2007101472423A CN 200710147242 A CN200710147242 A CN 200710147242A CN 101136620 B CN101136620 B CN 101136620B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resonator
- axis direction
- electrode
- piezoelectric
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 53
- 101000621427 Homo sapiens Wiskott-Aldrich syndrome protein Proteins 0.000 description 33
- 102100023034 Wiskott-Aldrich syndrome protein Human genes 0.000 description 33
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000188472 Ilex paraguariensis Species 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/566—Electric coupling means therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/566—Electric coupling means therefor
- H03H9/568—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供一种声波器件、滤波器和双工器。该声波器件包括：第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势。
Description
技术领域
本发明涉及声波器件、滤波器和双工器，更具体地说，涉及一种具有夹在一对电极之间的压电材料的声波器件、和利用这种声波器件的滤波器和双工器。
背景技术
随着无线设备(典型地可以是移动通信设备)迅速地普及，对于重量轻和紧凑型的谐振器和利用这种谐振器的滤波器的需求不断增加。在这种情况下，主要使用具有表面声波(SAW)器件的滤波器。近年来，一种具有夹在一对电极之间的压电材料的声波器件受到关注，由于这种类型的声波器件在GHz量级的高频方面具有良好的性能并且能够以单片电路方式进行小型化。上述声波器件的示例为诸如FBAR(膜体声波谐振器)和SMR(Solidly Mouted Resonator：固态装配谐振器)的薄膜谐振器。
如图1所示的滤波器结构常常使用在将谐振器串联和并联以梯型方式布置的情况中。更具体地说，串联的谐振器S1至S3串联地布置在输入端子Tin与输出端子Tout之间。并联谐振器P1和P2连接在相邻的串联谐振器之间的节点与接地之间。由此构造的梯型滤波器的有利之处在于，通过改变串联和并联布置的谐振器的级数和电容比，能够容易地调节插入损耗和带外抑制度。因此易于设计插入损耗和带外抑制度。
以下文件：2002 IEEE ULTRASONICS SYMPOSIUM，pp.907-910中，公开了采用FBAR的梯型滤波器，在该梯型滤波器中，在相邻的节点之间或在节点和端子之间串联地布置有两个谐振器。
如公知的那样，在移动通信中或在高频无线通信中使用的滤波器中发生IMD(Inter Modulation Distortion：互调失真)或CMD(CrossModulation Distortion：交调失真)。特别地，在处理高功率的器件(例如双工器)中，IMD或CMD是严重的。所述IMD和CMD取决于由器件(谐振器)结构和材料产生的非线性。当将不同频率的信号施加给滤波器或双工器时，除了所施加的信号的正常频率响应之外，将产生新的有害的频率分量。所述新的频率分量可以作为接收滤波器中的噪声。
图2示出了一种变型，其中图1中示出的串联谐振器S1由两个串联连接的谐振器S1a和S1b所替代。在这种情况下，相邻的节点之间的谐振器(图1中的S1-S3)，和节点和接地之间的谐振器(P1和P2)中的每一谐振器可以被分成多个谐振器(图2中的S1a和S1b)。使用所分成的谐振器有助于改善功率持久性和高功率传输中的IMD和CMD。然而，实践中，仍然存在二次失真。
发明内容
考虑到上述情况，提出本发明。本发明提供了一种声波器件，其能够抑制二次失真的发生。
根据本发明的一个方面，提供一种声波器件，该声波器件包括：第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势。
根据本发明的另一方面，提供一种声波器件，该声波器件包括：第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器并联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相反的电势。
根据本发明的另一方面，提供一种使用上述声波器件的滤波器和双工器。
附图说明
现将参照以下附图描述描述本发明的实施方式，其中：
图1为常规的梯型滤波器的电路图；
图2为另一常规的梯型滤波器的电路图，其中一谐振器被分成两个谐振器；
图3A示意性地示出了FBAR；
图3B示出了在FBAR中引起的二次失真；
图4A示出了第一比较例的声波器件；
图4B示出了第一实施例的声波器件；
图5A示出了第二比较例的声波器件；
图5B示出了第二实施例的声波器件；
图6为第三实施例的滤波器的电路图；
图7A为第三实施例的滤波器的平面图；
图7B为沿图7A中示出的线A-A剖开的剖面图；
图8为第四实施例的滤波器的平面图；
图9为第五比较例的双工器的电路图；
图10为第五实施例的双工器的电路图；
图11示出了第五比较例的IMD2和第五实施例的IMD2；
图12为第六比较例的双工器的电路图；
图13为第六实施例的双工器的电路图；
图14示出了第六比较例的IMD2和第六实施例的IMD2；
图15A为第七比较例的滤波器的电路图；
图15B示出了第七比较例的带通特性和IMD2；
图16A为第七实施例的滤波器的电路图；
图16B示出了第七实施例的带通特性和IMD2；
图17A为第八比较例的滤波器的电路图；
图17B示出了第八比较例的带通特性和IMD2；
图18A为第八实施例的滤波器的电路图；
图18B示出了第八实施例的带通特性和IMD2；
图19为第九实施例的双工器和用于测量双工器的IMD2的测量系统的框图；以及
图20示出了第九实施例的双工器的IMD2。
具体实施方式
现将给出本发明的实施方式的说明。
(第一实施例)
图3A和图3B示意性地示出了由谐振器20形成的FBAR，其中，在一对电极(其由下电极12和上电极16构成)之间夹有压电材料14。FBAR或SMR中压电材料14的厚度等于谐振频率的波长(λ)的一半。由此，如图3A所示，激励压电材料14，使得压电材料14的上表面和下表面中的一个表面被正极化或负极化，并且另一个表面被正极化或负极化。如图3B所示，二次失真的频率的波长与压电材料14的厚度相对应。由此，激励压电材料14，使得压电材料14的上表面和下表面被相同地极化。在图3B中示出的实施例中，压电材料14的上表面和下表面均被正极化。当压电材料14具有对称性时，在第二种模式中，上电极16和下电极12具有相同的电势。在这种情况下，理论上不会发生图3中示出的失真分量。
然而，如果谐振器20被如下构造，则会发生二次失真。谐振器20的压电材料14由氮化铝(ALN)或氧化锌(ZnO)制成。沿压电材料14的c轴(晶轴)取向方向在下电极12与上电极16之间夹有压电材料14。在这种情况下，沿c轴取向方向的对称性被破坏，并且电场可能具有不均匀的分布。图3B中的箭头示出了c轴的取向方向。电场的不均匀分布导致在压电材料14的上表面与下表面之间的电势差。由此产生的电压被称为二次失真电压，并且通过沿压电材料14的右侧设置的另一箭头示出。在图3B中，将c轴取向为沿从下电极12至上电极16的方向，使得沿上述方向生成二次失真电压。
由于结构的不对称性的存在对于压电性的存在是必要的，因此压电材料通过所施加的电场会固有地产生偶次失真以及奇次失真。应该注意的是，偶次失真的极性是通过晶轴的方向来确定的并且与电场的方向无关。
图4A示出了比较例，并且图4B示出了第一实施例。在图4A和图4B中示出的各结构采用了两个上述的FBAR。参照图4A，比较例具有两个谐振器，即串联连接的第一谐振器21和第二谐振器22，使得在第一谐振器和第二谐振器中的一个谐振器中的沿c轴取向方向的反向的电极的电势等于在另一谐振器中的沿c轴取向方向的电极的电势。即第一谐振器21和第二谐振器22串联连接，使得在第一谐振器21中的沿c轴取向方向的反向的电极12的电势等于在第二谐振器22中的沿c轴取向方向的电极16的电势。由此，第一谐振器21的二次失真电压和第二谐振器22的二次失真电压沿从端子T2至端子T1的方向累加。这意味着总二次失真电压增加。
相对比地，参照图4B，第一实施例具有串联连接的第一谐振器21和第二谐振器22，使得在第一谐振器和第二谐振器中的一个谐振器中的沿与c轴取向方向的反向的电极的电势与在另一个谐振器中的沿c轴取向方向的反向的电极的电势相等。即在图4B中示出的第一谐振器21和第二谐振器22串联连接，使得在第一谐振器21中的沿c轴取向方向的反向的电极12的电势与在另一第二谐振器22中的沿c轴取向方向的反向的电极12的电势相等。由此从端子T2向T1施加第一谐振器21中的二次失真电压。这样，第一谐振器21和第二谐振器22的二次失真电压相互抵消，使得可以抑制总的二次失真电压。
(第二实施例)
图5A和图5B分别示出了第二比较例和第二实施例。在图5A和图5B中示出的各结构采用了两个前述的FBAR。参照图5A，第二比较例的第一谐振器21和第二谐振器22并联连接，使得沿c轴方向的第一谐振器21和第二谐振器22的电极具有相同的电势。即第一谐振器21和第二谐振器22被连接为，第一谐振器21和第二谐振器22的沿c轴取向方向的上电极16具有相同的电势。第一谐振器21和第二谐振器22的沿c轴取向方向的反向的电极12被连接为具有相同的电势。由此，从端子T2向端子T1施加第一谐振器21和第二谐振器22的二次失真电压，使得总的二次失真电压增加。
相反，如图5B所述，第二实施例的第一谐振器21和第二谐振器22并联连接，使得第一谐振器21和第二谐振器22的沿c轴取向方向的电极具有相反的电势。即将第一谐振器21的上电极16和第二谐振器22的下电极12相连，并且将第一谐振器21的下电极12和第二谐振器22的上电极相连。由此，从端子T2向端子T1施加第一谐振器21的二次失真电压，并且从端子T1向端子T2施加第二谐振器22的二次失真电压。结果，第一谐振器21和第二谐振器22的二次失真电压相互抵消，使得能够抑制总的二次失真电压。所分成的谐振器的电极之间的特定连接用于抑制二次失真。
(第三实施例)
第三实施例为示例性梯型滤波器，其中串联的FBAR被分成多个部分。图6示出了第三实施例的梯型滤波器。参照图6，串联的谐振器S1被分成第一谐振器S1a和第二谐振器S1b，如在图2中示出的结构的情况。
图7A为根据第一实施例的滤波器的平面图；而图7B为沿图7A中示出的线A-A截取的剖面图。下电极12可以由钌(Ru)制成，并且被设置在可以由硅制成的基板10上。例如可以是氮化铝(AlN)薄膜的压电材料14形成在下电极12上。上电极16可以由钌(Ru)制成，并且设置在压电材料14上。在基板10中并且位于部分17的下方形成有孔18，在该部分17中上电极16与和上电极16成对的下电极12在压电材料14的两侧相交叠。
串联的谐振器S1a、S1b、S2和S3被连接成：相邻的谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相同的电势。并联的谐振器P1和P2被连接成：这些谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相反的电势。输入端子Tin、输出端子Tout和接地端子Gnd是用于倒装法安装的凸起。
再次参照图6，假定第一谐振器S1a和第二谐振器S1b的二次失真电压分别被表示为V1a和V1b，并且在各谐振器S1a和S1b中的上电极与下电极12在压电材料14的两侧相交叠的部分17的面积分别被表示为A1a和A1b。在将功率从端子T1提供至端子T2的情况下，与供应给第二谐振器S1b的功率相比，第一谐振器S1a被供应更高的功率。由此，在第一谐振器S1a的面积A1a与第二谐振器S 1b的面积A1b相等的情况下，第一谐振器S1a的二次失真电压V1a大于第二谐振器S1b的二次失真电压V1b。使得导致二次失真。如上所述，将第一串联谐振器S1a的面积A1a和第二串联谐振器S1b的面积A1b设定成彼此不同。通过这种设定，即使二次失真电压V1a和V1b彼此不同，通过适当地设定面积A1a和A1b也可以抑制二次失真。第一谐振器S1a和第二谐振器S1b中的对其施加了功率的特定一个谐振器(这种特定的谐振器为图6中的第一谐振器S1a)的面积A1a被设定为大于另一谐振器(图6中的第二谐振器S1b)的面积A1b。通过这种关系，可以设定第一谐振器S1a的二次失真电压V1a和第二谐振器S1b的二次失真电压V1b具有相等的值。二次电压V1a和V1b可以被抵消，使得可以抑制总的二次失真。
(第四实施例)
第四实施例为示例性的梯型滤波器，其中FBAR被分成并联的多个部分。参照图8，串联谐振器S1被分成并联连接的第一谐振器S1c和第二谐振器S1d。第一谐振器S1c和第二谐振器S1d被连接为这些谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相反的电势。即第一谐振器S1c的下电极12位于输入端子Tin侧，并且上电极16位于输出端子Tout侧。第二谐振器S1d的上电极16位于输入端子Tin侧，并且其下电极12位于输出端子Tout侧。第四实施例的其他结构与第二实施例中的相同。
根据第四实施例，如图5B的情况一样，第一谐振器S1c和第二谐振器S1d的二次失真电压相抵消，使得可以抑制二次失真。第一谐振器S1c的部分S17和第二谐振器S1d的部分S17具有相同的面积。如所描述的，在部分17中，上电极16和下电极12在压电材料14的两侧相交叠。第一谐振器S1c的二次失真电压和第二谐振器S1d的二次失真电压能够相抵消。
在第三实施例和第四实施例中，第一实施例或第二实施例的表面声波器件连接至输入端子Tin。施加有最高功率的谐振器的二次失真电压可以被抵消，使得可以提供具有降低的二次失真的滤波器。可以将第一实施例或第二实施例的声波器件连接至输出端子Tout。而且，在图6中示出的结构可以变化为，在节点N1与节点N2之间的串联谐振器S2(而不是输入端子Tin与节点N1之间的串联谐振器S1)被分成第一实施例或第二实施例中的多个FBAR。还可以将谐振器P1、P2或S3分成第一实施例或第二实施例中的多个FBAR。谐振器P1连接在节点N1与接地之间，并且谐振器P2连接在节点N2与接地之间。谐振器S3连接在节点N2与输出端子Tout之间。按这种方式，在梯型结构中，通过利用在相邻的节点之间或在节点与接地之间的、第一实施例或第二实施例中的、被划分的声波器件，可以抑制二次失真。
(第五实施例)
第五实施例为使用滤波器的双工器，各滤波器根据第三实施例而构造。图9为第五比较例的双工器的电路图，而图10为第五实施例的双工器的电路图。用作发送滤波器的第一滤波器31连接在公共端子Ant和发送端子Tx之间。用作接收滤波器的第二滤波器32连接在公共端子Ant和接收端子Rx之间。电感器L3连接至公共端子Ant和接地。在第一滤波器31中，将串联的谐振器S11、S22和S13中的最接近公共端子Ant的串联谐振器S11分成串联连接的串联谐振器S11a和S11b。电感器L11与谐振器S11a和S11b的串联电路并联连接。电感器L11与电感器L3协同工作以用作匹配电路，从公共端子Ant处观察，所述匹配电路使第一滤波器31的阻抗与第二滤波器32的阻抗相互匹配。而且，电感器L11用于增大另一滤波器32的通带中的衰减。并联的谐振器P11和P12通过电感器L12连接至接地，所述电感器L12用于增大另一滤波器32的通带中的衰减。
在第二滤波器32中，串联的谐振器S21、S22和S23之间的串联谐振器S21被分成第一谐振器S21a和第二谐振器S21b。而且，串联谐振器S22被分成第一谐振器S22a和第二谐振器S22b。第二滤波器32的其他结构与第一滤波器31的其他结构相同。谐振器的标号的下方或侧面示出的箭头指示压电材料的c轴取向方向。在第五比较例中，第一谐振器S11a和第二谐振器S11b形成第一比较例的声波器件，并且第一谐振器S21a和第二谐振器S21b形成第一比较例。此外，第一谐振器S22a和第二谐振器S22b形成第一比较例。所有串联的谐振器被布置成使合成二次失真电压增大，并且所述并联的谐振器被布置成使合成二次失真电压增大。
参照图10，除了以下方面以外，第五实施例具有与第五比较例相同的结构。第一谐振器S11a和第二谐振器S11b形成第一实施例的声波器件，并且第一谐振器S21a和第二谐振器S21b形成第一实施例的声波器件。此外，第一谐振器S22a和第二谐振器S22b形成第一实施例的声波器件。而且，所有串联的谐振器被设置成消除二次失真电压。类似地，所有并联的谐振器被设置成使二次失真电压能够被抵消。
图11涉及第五比较例和第五实施例，并且图11为二次失真(IMD2)的功率的曲线图，该二次失真是在如下情况下作为频率函数经由接收端子Rx而输出的：当将频率为1920至1980MHz且功率为25dBm的输入信号施加给发送端子Tx，并且将频率为4020至4150MHz且功率为21dBm的干扰波施加给接收端子Rx时。对于计算出的IMD2的绝对值难以进行讨论，然而可以对于IMD2的相对值进行讨论。图11示出了第五实施例的IMD2的值比第五比较例的IMD2的值小。通过将压电材料的c轴取向方向设定成使得所分成的串联连接的谐振器、所分成的串联谐振器或所分成的并联谐振器的二次失真电压可以被抵消，可以抑制二次失真。
(第六实施例)
第六实施例为使用第四实施例的滤波器的双工器。图12为第六比较例的双工器的电路图，而图13为第六实施例的双工器的电路图。第六比较例与第五比较例的区别在于：第一滤波器31的串联的谐振器S11被分成并联连接的第一谐振器S11c和第二谐振器S11d。类似地，第六比较例的第二滤波器32的串联的谐振器S21被分成并联连接的第一谐振器S21c和第二谐振器S21d。第一谐振器S11c和第二谐振器S11d形成第二比较例的声波器件，并且第一谐振器S21c和第二谐振器S21d形成第二比较例的声波器件。第六比较例的其他结构与第五比较例的其他结构相同。
参照图13，第六实施例与第五实施例的区别在于：第一滤波器31的串联的谐振器S11被分成并联连接的第一谐振器S11c和第二谐振器S11d。类似地，第六实施例的第二滤波器32的串联的谐振器S21被分成并联连接的第一谐振器S21c和第二谐振器S21d。第一谐振器S11c和第二谐振器S11d形成第二实施例的声波器件，并且第一谐振器S21c和第二谐振器S21d形成第二实施例的声波器件。第六实施例的其他结构与第五实施例的其他结构相同。
图14涉及第六比较例和第六实施例，并且图14是二次失真(IMD2)的功率的曲线图，该二次失真(IMD2)是在与图11中示出的情况相同的条件下作为频率的函数通过接收端子Rx而输出的。对于计算出的IMD2的绝对值难以进行讨论，然而可以对于IMD2的相对值进行讨论。图14示出了第六实施例的IMD2的值比第六比较例的IMD2的值小。通过将压电材料的c轴取向方向设定成使得所分成的并联连接的谐振器的二次失真电压可以被抵消，可以抑制二次失真。
在第一实施例至第六实施例中，所关注的谐振器被分成两个谐振器，即第一谐振器和第二谐振器。然而，所述谐振器也可以被分成三个或更多个。在这种情况下，在所分成的谐振器中，将上电极与下电极在压电材料的两侧相交叠的部分的面积确定为能够消除二次失真电压。由此可以抑制二次失真。
第一实施例至第六实施例采用利用氮化铝(AlN)的压电材料的FBAR，所述压电材料可以由氧化锌(ZnO)或其他适当的压电材料替代。当利用其他的压电材料时，第一实施例至第六实施例变化为c轴取向由极轴替代。如在第一实施例至第六实施例中的情况那样，这些变化能够抑制二次失真。FBAR可以由SMR替代。本发明不仅包括压电薄膜谐振器，而且还包括具有夹在一对电极之间的压电膜的声波器件。
(第七实施例)
第七比较例和第七实施例为梯型滤波器，在该梯型滤波器中与第三实施例类似地，将串联的多个谐振器中的一个谐振器分成串联连接的多个谐振器。图15A为第七比较例的梯型滤波器的电路图，而图16A为第七实施例的梯型滤波器的电路图。第七比较例和第七实施例中的每一个均具有串联在端口1和端口2之间的串联谐振器S1至S3，以及如第三实施例的情况一样的并联谐振器P1和P2。串联的谐振器S1被分成第一谐振器S1a和S1b。第七比较例中的第一谐振器S1a和第二谐振器S1b的极性不同于第七实施例中的第一谐振器S1a和第二谐振器S1b的极性。在第七比较例中，将第一谐振器S1a和第二谐振器S1b连接成：使这两个谐振器中的一个谐振器的沿c轴取向方向的电极与另一个谐振器的沿c轴取向方向的反向的电极具有相同的电势。即，第一谐振器S1a和第二谐振器S1b连接成如图4A所示的方式。在第七实施例中，如图16A中所示，将第一谐振器S1a和第二谐振器S1b连接成：使这两个谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相同的电势。即将第一谐振器S1a和第二谐振器S1b连接成如图4B所示的方式。
图15B示出了第七比较例的作为归一化频率的函数的带通特性和IMD2。图16B示出了第七实施例的作为归一化频率的函数的带通特性和IMD2。在这些附图中，符号S21表示带通特性。将具有范围为从800 MHz至1200MHz的频率fa的信号施加给端口2，并且将300MHz的频率fb的干扰波施加给端口1。由A2表示的曲线是经由端口2输出的IMD2(其频率等于fa+fb)。
从图15B和图16B可以看出，第七实施例和第七比较例基本上具有基本相同的通带，而第七实施例能够比第七比较例更有效地抑制IMD2。
(第八实施例)
第八实施例和第八比较例为梯型滤波器，该梯型滤波器中将串联的谐振器中的一个谐振器分成并联连接的多个谐振器。图17A为第八比较例的梯型滤波器的电路图，而图18A为第八实施例的梯型滤波器的电路图。在第八比较例和第八实施例中的每一个中，谐振器S1被分成并联连接的谐振器S1c和S1d。在第八实施例中的谐振器S1c和S1d的极性不同于第八比较例中的谐振器S1c和S1d的极性。即，在第八比较例中，将第一谐振器S1c和第二谐振器S1d并联连接成：使得这两个谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相同的电势，如图5A中所示。与此不同的是，在图18A中示出的第八实施例中，将第一谐振器S1c和第二谐振器S1d并联成，使得这两个谐振器的沿c轴取向方向的电极具有相反的电势，如图5B所示。第八实施例的其他结构与第七实施例的其他结构相同。
图17B示出了第八比较例的作为归一化频率的函数的带通特性和IMD2。图18B示出了第八实施例的作为归一化频率的函数的带通特性和IMD2。在这些附图中，符号S21和A2与前面结合第七比较例和第七实施例的说明所限定的对应符号表示相同的意义。
从图17B和图18B可以看出，第八实施例和第八比较例基本上具有相同的通带，第八实施例能够比第八比较例更有效地抑制IMD2。
(第九实施例)
第九实施例为双工器。图19为根据第九实施例的双工器40和测量系统的框图。双工器40包括发送滤波器41、接收滤波器42和匹配电路43。匹配电路43连接至公共端子Ant，并且发送滤波器41连接在匹配电路43与发送端子Tx之间。接收滤波器42连接在匹配电路43与接收端子Rx之间。将双工器40设计为适合于2.1GHz的W-CDMA，在该W-CDMA中传输频率的范围为1920MHz至1980MHz，并且接收频率的范围为2110MHz至2170MHz。本发明人提出四种不同类型的实例，其中发送滤波器41通过第七比较例、第七实施例、第八比较例、以及第八实施例形成。所述四个实例的其他结构是相同的。这些实例的发送滤波器41和接收滤波器42由如图7A、图7B或图8中所示的FBAR形成。如图7B所示，在部分17(在该部分中电极16与相应的下电极12在压电材料14的两侧上相交叠)的下方形成有孔18。
对所述四种不同类型的实例的IMD2进行如下测量。参照图19，信号发生器60生成具有范围从1920MHz至1980MHz的频率f1的发送信号。功率放大器50放大该发送信号，并将所放大的信号施加给发送端子Tx。功率放大器50的增益被调节成：通过公共端子Ant的输出功率等于21dBm。信号发生器58生成具有范围从4030MHz至4150MHz的频率f2的干扰波。高通滤波器(HPF)56从干扰波中去除低频分量。衰减器(ATT)54将滤波后的干扰信号的振幅限制在给定水平，使得将功率为-15dBm的干扰波施加给公共端子Ant。在这种状态下，经由接收端子Rx和衰减器(ATT)52输出2210MHz至2170MHz的IMD2信号，并且通过频谱分析仪62进行测量。
图20示出了作为频率(MHz)的函数的四种类型的实例的IMD2信号强度(dBm)。通过利用第七实施例和第八实施例的发送滤波器41获得的IMD2信号强度约为20dBm，其小于通过利用第七比较例和第八比较例的发送滤波器41获得的信号强度。具有第七实施例和第八实施例的发送滤波器的第九实施例的双工器40具有抑制IMD2的能力。
本发明不限于具体公开的实施方式，而是在不脱离本发明的范围的情况下，可以有其他实施方式和变型。
本申请基于2006年9月1日递交的日本专利申请No.2006-237287和2007年7月18日递交的日本专利申请No.2007-187666，并且在此通过引用并入其全部内容。
Claims (8)
1.一种声波器件，该声波器件包括：
第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及
第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势，
其中，所述第一谐振器具有一部分，在所述部分处所述一对电极在所述压电材料的两侧相交叠，所述部分的面积与所述第二谐振器的所述另一对电极在所述另一压电材料的两侧相交叠处的另一部分的面积不同。
2.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一谐振器被提供功率，并且所述第一谐振器的所述部分的面积大于所述第二谐振器的所述另一部分的面积。
3.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一谐振器和第二谐振器是如下的谐振器，在该谐振器中所述压电材料的厚度等于相应的谐振频率的波长的一半。
4.根据权利要求1所述的声波器件，其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的压电材料包括AlN或ZnO。
5.一种包括设置在单个基板上的多个声波谐振器的滤波器，所述声波谐振器包括特定声波谐振器，所述特定声波谐振器包括：
第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及
第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势，
其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的压电材料的厚度等于相应的谐振频率的波长的一半，
其中，所述特定声波谐振器直接连接到所述滤波器的输入端子。
6.一种包括设置在单个基板上的多个声波谐振器的滤波器，所述声波谐振器包括特定声波谐振器，该特定声波谐振器包括：
第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及
第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器并联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相反的电势，
其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的压电材料的厚度等于相应的谐振频率的波长的一半，
其中，所述特定声波谐振器直接连接到所述滤波器的输入端子。
7.一种双工器，该双工器包括：
公共端子；
第一滤波器，其连接至所述公共端子；以及
第二滤波器，其连接至所述公共端子，
所述第一滤波器和第二滤波器中的一个滤波器具有设置在单个基板上的多个声波谐振器，所述声波谐振器包括特定声波谐振器，所述特定声波谐振器包括：
第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及
第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势，
其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的压电材料的厚度等于相应的谐振频率的波长的一半，
其中，所述特定声波谐振器直接连接到所述公共端子。
8.一种双工器，该双工器包括：
公共端子；
第一滤波器，其连接至所述公共端子；以及
第二滤波器，其连接至所述公共端子，
所述第一滤波器和第二滤波器中的一个滤波器具有设置在单个基板上的多个声波谐振器，所述多个声波谐振器包括特定声波谐振器，所述特定声波谐振器包括：
第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及
第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器并联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相反的电势，
其中，所述第一谐振器和所述第二谐振器的压电材料的厚度等于相应的谐振频率的波长的一半，
其中，所述特定声波谐振器直接连接到所述公共端子。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006-237287 | 2006-09-01 | ||
| JP2006237287 | 2006-09-01 | ||
| JP2006237287 | 2006-09-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101136620A CN101136620A (zh) | 2008-03-05 |
| CN101136620B true CN101136620B (zh) | 2012-04-04 |
Family
ID=39150648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2007101472423A Active CN101136620B (zh) | 2006-09-01 | 2007-08-31 | 声波器件、滤波器和双工器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8018298B2 (zh) |
| JP (1) | JP5036435B2 (zh) |
| KR (1) | KR100890289B1 (zh) |
| CN (1) | CN101136620B (zh) |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8409441B2 (en) | 2007-02-27 | 2013-04-02 | Deka Products Limited Partnership | Blood treatment systems and methods |
| JP5200716B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2013-06-05 | 株式会社村田製作所 | 分波器 |
| EP2416496B1 (en) * | 2009-03-30 | 2019-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave filter |
| JP5394847B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-01-22 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| KR20110077781A (ko) * | 2009-12-30 | 2011-07-07 | 삼성전기주식회사 | 듀플렉서 소자 및 그 제조방법 |
| JP5511464B2 (ja) | 2010-03-26 | 2014-06-04 | 矢崎総業株式会社 | 基板接続用コネクタの嵌合確認構造 |
| JP5653161B2 (ja) | 2010-10-18 | 2015-01-14 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| JPWO2012090559A1 (ja) | 2010-12-29 | 2014-06-05 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置及びそれを備えた通信機器 |
| JP5679558B2 (ja) * | 2011-01-19 | 2015-03-04 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| JP5360432B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2013-12-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
| JP5816592B2 (ja) * | 2012-05-14 | 2015-11-18 | 株式会社村田製作所 | チューナブルフィルタ |
| CN104995836B (zh) * | 2013-02-27 | 2018-01-19 | 京瓷株式会社 | 弹性波元件、分波器以及通信模块 |
| CN108288959A (zh) * | 2013-05-08 | 2018-07-17 | 天津大学 | 压电声波谐振器和滤波器 |
| DE112013002919B4 (de) * | 2013-06-26 | 2024-06-13 | Intel Corporation | Akustische Volumenwellenresonator-Abstimmschaltungen |
| JP6115646B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2017-04-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波共振子、弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ |
| KR102147541B1 (ko) * | 2013-10-07 | 2020-08-24 | 삼성전자주식회사 | 비선형 특성이 개선된 음향 필터 |
| KR102265058B1 (ko) * | 2013-10-07 | 2021-06-15 | 삼성전자주식회사 | 비선형 특성이 개선된 음향 필터 |
| JP5613813B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2014-10-29 | 太陽誘電株式会社 | 分波器 |
| WO2016031391A1 (ja) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | 株式会社村田製作所 | ラダー型フィルタ及びデュプレクサ |
| CN104363001A (zh) * | 2014-11-30 | 2015-02-18 | 王少夫 | 一种新型压电滤波器 |
| US10418971B2 (en) * | 2015-03-31 | 2019-09-17 | Kyocera Corporation | Acoustic wave module |
| JP2016195305A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール |
| JP6420732B2 (ja) | 2015-07-14 | 2018-11-07 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ、及びモジュール |
| JP6415419B2 (ja) * | 2015-12-02 | 2018-10-31 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ、及びモジュール |
| JP6515042B2 (ja) | 2016-01-25 | 2019-05-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10491193B2 (en) * | 2016-05-13 | 2019-11-26 | Qorvo Us, Inc. | Circuit for suppressing signals adjacent to a passband |
| JP6590760B2 (ja) | 2016-06-10 | 2019-10-16 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP6556668B2 (ja) * | 2016-06-22 | 2019-08-07 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよびマルチプレクサ |
| JP6538007B2 (ja) | 2016-06-29 | 2019-07-03 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| US10581403B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Device having a titanium-alloyed surface |
| JP6573851B2 (ja) | 2016-08-04 | 2019-09-11 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
| US20180123555A1 (en) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Filter including bulk acoustic wave resonator |
| CN109964409B (zh) * | 2016-11-22 | 2023-08-25 | 株式会社村田制作所 | 滤波器装置以及多工器 |
| JP6798456B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2020-12-09 | 株式会社村田製作所 | 高周波フロントエンド回路及び通信装置 |
| JP6661521B2 (ja) | 2016-12-05 | 2020-03-11 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよびマルチプレクサ |
| US10541665B2 (en) * | 2017-04-05 | 2020-01-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | BAW resonator and BAW filter for reducing harmonic distortion |
| JP6923365B2 (ja) | 2017-06-08 | 2021-08-18 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP7057636B2 (ja) * | 2017-08-16 | 2022-04-20 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ |
| US10361676B2 (en) * | 2017-09-29 | 2019-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Baw filter structure with internal electrostatic shielding |
| KR102066962B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2020-01-16 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기를 포함하는 필터 |
| US10707828B2 (en) | 2018-05-04 | 2020-07-07 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Filter including bulk acoustic wave resonator |
| CN109936344A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-06-25 | 天津大学 | 一种拆分结构谐振器 |
| DE102019108852B4 (de) * | 2019-04-04 | 2021-09-09 | RF360 Europe GmbH | Mikroakustisches Bandsperrfilter |
| CN112886942B (zh) * | 2019-11-29 | 2023-07-07 | 华为技术有限公司 | 滤波电路、双工器、通信装置 |
| US11757430B2 (en) | 2020-01-07 | 2023-09-12 | Qorvo Us, Inc. | Acoustic filter circuit for noise suppression outside resonance frequency |
| CN111162752A (zh) * | 2020-01-14 | 2020-05-15 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 一种体声波滤波器 |
| CN112187213B (zh) * | 2020-09-29 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 双工器设计方法和双工器、多工器、通信设备 |
| WO2022091726A1 (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-05 | 株式会社村田製作所 | マルチプレクサ、高周波モジュールおよび通信装置 |
| US11632097B2 (en) | 2020-11-04 | 2023-04-18 | Qorvo Us, Inc. | Coupled resonator filter device |
| CN112468111B (zh) * | 2020-12-07 | 2022-07-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 改善非线性性能的方法和声波滤波器、多工器、通信设备 |
| US11575363B2 (en) | 2021-01-19 | 2023-02-07 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid bulk acoustic wave filter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294862A (en) * | 1991-07-18 | 1994-03-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ladder-type piezo-electric filter |
| US5351021A (en) * | 1990-02-08 | 1994-09-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ladder-type piezoelectric filter |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4344010A (en) * | 1979-10-19 | 1982-08-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Acceleration resistant combination of opposite-handed piezoelectric crystals |
| US5231327A (en) * | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
| US6420945B1 (en) * | 1999-04-09 | 2002-07-16 | Murata Manufacturing Co. Ltd | Piezoelectric resonator having internal electrode films, piezoelectric component and ladder filter formed therefrom |
| US6262637B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
| JP2001068961A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Murata Mfg Co Ltd | 厚み縦圧電共振子、ラダー型フィルタ及び圧電共振部品 |
| JP2001119262A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電共振子 |
| JP2001127585A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Murata Mfg Co Ltd | ラダーフィルタ |
| JP2002076822A (ja) * | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 圧電薄膜フィルタ |
| JP2005236337A (ja) * | 2001-05-11 | 2005-09-02 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
| JP3963824B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2007-08-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路 |
| US6946928B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
| JP2006129445A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-05-18 | Fujitsu Media Device Kk | 分波器 |
| US7299529B2 (en) * | 2005-06-16 | 2007-11-27 | Intel Corporation | Film bulk acoustic resonator (FBAR) process using single-step resonator layer deposition |
| DE102005028927B4 (de) * | 2005-06-22 | 2007-02-15 | Infineon Technologies Ag | BAW-Vorrichtung |
| US7535323B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-05-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Bulk acoustic wave filter with reduced nonlinear signal distortion |
| US7515018B2 (en) * | 2006-08-31 | 2009-04-07 | Martin Handtmann | Acoustic resonator |
| US7548140B2 (en) * | 2007-04-16 | 2009-06-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having reduced second harmonic generation and method of reducing second harmonic generation in a BAW filter |
| US7786825B2 (en) * | 2007-05-31 | 2010-08-31 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave device with coupled resonators |
-
2007
- 2007-07-18 JP JP2007187666A patent/JP5036435B2/ja active Active
- 2007-08-31 CN CN2007101472423A patent/CN101136620B/zh active Active
- 2007-08-31 KR KR1020070088540A patent/KR100890289B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 US US11/896,470 patent/US8018298B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5351021A (en) * | 1990-02-08 | 1994-09-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ladder-type piezoelectric filter |
| US5294862A (en) * | 1991-07-18 | 1994-03-15 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ladder-type piezo-electric filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008085989A (ja) | 2008-04-10 |
| CN101136620A (zh) | 2008-03-05 |
| KR20080020967A (ko) | 2008-03-06 |
| US8018298B2 (en) | 2011-09-13 |
| US20080055021A1 (en) | 2008-03-06 |
| JP5036435B2 (ja) | 2012-09-26 |
| KR100890289B1 (ko) | 2009-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101136620B (zh) | 声波器件、滤波器和双工器 | |
| US7515018B2 (en) | Acoustic resonator | |
| CN100456642C (zh) | 用于多频带移动电话机的传输滤波器及滤波方法 | |
| CN103107794B (zh) | 双工器、滤波器和通信模块 | |
| US7365619B2 (en) | BAW apparatus | |
| US7194247B2 (en) | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology | |
| US7889024B2 (en) | Single cavity acoustic resonators and electrical filters comprising single cavity acoustic resonators | |
| JP5081742B2 (ja) | アンテナ分波器 | |
| US20120306591A1 (en) | Electronic circuit and electronic module | |
| US7518410B2 (en) | Duplexer | |
| US10505516B2 (en) | Filter and multiplexer | |
| JP2002198765A (ja) | 統合フィルタ・バラン | |
| US7212086B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
| EP2416496A1 (en) | Elastic wave filter | |
| US20030160664A1 (en) | Band reject filters | |
| US20100194495A1 (en) | Duplexer | |
| CN100512001C (zh) | 表面声波滤波器和天线双工器 | |
| US20070030094A1 (en) | Duplexer and communication apparatus | |
| US20170201235A1 (en) | Filter with Improved Linearity | |
| US20130222077A1 (en) | Elastic wave filter device | |
| JP2016028505A (ja) | Ｇｐｓ用周波数帯域において帯域外サプレッション効果をもつアンテナデュプレクサ | |
| US6380827B1 (en) | Surface acoustic wave filter and branching filter utilizing it | |
| US8198958B1 (en) | Power amplifier matching RF system and method using bulk acoustics wave device | |
| US6967427B2 (en) | Surface acoustic wave device and communication apparatus incorporating the same | |
| JPH1032450A (ja) | フィルタとこれを用いた高周波装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU LTD. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20100802 Address after: Kanagawa Applicant after: Fujitsu Media Devices Ltd Co-applicant after: Taiyo Yuden Co., Ltd. Address before: Kanagawa Applicant before: Fujitsu Media Devices Ltd Co-applicant before: Fujitsu Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: TAIYO YUDEN CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU MEDIA DEVICES LTD Effective date: 20101201 Free format text: FORMER OWNER: TAIYO YUDEN CO., LTD. |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: KANAGAWA PREFECTURE, JAPAN TO: TOKYO, JAPAN |
|
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20101201 Address after: Tokyo, Japan, Japan Applicant after: Taiyo Yuden Co., Ltd. Address before: Kanagawa Applicant before: Fujitsu Media Devices Ltd Co-applicant before: Taiyo Yuden Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |