JP2002076822A

JP2002076822A - 圧電薄膜フィルタ

Info

Publication number: JP2002076822A
Application number: JP2000258022A
Authority: JP
Inventors: Yasuyo Kamigaki; 耕世神垣
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-08-28
Filing date: 2000-08-28
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】高周波数に対応でき、帯域幅の広く、かつ低損
失な圧電薄膜フィルタを提供する。【解決手段】単一基板上１１に設けられた複数の圧電共
振子を電気的に接続してなり、各圧電共振子が複数の薄
膜状の圧電体と複数の電極との積層体を具備してなるフ
ィルタであって、前記圧電共振子を構成する電極のうち
少なくとも一部がＡｕからなり、かつ圧電体が強誘電体
からなる複数の圧電分極体１４及び１６によって形成さ
れており、隣接する圧電分極体１４及び１６の分極方向
が異なることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や無線Ｌ
ＡＮ等に用いられる圧電薄膜フィルタに関し、特に、圧
電体の厚み縦振動の共振を利用した圧電薄膜フィルタに
関するものである。

【０００２】

【従来技術】近年、無線通信や電気回路に用いられる周
波数の高周波数化が進んでおり、これに伴って、これら
の電気信号に対して用いられるフィルタも高周波数に対
応したものが要求され、開発が行われている。

【０００３】最近は、特に、バルク・アコースティック
・ウェーブ・レゾネーター（ＢＡＷＲ）と呼ばれる共振
子を利用したフィルタの開発が進められている。これ
は、入力される高周波電気信号に対して、圧電体薄膜が
振動を起こし、その振動が、薄膜の厚さ方向に共振を起
こすことを用いた共振子であり、これを複数用いること
により、ＧＨｚ領域の高い共振周波数に対応したフィル
タが期待されている。

【０００４】ＢＡＷ共振子を用いたフィルタとしては、
ＢＡＷ共振子を電気的に接続した電気的結合型フィルタ
と、圧電共振子を積層し、２つの振動体間での音響的エ
ネルギー伝搬を用いた音響結合型フィルタが提案されて
いる。

【０００５】どちらのタイプのフィルタにおいても圧電
体薄膜の材料は、比較的作製が制御しやすいＺｎＯもし
くは音速の大きなＡｌＮが用いられていた。音速が大き
い為、高周波化が容易であるが、これらの圧電体、特に
ＡｌＮは、圧電性が小さく、大容量の情報量に対応した
広帯域フィルタの実現は、困難であった。

【０００６】そのため、近年、広帯域フィルタを実現す
る目的で、圧電体として圧電性が大きく広帯域フィルタ
の実現が可能な強誘電体薄膜を用いたＢＡＷ共振子が提
案されている。例えば、特開平１０−２０９７９３号公
報には、圧電体膜として電気機械結合係数の大きなＰＺ
Ｔ膜、ＰＴ膜を用い、広帯域なフィルタを実現できる事
が示唆されている。

【０００７】また、ＰｂＴｉＯ₃膜を圧電体として用い
て、モノリシック・クリスタル・フィルター（ＭＣＦ）
を実現した報告がなされている（三菱電機技報Ｖｏｌ．
７３、Ｎｏ．２、ｐｐ．３７−４０、１９９９年）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記文
献に記載されたＰｂＴｉＯ₃強誘電体膜を用いてＭＣＦ
を構成した場合、ＰｂＴｉＯ₃のようなＰｂ酸化物との
反応性の小さいＰｔを下部電極材料として使用している
為、Ｐｔの大きな抵抗に起因して共振子Ｑ値が小さく、
フィルタを構成した場合、挿入損失が非常に大きいとい
う問題があった。これは、圧電性の大きい圧電体を用い
た共振子においては、圧電体の共振抵抗が小さく、電極
の抵抗が共振子のＱ値を左右してしまう為である。

【０００９】また、ＭＣＦは音響結合型フィルタである
ため、電気的接続型フィルタである梯子型フィルタのよ
うに、共振周波数の異なる２種類の共振子によりフィル
タを構成するのではなく、単一種類の共振子でフィルタ
を構成する為、電気機械結合係数の大きなＰｂＴｉＯ₃
を用いても、広帯域化が困難であり、また急峻なフィル
タ特性を得にくいという問題があった。

【００１０】また、特開平１０−２０９７９３号公報に
記載のフィルタでは、強誘電体で電気機械結合係数の大
きなＰｂＴｉＯ₃を用いており、電極との反応を抑制す
る為に、Ｐｔ電極が使われるている。このため、Ｐｔの
抵抗はＳＡＷフィルタの櫛型電極に使用されているＡｌ
の約５倍の抵抗率を持っているため、Ｐｔ電極により共
振子のＱ値は大きく減少し、深刻な損失を引き起こすと
いう問題があった。

【００１１】さらに、強誘電体を用いてＢＡＷ共振子を
構成し、梯子型フィルタのような電気的接続によりフィ
ルタを構成した場合、強誘電体の硬度が小さく音速が小
さいため、２ＧＨｚ帯以上の高周波化を実現する為に
は、サブミクロン以下の膜厚が必要となり、非圧電体で
ある電極等による振動を抑制する負荷が無視できなくな
り、大きな挿入損失を引き起こしてしまうという問題が
あった。

【００１２】したがって、本発明は、帯域幅が広く、高
周波数に対応でき、かつ低損失なＢＡＷフィルタを提供
することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の圧電薄膜フィル
タは、圧電共振子の圧電体に強誘電体を、内部電極に金
を用いるとともに、圧電体を分極方向の異なる圧電分極
体で構成することで、広帯域及び高周波数に対応し、低
損失なフィルタを実現できるという知見に基づくもので
ある。

【００１４】即ち、単一基板上に設けられた複数の圧電
共振子を電気的に接続してなり、各圧電共振子が複数の
薄膜状の圧電体と複数の電極との積層体を具備してなる
フィルタであって、前記圧電共振子を構成する電極のう
ち少なくとも一部がＡｕからなり、かつ圧電体が強誘電
体からなる複数の圧電分極体によって形成されており、
隣接する圧電分極体の分極方向が異なることを特徴とす
るものである。

【００１５】この構成によれば、圧電体に強誘電体を用
いることにより広帯域を実現し、電極の一部にＡｕを用
いることにより、電極の電気抵抗に起因したＱ値の低下
を抑制し、高い共振子Ｑ値を実現し、低損失なＧＨｚ帯
フィルタを実現できる。

【００１６】特に、隣接する前記圧電分極体の分極方向
がお互いに逆方向であることが好ましい。これにより、
電気機械結合係数を大きく低減する事なく高次高調波を
励振できるため、より高周波に対応した広帯域フィルタ
を実現できる。

【００１７】また、前記圧電分極体の厚みが、それぞれ
１μｍ以下であることが好ましい。これにより、ＧＨｚ
帯の周波数に対応することができる。

【００１８】さらに、前記強誘電体がＰｂＺｒＴｉＯ₃
系材料及び／又はＰｂＴｉＯ₃系材料からなることが好
ましい。これにより、さらに広帯域のフィルタを実現で
きる。

【００１９】さらにまた、前記単一基板に振動空間が設
けられており、前記圧電共振子が、該振動空間を有する
基板と、該基板上に前記振動空間を被覆するように設け
られた支持膜とを具備し、該支持膜上に前記積層体が形
成されてなることが好ましい。これにより、フィルタの
小型化が可能となる。

【００２０】さらに、前記支持膜が窒化珪素からなると
共に、該支持膜上にＡｕからなる電極が形成されてお
り、前記Ａｕ電極と前記支持膜との間にＴｉ化合物が設
けられていることが好ましい。これにより、支持膜と電
極との密着性を高めることができ、その結果、破壊する
ことなくフィルタを作製できる。また、電極表面の平滑
性を確保できる為、均一な膜厚制御により損失を増大す
る事なく所望の周波数でのフィルタ特性を再現性良く得
る事ができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明を図１に例示した圧電薄膜
フィルタを用いて説明する。図１は、圧電共振子を電気
的に接続してなるフィルタの例であり、直列接続の圧電
共振子１、２及び３と平列接続の圧電共振子４及び５
が、梯子型に接続されている。

【００２２】なお、図１に示すフィルタは５個の圧電共
振子１〜５を具備するが、２個以上であれば特に制限は
ないが、フィルタ特性の急峻性に優れるという観点で、
３個以上、特には５個以上が好ましい。

【００２３】このフィルタを構成する圧電共振子は複数
の薄膜状の圧電体と複数の電極とを積層してなる積層型
ＢＡＷ共振子であって、図２に示すような構造を有して
いる。即ち、基板１１上に振動空間Ａに面するように、
支持膜１２が設けられており、支持膜１２上に、下部電
極１３、圧電分極体１４、分極用電極１５、圧電分極体
１６及び上部電極１７が順次設けられてなる振動体１８
が形成されている。

【００２４】本発明に用いられる圧電体１９は、強誘電
体であることが重要である。すなわち、強誘電体ではな
い典型的な圧電体であるＺｎＯ、ＡｌＮにおいては外部
電界による分極反転は不可能であり、実質上分極の制御
は困難である。しかし、圧電体が強誘電体であれば、分
極軸の向きを分極用電極を用いて容易に逆向きにできる
ため、分極方向の異なる圧電体を積層させることによ
り、各圧電体に半波長の定在波を固定させることができ
る。

【００２５】また、圧電体は、厚み縦振動の電気機械結
合係数が６％以上であることが好ましく、それを実現す
るためには、圧電体材料にＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料及び
／又はＰｂＴｉＯ₃系材料を用いることが望ましい。

【００２６】ＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料は、電気機械結合
係数が大きく、また、抗電界が比較的小さい為、分極を
効率よく行うことができるため、大きな電気機械結合係
数が容易に得られ、広帯域なフィルタを実現できる。

【００２７】また、ＰｂＴｉＯ₃系材料は、電気機械結
合係数はＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料に比べ若干小さいもの
の、フィルタの挿入損失を左右する機械的品質係数が大
きく、広帯域で低損失なフィルタを実現できる。

【００２８】ＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料及び／又はＰｂＴ
ｉＯ₃系材料からなる圧電分極体１４及び１６は、高周
波マグネトロンスパッタ法等の気相成膜法やゾルゲル法
等の溶液法で形成できる。

【００２９】ここで、ＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料とは、Ｐ
ｂＺｒＴｉＯ₃を主体とする材料で、例えば、Ｐｂ（Ｚ
ｒ_0.53Ｔｉ_0.47）Ｏ₃等が挙げられる。また、ＰｂＴｉ
Ｏ₃系材料とは、ＰｂＴｉＯ₃を主体とする材料で、例え
ば、（Ｐｂ_1-xＬａ_x）ＴｉＯ₃等が挙げられる。

【００３０】ここで、圧電体１９は、図２のように、分
極方向の異なる２つの層である圧電分極体１４及び１６
からなる積層体であることが重要であり、その結果、従
来の単層構造に比べて同じ周波数を得ながら、しかもフ
ィルタ全体の厚みが大きい分だけフィルタの強度を向上
でき、安定した動作を得ることができ、また寿命も長く
することができる。

【００３１】特に、隣接する圧電分極体の分極方向がお
互いに反対であることが好ましい。分極方向が反対にな
ることにより、エネルギー損失が最小となり、効率の良
いフィルタを実現できる。なお、圧電分極体の数は、図
２においては２つであるが、３つ以上あっても何ら差し
支えない。

【００３２】また、それぞれ一定方向に分極された圧電
分極体の厚みが、各々１μｍ以下、特に０．７μｍ以
下、さらには０．５μｍ以下であることが好ましい。す
なわち、図２における圧電分極体１４及び１６は、お互
いに逆向きの分極方向を持っており、これらの膜厚が各
々１μｍ以下であることが好ましいのである。

【００３３】これは、圧電体１９の振動周波数が膜厚に
依存するためであり、膜厚が小さいほど周波数が大きく
なり、膜厚が大きくなると周波数が小さくなるからであ
る。そして、ＧＨｚ帯でフィルタを使用されるために
は、個々の圧電体、即ち圧電分極体の膜厚をそれぞれ１
μｍ以下にする必要がある。

【００３４】さらに、圧電分極体１４及び１６の膜厚が
略同一であることが望ましい。図２においては、圧電分
極体１４及び１６の膜厚が略同一になることが望まし
い。そして、圧電分極体１４及び１６の膜厚が略同一で
ある時、最も効率よく共振する。

【００３５】また、圧電共振子を構成する電極の一部に
Ａｕを用いることが重要である。Ａｕは抵抗率がＡｌと
同程度であり、Ｐｔの１／５程度であるため、共振子Ｑ
値を大きくできる為、低損失なフィルタを作製できる。
例えば、図２の圧電共振子において、下部電極１３及び
分極用電極１５にＡｕを用いることができる。

【００３６】また、図１に示したフィルタの配線材料
は、Ａｕ及び／又はＡｌを用いることが望ましい。抵抗
率の小さいＡｕ及び／又はＡｌを配線に用いることによ
り、配線抵抗に起因したＱ値の低下を低減できるため、
低損失なフィルタを実現できる。

【００３７】上部電極１７は、低抵抗、低比重による低
質量負荷の点からＡｌが望ましい。下部電極１３、上部
電極１７の膜厚は、フィルタ周波数に影響を小さくする
とともに、導電性を確保するために、２０〜３００ｎｍ
の範囲とすることが望ましい。また、電気抵抗と質量負
荷効果を考慮すると、特に５０〜２００ｎｍが望まし
い。

【００３８】なお、Ａｕ電極膜を高い密着強度で基板１
１上に形成された支持膜１２上に形成するために、下部
電極１３と支持膜１２の間にＴｉＯ₂膜とＴｉ膜の積層
体を導入する事が望ましい。

【００３９】また、図１において、直列接続の圧電共振
子１、２及び３の共振周波数に、並列接続の圧電共振子
４及び５の反共振周波数を一致させるため、並列接続の
圧電共振子４及び５の上部電極は、直列共振子の上部電
極と同一材料であるが膜厚を大きくし、質量負荷を大き
くしている。

【００４０】特に、支持膜１２に代表的支持体材料であ
るＳｉＮ_x（１≦Ｘ≦１．３３）を用いた場合、とＡｕ
の間の密着性は小さいため共振子構造の作製プロセス中
の破壊確率が大きいが、窒化物であるＴｉＮ_xが生成相
の１つとして存在するＴｉ化合物を中間層として用いる
ことにより、ＳｉＮ_xとＴｉＯ₂の界面においてＯ−Ｔｉ
−Ｎ結合を形成することにより、Ａｕ、ＴｉとＳｉＮ_x
の密着性を改善できる。

【００４１】なお、分極用電極１５の膜厚はできるだけ
小さいことが望ましい。

【００４２】下部電極１３、分極用電極１５、上部電極
１７は、高周波マグネトロンスパッタ法等の気相成膜法
により形成できる。

【００４３】基板１１は、砒化ガリウム（単結晶）、シ
リコン又はサファイアなどであり、基板１１表面に形成
する圧電体１９の表面が平滑になるために、十分な平坦
度と表面粗さ、例えば１μｍ以下の平坦度とＲａ０．１
μｍ以下の表面粗さを保有していれば、特に材料を限定
するものではない。

【００４４】また、基板１１は、ＫＯＨ等を用いた化学
的エッチング法や、反応性イオンエッチング法等を用い
たエッチングにより、振動空間Ａが設けられている。な
お、基板１１の振動空間Ａとは、圧電体１９の振動を基
板１１に伝達しないための空間を言い、基板１１に貫通
孔を形成したり、基板１１の下部電極１３を形成する部
分に凹状の窪みを形成したりすることにより作製され
る。

【００４５】なお、本発明の圧電薄膜フィルタは、基板
１１の単一基板上に図２で示される圧電共振子を必要な
数だけ形成し、電気接続しても良いが、基板１１の単一
基板上に単一の支持膜１２を形成し、その上に複数の振
動子を形成して電気接続しても、さらにこれらを組合せ
てもかまわない。

【００４６】以上のように構成された本発明の圧電薄膜
フィルタでは、圧電共振子の圧電体を、分極方向が互い
に逆方向の２層以上の強誘電体からなる積層体とするこ
とにより、振動体の厚みが大きくなっても、低損失で広
帯域な高周波用フィルタが実現できる。

【００４７】

【実施例】実施例１図１に示す圧電薄膜フィルタを作製した。圧電薄膜フィ
ルタを構成する圧電共振子構造は、図２に示す積層型Ｂ
ＡＷ共振子である。

【００４８】最初にＳｉ基板の両面に、減圧ＣＶＤ法に
より窒化珪素膜（以後ＳＮ膜という）を形成した後、下
部電極を形成した。即ち、ＲＦマグネトロンスパッタ法
により１００ｎｍのＴｉ膜を形成し、それを６００℃で
酸化処理してＴｉＯ₂膜を形成した。次いで、１０ｎｍ
のＴｉ膜及び１６０ｎｍのＡｕ膜をＲＦマグネトロンス
パッタ法により形成した。その時、Ａｒをスパッタガス
として用い、ＲＦパワーをそれぞれ３００Ｗ及び１００
Ｗ、基板温度を３００℃とした。これらのＡｕ膜及びＴ
ｉ膜は、フォトリソグラフ法と化学的エッチング法によ
り、電極形状に加工された。

【００４９】次に、ゾルゲル溶液を以下のように作製し
た。酢酸Ｐｂ無水物、Ｚｒイソプロポキシド、Ｔｉイソ
プロポキシドを出発原料とし、２−メトキシエタノール
を溶媒として作製した。Ｚｒ、Ｔｉ原料を、溶媒の２−
メトキシエタノールと混合、溶解し、１ｍｏｌ／ｌ濃度
のＺｒ、Ｔｉ溶液を作製した。このＺｒ及びＴｉ溶液を
１：３の組成比で混合し、酢酸鉛と溶媒を混合し、１２
４℃で２時間還流処理を行った。室温へ冷却後、所定量
のアセチルアセトンを添加、混合してゾルゲル溶液を作
製した。

【００５０】さらに、作製した上記ゾルゲル溶液を用い
て、Ａｕ膜、Ｔｉ膜の上に、ゾルゲル法により圧電分極
体としてＰｂＺｒＴｉＯ₃膜を形成した。即ち、１ｍｏ
ｌ／ｌ濃度ゾルゲル溶液をスピンコート法により塗布
し、３６０℃で３分間熱処理してゲル膜を作製した。塗
布、熱処理を６回繰返した後、７００℃で５分間焼成し
た。得られたＰｂＺｒＴｉＯ₃の膜厚は４２０ｎｍであ
った。

【００５１】次に、ＤＣスパッタ法により、Ｔｉ膜、Ａ
ｕ分極用電極を形成した。基板温度は３００℃、膜厚は
それぞれ１０ｎｍ、１５０ｎｍであった。Ａｕ、Ｔｉ電
極をフォトリソグラフ法と化学的エッチング法により、
電極形状に加工した。

【００５２】その上に、圧電分極体１６としてＰｂＺｒ
ＴｉＯ₃膜をゾルゲル法により、以下のように形成し
た。溶液塗布、熱処理によるゲル膜形成工程を圧電分極
体１４と同様の条件で６回繰り返した。得られたＰｂＺ
ｒＴｉＯ₃の膜厚は４２０ｎｍであった。ＰＺＴからな
る圧電分極体の膜厚の合計は８４０ｎｍであった。

【００５３】次に、フォトリソグラフ法と化学エッチン
グ法により、圧電体を加工した。

【００５４】そして、並列接続の圧電共振子の反共振周
波数を直列接続の圧電共振子の共振周波数と一致させる
ために、質量負荷膜の形成をリフトオフ法により行っ
た。即ち、レジストを形成し、パターン加工後、Ａｌを
ＲＦマグネトロンスパッタ法により形成し、アセトンに
より不要部分を除去した。次いで、並列接続の圧電共振
子の厚みを調整するために、ＡｌをＲＦマグネトロンス
パッタ法により形成し、フォトリソグラフ法と化学的エ
ッチング法により電極形状に加工し、上部電極とした。
スパッタ条件は、ＲＦパワー３００Ｗ、Ａｒをスパッタ
ガスとし、基板温度は１００℃であった。膜厚は１００
ｎｍであった。

【００５５】次に、電極、圧電体を形成加工した面と反
対の基板面に減圧ＣＶＤで形成した窒化珪素膜を、フォ
トレジスト法とＲＩＥを用いてパターニングし、専用治
具を用いることによりＫＯＨ溶液によりＳｉ基板をエッ
チング除去し、基板にビアホールを形成し、フィルタ構
造を作製した。

【００５６】最後に、圧電分極体が互いに逆方向の分極
方向を示すように分極した。分極条件は、８０℃、ＤＣ
電圧１０Ｖ、１０秒間である。

【００５７】得られた積層型ＢＡＷフィルタのフィルタ
特性は、ＲＦネットワークアナライザＨＰ８７１９Ｃ
（ヒューレットパッカード社製）と、ＲＦマイクロプロ
ーブを用い、Ｓ２１の周波数特性を測定する事により評
価した。−３ｄＢの周波数幅を帯域幅とした。

【００５８】その結果、約２．３ＧＨｚでフィルタ特性
を示し、挿入損失は、−２．６ｄＢ、１２５ＭＨｚの帯
域幅が得られた。また、帯域外減衰量は−２８ｄＢであ
った。比較例１共振子を従来の単層構造とする以外は、
実施例と同様に作製した圧電薄膜フィルタについてフィ
ルタ特性を評価した。作製した圧電体の厚さは、実施例
１の２層積層共振子の合計の層厚に近い層厚とした。分
極用電極の製膜を行わず、ＰＺＴゾルゲル膜のみを作製
した。圧電体ＰＺＴ膜の厚さは７００ｎｍであった。

【００５９】その結果、約１．５９ＧＨｚでフィルタ特
性を示した。帯域幅は、１４０ＭＨｚ、挿入損失は、−
２．４ｄＢであった。圧電体の厚さが実施例１の８４０
ｎｍに比べて小さいにもかかわらず、フィルタ周波数
は、実施例１の約７０％と小さかった。比較例２積層型
共振子構造において下部電極及びフィルタの配線材料を
ＡｕではなくＰｔを用い、実施例１と同様に図１のフィ
ルタを作製した。各圧電体、電極の厚さは実施例１と同
様である。下部電極及びフィルタ配線であるＰｔ膜は、
ＲＦマグネトロンスパッタ法により作製した。ＲＦパワ
ー１００Ｗ、基板温度３００℃で作製した。また、Ｐｔ
のパターニングは、マスクを用いてＡｒイオンビームに
より行った。

【００６０】その結果、２．３５ＧＨｚにおいてフィル
タ特性を示した。帯域幅は１３０ＭＨｚであり、帯域外
減衰量は−３２ｄＢであったが、挿入損失は、−９．５
ｄＢと非常に大きかった。

【００６１】

【発明の効果】本発明の圧電薄膜フィルタは、積層型Ｂ
ＡＷ共振子を用いるため高調波を効率よく励起でき、同
じ圧電体の厚さでもより高周波のフィルタを実現でき
る。また、圧電性の大きい強誘電体を圧電体として用い
るため、広帯域で高帯域外減衰量を示すフィルタを実現
できる。さらに、電極材料として電気抵抗の小さいＡｕ
を用いるため、低挿入損失なフィルタを得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の圧電薄膜フィルタの構造を示す図であ
る。

【図２】本発明の圧電薄膜フィルタを構成する積層ＢＡ
Ｗ共振子の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１、２、３・・・直列接続の圧電共振子４、５・・・並列接続の圧電共振子６・・・入力区端子７・・・出力区端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単一基板上に設けられた複数の圧電共振子
を電気的に接続してなり、各圧電共振子が複数の薄膜状
の圧電体と複数の電極との積層体を具備してなるフィル
タであって、前記圧電共振子を構成する電極のうち少な
くとも一部がＡｕからなり、かつ圧電体が強誘電体から
なる複数の圧電分極体によって形成されており、隣接す
る圧電分極体の分極方向が異なることを特徴とする圧電
薄膜フィルタ。
【請求項２】隣接する前記圧電分極体の分極方向が互い
に反対方向であることを特徴とする請求項１記載の圧電
薄膜フィルタ。
【請求項３】前記圧電分極体の厚みが、それぞれ１μｍ
以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電
薄膜フィルタ。
【請求項４】前記強誘電体がＰｂＺｒＴｉＯ₃系材料及
び／又はＰｂＴｉＯ₃系材料からなることを特徴とする
請求項１乃至３のうちいずれかに記載の圧電薄膜フィル
タ。
【請求項５】前記単一基板に振動空間が設けられてお
り、前記圧電共振子が、該振動空間を有する基板と、該
基板上に前記振動空間を被覆するように設けられた支持
膜とを具備し、該支持膜上に前記積層体が形成されてな
ることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記
載の圧電薄膜フィルタ。
【請求項６】前記支持膜が窒化珪素からなると共に、該
支持膜上にＡｕからなる電極が形成されており、前記Ａ
ｕ電極と前記支持膜との間にＴｉ化合物が設けられてい
ることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記
載の圧電薄膜フィルタ。