CN101136369A - 改进器件反转短沟道效应的方法 - Google Patents

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周贯宇
吕煜坤
钱文生
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Abstract

本发明公开了一种改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括：STI形成、P阱注入、N阱和PMOS形成、栅氧化、LDD和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火。本发明的改进器件反转短沟道效应的方法能改善器件的电学性能表现，还可减小电路在空载时候的电流，且显著改善了器件NMOS反转短沟道效应，增强了器件的可靠性。

Description

改进器件反转短沟道效应的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺方法，尤其涉及一种改进器件反转短沟道效应的方法。
背景技术
目前，在亚微米CMOS的生产工艺中，有明显的短沟道效应(ShortChannel Effect，SCE)和反转短沟道效应(Reversal Short ChannelEffect，RSCE)，这是由于沟道及源漏的浓度引起的，图1所示即为现有CMOS的生产工艺流程，由图1可知，NMOS沟道调节注入是P阱注入后、N阱和PMOS形成前的一个步骤，而在NMOS源漏注入及源漏快速退火后、PMOS源漏注入前没有NMOS沟道调节注入的步骤。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种改进器件反转短沟道效应的方法，它能在不增加生产成本的基础上，使NMOS的阈值电压(Vt)的回升小于0.1V。
为了解决上述技术问题，本发明改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括：STI形成、P阱注入、N阱和PMOS形成、栅氧化、LDD和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火。
本发明的改进器件反转短沟道效应的方法，能改善器件的电学性能表现，还可减小电路在空载时候的电流，且显著改善了器件NMOS反转短沟道效应，增强了器件的可靠性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是现有CMOS的生产工艺流程图；
图2是本发明方法的CMOS生产工艺流程图。
具体实施方式
本发明改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括如下步骤：浅沟槽隔离(Shal low TrenchIsolation，STI)形成、P阱注入、N阱和PMOS形成、栅氧化、轻掺杂漏离子(Lightly Doped Drain，LDD)和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火(见图2)。
本发明方法与现有CMOS的生产工艺相比，把NMOS沟道调节注入由P阱注入后改为NMOS源漏注入及源漏快速退火后、PMOS源漏注入前进行，使NMOS的阈值电压回升(Vt roll up)小于0.1V，器件电学表现变好，还可以减小电路在空载时候的电流。
本发明方法可用于改善单个器件NMOS反转短沟道效应，对于多个器件核心NMOS反转短沟道效应则需要在NMOS源漏注入及退火之后，先调用核心NMOS NLDD(NMOS N-type Lightly Doped Drain，NMOS N型轻掺杂漏离子)的光罩，再进行NMOS沟道调节注入来改善核心NMOS反转短沟道效应。

Claims (2)

1.一种改进器件反转短沟道效应的方法，依次包括：STI形成、P阱注入，其特征在于，还包括：N阱和PMOS形成、栅氧化、LDD和HALO注入、边墙形成、NMOS源漏注入、源漏快速退火、NMOS沟道调节注入、PMOS源漏注入、源漏快速退火。
2.如权利要求1所述的改进器件反转短沟道效应的方法，其特征在于，在所述NMOS源漏注入及源漏快速退火后，可先调用核心NMOS NLDD的光罩，再进行NMOS沟道调节注入。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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